JP3805440B2 - めっき膜の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、薄膜の磁性層をＮｉＦｅ膜で形成する方法としてめっき法が知られている。ＮｉＦｅ膜を電気めっき法により成膜する場合には下地膜が必要であり、めっき膜の付着強度を考慮すると、下地膜とめっき膜は同一の材質であることが望ましく、下地膜は上層のめっき層と同じ材質のＮｉＦｅ膜を単層で用いることが一般に行われている。この場合には、基板と下地膜との間の接着強度が不足する場合があるため、基板との密着強度を高めるために、ＴｉやＣｒ等を下地としＮｉＦｅを形成したＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜や、Ｔｉ−ＮｉＦｅの二層膜をめっき用電極とするものも知られている。
【０００３】
磁気ディスク装置において、小型化や薄型化が要求される磁気ヘッドとして、導体コイルを薄膜形成技術によって形成した磁気ヘッドや、薄膜型磁気ヘッドが知られており、これらの磁気ヘッドでは、小型化や薄型化の要求から薄膜の磁性層を用いている。
【０００４】
図１１は導体コイルを薄膜形成技術によって形成した磁気ヘッドの構成例を説明する概略図である。図１１において、磁気ヘッドは、スライダー部２とコイル部３を備え、スライダー部２は浮上面側に一対のスライダーレール２１を持ち、該スライダーレール２１の端部に２つのコアを有した磁気コア４を備え、また、コイル部３は基板３１上にバックヨーク（図示していない）および薄膜コイル３２を備え、スライダー部２の磁気コア４とともに磁路を形成する。
【０００５】
コイル部３の薄膜コイル３２は薄膜形成技術によって形成する。図１２は薄膜コイルの薄膜形成技術による形成工程の従来例を説明するための図である。図１２において、基板３１上に例えば、スパッタリングによってＣｒ膜５０ｂとＮｉＦｅ膜５０ａからなるＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜のめっき用下地膜５０を形成し（ステップＪ１）、塗布したレジストを露光、現像してフレームレジストを形成し（ステップＪ２，３）、ＮｉＦｅ膜をめっき法で成膜してバックヨーク部分を形成する（ステップＪ４）。レジストを除去した後（ステップＪ５）、フレームレジスト部のめっき用下地膜５０をイオンミリングにより除去する（ステップＪ６）。さらに、バックヨーク上に絶縁膜を形成した後、フレームめっきで導体を形成した薄膜コイルを形成する（図示していない）。
【０００６】
また、薄膜型磁気ヘッドは、基板上に下部磁性膜，絶縁膜を形成し、その上にコイル導体をスパイラル状に形成し、さらに絶縁膜を介して上部磁性膜を積層して閉磁路を形成したものである。この下部磁性膜および上部磁性膜は、ＮｉＦｅのめっき膜によって形成することができる。
【０００７】
図１３は薄膜型の磁気ヘッドの磁性層の形成工程の従来例を説明するための図である。図１３において、基板３１上に絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜５３を形成し、その上にＣｒ膜５０ｂとＮｉＦｅ膜５０ａからなるＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜のめっき用下地膜５０を形成し（ステップＪ１１）、レジストパターンによる露光，現像によってフレームレジスト５２を形成し（ステップＪ１２）、このフレームレジスト５２を用いてＮｉＦｅ膜３８をめっきして磁性層を形成する（ステップＪ１３）。
【０００８】
フレームレジストを除去した後（ステップＪ１４）、フレームレジスト部の下地膜５０をイオンミリングで除去する（ステップＪ１５）。この後、下地膜５０を除去した部分およびめっきＮｉＦｅ膜３８上にフィールドエッチング用レジスト５７を形成し（ステップＪ１６）、フィールドエッチングを行う。フィールドエッチングは、まずＮｉＦｅ用エッチング液を用いてめっきＮｉＦｅ膜３８およびＮｉＦｅ膜５０ａを除去し、次にＣｒ用エッチング液を用いてＣｒ膜５０ｂを除去する（ステップＪ１７）。フィールドエッチング終了後、フィールドエッチング用レジスト５７を除去する（ステップＪ１８）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ＮｉＦｅ膜の形成に使用する従来のめっき用下地膜は、Ｃｒ膜とＮｉＦｅ膜の２層膜、Ｔｉ膜とＮｉＦｅ膜の２層膜、ＮｉＦｅ単層膜等を用いており、フレームレジスト部の下地膜を除去するにはイオンミリングによる除去が必要となる。しかしながら、このイオンミリングによる下地膜の除去では、除去時間が長くなり、下地膜除去の終点を精度良く検出することが困難という問題点があり、また、イオンミリング装置が高価であるという問題点もある。
【００１０】
例えば、イオンミリングによる下地膜除去では、基板をイオンミリング装置に導入してから装置内を真空排気する必要があり、このために３０分から６０分程度の時間を要し、また、イオンミリング法のエッチングレートは、０．１μｍ／１０分程度と低速であるため、所要時間が長時間化する。
【００１１】
また、イオンミリング不足の場合には、磁気的あるいは電気的短絡が生じるおそれがあるため、高い精度の終点検出が必要である。イオンミリングによるエッチングでは、エッチング量を処理時間で管理しているため、下地膜除去の終点の合否は、基板をイオンミリング装置から取り出し、光学顕微鏡で観察して判断する必要がある。しかしながら、エッチングレートのばらつきや下地膜の膜厚のばらつきがあるため、終点を精度良く検出することが困難である。また、イオンミリングで除去した成分がめっきＮｉＦｅ膜の側面に再付着する場合もある。そのため、エッチングが不十分な場合には、イオンミリングを追加して行う必要があり、再度真空排気を行うため処理時間が長くなる。
