JPS5975420A - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の第１」用分野〕 本発明は磁気ディスクあるいはＶ　ｉ’　Ｒなどに用い
る磁気の記・、保再生のためのｉｌｌσ魚気ヘッドに関
するものである。特に信号入出力用のコイルを２Ｎ構造
の多巻にする。Ｓ自に有効である。以下詳細に説明する
。

〔従来技術〕

従来の尚膜磁気ヘッド主要部の断面を構造を第１図に示
ず。第１磁極１としてＣま非磁性基板上に形成されたパ
ーマロイれ９膜あるいはＭｎ−Ｚｎフェライト厚飯等が
用いられる。該第１磁極上に−２３１０２あるいはＡｔ
、ｏ３　珈膜等によりギャップ層２が形成される。該ギ
ャップ層２上には信号入出力用のコイル３を形成し、次
いでコイル３と第２磁極５との電気的絶縁、および第１
磁極１および第２磁極５との磁気的絶縁のために絶縁層
４を数μｍ堆積する。絶縁層４の上面は第２＠極の磁気
特性の劣化を防止するために平坦であることが望ましい
。続いてパーマロイ薄膜等で第２＠極５を作製し薄膜磁
気ヘッドは形成される。

薄膜磁気ヘッドにおいては、高密度に多巻きで、かつコ
イル導体の断面積が広く、許容電流容量の大きなコイル
の作製方法が大きな問題となっている。第１図に示した
ような一層スバイラル購造では限られたコア長ｔ。内に
形成できるコイルの巻数は、その導体断面積と逆比例し
、巻数を増すと導体の断面積が狭くなり許容市１流値が
小さくなる。

そこで、第２図に示すようにコイル１３を２層構造とす
ることが提案されている。

コイルを２層構造とした場合には、第２磁極５か形成さ
れる絶縁層４の上面を平坦化することが問題となってい
る。このために、例えば第３図に示すように１層目のコ
イル２１を形成した後ＰＩＱ２２等で一囲平坦化しく第
３図−（ａ））、続いて２層目のコイル２３を形成し、
１屑目と同様にＰＩＱ２４等で再び平坦化する。この方
法は、１層目。

２層目のコイル槽体の高さｈが比１ｈ的低い場合には有
効である。また、該絶縁層の平坦化を容易するため第４
図に示した構造が提案されている。この方法は、２層目
のコイル導体３２を１層目のコイル導体３１の間に絶縁
層３３をブ１して形成しようとしたものである。本方法
も前者と同様コイル畳体の高さｈが比較的低い場合には
可動である。

しかし、両方法ともコイルを２層化することにより２度
の平坦化が必要になったりコイルを形成する位置精度な
どプロセスが複雑に、かつ難しくなり、特にコイル畳体
の商さが高い場合にｌよその影響が顕著となる。

〔発明の目的〕

本発明はこのような従来法の入点をなくシ、比較的容易
なプロセスにより２層構造で多巻なコイルを有するｍ）
Ｉ！−’、磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しよう
とするものである。

〔発明の概要〕

本発明でｉ’Ｊ、、’）フトオフ法を用い、電気的かつ
磁気的絶縁層に形成した凹部に電気的絶縁層を介して２
層のコイルを連続して作製することにより、平坦化を一
度で杓ないプロセス数の増加を抑え、かつ２層化コイル
を作製した。すなわち、コイル材料とは沼択的に除去可
能な薄膜パターンをマスクとして杉絶縁層をエツチング
し２、該絶縁層に形成した凹部に１層目のコイル２ｎ９
体、次いで１層目と２層目を′１を気的に分離′Ｖる絶
縁層、さらに２層目のコイル透体を堆積する。その後該
薄膜のみをコイル槽体に対し選択的にエツチングし、余
分なコイル導体を除去する。すると絶縁層の四部に２層
・で多巻なコイルを形成できる。その後、１層目と２層
目のコイルを電気的に接続することにより２層化コイル
を形成する。本方法によれば、２層のコイルを電気的絶
縁層を介してほぼ同時に形成できるため２層化コイルと
しても従来法ｔｈどにはプロセス数が増えない。′−１
：たコイルのすぐ脇（（はコイルと同膜厚の絶す層があ
るため、コイル形成後の平用化も容易である。

