JPH03188260A - 薄膜めっき方法 - Google Patents
薄膜めっき方法Info
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- JPH03188260A JPH03188260A JP32463389A JP32463389A JPH03188260A JP H03188260 A JPH03188260 A JP H03188260A JP 32463389 A JP32463389 A JP 32463389A JP 32463389 A JP32463389 A JP 32463389A JP H03188260 A JPH03188260 A JP H03188260A
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 7
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要コ
基板の素子形成エリアに所定の薄膜パターンを形成する
薄膜めっき方法に関し、 膜厚のバラツキの少ない薄膜めっき方法を提供すること
を目的とし、 前記素子形成エリア以外の同一基板上に膜厚制御用パタ
ーンを形成し、前記素子形成エリア内の薄膜パターンの
膜厚分布のバラツキを減少させるように構成する。
薄膜めっき方法に関し、 膜厚のバラツキの少ない薄膜めっき方法を提供すること
を目的とし、 前記素子形成エリア以外の同一基板上に膜厚制御用パタ
ーンを形成し、前記素子形成エリア内の薄膜パターンの
膜厚分布のバラツキを減少させるように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は、基板の素子形成エリアに所定の薄膜パターン
を形成する薄膜めっき方法に関する。
を形成する薄膜めっき方法に関する。
近年、薄膜パターンの高密度化にともない、選択めっき
技術においても、薄膜の膜厚分布を精度よく制御する必
要がある。
技術においても、薄膜の膜厚分布を精度よく制御する必
要がある。
［従来の技術］
次に図面を用いて、従来例の一例として、薄膜磁気ヘッ
ドの製造の場合を説明する。第１１図は従来の薄膜磁気
ヘッドが形成された基板の平面構成図、第１２図は第１
１図に示す磁気ヘッド形成時に用いられるフォトマスク
の平面図、第１３図は第１２図における右側面図、第１
４図は第１１図における薄膜磁気ヘッドの平面図、第１
５図は第１４図におけるＡ−Ａ断面図、第１６図は第１
１図に示すコイルの形成方法を説明する図である。
ドの製造の場合を説明する。第１１図は従来の薄膜磁気
ヘッドが形成された基板の平面構成図、第１２図は第１
１図に示す磁気ヘッド形成時に用いられるフォトマスク
の平面図、第１３図は第１２図における右側面図、第１
４図は第１１図における薄膜磁気ヘッドの平面図、第１
５図は第１４図におけるＡ−Ａ断面図、第１６図は第１
１図に示すコイルの形成方法を説明する図である。
先ず、第１１図において、１は基板、２は基板１上に薄
膜磁気ヘッド３が数百個形成された素子形成エリアであ
る。
膜磁気ヘッド３が数百個形成された素子形成エリアであ
る。
ここで、この薄膜磁気ヘッド３の構成を第１４図及び第
１５図を用いて説明する。図において、４は基板１上に
形成されたパーマロイの下部コア、５は下部コア４上に
形成されたギャップ材、６はギャップ材５上に形成され
た絶縁膜、７は絶縁膜６上にスパイラル上にパターン化
された銅のコイル、８はコイル７を覆う絶縁膜、９は絶
縁膜８上に形成されたパーマロイの上部コアである。１
０は磁気記録媒体で、この磁気記録媒体１０は第１５図
において、矢印方向に移動する。
１５図を用いて説明する。図において、４は基板１上に
形成されたパーマロイの下部コア、５は下部コア４上に
形成されたギャップ材、６はギャップ材５上に形成され
た絶縁膜、７は絶縁膜６上にスパイラル上にパターン化
された銅のコイル、８はコイル７を覆う絶縁膜、９は絶
縁膜８上に形成されたパーマロイの上部コアである。１
０は磁気記録媒体で、この磁気記録媒体１０は第１５図
において、矢印方向に移動する。
そして、ギャップＧに発生する磁界によって、磁気記録
媒体１０に対してデータのり−ド／ライトがなされる。
媒体１０に対してデータのり−ド／ライトがなされる。
次に、第１６図を用いて、コイル７の形成方法について
説明を行う。コイル７は所謂選択めっき方法を用いて形
成される。
説明を行う。コイル７は所謂選択めっき方法を用いて形
成される。
この方法は、先ず、ベースＢ全面に、０，１μｍの導電
層ａを蒸着する（ステップ１）。
層ａを蒸着する（ステップ１）。
次に、銅の導電層ａ上にフォトレジスト層すを塗布する
（ステップ２）。
（ステップ２）。
そして、第１２図及び第１３図に示すような薄膜磁気ヘ
ッドパターン１０２が形成されたフォトマスク１０１を
用いて、フォトレジスト層すをコイル７に対応した形状
に露光し、次に、現像し、バターニングを行う（ステッ
プ３）。
ッドパターン１０２が形成されたフォトマスク１０１を
用いて、フォトレジスト層すをコイル７に対応した形状