【００１２】
この下地膜の除去に要する時間が長時間となると、磁性層の形成に要する時間が長くなり、磁気ヘッドの製造時間にも影響することになる。
【００１３】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決して、フレームレジスト部の下地膜除去の時間を短縮することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、Ｃｒ膜およびＮｉＦｅ膜からなるめっき用下地膜と、前記めっき用下地膜の上に形成されたＮｉＦｅめっき膜からなるめっき膜の製造方法であって、
前記Ｃｒ膜の一部が露出するように、前記Ｃｒ膜上に前記ＮｉＦｅ膜を不連続で形成する工程、
前記めっき用下地膜上にＮｉＦｅめっき膜を所定パターンにてめっき形成する工程、
前記ＮｉＦｅめっき膜に覆われていない前記めっき用下地膜を硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液で除去するとき、前記Ｃｒ膜と前記ＮｉＦｅ膜とを同時にウエットエッチングにより除去する工程、
を有することを特徴とする。
めっき用下地膜のＣｒ膜のウエットエッチングによる下地膜の除去時間は、イオンミリングと比較して短時間であるため、下地膜除去の時間を短縮することができる。
【００１５】
硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液を用いた場合のＮｉＦｅ膜のエッチングレートは、Ｃｒ膜のエッチングレートの約７００分の１程度と小さいため、めっきＮｉＦｅ膜をほとんどエッチングせずに、下地膜を除去することが可能である。
【００１６】
また、めっき用下地膜のＮｉＦｅ膜は、Ｃｒ膜上において島状に不連続に存在し、下側のＣｒ膜の一部が露出する構成であり、これによって、エッチング液はＮｉＦｅ膜とＣｒ膜の両方に浸潤し、両膜をエッチングすることができる。また下地膜内のＮｉＦｅ膜の平均膜厚を１０Åから３０Å程度とすることで、下地膜のＮｉＦｅ膜を島状の、不連続膜とすることができる。平均膜厚は一様な連続膜に換算した値で定義している。下地膜のＮｉＦｅ膜は非常に薄い膜であるが、下地膜にＮｉＦｅ膜を加えることで、下地膜とめっきＮｉＦｅ膜との密着力を増大させることができる。
【００１７】
また、本発明のめっき膜の製造方法を、磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成に適用すると、コイル部における薄膜形成工程や薄膜型磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成工程中の下地膜の除去に要する時間を短縮することができ、これによって、磁気ヘッドの製造時間を短縮することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図を参照しながら詳細に説明する。以下、本発明のめっき膜の製造方法を、導体コイルに薄膜形成技術を用いた磁気ヘッドにおける磁性層の形成，および薄膜型磁気ヘッドにおける磁性層の形成に適用した各場合について説明する。
【００１９】
はじめに、導体コイルに薄膜形成技術を用いた磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成に対して、本発明のめっき膜の製造方法を適用した場合について、図１，２，３を用いて説明する。
【００２０】
図１は磁気ディスク装置に適用される磁気ヘッドの構成を説明するための概略図であり、図２にその組み立て後の拡大図を示す。図１において、磁気ヘッド１はスライダー部２とコイル部３とによって構成される。スライダー部２は、スライダー溝２２を挟んで設けた一対のスライダーレール２１により形成される浮上面を持つとともに、スライダーレール２１の端部に２つのコアを有した磁気コア４を備えている。また、コイル部３は、基板３１上にバックヨーク４６（図２参照）および薄膜コイル３２を設け、スライダー部２の磁気コア４とともに閉磁路を形成する。
【００２１】
スライダー部２は、例えばＣａＴｉＯ3 ，ヘマタイト，ＮｉＯＭｎＯ等のスライダー材により形成することができる。そして、スライダー部２の磁気コア４が設置された縁部側の浮上面と反対側の一部分を切り欠き、この切り欠き部に基板３１をはめ込むことによって磁気ヘッド１が組み立てられる。基板３１上に形成される薄膜コイル３２は、磁気ヘッド１を組み立てたときに磁気コア４の下方となる位置に形成する。また、薄膜コイル３２の外部端子であるボンディングパッド３３は、スライダー部２の磁気コア４が設置された縁部からはみ出た位置となる基板３１上に形成し、薄膜コイル３２とボンディングパッド３３との間はリード部によって薄膜形成することができる。
【００２２】
なお、図１に示す磁気ヘッドは、基板３１の一部がスライダー部２からはみ出た構成としているが、基板３１とスライダー部２の縁部を揃えた構成とすることもできる。また、図１に示す構成では、外部コード（図示していない）との接続を行うボンディングパッド３３を大きく形成できるとともに、磁気ヘッド１を形成した後においても外部コードの接続を容易に行うことができる。
【００２３】
図２は、スライダー部２と基板３１とを組み合わせた後の磁気ヘッド１の一部を切り欠いた斜視図であり、図３は本発明の磁気ヘッドの概略断面図である。なお、図２，３において、図中の上方は磁気記録媒体の記録面側を示している。
【００２４】