以下、本発明を実施例により詳細に説明する。

〔本発明の実施例〕

実施例１ コイルの作製方法の主要なプロセスについて記述する。

第５図の断面図を用いて説明する。基板４１上にＰＩＱ
ＪＩポリイミド系樹脂；日立化成（株）の商品名）４２
、づらにＰＩＱ層上にＮ。

層４３を形成した（第５図−（ａ））。］’　Ｉ　Ｑ層
の膜厚は３　μｍ　、八・１０層ＶＪ、　０．３　ｐ　
ｍであり、ｉ’　Ｉ　Ｑ層は回転塗布法、Ｍｏ層はスパ
ッタリング法により形成した。次いでホトエツチング法
によりレジストをマスクとしてＭＯ層４３をＣＦ４カス
を用いたプラズマエツチング法によりパターンニンクシ
、続いてＭｏ層４３をマスクとしてＰＩＱ層４２に酸素
スパッタエツチング法により基板４１に達する凹部を形
成する（第５図−（ｂ））。酸素スバツタエツチンク法
ではＪ’ＩＱ層４２層形２した凹部の側壁は基板４１に
対しほぼ垂直となる。次いで基板４１に対してほぼ垂面
方向よりＡｔ４４を１μｍ＃着し１層目のコイルを形成
する（第５図−（Ｃ））。さらに該Ａｔ上にＳｉＱ２層
４５を０．５μｍ。

続いて該Ｓｉｎ、上に再び膜厚１μｍのＡｔ層４６を蒸
着し２層目のコイルを形成する（第５図−（ｄ））。

そして、ＰＩＱ層４層上２上積した１層目のＡｔ層４４
を介してＭｏ層４３に電圧を印加し１％のスルファミ２
戯水溶液中にて電解エツチング法にて選択的にＭＯ層４
３を除去する。すると、ＰＩＱ層４層上２上積した余分
なＡｔ層４４．４６およびＳｔＯ２層４５が除去芒れ、
Ｉ）ＩＱＱ層２の凹部に８ｉ（Ｊ、層４５を介して絶縁
された２層構造のコイルが形成される（第５図−（ｅ）
）。

ここで１層目および２Ｎ目のコイルを絶縁するＳｔＯ，
層は１層目のコイル導体の上面にのみ堆積するのびはな
く１層目コイル導体の表面全体を覆うことが望ましい。

このためには、蒸着法に比較し等方的に膜が堆積しやす
いスパッタリング法が適している。また、第５図−（ｄ
Ｊに秒いてＭＯ層４３を選択的に除去するためにはＰＩ
Ｑ層４２の凹部に面したき４０層４３の側壁がＳｉＱ２
層４５により絶縁されていないことが重要である。この
ためには、第５図−（１））にひいて、ＰＩＱ層４２を
酸素スパッタエツチングする際にＭＯパターンの下へ多
少のｒンダーカットを形成し、このひさし林のΔ１０層
４３の下面がＳｉｎ、層を形成する時に電気的に絶縁さ
れないようにすることがＭ要である。

その後、ＰＴＱ層４７を再び回転塗布しコイル導体４４
．４６とＰ　Ｔ　９層４２のすき間ｄ。を埋め込み、か
つＰＩＱ）＠４７の上面を平坦にした（第５図−（ｆ）
）。ＰＩＱは流動性のある熱イ使ｒ［二性樹脂であり、
上述の平用化にθ、通した旧制である。

その後、１層目も・よび２層目のコイル４４．４６を電
気的に接続することによりＰＩＱ層に埋め込１れた２層
多巻コイルが形成できる。１層目ど２層目の接続に従来
技術によって容易にできるのでここでは詳細り省略する
。

その他、上記ゼざる事項については、従来技術を踏襲す
れはよい。

実施例２ 実施例１では両磁極を分離する絶縁層としてポリイミド
系樹脂であるＰＩＱを用いたが、信頼性を考慮するとＳ
ｉ（、＞、等の無機化合物の方が望ましい。但しこの場
合、実施例１とは若干プロセスが異なる。先ず、第５図
−（ａＪにおけるＰ　Ｉ　９層４２の代りにＳｉＱ、層
、さらに該ＳｉＱ、層上にへ１０層を堆積する。欣いて
、ホトエツチング法により該ＭＯＭ上にレジストパター
ン形成し、該レジストバクーンをマスクとしてＭｏ層お
よびＳｔＯ２層を］１／オンカス（Ｃ’　Ｉｉ’　、等
）を用いたプラズマスノ（ツタエツチング法によシエッ
チングし、第５図−（ＩＪど同様に該Ｓｒｇ、Ｒに基板
にすする凹部を形成する。その後の２ノーコイルの作製
プロセスは第５図−（Ｃ）〜（ｅ）と同様である。次に
、第５図−（ｅ）における２層目のＴＩＩＱ層４７全４
７Ｏ２層で形成する場合、１層目ＳｉＱ、層とコイルと
の間にすき間ｄ、があるため２層目のＳｉＱ２層にその
形状が反映されてしまう。このため、該すき間ｄ。のみ
をＰ　Ｉ　ｔ：ａ層で埋め込むことが電装である。そし
て、その後２層目のＳｉＯｔ／ｍを堆積することにより
５ｔｏ２層内に埋め込まれた２層多巻コイルを形成でき
る。

以下に、薄膜磁気ヘッドに関する第２の発明を説明する
。寸ず、その実施態様を列記する。

（１）基板上に形成された、一部において磁気的に接触
している第１磁極および第２磁極と該両磁極の少なくと
も先端部にあって該両磁極をイｊｂ気的に絶縁するギャ
ップ層、また該両磁極の先端部以外にあって該両磁極を
分離する磁気的、電気的絶縁層と、さらに該絶縁層内に
あって磁気の記録。

再生のための信号入出力用コイルを有する尚膜磁気ヘッ
ドにおいて、ギャップ層以外の該絶縁層が無機物および
廟機物の２種類からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。

（１１）上記実施態様（１）において、ギャップ層以外
の杉絶縁層を構成する無機物として５ｉ０２、有機物と
してポリイミド系樹脂を用い、かつギャップ層以外の該
絶り、＠の大部分をＳｉＯ，で形成しポリイミド系樹脂
はコイルの近傍にのみ存在することを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。

（＋＋＋＋　　上記実施態様（１）および（１（）で述
べた潜膜磁気ヘッドに訃いて、第１磁極上にギャップ層
を形成し、次いで該ギャップ層」、に無（幾物を形成し
、この上にコイルを構成する拐ｔ１とＣ；丁選択的に除
去可能な薄膜を堆積した後、該薄膜訃よび核無機物を基
板に対しほぼ垂直となる様にエツチングし、さらに該基
板に対しほぼ垂直方向よりコイルを形成する材料を堆積
し、続いて該薄膜をコイルとは選択的に除去し該無機物
の凹部内にコイルを形成した後、該コイルと該無機物と
のすき間を有機物で埋め込み、再び無機物を堆積し該絶
縁層を形成することを特色とする患・膜磁気ヘッドの製
造方法。

本紀２の発明は仔′（気ディスクあるいはＶＴＲなどに
用いる磁気の記録再生のための薄膜磁気ヘッドに関する
ものである。特に、信月を入出力するためのコイルをリ
フト１２法により作製する場合に有効である。以下、詳
細に記述する。

第６図は薄膜磁気ヘッドの断面を示す。第１磁極１０１
としては基板上に堆積したパーマロイ尚膜あるいはＭ　
ｎ　−Ｚｎフェライト基板等が用いられる。該第１磁極
１０１上にはＳｉＯ２あるいはＡ　ｔ２０３　薄膜によ
りギャップ層１０２が形成される。該ギャップ層１０２
上には信号入出力用のコイル１０３を形成する。コイル
１０３はＡ４゜ＣｕあるいはＡ７−Ｃｕ薄膜をナトエツ
チング法によりパターンニングし作製する。次いで、コ
イル１０３と第２磁極１０５との電気的絶縁、および第
１磁極１０１と第２磁極１０５との磁気的絶縁のために
絶縁層１０４を数μｍ以上形成する。

