JPH0916910A - 多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ及びその製造方法 - Google Patents
多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ及びその製造方法Info
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- JPH0916910A JPH0916910A JP8049513A JP4951396A JPH0916910A JP H0916910 A JPH0916910 A JP H0916910A JP 8049513 A JP8049513 A JP 8049513A JP 4951396 A JP4951396 A JP 4951396A JP H0916910 A JPH0916910 A JP H0916910A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッド間の相互干渉を防止するべくヘ
ッド間にシールドが設けられ、かつ製造過程のより単純
な改善された多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 非磁性基板９と、薄膜磁気ヘッド１０
の各々に対し共通磁極となる下側磁極１１と、第１及び
第２絶縁性部材１２ｂ、１２ａから構成される絶縁部１
２と、第１及び第２絶縁性部材１２ｂ、１２ａにより完
全に覆われ、互いに予め定められた間隔を置いて離隔さ
れた複数のコイル１３と、一端が前記下側磁極１１に接
し他端が前記第２絶縁部材１２ａの上に位置するように
設けられた上側磁極１４と、コイル１３に電気信号を供
給するための電極１６とを含む多重チャネル型薄膜磁気
ヘッドアセンブリを提供する。
ッド間にシールドが設けられ、かつ製造過程のより単純
な改善された多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 非磁性基板９と、薄膜磁気ヘッド１０
の各々に対し共通磁極となる下側磁極１１と、第１及び
第２絶縁性部材１２ｂ、１２ａから構成される絶縁部１
２と、第１及び第２絶縁性部材１２ｂ、１２ａにより完
全に覆われ、互いに予め定められた間隔を置いて離隔さ
れた複数のコイル１３と、一端が前記下側磁極１１に接
し他端が前記第２絶縁部材１２ａの上に位置するように
設けられた上側磁極１４と、コイル１３に電気信号を供
給するための電極１６とを含む多重チャネル型薄膜磁気
ヘッドアセンブリを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はヘッドアセンブリに
関し、特に、薄膜磁気ヘッドの間に位置するシールドと
各上側磁極に対する共通下側磁極とを含む改善された多
重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ及びその製造方
法に関する。
関し、特に、薄膜磁気ヘッドの間に位置するシールドと
各上側磁極に対する共通下側磁極とを含む改善された多
重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、ビデオカセットレコーダ
（ＶＣＲ）は、ビデオカセットの磁気テープ上に信号を
記録するためのヘッドアセンブリを有している。
（ＶＣＲ）は、ビデオカセットの磁気テープ上に信号を
記録するためのヘッドアセンブリを有している。
【０００３】図１は、従来の多重チャネル型薄膜磁気ヘ
ッドアセンブリの斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線
に沿って取った薄膜磁気ヘッド（以下、ヘッドと称す）
１の断面図である。各ヘッド１は非磁性基板２（各ヘッ
ド共通）と、下側磁極３と、第２絶縁性部材４と、複数
のコイル５と、第１絶縁性部材６と、上側磁極７と、一
対の電極８とを含む。下側磁極３は、非磁性基板２の上
に選択的に形成されている。第２絶縁性部材４は下側磁
極３の上に位置し、その上には、間に複数のコイル５を
はさんで第１絶縁性部材６が配置されている。上側磁極
７は第１絶縁性部材６の上に位置しているが、上側磁極
７の一端は下側磁極３に接し、他端は第２絶縁性部材４
の上に位置している。
ッドアセンブリの斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線
に沿って取った薄膜磁気ヘッド（以下、ヘッドと称す）
１の断面図である。各ヘッド１は非磁性基板２（各ヘッ
ド共通）と、下側磁極３と、第２絶縁性部材４と、複数
のコイル５と、第１絶縁性部材６と、上側磁極７と、一
対の電極８とを含む。下側磁極３は、非磁性基板２の上
に選択的に形成されている。第２絶縁性部材４は下側磁
極３の上に位置し、その上には、間に複数のコイル５を
はさんで第１絶縁性部材６が配置されている。上側磁極
７は第１絶縁性部材６の上に位置しているが、上側磁極