図２，３において、磁気コア４はほぼＩ字状の第１コア４１とＬ字状の第２コア４２の２つコアからなり、例えばＭｎＺｎ等の単結晶フェライトによって形成する。第２コア４２の先細りに形成された一辺は、微小な間隔を開けて第１コア４１と対向配置する。そして、両コアの対向する面には、例えばＦｅＡｌＳｉ，ＣｏＴａＺｒ，ＦｅＴａＮ等の高飽和磁束密度膜４３を設け、両高飽和磁束密度膜４３間に磁気ギャップ４４を形成する。また、この磁気ギャップ４４の部分にはガラス４５等が充填されている。そして、この磁気コア４は、スライダー部２に形成された凹部内にはめ込めれ、磁気ギャップ４４がスライダー面側に露出するよう取り付ける。また、第１コア４１をほぼＩ字状の形状とした場合にはそのコア面が平面状となるため、コア面上への磁性膜の形成が容易となり、磁路の磁気抵抗を低減して再生出力を高めるという効果を得ることができる。なお、前記した第１コア４１と第２コア４２の形状は一例であってこの形状に限定されるものではなく、コア間の磁気ギャップを介して閉磁路を形成するものであれば任意の形状とすることができる。
【００２５】
コイル部３は、バックヨーク４６，コイル台座３４上に形成される薄膜コイル３２を備える。このバックヨーク４６，コイル台座３４は磁性層によりなり、基板３１上に下地膜５１を介してめっきＮｉＦｅ膜によって形成される。
【００２６】
下地膜５１は、ＮｉＦｅをめっきするときに電流を流す膜である。なお、バックヨーク４６は、磁気ギャップ４４とは反対側の端部において、第１コア４１と第２コア４２とを接合して閉磁路を形成する磁性体部分であり、薄膜コイル３２の一部をその上方に形成する。また、コイル台座３４は薄膜コイル３２の一部を上方に支持する台座の役目をなす部分であり、バックヨーク４６と同様にめっきによるＮｉＦｅ膜等の磁性材料によって形成することができる。
【００２７】
薄膜コイル３２は薄膜形成技術によって導体と絶縁材とを層状に重ねて形成して多層コイルを形成することができ、リード部３５を介して外部端子であるボンディングパッド３３と接続している。
【００２８】
図４は、本発明のめっき膜の製造方法における下地膜の断面図であり、基板３１上に形成されるめっき用下地膜５１を示している。図４において、めっき用下地膜５１は、Ｃｒ膜５１ｂの上に薄く不連続膜であるＮｉＦｅ膜５１ａを形成して構成される。ＮｉＦｅ膜５１ａはＣｒ膜５１ｂ上に島状に不連続な状態で形成され、Ｃｒ膜５１ｂが露出した状態にある。従って、本発明のめっき膜の製造方法におけるめっき用下地膜５１は、従来のＣｒ膜とＮｉＦｅ膜との２層膜と異なり、ＮｉＦｅ膜を含むＣｒ膜の１層膜である。
【００２９】
一般に、薄膜を作成する場合、その初期成長時には、島状に膜が形成される。従って、Ｃｒ膜５１ｂ上にＮｉＦｅ膜をスパッタリング等によって成長させる場合、初期段階ではＮｉＦｅ膜は島状に形成される。本発明のめっき膜の製造方法では、このＮｉＦｅ膜の形成を初期段階で終了させることによって、Ｃｒ膜５１ｂ上に島状の不連続なＮｉＦｅ膜を形成する。本発明のめっき膜の製造方法では、このような構成とすることによって、ウエットエッチングによる下地膜の除去を可能とする。
【００３０】
Ｃｒ膜はウエットエッチングによって除去可能な素材であり、下地膜としてＣｒ膜を用いることによって、以後の下地膜の除去工程においてウエットエッチングによる処理が可能となる。また、Ｃｒ膜に加えてＮｉＦｅ膜を設けることによって、下地膜の密着度を向上させることができる。
【００３１】
ＮｉＦｅ膜は、例えば１００Å程度の膜厚の場合には、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液ではウエットエッチングによる除去は困難である。本発明のめっき膜の製造方法では、めっき用下地膜中のＮｉＦｅ膜は、スパッタリングによって平均膜厚が１０Åから３０Å程度の薄い膜厚で形成する。このような薄い膜厚では、ＮｉＦｅ膜は前記したように、Ｃｒ膜上に島状に不連続な状態で形成される。硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液に対するＮｉＦｅ膜のエッチングレートは非常に小さいが、本発明のめっき膜の製造方法では、ＮｉＦｅ膜を不連続膜とすることによってＣｒ用エッチング液による除去を可能としている（ステップＳ１）。
【００３２】
以下、図５〜図７を用いて、薄膜コイルによる磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜形成プロセスについて説明する。
【００３３】
はじめに、基板３１上にＣｒ膜を成膜した後、該Ｃｒ膜上にＮｉＦｅ膜を成膜して下地膜５１を形成する。Ｃｒ膜の膜厚は、例えば約０．１μｍ程度とし、ＮｉＦｅ膜の平均膜厚は約１０Å〜３０Å程度の薄い薄膜とする（図４参照）。従って、めっき用下地膜の膜厚は、ほぼＣｒ膜の膜厚によって定まることになる。成膜は、スパッタリングあるいは蒸着等で行うことができる（ステップＳ１）。
【００３４】
次に、下地膜５１上にレジスト５２を塗布し、バックヨークやコイル台座の形状に合わせたパターンによって露光，現像を行う。レジスト５２の塗布はスピンコート等により均一な厚さに制御することができ、例えば７μｍ程度の厚さのバックヨークを形成する場合には１０μｍ厚程度のレジストを形成する（ステップＳ２，３）。
【００３５】
その後、フレームレジストを用いて、めっき法で例えば７μｍ程度の膜厚のＮｉＦｅ膜３８を形成する。この磁性部材によって、バックヨークやコイル台座を形成することができる。また、リード部についても同様に形成することができる（ステップＳ４）。
【００３６】
ＮｉＦｅ膜３８をめっき法で形成した後、フレームレジスト５２の除去を行い（ステップＳ５）、さらに、フレームレジスト５２部の下側の下地膜５１の除去を行う。下地膜５１の除去には、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液によって行う。硝酸第二セリウムアンモン含むＣｒ用エッチング液によるＣｒ膜のエッチングレートは、ＮｉＦｅ膜のエッチングレートの約７００倍大きく、エッチングレートに大きな差があり、下地膜を除去する際にはめっきＮｉＦｅ膜はほとんどエッチングされない。下地膜のＮｉＦｅ膜は薄く不連続であるため、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液で除去が可能であり、めっき用下地膜のＣｒ膜とＮｉＦｅ膜の両膜を同時にウエットエッチングで除去し、工程時間を短縮することができる（ステップＳ６）。