に露光し、次に、現像し、バターニングを行う（ステッ
プ３）。
次に、ベースＢ全面に電解銅めっきを行い、４μｍ厚の
銅めっき層Ｃを形成する（ステップ４）。
銅めっき層Ｃを形成する（ステップ４）。
この銅めっきは、第１４図に示す薄膜磁気ヘッド３にお
いては、基板１上の全面になされる。つまり、素子形成
エリア２以外の部分にも銅めっきがなされる。
いては、基板１上の全面になされる。つまり、素子形成
エリア２以外の部分にも銅めっきがなされる。
そして、フォトレジスト層すを除去する（ステップ５）
。
。
最後に、導電層ａが露出している部分をエツチングによ
り除去する（ステップ６）。
り除去する（ステップ６）。
［発明が解決しようとする課題］
上記構成の従来例においてコイル７を形成する場合に、
コイル７の膜厚のバラツキが大きいという問題点がある
。
コイル７の膜厚のバラツキが大きいという問題点がある
。
従来の薄膜めっき方法で製造された薄膜磁気ヘッドの膜
厚の一例を第１７図に示す。（ｂ）は素子形成エリア２
の各薄膜磁気ヘッド３の位置を規定する図、（ａ）は各
位置での薄膜磁気ヘッド３のコイル７の膜厚を示してい
る。この図かられかるように、第１行及び第２１行が薄
いことがわかる。本例においては、 サンプル数ｎ−２５ 平均膜厚ｘ−４，０２μｍ 最大値ｘＬＩｌａｘ −４，３５μｍ 最小値ｘｏ＋Ｉｎ −３，５ｕｍ 膜厚分布Ｒ−（ｘｍａｘ −ｘｉｌｎ ） ／Ｘ−２１
、１％ となっている。このように膜厚のバラツキが大きいと、
コイル７の抵抗値のバラツキが大きく、歩留まりが悪化
する。
厚の一例を第１７図に示す。（ｂ）は素子形成エリア２
の各薄膜磁気ヘッド３の位置を規定する図、（ａ）は各
位置での薄膜磁気ヘッド３のコイル７の膜厚を示してい
る。この図かられかるように、第１行及び第２１行が薄
いことがわかる。本例においては、 サンプル数ｎ−２５ 平均膜厚ｘ−４，０２μｍ 最大値ｘＬＩｌａｘ −４，３５μｍ 最小値ｘｏ＋Ｉｎ −３，５ｕｍ 膜厚分布Ｒ−（ｘｍａｘ −ｘｉｌｎ ） ／Ｘ−２１
、１％ となっている。このように膜厚のバラツキが大きいと、
コイル７の抵抗値のバラツキが大きく、歩留まりが悪化
する。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的
は、膜厚のバラツキの少ない薄膜めっき方法を提供する
ことにある。
は、膜厚のバラツキの少ない薄膜めっき方法を提供する
ことにある。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理図である。図において、１１は基
板、１２は基板１１上の素子形成エリア、１３は素子形
成エリア１２に所定の形状に形成された薄膜パターン、
１４は素子形成エリア１２以外の基板１１上に設けられ
た膜厚制御用のパターンである。
板、１２は基板１１上の素子形成エリア、１３は素子形
成エリア１２に所定の形状に形成された薄膜パターン、
１４は素子形成エリア１２以外の基板１１上に設けられ
た膜厚制御用のパターンである。
［作用コ
第１図に示す薄膜めっき方法において、膜厚制御用のパ
ターン１４は、素子形成エリア１２内の膜厚分布のバラ
ツキを減少させる。
ターン１４は、素子形成エリア１２内の膜厚分布のバラ
ツキを減少させる。
［実施例コ
次に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第２図は第１の実施例の薄膜めっき方法で製造された薄
膜磁気ヘッド基板の平面構成図、第３図は第２図におい
ての右側面図、第４図は木筆１の実施例で用いるフォト
マスクの平面図、第５図は第４図における右側面図、第
６図は木筆１の実施例における膜厚のバラツキを説明す
る図、第７図は第２の実施例で用いる第１のフォトマス
クの平面図、第８図は第７図における右側面図、第９図
は第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとを積層し
たときの平面図、第１０図は第９図における右側面図で
ある。
膜磁気ヘッド基板の平面構成図、第３図は第２図におい
ての右側面図、第４図は木筆１の実施例で用いるフォト
マスクの平面図、第５図は第４図における右側面図、第
６図は木筆１の実施例における膜厚のバラツキを説明す
る図、第７図は第２の実施例で用いる第１のフォトマス
クの平面図、第８図は第７図における右側面図、第９図
は第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとを積層し
たときの平面図、第１０図は第９図における右側面図で
ある。
先ず、第２図乃至第６図を用いて、本発明の第１の実施
例を説明する。
例を説明する。
最初に、第２図及び第３図を用いて、本実施例で製造さ
れた薄膜磁気ヘッドの基板を説明する。
れた薄膜磁気ヘッドの基板を説明する。
尚、これらの図は、従来例で説明を行った選択めっき方
法におけるステップ３のフォトレジスト層でバターニン
グを行った状態を示している。
法におけるステップ３のフォトレジスト層でバターニン
グを行った状態を示している。