７の一端は下側磁極３に接し、他端は第２絶縁性部材４
の上に位置している。
【０００４】このようなヘッドアセンブリでは、一対の
電極８から電気信号をコイル５に印加し、上側磁極７と
下側磁極３との間の磁気ギャップの周りに磁場を発生さ
せることによって、磁気テープ（図示せず）に磁気信号
を記録する。
電極８から電気信号をコイル５に印加し、上側磁極７と
下側磁極３との間の磁気ギャップの周りに磁場を発生さ
せることによって、磁気テープ（図示せず）に磁気信号
を記録する。
【０００５】信号密度、即ち、一定の長さの磁気テープ
上に記録し得る信号の量は、磁気ギャップの幅により決
定され、磁気ギャップを狭めることによって、同一の量
の磁気信号を記録し得るテープの長さを短くすることが
できる。
上に記録し得る信号の量は、磁気ギャップの幅により決
定され、磁気ギャップを狭めることによって、同一の量
の磁気信号を記録し得るテープの長さを短くすることが
できる。
【０００６】上記のヘッドアセンブリには、多くの問題
点がある。例えば、下側磁極３が各ヘッド１毎に形成さ
れているため、複数の下側磁極３を形成することが必要
であり、全体的な製造過程が複雑になっている。更に、
ヘッド１が互いに近接して位置していることにより、相
互干渉を起こすおそれがある。
点がある。例えば、下側磁極３が各ヘッド１毎に形成さ
れているため、複数の下側磁極３を形成することが必要
であり、全体的な製造過程が複雑になっている。更に、
ヘッド１が互いに近接して位置していることにより、相
互干渉を起こすおそれがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、ヘッドアセンブリの製造過程を単純化するべ
く、各上側磁極に対し共通の下側磁極を有する多重チャ
ネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリを提供することであ
る。
目的は、ヘッドアセンブリの製造過程を単純化するべ
く、各上側磁極に対し共通の下側磁極を有する多重チャ
ネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリを提供することであ
る。
【０００８】本発明の別の目的は、磁気ヘッド間の相互
干渉を防止するために、ヘッドとヘッドの間にシールド
を有する多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリを提
供することである。
干渉を防止するために、ヘッドとヘッドの間にシールド
を有する多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリを提
供することである。
【０００９】本発明のさらに他の目的は、改善された多
重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造方法を提
供することである。
重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造方法を提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、複数の薄膜磁気ヘッドを有する
多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリであって、上
面を有する非磁性基板と、前記非磁性基板の上面に位置
し、前記薄膜磁気ヘッドの各々に対し共通磁極として機
能する下側磁極と、前記下側磁極の上に位置し、第１及
び第２絶縁部材から構成される絶縁部と、前記第１及び
第２絶縁部材により完全に覆われ、互いに予め定められ
た間隔を置いて離隔された複数のコイルと、前記絶縁部
の上に位置し、一端が前記下側磁極に接し他端が前記第
２絶縁部材の上に位置するように設けられた上側磁極
と、前記コイルに電気信号を供給するための電極とを含
むことを特徴とする多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセ
ンブリが提供される。
めに、本発明によれば、複数の薄膜磁気ヘッドを有する
多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリであって、上
面を有する非磁性基板と、前記非磁性基板の上面に位置
し、前記薄膜磁気ヘッドの各々に対し共通磁極として機
能する下側磁極と、前記下側磁極の上に位置し、第１及
び第２絶縁部材から構成される絶縁部と、前記第１及び
第２絶縁部材により完全に覆われ、互いに予め定められ
た間隔を置いて離隔された複数のコイルと、前記絶縁部
の上に位置し、一端が前記下側磁極に接し他端が前記第
２絶縁部材の上に位置するように設けられた上側磁極
と、前記コイルに電気信号を供給するための電極とを含
むことを特徴とする多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセ
ンブリが提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例につ
いて図面を参照しながらより詳細に説明する。
いて図面を参照しながらより詳細に説明する。
【００１２】図３に本発明の好適な実施例による多重チ
ャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの斜視図を、図４〜
図９に該アセンブリの製造方法を説明するための概略的
な断面図を示す。図３及び図４〜図９に示されている同
一の部分は、同一の符号によって示されている。
ャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの斜視図を、図４〜
図９に該アセンブリの製造方法を説明するための概略的
な断面図を示す。図３及び図４〜図９に示されている同
一の部分は、同一の符号によって示されている。
【００１３】図３には、本発明の多重チャネル型薄膜磁
気ヘッドアセンブリの斜視図が示されている。各薄膜磁
気ヘッド１０は上面を有する非磁性基板９、下側磁極１
１、上側磁極１４、絶縁部（図８参照）、複数のコイル
１３、シールド１５及び一対の電極１６を含む。
気ヘッドアセンブリの斜視図が示されている。各薄膜磁
気ヘッド１０は上面を有する非磁性基板９、下側磁極１
１、上側磁極１４、絶縁部（図８参照）、複数のコイル
１３、シールド１５及び一対の電極１６を含む。
【００１４】下側磁極１１は非磁性基板９の上面に位置
し、各ヘッド１０の上側磁極１４に対する共通磁極とし
て機能する。絶縁部は下側磁極１１の上に位置し、第１
及び第２絶縁性部材（図８参照）を含む。第２絶縁性部
材は下側磁極１１の上に位置し、その上には間に複数の
コイル１３をはさんで第１絶縁性部材が形成されてい
る。上側磁極１４は絶縁部の上に位置し、上側磁極１４
の一端は下側磁極１１に接し、他端は第２絶縁性部材の
上に位置して上側磁極１４と下側磁極１１との間に磁気
ギャップが形成されている。シールド１５はヘッドとヘ
ッドの間に位置し、ヘッド１０間の相互干渉を防止して
いる。一対の電極１６はコイル１３に電気信号を供給す
るのに用いられる。
し、各ヘッド１０の上側磁極１４に対する共通磁極とし
て機能する。絶縁部は下側磁極１１の上に位置し、第１
及び第２絶縁性部材（図８参照）を含む。第２絶縁性部
材は下側磁極１１の上に位置し、その上には間に複数の
コイル１３をはさんで第１絶縁性部材が形成されてい
る。上側磁極１４は絶縁部の上に位置し、上側磁極１４
の一端は下側磁極１１に接し、他端は第２絶縁性部材の
上に位置して上側磁極１４と下側磁極１１との間に磁気
ギャップが形成されている。シールド１５はヘッドとヘ
ッドの間に位置し、ヘッド１０間の相互干渉を防止して
いる。一対の電極１６はコイル１３に電気信号を供給す
るのに用いられる。
【００１５】記録の際には、一対の電極１６から電気信
号を複数のコイル１３に印加し、上側磁極１４と下側磁
極１１との間の磁気ギャップの周りに磁場を発生させ
て、磁気テープ（図示せず）上に磁気信号を記録する。
号を複数のコイル１３に印加し、上側磁極１４と下側磁
極１１との間の磁気ギャップの周りに磁場を発生させ
て、磁気テープ（図示せず）上に磁気信号を記録する。
【００１６】図４〜図９に、本発明のヘッドアセンブリ
の製造方法を説明するための概略的な断面図が示されて
いる。図４〜図８の各Ａ図及び図９は、図３のＢ−Ｂ線
に沿って取られた断面図であり、図４〜図８の各Ｂ図
は、図３のＣ−Ｃ線に沿って取られた断面図である。
の製造方法を説明するための概略的な断面図が示されて
いる。図４〜図８の各Ａ図及び図９は、図３のＢ−Ｂ線
に沿って取られた断面図であり、図４〜図８の各Ｂ図
は、図３のＣ−Ｃ線に沿って取られた断面図である。
【００１７】本発明のヘッドアセンブリ製造過程は、図
４に示されているように、非磁性基板９を準備し、その
上面に、蒸着法、ゾル−ゲル法またはＣＶＤ法を用いて
下側磁極１１を形成することから始まる。
４に示されているように、非磁性基板９を準備し、その
上面に、蒸着法、ゾル−ゲル法またはＣＶＤ法を用いて
下側磁極１１を形成することから始まる。
【００１８】次の過程では、第２絶縁性層（図示せず）
を、ＣＶＤ法を用いて、下側磁極１１の上に形成した
後、前記第２絶縁性層を、図５に示されているように、
エッチング法を用いてパターニングしてヘッドの数と対
応する個数の第２絶縁性部材１２ａを形成する。
を、ＣＶＤ法を用いて、下側磁極１１の上に形成した
後、前記第２絶縁性層を、図５に示されているように、
エッチング法を用いてパターニングしてヘッドの数と対
応する個数の第２絶縁性部材１２ａを形成する。
【００１９】続いて、スパッタリング法または真空蒸着
法を用いて、第２絶縁性部材１２ａの上に金属層（図示
せず）を形成し、図６に示されているように、エッチン
グ法を用いてパターニングし、複数のコイル１３及び一
対の電極(図３参照)を形成する。ここで、各コイル１３
は、互いに予め定められた間隔だけ離隔されており、一