【００３７】
ＮｉＦｅ膜３８および下地膜５１に形成されている穴部分を選択的に穴埋めする（ステップＳ７）。バックヨーク，コイル台座，およびリード部等の磁性薄膜の上層部において、コイルを形成する所定箇所に絶縁膜５４を形成する。この絶縁膜５４は、ＮｉＦｅ膜３８と薄膜コイルの導体との間の絶縁を確保するためであり、絶縁が確保できる程度の所定の厚さとする。また、バックヨークとなるＮｉＦｅ膜３８において、コアが接合する面には絶縁膜５４を設けず、磁性薄膜の部分を直接露出させる（ステップＳ８）。
【００３８】
この後、スピンコート等によりレジスト５５を塗布する（ステップＳ９）。
【００３９】
レジストを塗布した後、形成する薄膜コイルのパターンに対応したフレームレジスト５６を形成する。このフレームレジスト５６は、バックヨーク，コイル台座，およびリード部上に形成する（ステップＳ１０）。
【００４０】
フレームレジスト５６を用いて薄膜コイルのＣｕ膜３９をめっき法で形成する。薄膜コイルのＣｕ膜３９の厚さは、このフレームレジスト５６の膜厚によって制限される。薄膜コイルの導体の厚さおよびフレームレジスト５６の膜厚の一例として、４μｍ，５．５μｍとすることができる（ステップＳ１１）。コイルのＣｕ膜３９を形成した後、レジストを塗布、露光、現像してコアがバックヨークと接合する面を露出させる。この後硬化させて層間の絶縁を行う。これによって、一層目の薄膜コイルの形成が終了する（ステップＳ１２）。
【００４１】
前記ステップＳ１０，１１，１２と同様のレジストパターンの形成工程およびコイルの形成工程を繰り返すことによって多層の薄膜コイルを形成を行う。この多層の薄膜コイルの形成において、形成するコイルの巻線数は総巻線数と層数によって設定することができる（ステップＳ１３，１４，１５）。
【００４２】
前記ステップＳ１５までの工程では、バックヨーク，コイル台座，およびリード部以外の部分についてもＮｉＦｅ膜が残った状態にある。そこで、フィールドエッチングによって不要部分のＮｉＦｅ膜，および下地膜の除去を行う。素子部以外をフィールドエッチング用レジストで覆い（ステップＳ１６）、ＮｉＦｅ用エッチング液を用いて素子以外のＮｉＦｅ膜を除去し、次に、Ｃｒ用エッチング液を用いて素子以外の下地膜中のＣｒ膜を除去する。ＮｉＦｅ用エッチング液として、例えば過硫酸アンモンと硝酸の溶液を用い、Ｃｒ用エッチング液として、硝酸第二セリウムアンモンの溶液を用いることができる（ステップＳ１７）。
【００４３】
フィールドエッチングの処理の後、アセトンまたは剥離液を用いてフィールドエッチング用レジストを除去する（ステップＳ１８）。
【００４４】
従って、この実施形態によれば、ステップＳ６のフレームレジスト部の下地膜５１の除去をウエットエッチングで行うことによって工程時間を短縮することができる。
【００４５】
次に、薄膜型磁気ヘッドにおける磁性層の形成に対して、本発明のめっき膜の製造方法を適用した場合について、図８，９，１０を用いて説明する。
【００４６】
図８は磁気ディスク装置に適用される薄膜型磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。図８において、薄膜型磁気ヘッド６０は、上部磁極７７と下部磁極７２（図９参照）とを、一端を磁気ギャップ６４（図９参照）とし、他端を結合部６８で結合して閉磁路を形成し、該結合部６８を囲むように薄膜技術によってコイル導体６５を形成する。磁気ギャップ６４の部分では、上部磁極７７と下部磁極７２とをトラック幅程度に狭め、ポールティップ６２を形成し、スライダ浮上面６３の端面に合わせて配置する。なお、コイル導体６５の両端には端子６６，６７が形成される。 図９は、薄膜型磁気ヘッドの断面図である。図９において、薄膜型磁気ヘッドは、基板６１上に絶縁膜を形成し、その上部に下部磁極７２，コイル導体６５，および上部磁極７７を形成する。基板６１として、例えばＡｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣを用いることができ、該基板上の絶縁膜として、例えば膜厚１０μｍ程度のＡｌ2 Ｏ3 膜７０を用いることができる。
【００４７】
Ａｌ2 Ｏ3 膜７０の上に、本発明の製造方法によってめっき用下地膜７１を形成する。このめっき用下地膜７１の膜厚は約０．１μｍ程度であり、約０．１μｍ程度の膜厚のＣｒ膜の上に１０Å〜３０Å程度の膜厚のＮｉＦｅ膜を成膜して形成することができる。
【００４８】
めっき用下地膜７１の上にＮｉＦｅ膜をめっきして下部磁極７２を形成し、さらにその上方に磁気ギャップ６４を形成するための非磁性層７３を設け、絶縁層７４を介してコイル導体６５を形成する。コイル導体６５の上方には、さらに絶縁層７５を介してめっき用下地膜７６を設け、その上にＮｉＦｅ膜をめっきして上部磁極７７を形成する。
【００４９】
めっき用下地膜７１および７６の断面の状態は、前記図４と同様であり、めっき用下地膜５１は、Ｃｒ膜５１ｂの上に薄いＮｉＦｅ膜５１ａを島状に不連続な状態で形成した、ＮｉＦｅ膜を含むＣｒ膜の１層膜である。
【００５０】
上記しためっき用下地膜の構成とすることによって、Ｃｒ用エッチング液による除去が可能となり、また、Ｃｒ膜に加えてＮｉＦｅ膜を設けることによって、めっきＮｉＦｅ膜と下地膜の密着力を向上させることができる。
【００５１】
以下、図１０を用いて、薄膜型磁気ヘッドの成膜プロセスについて説明する。図１０は薄膜型磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成工程の一例を説明するための図である。
【００５２】
はじめに、基板３１上に絶縁膜として膜厚約１０μｍのＡｌ2 Ｏ3 膜５３を形成し、該Ａｌ2 Ｏ3 膜５３上にＣｒ膜を成膜した後、該Ｃｒ膜上にＮｉＦｅ膜を成膜して、めっき用下地膜５１を形成する。Ｃｒ膜の膜厚は、例えば約０．１μｍ程度とし、ＮｉＦｅ膜の膜厚は約１０Å〜３０Å程度の薄い薄膜とする。従って、めっき用下地膜５１の膜厚は、ほぼＣｒ膜の膜厚によって定まることになる。成膜は、スパッタリングあるいは蒸着等で行うことができる（ステップＳ２１）。
【００５３】
レジストを塗布、露光、現像しフレームレジスト５２を形成する。フレームレジスト５２の幅は、例えば３〜１０μｍとすることができる（ステップＳ２２）。このフレームレジスト５２を用いてＮｉＦｅ膜３８をめっきして磁性層を形成する。めっきＮｉＦｅ膜の膜厚として、例えば２〜４μｍとすることができる（ステップＳ２３）。
【００５４】
フレームレジストを除去した後（ステップＳ２４）、素子部分のめっきＮｉＦｅ膜３８を覆うようにフィールドエッチング用レジスト５７を形成し（ステップＳ２５）、フィールドエッチングを行う。フィールドエッチングは、まずＮｉＦｅ用エッチング液を用いて素子部以外のＮｉＦｅ膜を除去し（ステップＳ２６）、次に、アセトン又は剥離液を用いてフィールドエッチング用レジスト５７を除去する（ステップＳ２７）。次に、Ｃｒ用エッチング液を用いて、素子部以外のめっき用下地膜５３のＣｒを除去する（ステップＳ２８）。
【００５５】
Ｃｒ用エッチング液として、例えば硝酸第二セリウムアンモン３６０ｇを純水２０４０ｃｃに溶かした溶液を用いることができ、ＮｉＦｅ用エッチング液として、例えば過硫酸アンモン３６０ｇを硝酸２００ｃｃと純水２０００ｃｃに溶かした溶液を用いることができる。
上記の実施形態によれば、めっき用下地膜の除去に硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液を用いた場合、膜厚が０．１μｍのＣｒ膜を１〜２分程度でエッチングを行うことができる。このエッチングレートは、従来のイオンミリング法による０．１μｍ／１０分程度より５〜１０倍の処理の速さとなる。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＮｉＦｅ膜のめっき用下地膜の除去に要する処理時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気ディスク装置に適用される本発明を適用した磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。
【図２】スライダー部とコイル部とを組み合わせた後の、本発明を適用した磁気ヘッドの一部を切り欠いた斜視図である。
【図３】本発明を適用した磁気ヘッドの概略断面図である。
【図４】 本発明のめっき膜の製造方法における下地膜の断面図である。
【図５】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明するための図である。
【図６】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明するための図である。
【図７】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明するための図である。
【図８】磁気ディスク装置に適用される薄膜型磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。
【図９】薄膜型磁気ヘッドの断面図である。
【図１０】本発明を適用した薄膜型磁気ヘッドの磁性層の形成工程の一例を説明するための図である。
【図１１】導体コイルを薄膜形成技術によって形成した磁気ヘッドの構成例を説明する概略図である。
【図１２】薄膜コイルの薄膜形成技術による形成工程の従来例を説明するための図である。
【図１３】薄膜型の磁気ヘッドの磁性層の形成工程の従来例を説明するための図である。
【符号の説明】
１ 磁気ヘッド
２ スライダー部
３ コイル部
４ 磁気コア
２１ スライダーレール
２２ スライダー溝
３１，６１ 基板
３２ 薄膜コイル
３３ ボンディングパッド
３４ コイル台座
３５ リード部
３８ ＮｉＦｅ膜
３９ Ｃｕ膜
４１ 第１コア
４２ 第２コア
４３ 高飽和磁束密度膜
４４，６４ 磁気ギャップ
４５ ガラス
４６ バックヨーク
５０，５１，７１，７６ めっき用下地膜
５０ａ，５１ａ ＮｉＦｅ膜
５０ｂ，５１ｂ Ｃｒ膜
５２ フレームレジスト
５３ Ａｌ2 Ｏ3 膜
５４ 絶縁膜
５５ レジスト
５６ フレームレジスト
５７ フィールドエッチング用レジスト
６０ 薄膜型磁気ヘッド
６２ ポールティップ
６３ スライダ浮上面
６５ コイル導体
６６，６７ 端子
６８ 結合部
７０ Ａｌ2 Ｏ3 膜
７２ 下部磁極
７３ 非磁性層
７４，７５ 絶縁層
７７ 上部磁極
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、薄膜の磁性層をＮｉＦｅ膜で形成する方法としてめっき法が知られている。ＮｉＦｅ膜を電気めっき法により成膜する場合には下地膜が必要であり、めっき膜の付着強度を考慮すると、下地膜とめっき膜は同一の材質であることが望ましく、下地膜は上層のめっき層と同じ材質のＮｉＦｅ膜を単層で用いることが一般に行われている。この場合には、基板と下地膜との間の接着強度が不足する場合があるため、基板との密着強度を高めるために、ＴｉやＣｒ等を下地としＮｉＦｅを形成したＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜や、Ｔｉ−ＮｉＦｅの二層膜をめっき用電極とするものも知られている。
【０００３】
磁気ディスク装置において、小型化や薄型化が要求される磁気ヘッドとして、導体コイルを薄膜形成技術によって形成した磁気ヘッドや、薄膜型磁気ヘッドが知られており、これらの磁気ヘッドでは、小型化や薄型化の要求から薄膜の磁性層を用いている。
【０００４】
図１１は導体コイルを薄膜形成技術によって形成した磁気ヘッドの構成例を説明する概略図である。図１１において、磁気ヘッドは、スライダー部２とコイル部３を備え、スライダー部２は浮上面側に一対のスライダーレール２１を持ち、該スライダーレール２１の端部に２つのコアを有した磁気コア４を備え、また、コイル部３は基板３１上にバックヨーク（図示していない）および薄膜コイル３２を備え、スライダー部２の磁気コア４とともに磁路を形成する。
【０００５】
コイル部３の薄膜コイル３２は薄膜形成技術によって形成する。図１２は薄膜コイルの薄膜形成技術による形成工程の従来例を説明するための図である。図１２において、基板３１上に例えば、スパッタリングによってＣｒ膜５０ｂとＮｉＦｅ膜５０ａからなるＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜のめっき用下地膜５０を形成し（ステップＪ１）、塗布したレジストを露光、現像してフレームレジストを形成し（ステップＪ２，３）、ＮｉＦｅ膜をめっき法で成膜してバックヨーク部分を形成する（ステップＪ４）。レジストを除去した後（ステップＪ５）、フレームレジスト部のめっき用下地膜５０をイオンミリングにより除去する（ステップＪ６）。さらに、バックヨーク上に絶縁膜を形成した後、フレームめっきで導体を形成した薄膜コイルを形成する（図示していない）。
【０００６】
また、薄膜型磁気ヘッドは、基板上に下部磁性膜，絶縁膜を形成し、その上にコイル導体をスパイラル状に形成し、さらに絶縁膜を介して上部磁性膜を積層して閉磁路を形成したものである。この下部磁性膜および上部磁性膜は、ＮｉＦｅのめっき膜によって形成することができる。
【０００７】
図１３は薄膜型の磁気ヘッドの磁性層の形成工程の従来例を説明するための図である。図１３において、基板３１上に絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜５３を形成し、その上にＣｒ膜５０ｂとＮｉＦｅ膜５０ａからなるＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜のめっき用下地膜５０を形成し（ステップＪ１１）、レジストパターンによる露光，現像によってフレームレジスト５２を形成し（ステップＪ１２）、このフレームレジスト５２を用いてＮｉＦｅ膜３８をめっきして磁性層を形成する（ステップＪ１３）。
【０００８】
フレームレジストを除去した後（ステップＪ１４）、フレームレジスト部の下地膜５０をイオンミリングで除去する（ステップＪ１５）。この後、下地膜５０を除去した部分およびめっきＮｉＦｅ膜３８上にフィールドエッチング用レジスト５７を形成し（ステップＪ１６）、フィールドエッチングを行う。フィールドエッチングは、まずＮｉＦｅ用エッチング液を用いてめっきＮｉＦｅ膜３８およびＮｉＦｅ膜５０ａを除去し、次にＣｒ用エッチング液を用いてＣｒ膜５０ｂを除去する（ステップＪ１７）。フィールドエッチング終了後、フィールドエッチング用レジスト５７を除去する（ステップＪ１８）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ＮｉＦｅ膜の形成に使用する従来のめっき用下地膜は、Ｃｒ膜とＮｉＦｅ膜の２層膜、Ｔｉ膜とＮｉＦｅ膜の２層膜、ＮｉＦｅ単層膜等を用いており、フレームレジスト部の下地膜を除去するにはイオンミリングによる除去が必要となる。しかしながら、このイオンミリングによる下地膜の除去では、除去時間が長くなり、下地膜除去の終点を精度良く検出することが困難という問題点があり、また、イオンミリング装置が高価であるという問題点もある。
【００１０】
例えば、イオンミリングによる下地膜除去では、基板をイオンミリング装置に導入してから装置内を真空排気する必要があり、このために３０分から６０分程度の時間を要し、また、イオンミリング法のエッチングレートは、０．１μｍ／１０分程度と低速であるため、所要時間が長時間化する。
【００１１】
また、イオンミリング不足の場合には、磁気的あるいは電気的短絡が生じるおそれがあるため、高い精度の終点検出が必要である。イオンミリングによるエッチングでは、エッチング量を処理時間で管理しているため、下地膜除去の終点の合否は、基板をイオンミリング装置から取り出し、光学顕微鏡で観察して判断する必要がある。しかしながら、エッチングレートのばらつきや下地膜の膜厚のばらつきがあるため、終点を精度良く検出することが困難である。また、イオンミリングで除去した成分がめっきＮｉＦｅ膜の側面に再付着する場合もある。そのため、エッチングが不十分な場合には、イオンミリングを追加して行う必要があり、再度真空排気を行うため処理時間が長くなる。
【００１２】
この下地膜の除去に要する時間が長時間となると、磁性層の形成に要する時間が長くなり、磁気ヘッドの製造時間にも影響することになる。
【００１３】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決して、フレームレジスト部の下地膜除去の時間を短縮することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、Ｃｒ膜およびＮｉＦｅ膜からなるめっき用下地膜と、前記めっき用下地膜の上に形成されたＮｉＦｅめっき膜からなるめっき膜の製造方法であって、
前記Ｃｒ膜の一部が露出するように、前記Ｃｒ膜上に前記ＮｉＦｅ膜を不連続で形成する工程、
前記めっき用下地膜上にＮｉＦｅめっき膜を所定パターンにてめっき形成する工程、
前記ＮｉＦｅめっき膜に覆われていない前記めっき用下地膜を硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液で除去するとき、前記Ｃｒ膜と前記ＮｉＦｅ膜とを同時にウエットエッチングにより除去する工程、
を有することを特徴とする。
めっき用下地膜のＣｒ膜のウエットエッチングによる下地膜の除去時間は、イオンミリングと比較して短時間であるため、下地膜除去の時間を短縮することができる。
【００１５】
硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液を用いた場合のＮｉＦｅ膜のエッチングレートは、Ｃｒ膜のエッチングレートの約７００分の１程度と小さいため、めっきＮｉＦｅ膜をほとんどエッチングせずに、下地膜を除去することが可能である。
【００１６】
また、めっき用下地膜のＮｉＦｅ膜は、Ｃｒ膜上において島状に不連続に存在し、下側のＣｒ膜の一部が露出する構成であり、これによって、エッチング液はＮｉＦｅ膜とＣｒ膜の両方に浸潤し、両膜をエッチングすることができる。また下地膜内のＮｉＦｅ膜の平均膜厚を１０Åから３０Å程度とすることで、下地膜のＮｉＦｅ膜を島状の、不連続膜とすることができる。平均膜厚は一様な連続膜に換算した値で定義している。下地膜のＮｉＦｅ膜は非常に薄い膜であるが、下地膜にＮｉＦｅ膜を加えることで、下地膜とめっきＮｉＦｅ膜との密着力を増大させることができる。
【００１７】
また、本発明のめっき膜の製造方法を、磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成に適用すると、コイル部における薄膜形成工程や薄膜型磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成工程中の下地膜の除去に要する時間を短縮することができ、これによって、磁気ヘッドの製造時間を短縮することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図を参照しながら詳細に説明する。以下、本発明のめっき膜の製造方法を、導体コイルに薄膜形成技術を用いた磁気ヘッドにおける磁性層の形成，および薄膜型磁気ヘッドにおける磁性層の形成に適用した各場合について説明する。
【００１９】
はじめに、導体コイルに薄膜形成技術を用いた磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成に対して、本発明のめっき膜の製造方法を適用した場合について、図１，２，３を用いて説明する。
【００２０】
図１は磁気ディスク装置に適用される磁気ヘッドの構成を説明するための概略図であり、図２にその組み立て後の拡大図を示す。図１において、磁気ヘッド１はスライダー部２とコイル部３とによって構成される。スライダー部２は、スライダー溝２２を挟んで設けた一対のスライダーレール２１により形成される浮上面を持つとともに、スライダーレール２１の端部に２つのコアを有した磁気コア４を備えている。また、コイル部３は、基板３１上にバックヨーク４６（図２参照）および薄膜コイル３２を設け、スライダー部２の磁気コア４とともに閉磁路を形成する。
【００２１】
スライダー部２は、例えばＣａＴｉＯ3 ，ヘマタイト，ＮｉＯＭｎＯ等のスライダー材により形成することができる。そして、スライダー部２の磁気コア４が設置された縁部側の浮上面と反対側の一部分を切り欠き、この切り欠き部に基板３１をはめ込むことによって磁気ヘッド１が組み立てられる。基板３１上に形成される薄膜コイル３２は、磁気ヘッド１を組み立てたときに磁気コア４の下方となる位置に形成する。また、薄膜コイル３２の外部端子であるボンディングパッド３３は、スライダー部２の磁気コア４が設置された縁部からはみ出た位置となる基板３１上に形成し、薄膜コイル３２とボンディングパッド３３との間はリード部によって薄膜形成することができる。
【００２２】
なお、図１に示す磁気ヘッドは、基板３１の一部がスライダー部２からはみ出た構成としているが、基板３１とスライダー部２の縁部を揃えた構成とすることもできる。また、図１に示す構成では、外部コード（図示していない）との接続を行うボンディングパッド３３を大きく形成できるとともに、磁気ヘッド１を形成した後においても外部コードの接続を容易に行うことができる。
【００２３】
図２は、スライダー部２と基板３１とを組み合わせた後の磁気ヘッド１の一部を切り欠いた斜視図であり、図３は本発明の磁気ヘッドの概略断面図である。なお、図２，３において、図中の上方は磁気記録媒体の記録面側を示している。
【００２４】
図２，３において、磁気コア４はほぼＩ字状の第１コア４１とＬ字状の第２コア４２の２つコアからなり、例えばＭｎＺｎ等の単結晶フェライトによって形成する。第２コア４２の先細りに形成された一辺は、微小な間隔を開けて第１コア４１と対向配置する。そして、両コアの対向する面には、例えばＦｅＡｌＳｉ，ＣｏＴａＺｒ，ＦｅＴａＮ等の高飽和磁束密度膜４３を設け、両高飽和磁束密度膜４３間に磁気ギャップ４４を形成する。また、この磁気ギャップ４４の部分にはガラス４５等が充填されている。そして、この磁気コア４は、スライダー部２に形成された凹部内にはめ込めれ、磁気ギャップ４４がスライダー面側に露出するよう取り付ける。また、第１コア４１をほぼＩ字状の形状とした場合にはそのコア面が平面状となるため、コア面上への磁性膜の形成が容易となり、磁路の磁気抵抗を低減して再生出力を高めるという効果を得ることができる。なお、前記した第１コア４１と第２コア４２の形状は一例であってこの形状に限定されるものではなく、コア間の磁気ギャップを介して閉磁路を形成するものであれば任意の形状とすることができる。
【００２５】