これらの図において、２１は基板、２２は基板２１上に
薄膜磁気ヘッド２３が数百個形成された素子形成エリア
である。２４は基板２１上に蒸着された導電層、２５は
薄膜磁気ヘッド２３のコイルのバターニングがなされた
コイルパターン用フォトレジスト、２６は膜厚制御用の
フォトレジストである。
薄膜磁気ヘッド２３が数百個形成された素子形成エリア
である。２４は基板２１上に蒸着された導電層、２５は
薄膜磁気ヘッド２３のコイルのバターニングがなされた
コイルパターン用フォトレジスト、２６は膜厚制御用の
フォトレジストである。
次に、第４図及び第５図を用いて本実施例で用いたフォ
トマスクの説明を行なう。図において、１０３はフォト
マスクの基板、１０４は薄膜磁気ヘッドコイルパターン
、１０５は膜厚制御用パターンである。
トマスクの説明を行なう。図において、１０３はフォト
マスクの基板、１０４は薄膜磁気ヘッドコイルパターン
、１０５は膜厚制御用パターンである。
そして、従来例で説明を行なった製造方法を用いて薄膜
パターンを形成する。
パターンを形成する。
上記構成のフォトレジストパターンを設けた場合の薄膜
磁気ヘッド２３のコイルの膜厚のバラツキの一例を第６
図を用いて説明する。
磁気ヘッド２３のコイルの膜厚のバラツキの一例を第６
図を用いて説明する。
この図かられかるように、第１行及び第２１行が従来例
に比べて薄くなっていないことがわかる。
に比べて薄くなっていないことがわかる。
本例においては、
サンプル数ｎ−２５
平均膜厚ｘ−３，７１μｍ
最大値ｘｍａｘ −３，８５ａｍ
最小値ｘｉ＋ｉｎ −３，５５μｍ
膜厚分布Ｒ−（ｘｍａｘ −ｘｍｉｎ ） ／Ｘ−８，
１％ となっている。このように膜厚のバラツキが小さくなり
、薄膜磁気ヘッド２３のコイルの抵抗値のバラツキも小
さくなり、歩留まりも向上する。
１％ となっている。このように膜厚のバラツキが小さくなり
、薄膜磁気ヘッド２３のコイルの抵抗値のバラツキも小
さくなり、歩留まりも向上する。
次に、第７図乃至第１０図を用いて本発明の第２の実施
例を説明する。本実施例において第１の実施例と異なる
部分はマスクの部分である。よって、第１の実施例と同
一部分には、同一の符号を付し、それらの説明は省略す
る。
例を説明する。本実施例において第１の実施例と異なる
部分はマスクの部分である。よって、第１の実施例と同
一部分には、同一の符号を付し、それらの説明は省略す
る。
本実施例において、フォトマスクは第１のフォトマスク
１１０と第２のフォトマスク１１１との２つに分けられ
ている。先ず、第１のフォトマスク１１０を第７図及び
第８図を用いて説明する。
１１０と第２のフォトマスク１１１との２つに分けられ
ている。先ず、第１のフォトマスク１１０を第７図及び
第８図を用いて説明する。
この第１のフォトマスク１１０上には、第２のフォトマ
スク１１１用の位置決めピン１１２と、膜厚制御用パタ
ーン１１３が設けられている。
スク１１１用の位置決めピン１１２と、膜厚制御用パタ
ーン１１３が設けられている。
次に、第９図及び第１０図を用いて、第２のフォトマス
ク１１１を説明する。この第２のフォトマスク１１１は
従来例で説明を行なったフォトマスク１０１と同一であ
る。そして、これら第９図及び第１０図に示すように、
第１のフォトマスク１１０上に第２のフォトマスク１１
１が積層されている。１２１は第２のフォトマスク１１
１上に設けられた薄膜磁気ヘッドコイルパターンである
。
ク１１１を説明する。この第２のフォトマスク１１１は
従来例で説明を行なったフォトマスク１０１と同一であ
る。そして、これら第９図及び第１０図に示すように、
第１のフォトマスク１１０上に第２のフォトマスク１１
１が積層されている。１２１は第２のフォトマスク１１
１上に設けられた薄膜磁気ヘッドコイルパターンである
。
このような構成のフォトマスクを用いても、第１の実施
例と同様な効果を得ることができる。
例と同様な効果を得ることができる。
尚、本発明は上記実施例に限るものではない。
上記実施例においては、コイルめっき（銅めっき）に限
定されるものではなく、全てのめっきに適用できる。
定されるものではなく、全てのめっきに適用できる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、素子形成エリア以
外の同一基板上に膜厚制御用パターンを形成したことに
より、膜厚のバラツキの少ない薄膜めっき方法を実現で
きる。
外の同一基板上に膜厚制御用パターンを形成したことに
より、膜厚のバラツキの少ない薄膜めっき方法を実現で
きる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は第１の実施例の薄膜めっき方法で製造された薄
膜磁気ヘッド基板の平面構成図、第３図は第２図におい
ての右側面図、 第４図は水弟１の実施例で用いるフォトマスクの平面図
、 第５図は第４図における右側面図、 第６図は水弟１の実施例における膜厚のバラツキを説明
する図、 第７図は第２の実施例で用いる第１のフォトマスクの平