対の電極に電気的につながっている。
法を用いて、第２絶縁性部材１２ａの上に金属層（図示
せず）を形成し、図６に示されているように、エッチン
グ法を用いてパターニングし、複数のコイル１３及び一
対の電極(図３参照)を形成する。ここで、各コイル１３
は、互いに予め定められた間隔だけ離隔されており、一
対の電極に電気的につながっている。
【００２０】その後、これまでの過程で形成された構造
の上に、第１絶縁性層（図示せず）をＣＶＤ法を用いて
形成した後、エッチング法を用いて、対応する個数の第
１絶縁性部材１２ｂにパターニングすることによって、
図７に示されているように、絶縁部１２を形成する。各
絶縁部１２は、第１及び第２絶縁性部材１２ｂ、１２ａ
から構成されており、第１絶縁性部材１２ｂは、第２絶
縁性部材１２ａの上に形成された複数のコイル１３を完
全に覆うように形成される。
の上に、第１絶縁性層（図示せず）をＣＶＤ法を用いて
形成した後、エッチング法を用いて、対応する個数の第
１絶縁性部材１２ｂにパターニングすることによって、
図７に示されているように、絶縁部１２を形成する。各
絶縁部１２は、第１及び第２絶縁性部材１２ｂ、１２ａ
から構成されており、第１絶縁性部材１２ｂは、第２絶
縁性部材１２ａの上に形成された複数のコイル１３を完
全に覆うように形成される。
【００２１】更に、上記過程で得られた構造の上に、上
側磁極層（図示せず）を、蒸着法、ゾル−ゲル法または
ＣＶＤ法を用いて形成した後、エッチング法を用いてパ
ターニングし、対応する個数の上側磁極１４を絶縁部１
２上に形成する。ここで、図８に示されているように、
各上側磁極１４の一端が下側磁極１１に接し、他端が第
２絶縁性部材１２ａの上に位置するようにする。
側磁極層（図示せず）を、蒸着法、ゾル−ゲル法または
ＣＶＤ法を用いて形成した後、エッチング法を用いてパ
ターニングし、対応する個数の上側磁極１４を絶縁部１
２上に形成する。ここで、図８に示されているように、
各上側磁極１４の一端が下側磁極１１に接し、他端が第
２絶縁性部材１２ａの上に位置するようにする。
【００２２】前記過程の後、これまでの過程で形成され
た構造上に、ＣＶＤ法を用いてシールド層（図示せず）
を成膜した後、フォトリソグラフィーまたはレーザトリ
ミングによってパターニングすることによって、対応す
る個数のシールド１５を形成する。こうして、図９に示
されているようなヘッドアセンブリが形成される。ここ
で、各シールド１５は、隣接する２つのヘッド１０の間
に位置する。
た構造上に、ＣＶＤ法を用いてシールド層（図示せず）
を成膜した後、フォトリソグラフィーまたはレーザトリ
ミングによってパターニングすることによって、対応す
る個数のシールド１５を形成する。こうして、図９に示
されているようなヘッドアセンブリが形成される。ここ
で、各シールド１５は、隣接する２つのヘッド１０の間
に位置する。
【００２３】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
【００２４】
【発明の効果】従って、本発明によれば、各ヘッドの上
側磁極に対し共通磁極として機能する下側磁極が非磁性
基板の上面全体に形成されているため、ヘッドアセンブ
リの製造過程がより一層単純且つ容易となっており、更
に、各シールドがヘッドの間に位置するため、ヘッドの
間の相互干渉を防止することができる。
側磁極に対し共通磁極として機能する下側磁極が非磁性
基板の上面全体に形成されているため、ヘッドアセンブ
リの製造過程がより一層単純且つ容易となっており、更
に、各シールドがヘッドの間に位置するため、ヘッドの
間の相互干渉を防止することができる。
【図１】従来の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブ
リの斜視図である。
リの斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って取った薄膜磁気ヘッド
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明による多重チャネル型薄膜磁気ヘッドア
センブリの斜視図である。
センブリの斜視図である。
【図４】本発明の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
【図５】本発明の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
【図６】本発明の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
【図７】本発明の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
【図８】本発明の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
ブリの製造方法を説明するための概略的な断面図であ
り、Ａは図３のＢ−Ｂ線に沿って取ったものであり、Ｂ
は図３のＣ−Ｃ線に沿って取ったものである。
【図９】本発明の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセン
ブリの製造方法を説明するための図３のＢ−Ｂ線に沿っ
て取った概略的な断面図である。
ブリの製造方法を説明するための図３のＢ−Ｂ線に沿っ
て取った概略的な断面図である。
１ 薄膜磁気ヘッド ２ 非磁性基板 ３ 下側磁極 ４ 第２絶縁性部材 ５ コイル ６ 第１絶縁性部材 ７ 上側磁極 ８ 電極 ９ 非磁性基板 １０ 薄膜磁気ヘッド １１ 下側磁極 １２ 絶縁部 １２ａ 第２絶縁性部材 １２ｂ 第１絶縁性部材 １３ コイル １４ 上側磁極 １５ シールド １６ 電極
Claims (12)
- 【請求項１】 複数の薄膜磁気ヘッドを有する多重チ
ャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリであって、 上面を有する非磁性基板と、 前記非磁性基板の上面に位置し、前記薄膜磁気ヘッドの
各々に対し共通磁極として機能する下側磁極と、 前記下側磁極の上に位置し、第１及び第２絶縁部材から
構成される絶縁部と、 前記第１及び第２絶縁部材により完全に覆われ、互いに
予め定められた間隔を置いて離隔された複数のコイル
と、 前記絶縁部の上に位置し、一端が前記下側磁極に接し他
端が前記第２絶縁部材の上に位置するように設けられた
上側磁極と、 前記コイルに電気信号を供給するための電極とを含むこ
とを特徴とする多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブ
リ。 - 【請求項２】 前記薄膜磁気ヘッドの間の相互干渉を
防止するために、隣接する２つの前記薄膜磁気ヘッドの
間に位置するシールドを、更に含むことを特徴とする請
求項１に記載の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブ
リ。 - 【請求項３】 複数の薄膜磁気ヘッドを有する多重チ
ャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造方法であっ
て、 上面を有する非磁性基板を準備する過程と、 前記非磁性基板の前記上面に下側磁極を形成する過程
と、 前記下側磁極の上に第２絶縁層を形成する過程と、 前記第２絶縁層を前記ヘッドに対応する数の第２絶縁部
材にパターニングする過程と、 前記第２絶縁部材の上に金属層を形成する過程と、 前記金属層をパターニングして、各ヘッドに対し、予め
定められた間隔だけ互いに離隔した複数のコイルとこれ
らのコイルに電気信号を供給するための一対の電極とを
形成する過程と、 これまでの過程で形成された構造上に第１絶縁層を形成
する過程と、 前記第１絶縁層を、前記第２絶縁部材の上に位置するコ
イルを完全に覆うように、対応する個数の第１絶縁部材
にパターニングすることによって、前記第１及び第２絶
縁部材を含む絶縁部を形成する過程と、 これまでの過程で形成された構造上に上側磁極層を形成
する過程と、 前記上側磁極層を、一端が前記下側磁極に接し他端が前
記第２絶縁部材の上に位置する対応する個数の上側磁極
にパターニングする過程とを含むことを特徴とする多重
チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造方法。 - 【請求項４】 前記下側磁極が、蒸着法、ゾル−ゲル
法またはＣＶＤ法を用いて形成されることを特徴とする
請求項３に記載の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセン
ブリの製造方法。 - 【請求項５】 前記第１及び第２絶縁層が、ＣＶＤ法
を用いて形成されることを特徴とする請求項３に記載の
多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造方法。 - 【請求項６】 前記第１及び第２絶縁層が、エッチン
グ法を用いてパターニングされることを特徴とする請求
項５に記載の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ
の製造方法。 - 【請求項７】 前記金属層が、スパッタリング法また
は真空蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請求
項３に記載の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ
の製造方法。 - 【請求項８】 前記金属層が、エッチング法を用いて
パターニングされることを特徴とする請求項７に記載の
多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造方法。 - 【請求項９】 前記上側磁極層が、蒸着法、ゾル−ゲ
ル法またはＣＶＤ法を用いて形成されることを特徴とす
る請求項３に記載の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセ
ンブリの製造方法。 - 【請求項１０】 前記上側磁極層が、エッチング法を
用いてパターニングされることを特徴とする請求項９に
記載の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリの製造
方法。 - 【請求項１１】 前記上側磁極層をパターニングした
後、隣接する２つの薄膜磁気ヘッドの間に位置するシー
ルドを形成する過程を、更に含むことを特徴とする請求
項３に記載の多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ
の製造方法。 - 【請求項１２】 前記各シールドが、ＣＶＤ法による
成膜の後、フォトリソグラフィーまたはレーザトリミン
グによってパターニングされて形成されることを特徴と
する請求項１１に記載の多重チャネル型薄膜磁気ヘッド
アセンブリの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018641A KR0147975B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 멀티채널형 박막 자기헤드 및 그 제조방법 |
| KR1995-P-18641 | 1995-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0916910A true JPH0916910A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=19419086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8049513A Pending JPH0916910A (ja) | 1995-06-30 | 1996-02-13 | 多重チャネル型薄膜磁気ヘッドアセンブリ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0916910A (ja) |
| KR (1) | KR0147975B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563674B1 (en) | 1998-12-24 | 2003-05-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head |
| US7324303B2 (en) | 2002-05-15 | 2008-01-29 | Sony Corporation | Magnetic recording/reproducing head with head elements displaced in both head width and lamination directions |
| US7911743B2 (en) | 2007-09-04 | 2011-03-22 | Tdk Corporation | Multichannel thin-film magnetic head with dummy shields |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018641A patent/KR0147975B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-02-13 JP JP8049513A patent/JPH0916910A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563674B1 (en) | 1998-12-24 | 2003-05-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head |
| US7324303B2 (en) | 2002-05-15 | 2008-01-29 | Sony Corporation | Magnetic recording/reproducing head with head elements displaced in both head width and lamination directions |
| US7911743B2 (en) | 2007-09-04 | 2011-03-22 | Tdk Corporation | Multichannel thin-film magnetic head with dummy shields |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0147975B1 (ko) | 1998-10-15 |
| KR970002881A (ko) | 1997-01-28 |
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