絶縁層１０４の上面は第２磁極の磁気特性の劣化を防止
するために平坦化することが望ましい。このため絶縁層
１０４としては平坦化の容易な流動性のあるホトレジス
トするいはポリイミド系樹脂が用いられる。続いて、パ
ーマロイ薄膜等で第２磁極１０５を作製し湖膜磁気ヘッ
ドは形成される。

薄膜磁気ヘッドにおいては第１および第２磁極の磁気特
性の向上もさることながら、コア長の短いこと、コイル
の巻数の多いことが高効率化への必要粂件である。とこ
ろで、通常のドライエツチング法によりコイルを作製す
る場合、コイルの断面積を保ち、かつコイルの巻カコを
増加することは、コア長が増加することになり望゛まし
くない。例えは反応性スバツタエツナ／り法によりコ・
イルの導体の断面積が９μｍ２のＡ４コイルを作製する
場合　；ｉ７ｉ体怖９者体間隔の最小寸法は３μｎ］が
限界である。し、化がって１０ターンの巻数をもつコイ
ルを作製するとコア長は１３０μｍ以上となる。ここで
巻数を１５ターンと−するとコア長は１９０μｎ］以上
となってしまう。ところで、コイルの導体幅が２μｍ、
高さが４．５μｍのコイルを作１ｔは、巻数を１５ター
ンとしてもコア長は１３０μｍ程度で９らる。

前述したような導体幅≦高さというコイルは通常のドラ
・イエッチング法やウェットエツチング法では作製がＩ
木難である。この問題を解決する／ヒめにリフトオフ法
によるコーイルの作製方法が考えられている。第７図に
リフトオフ法によるコイルの作製プロセスを示す。先ず
基板１１１上に有機絶縁物として））　Ｉ　（１）、　
（ポリイミド系樹脂９臼立化成（株）の製品名）１１２
、ＭＯ薄膜１１３を形成する（第７図−（ａ））。ＰＩ
Ｑの膜厚はコイルの高さに相当し、またＭＯの膜厚は０
．３μｍ程度でよい。該ＭＯ膜１１３をホトエツチング
した（１１．３’）　　後、該ＭＯ膜１１３′をマスク
として酸素スパッタエツチング法によりＰＩＱをエツチ
ングする（第７１ン１−（ｂ））。すると、ＰＩＱけＭ
Ｏパターンとほぼ同形状にエツチングされる。次いで基
板１１１に対して垂直方向からＡｔｌ　１４’を蒸着す
る（第７図−（Ｃ））。続いてＭ　ｏ　）藷１１３′を
選択的にエツチングすることにより、ＰＩＱ上に堆積し
たＡｔ層は除去されＰＩＱ内に埋め込まれたコイル１１
４が形成される（第７図−（ｄＪ　）。

このリフトオフ法ではコイルの導体幅はＭＯのパターン
ニンク精度により決まるが、ＭＯ膜１１３の膜厚は０．
３μｍ程度であ＃）高り度かつ微細な加工が可能である
。捷だ、コイルの導体幅を小さくしたことによる断面積
の低下は導体の高さを高くすることで防止できる。した
がって、前述した方法の問題点は解決される。リフｉ・
オフ法ではＰＩＱ１１１２とコイルの導体１１４との間
に若干のすき間ｄ。が生ずるが、ＩＪＩ（Ｍ１１２と導
体１１４上に流動性があり平坦化の容易なＰＩＱ１１２
’を再び回転塗布づることによりずき間は埋まりその上
山１は平坦にされる（第７図−（ｅ））。この様に、Ｐ
ＩＱはリフト、オフ法によるコイル作製には有用な樹脂
であるが、樹脂は高湿度、高棉度で変形しやすく製品と
しては信頼性が問題があった。

本紀２の発明は、す７トオ７法を用いることによりＩ’
ＩＱＩ曽の代りに８ｊ０２青の無機化き物で前述してき
た杷６１層を形成することに特似がある。すなわら、第
７図−＜ａ）におけるＰＩＱ７４１１２をｓｈｏ。