面図、 第８図は第７図における右側面図、 第９図は第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとを
積層したときの平面図、 第１０図は第９図における右側面図 第１１図は従来の薄膜磁気ヘッドが形成された基板の平
面構成図、 第１２図は第１１図に示す磁気ヘッド形成時に用いられ
るフォトマスクの平面図、 第１３図は第１２図における右側面図、第１４図は第１
１図における薄膜磁気へ・ソドの平面図、 第１５図は第１４図におけるＡ−Ａ断面図、第１６図は
第１１図に示すコイルの形成方法を説明する図、 第１７図は従来の問題点を説明する図である。
膜磁気ヘッド基板の平面構成図、第３図は第２図におい
ての右側面図、 第４図は水弟１の実施例で用いるフォトマスクの平面図
、 第５図は第４図における右側面図、 第６図は水弟１の実施例における膜厚のバラツキを説明
する図、 第７図は第２の実施例で用いる第１のフォトマスクの平
面図、 第８図は第７図における右側面図、 第９図は第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとを
積層したときの平面図、 第１０図は第９図における右側面図 第１１図は従来の薄膜磁気ヘッドが形成された基板の平
面構成図、 第１２図は第１１図に示す磁気ヘッド形成時に用いられ
るフォトマスクの平面図、 第１３図は第１２図における右側面図、第１４図は第１
１図における薄膜磁気へ・ソドの平面図、 第１５図は第１４図におけるＡ−Ａ断面図、第１６図は
第１１図に示すコイルの形成方法を説明する図、 第１７図は従来の問題点を説明する図である。
Claims (2)
- （１）基板（１１）の素子形成エリア（１２）に所定の
薄膜パターン（１３）を形成する薄膜めっき方法におい
て、 前記素子形成エリア（１２）以外の同一基 板上に膜厚制御用パターン（１４）を形成し、前記素子
形成エリア（１２）内の薄膜パタ ーン（１３）の膜厚分布のバラツキを減少させるように
したことを特徴とする薄膜めっき方法。 - （２）前記薄膜パターン（１３）と薄膜制御用パターン
（１４）とを一体合成したフォトマスクを用いることを
特徴とする請求項１記載の薄膜めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32463389A JPH07116638B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 薄膜めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32463389A JPH07116638B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 薄膜めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188260A true JPH03188260A (ja) | 1991-08-16 |
| JPH07116638B2 JPH07116638B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=18168007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32463389A Expired - Fee Related JPH07116638B2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 薄膜めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116638B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160123689A (ko) * | 2015-04-16 | 2016-10-26 | 제일 이엔에스 주식회사 | 가스켓 포장케이스 및 그 제조 방법 |
| KR101674017B1 (ko) * | 2015-09-02 | 2016-11-11 | 정윤서 | 봉지 밀봉 기구 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP32463389A patent/JPH07116638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160123689A (ko) * | 2015-04-16 | 2016-10-26 | 제일 이엔에스 주식회사 | 가스켓 포장케이스 및 그 제조 방법 |
| KR101674017B1 (ko) * | 2015-09-02 | 2016-11-11 | 정윤서 | 봉지 밀봉 기구 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07116638B2 (ja) | 1995-12-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |