JPH02207515A - 積層インダクタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁性体層と導体層を積層した積層インダクタ
の製造方法に係るもので、特に導体層間に透磁率の低い
層を具えた積層インダクタの製造方法に関するものであ
る。

〔従来技術〕

電子部品の小型化、薄型化などの要求に伴ってインダク
タンス部品の分野においても積層インダクタが注目され
ている。これは、巻線を用いずに印刷等の方法によって
磁性体と導体を交互に積層するものである。

この積層インダクタは導体パターン間にも磁性体層が形
成されるので、磁束が主磁気回路から導体パターン間に
洩れ、インダクタンス等の特性を劣化させる。

このような積層インダクタの特性を向上させるために、
周回する導体パターン間のみ、非磁性体または低透磁率
層で置換することが考えられている。そのような構造は
、特開昭５７−１７３９１８号公報などに記載されてい
る。

（課題〕 しかし、上記のような構造の積層インダクタを得る場合
、マスクの数が増加したり、また印刷回数が多くなるな
どの製造上の問題があり、実用化は困難であった。

また、印刷精度の問題などから信卸性、歩留の面でも満
足するものが得られなかった。

本発明は、このような課題を解決して、比較的少ないマ
スクと工数で前記のような、周回する導体パターン間の
み低透磁率層で置換した、積層インダクタを得ようとす
るものである。

また、信頼性、歩留の良好な積層インダクタの得られる
製造方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、磁性体層と導体パターン及び低透磁率層を別
個に印刷積層することによって上記の課題を解決するも
のである。

すなわち、磁性体ペーストと導体ペーストを交互に印刷
して、磁性体層間を積層方向に重畳して周回するコイル
用導体パターンを形成する積層インダクタの製造方法に
おいて、磁性体ペーストを印刷して第一の磁性体層を形
成し、その上に導体ペーストを印刷して約半ターンの第
一の導体パターンを形成し、端部を除く該第一の導体パ
ターンの周囲に第二の磁性体層を形成し、端部を除く該
第一の導体パターン上に該磁性体層よりも透磁率の低い
第一の絶縁体層を形成し、該第一の導体パターンの端部
と該第一の絶縁体層上に導体ペーストを印刷して約半タ
ーンの第二の導体パターンを形成し、端部を除（該第二
の導体パターンの周囲に第三の磁性体層を形成し、端部
を除く該第二の導体パターン上に該磁性体層よりも透磁
率の低い第二の絶縁体層を形成し、該第二の導体パター
ンの端部と該第二の絶縁体層上に導体ペーストを印刷し
て約半ターンの第三の導体パターンを形成し、端部を除
く該第三の導体パターンの周囲に第四の磁性体層を形成
し、端部を除く該第三の導体パターン上に咳磁性体層よ
りも透磁率の低い第三の絶縁体層を形成し、以下所定の
回数繰り返して、導体パターン間に磁性体層よりも透磁
率の低い絶縁体層を形成した積層インダクタを製造する
ことに特徴を有するものである。

〔実施例〕

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。

本発明によって製造される積層インダクタは第１１図に
示したように、磁性体１０内に積層方向に重畳して周回
する導体パターン１１を具え、導体パターン１１間は低
透磁率の材料層１２で置換された構造となっている。

上記のような積層インダクタを製造する工程について説
明する。第１図〜第１０図は本発明の実施例を示す斜視
図である。

まず、第１図のように比較的厚い磁性体層２０を形成す
る。これはプラスチックフィルム上に磁性体ペーストを
繰り返して印刷し、所定の厚みとする。印刷に代えてシ
ート成型したものを用いてもよい、この磁性体２０の表
面に端子引き出し部を具えた導体パターン２１をスクリ
ーン印刷により形成する。導体パターン２１の端部は磁
性体２０の中央を越えその先の位置まで形成される。

続いて、第２図のように、導体パターン２１の一部と磁
性体２０の表面の一部を除いて磁性体７１３０が形成さ
れる。この磁性体１１３０は磁性体２０の表面の半分よ
りやや広い面積にわたって形成され、後に上部に導体パ
ターンが形成される部分には形成されず、凹部が残るこ
とになる。

次に、第３図に示したように、磁性体層３０が形成され
ずに凹部となった部分に、その磁性体材料よりも透磁率
の低い材料２２の層を充填し、形成する。これによって
、導体パターン２１はその端部のみが露出し、その他の
部分は磁性体層３０または低透磁率層２２によって覆わ
れる。

これまでの工程は、最初の端子となる導体パターンの形
成に関するもので、以下の工程がコイル用導体パターン
の形成工程である。なお、この端子形成工程は、順序を
逆にして最後の工程でも必要となる。

第４図は最初の約半ターンの導体パターン３１の形成工
程を示している。磁性体２０の表面に、一端は前記の導
体パターン２１の端部と重なって接続され、他端は低透
磁率層２２の上まで伸びて形成される。この場合も、導
体パターン３１の先端は中央よりも先に伸びて形成され
る。

続いて、第５図のように、導体パターン３１の先端を除
いて磁性体層４０が形成される。この磁性体層４０は磁
性体２０と磁性体層３０の表面の半分よりやや広い面積
にわたって形成され、後に上部に導体パターンが形成さ
れる部分には形成されず、凹部が残ることになる。

次に、第６図に示したように、磁性体層４０が形成され
ずに凹部となった部分に、その磁性体材料よりも透磁率
の低い材料３２の層を充填し、形成する。これによって
、導体パターン３１はその端部のみが露出し、その他の
部分は磁性体層４０または低透磁率層３２によって覆わ
れる。

その後、第７図のように次の約半ターンの導体パターン
４１が形成される。前記の低透磁率層の上に、一端は前
記の導体パターン３１の端部と重なって接続され、他端
は低透磁率層３２の上まで伸びて形成される。この場合
も、導体パターン３１の先端は中央よりも先に伸びて形
成される。

続いて、第８図のように、導体パターン４１の先端と磁
性体２０の表面の一部を除いて磁性体層５０が形成され
る。この磁性体層５０は磁性体層３０と磁性体層４０の
表面の半分よりやや広い面積にわたって形成され、後に
上部に導体パターンが形成される部分には形成されず、
凹部が残ることになる。この工程は、前記第２図の工程
と同じマスクを用いることができる。

次に、第９図に示したように、磁性体層５０が形成され
ずに凹部となった部分に、その磁性体材料よりも透磁率
の低い材料４２の層を印刷により充填し、形成する。こ
れによって、導体パターン４１はその端部のみが露出し
、その他の部分は低透磁率層３２によって覆われる。

その後、第１０図のように次の約半ターンの導体パター
ン５１が形成されるが、この工程は第４図の工程と同じ
である。

以下、同じように磁性体層−低透磁率層一導体パターン
を順次印刷積層し、所定のターン数が得られるまで繰り
返す。

なお、低透磁率層を形成する材料として非磁性体を用い
てもよい。この材料は、磁性体材料と焼成時の収縮率が
近僚したものであることが望ましい。

また、低透磁率層の幅を導体パターンの幅よりも小さく
すると、焼成時の拡散等による特性の劣化を防止するこ
とができる。

〔効果〕

本発明によれば、少ないマスクと工程で導体パターン間
に低透磁率層を具えた積層インダクタを製造することが
可能となる。

また、磁性体層を印刷した後に、その凹部に低透磁率層
を形成するので、歩留も改善され、信幀性の面でも有利
である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１０図は本発明の実施例を示す斜視図であり
、第１１図は低透磁率層を具えた積層インダクタの正面
断面図である。 ２０．３０．４０．５０・・・・・磁性体層２１．３１
，４１．５１・・・・・導体パターン２２．３２．４２
・・・・・・・・低透磁率層鵠 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁性体ペーストと導体ペーストを交互に印刷して
   、磁性体層間を積層方向に重畳して周回するコイル用導
   体パターンを形成する積層インダクタの製造方法におい
   て、磁性体ペーストを印刷して第一の磁性体層を形成し
   、その上に導体ペーストを印刷して約半ターンの第一の
   導体パターンを形成し、端部を除く該第一の導体パター
   ンの周囲に第二の磁性体層を形成し、端部を除く該第一
   の導体パターン上に該磁性体層よりも透磁率の低い第一
   の絶縁体層を形成し、該第一の導体パターンの端部と該
   第一の絶縁体層上に導体ペーストを印刷して約半ターン
   の第二の導体パターンを形成し、端部を除く該第二の導
   体パターンの周囲に第三の磁性体層を形成し、端部を除
   く該第二の導体パターン上に該磁性体層よりも透磁率の
   低い第二の絶縁体層を形成し、該第二の導体パターンの
   端部と該第二の絶縁体層上に導体ペーストを印刷して約
   半ターンの第三の導体パターンを形成し、端部を除く該
   第三の導体パターンの周囲に第四の磁性体層を形成し、
   端部を除く該第三の導体パターン上に該磁性体層よりも
   透磁率の低い第三の絶縁体層を形成し、以下所定の回数
   繰り返して、導体パターン間に磁性体層よりも透磁率の
   低い絶縁体層を形成することを特徴とする積層インダク
   タの製造方法。
2. （２）該絶縁体層として非磁性体を用いる請求項第１項
   記載の積層インダクタの製造方法。
3. （３）該絶縁体層の幅を導体パターンよりも狭く形成す
   る請求項第１項記載の積層インダクタの製造方法。