で形成し、該５１０７層上にレジスト／Ｎｏパターンを
形成する。次いで、レジストヲマスクとして８ＬＯ，層
をエツチングすると、第７図−（ｂＪにおいてＪ’ＩＱ
を５Ｌ０２　に代えた構造となる。ここで、５ＩＯ７は
（ｒｐ、ガスなどのフレオン系ガスを用いたグラズ与ス
パッタエッチ／グ法により容易に加工でき、かつＰ　Ｉ
　Ｑに比べ固くプロセスおよびヘッド構成上適した材料
である。以下は第７図−（Ｃ）、　ｆｄ）にしたがえは
ＳｉＯ２層にはさ°まれだコイルを形成できる。しかし
７寸でに述べたようにリフトオフ法では、第７１：ン１
−（ｆｉ＋にち−いて５ｒｏＪ％とコイルとの間にすき
間（１ｏが生ずる。このすき間のみにＰ　丁Ｑ等を埋め
込み、−Ｆ用化し、さらに５ｉ０２＃を堆積することに
よｐＳｉ０２層内に埋め込すれたコイルを形成でき、前
述しまた問題点を解決できる。

以下本箱２の発明を実施例により詳１１１［に説明する
。

〔実施例１〕 第８図を用いて説明する。基板１２】とし７てはへ４１
１−　Ｚｎフェライト単結晶基板を用いた。先ずａ亥単
結晶基１八１２１土にギャップ層と々るＡ／２０ｓ膜１
２２全１２２ｔ　ｍ堆界し、後述する上部磁性層とフェ
ライトとの１（−合領域のΔ１２０１層を除去する。

（第８図−（１）　）　。次いで５ｒｏｔ層１２３、さ
らに該５１０２１茜１２３上にＭＯ層１２４を堆積した
（第８図−（ｂ））。Ａｔ、０２１２２．５ｉ０２１２
３゜λ４０Ｊψ１２４はスパッタリング法で堆積した。

ｓｒｏ、層１２３、へ４０層１２４の膜厚ｄそれぞれ２
５μｍ、０．３μｍである。続いて、レジスト１２５を
マスクとして核Ｎ　ＯＪＭ　ｌ　２４をＣｌｉ”、ガス
を用いたプラズマエツチング法によりパターン二／グし
た（第８図−（０月。この際、レジスト膜厚は充分に厚
くしておく。そして、ＭＯ層１２４をエツチング後の残
ったレジスｌ−１２５をマスクとしてｓｈｏ、層１２３
をＣＦ４ガスによるプラズマスパッタエツチング法によ
り除去する（第８図−（ｄＪ　）。コノ際、Ａｔ２０８
層１２２ｉ／ｌｊ：ＳｉＯ，エツチング時のストッパー
として作用し、５ＬＯ２層１２３のエツチングを過多と
しても何ら…ＪＩＭはない。ずなわら、前述したレジス
ト１２５はＬ４　ｏ層１２４およびＳｔＯ，層１２３の
両者をエツチングする際のマスクとなるもので、ここで
は２〜３μ！ｎとした。以上までのプロセスにより第７
図−（ｂＪに示したＰＩＱを用いた場合と同様の構造が
形成できる。以降のプロセスは第７図に示したＰＩＱを
用いた場合と同様である。すなわら、基板内に対しはは
垂直力向からＡｌ１２６’を５ＬＯ２層１２３とＰＩＪ
ｌ！Ａ厚蒸着（第８図−（ｅ））する。さらにＭｏ層１
２４を１％スルフγミン酸氷水溶液中電解エッチング法
により選択的に除去することにより、ＭＯ層１２４上の
Ａ７層のみがリフトオフされ、ＳｉＯ，ｔ？１２３の凹
部に坤め込寸れｋＡｔコイル１２６が出来上る（第８図
−げ））。次いで、ＰＩＱを塗布、余分なＰ　Ｉ　Ｑを
エツチングし５ｒｏ２層１２３とＡｔコイル１２６との
すき間ｄ、をＩノＩＱ２７で埋め込む。さらにＳｉｎ、
層１２８を再び堆積し、ホトエッチ；／グ法により所定
の形状にパターンニングした（第８１ツｌ−１ｇ））。

ｓｈｏ、層１２８の膜厚は２５μｍであり、全５ｈｏ２
層の膜厚は５μｍとした。第゛後にパーマロイにより上
部磁性層１２９を形成し、ヘッドを作製した（第８図−
（ｈ））。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の１）′ＰＩ多巻コイルを有する薄膜磁気
ヘッドの１り丁向図、第２図は従来の２層多巻コイルを
巾する薄＋１！ｉ！磁気ヘッドのＩｒＪｉ而図、面３１
’＞’、１　（ａ＋　＋（ｂ）および第４図は（Ｉｆ、
来の２層多毛コイルの１０ｒ而図、第５図（ａ）〜（ｆ
）げ本発明による２層多巻コイルの形成に廿ける各工程
を示す断面図、第６図は従来の薄、　ＩＩＩ磁２気ヘッ
ドの曲面図、第７図（ａ）〜（ｅ）ｌ／ｊｌＪフトオフ
法によるコイルの作製工程を示す断面図、第８ｔ＞ｌ　
（ａ）〜（ｈ）は本箱２の発明による沖膜磁気ヘッドの
作”１４　’ＩＩ−程を示−す断面図である。 ４１・・・基板、４２・・・絶縁層、４３・・・Ｍｏ層
、４４・・・１層目コイル、４５・・・絶縁層、４６・
・・２層目コイル、４７・・・絶縁層、１２１・・・下
部磁性層、１２２・・・ギャップ層、１２３・・・無機
絶縁層、１２４・・・Ｍ　ｏ層、１２５・・・レジスト
、１２６・・・コイル、１２７・・・有機絶縁物、１２
８・・・無機絶Ｉｒイ物、１２９第　１　　図 ％　　Ｚ　　ｆｆｄ １３図 附　Ｓ　　図 パ １ＦＪ６図 篤　　７　　ロ 第　３　　図 ＋２２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下部磁極を兼ねた磁性基板、あるいは非磁性基板上
   に形成した下部磁極、該下部磁極上に形成したギャップ
   層、該下部磁極および該下部磁極とその一部において磁
   気的に接続している上部抑極を電気的、磁気的に分離す
   る絶縁層、該絶縁層内にあって信号人出力のためのコイ
   ルを有する？ＷＩＩ臭磁気ヘッドにおいて、該コイルが
   基板に対し２層多巻構造を有し、１層目コイル導体と２
   層目コイル導体が電気的絶縁層を介して連続的に形成さ
   れ、該２層目コイル導体が電気的絶縁層を介して該１層
   目コイル導体の直上に、該２層目コイル導体の幅が該１
   層目コイル導体の幅に等しいか、あるいは小さく形成さ
   れたことを特徴とする薄Ｉ＋”磁気ヘッド。 ２、特許請求の範囲第１ｍ記載の４１摸磁気ヘツドにお
   いて、上記絶縁層としてポリイミド系樹脂、上記電気的
   絶縁層として５ｉｏ２を用いたことを特徴とする薄膜磁
   気ヘッド。 ３、％許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドにおい
   て、上記絶縁層としてｓｉｏ、を用い、がつ２層多巻コ
   イルの脇にのみ核２層多巻コイルと同じ尚さのポリイミ
   ド系樹脂が堆積されていることを特徴とする薄膜磁気ヘ
   ッド。 ４、薄膜磁気ヘッドにおける２層多巻コイルを形成する
   場合、ギャップ層上に堆積した第１の絶縁層上にコイル
   を（性成する拐料とけ選択的に除去可能な薄膜を堆積し
   、該薄膜をホトエツチング法によｐレジスト膜をマスク
   としてパターンニングし、続いて該レジスト膜あるいは
   該薄膜をマスクとして該第１の絶縁層をエツチングした
   後、１１１層目コイル導、次いで該１層目コイル導体と
   ２層目コイル導体とを電気的に分離する第２の絶縁層を
   堆積し、さらに該２Ｎ目コイル導体を堆積し、その後、
   該？ｖ＃を該１層目、および該２層目コイル橋体に対し
   選択的に除去することにより、該第１の絶縁層上に堆積
   した余分な該ｉ　Ｉｎｎココイル導体該２層目コイル導
   体および該第２の絶縁層をも除去し、その後、該第１の
   絶縁層ｉ？よび該２層多巻コイル上にその上面が平Ｍ３
   な庖気的、磁気的絶縁層を堆積しさらに該１層目コイル
   と該２層目コイル導体を電気的に接続することを特徴と
   １′る薄膜磁気ヘッドの製造方法。