コイル部３は、バックヨーク４６，コイル台座３４上に形成される薄膜コイル３２を備える。このバックヨーク４６，コイル台座３４は磁性層によりなり、基板３１上に下地膜５１を介してめっきＮｉＦｅ膜によって形成される。
【００２６】
下地膜５１は、ＮｉＦｅをめっきするときに電流を流す膜である。なお、バックヨーク４６は、磁気ギャップ４４とは反対側の端部において、第１コア４１と第２コア４２とを接合して閉磁路を形成する磁性体部分であり、薄膜コイル３２の一部をその上方に形成する。また、コイル台座３４は薄膜コイル３２の一部を上方に支持する台座の役目をなす部分であり、バックヨーク４６と同様にめっきによるＮｉＦｅ膜等の磁性材料によって形成することができる。
【００２７】
薄膜コイル３２は薄膜形成技術によって導体と絶縁材とを層状に重ねて形成して多層コイルを形成することができ、リード部３５を介して外部端子であるボンディングパッド３３と接続している。
【００２８】
図４は、本発明のめっき膜の製造方法における下地膜の断面図であり、基板３１上に形成されるめっき用下地膜５１を示している。図４において、めっき用下地膜５１は、Ｃｒ膜５１ｂの上に薄く不連続膜であるＮｉＦｅ膜５１ａを形成して構成される。ＮｉＦｅ膜５１ａはＣｒ膜５１ｂ上に島状に不連続な状態で形成され、Ｃｒ膜５１ｂが露出した状態にある。従って、本発明のめっき膜の製造方法におけるめっき用下地膜５１は、従来のＣｒ膜とＮｉＦｅ膜との２層膜と異なり、ＮｉＦｅ膜を含むＣｒ膜の１層膜である。
【００２９】
一般に、薄膜を作成する場合、その初期成長時には、島状に膜が形成される。従って、Ｃｒ膜５１ｂ上にＮｉＦｅ膜をスパッタリング等によって成長させる場合、初期段階ではＮｉＦｅ膜は島状に形成される。本発明のめっき膜の製造方法では、このＮｉＦｅ膜の形成を初期段階で終了させることによって、Ｃｒ膜５１ｂ上に島状の不連続なＮｉＦｅ膜を形成する。本発明のめっき膜の製造方法では、このような構成とすることによって、ウエットエッチングによる下地膜の除去を可能とする。
【００３０】
Ｃｒ膜はウエットエッチングによって除去可能な素材であり、下地膜としてＣｒ膜を用いることによって、以後の下地膜の除去工程においてウエットエッチングによる処理が可能となる。また、Ｃｒ膜に加えてＮｉＦｅ膜を設けることによって、下地膜の密着度を向上させることができる。
【００３１】
ＮｉＦｅ膜は、例えば１００Å程度の膜厚の場合には、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液ではウエットエッチングによる除去は困難である。本発明のめっき膜の製造方法では、めっき用下地膜中のＮｉＦｅ膜は、スパッタリングによって平均膜厚が１０Åから３０Å程度の薄い膜厚で形成する。このような薄い膜厚では、ＮｉＦｅ膜は前記したように、Ｃｒ膜上に島状に不連続な状態で形成される。硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液に対するＮｉＦｅ膜のエッチングレートは非常に小さいが、本発明のめっき膜の製造方法では、ＮｉＦｅ膜を不連続膜とすることによってＣｒ用エッチング液による除去を可能としている（ステップＳ１）。
【００３２】
以下、図５〜図７を用いて、薄膜コイルによる磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜形成プロセスについて説明する。
【００３３】
はじめに、基板３１上にＣｒ膜を成膜した後、該Ｃｒ膜上にＮｉＦｅ膜を成膜して下地膜５１を形成する。Ｃｒ膜の膜厚は、例えば約０．１μｍ程度とし、ＮｉＦｅ膜の平均膜厚は約１０Å〜３０Å程度の薄い薄膜とする（図４参照）。従って、めっき用下地膜の膜厚は、ほぼＣｒ膜の膜厚によって定まることになる。成膜は、スパッタリングあるいは蒸着等で行うことができる（ステップＳ１）。
【００３４】
次に、下地膜５１上にレジスト５２を塗布し、バックヨークやコイル台座の形状に合わせたパターンによって露光，現像を行う。レジスト５２の塗布はスピンコート等により均一な厚さに制御することができ、例えば７μｍ程度の厚さのバックヨークを形成する場合には１０μｍ厚程度のレジストを形成する（ステップＳ２，３）。
【００３５】
その後、フレームレジストを用いて、めっき法で例えば７μｍ程度の膜厚のＮｉＦｅ膜３８を形成する。この磁性部材によって、バックヨークやコイル台座を形成することができる。また、リード部についても同様に形成することができる（ステップＳ４）。
【００３６】
ＮｉＦｅ膜３８をめっき法で形成した後、フレームレジスト５２の除去を行い（ステップＳ５）、さらに、フレームレジスト５２部の下側の下地膜５１の除去を行う。下地膜５１の除去には、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液によって行う。硝酸第二セリウムアンモン含むＣｒ用エッチング液によるＣｒ膜のエッチングレートは、ＮｉＦｅ膜のエッチングレートの約７００倍大きく、エッチングレートに大きな差があり、下地膜を除去する際にはめっきＮｉＦｅ膜はほとんどエッチングされない。下地膜のＮｉＦｅ膜は薄く不連続であるため、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液で除去が可能であり、めっき用下地膜のＣｒ膜とＮｉＦｅ膜の両膜を同時にウエットエッチングで除去し、工程時間を短縮することができる（ステップＳ６）。
【００３７】
ＮｉＦｅ膜３８および下地膜５１に形成されている穴部分を選択的に穴埋めする（ステップＳ７）。バックヨーク，コイル台座，およびリード部等の磁性薄膜の上層部において、コイルを形成する所定箇所に絶縁膜５４を形成する。この絶縁膜５４は、ＮｉＦｅ膜３８と薄膜コイルの導体との間の絶縁を確保するためであり、絶縁が確保できる程度の所定の厚さとする。また、バックヨークとなるＮｉＦｅ膜３８において、コアが接合する面には絶縁膜５４を設けず、磁性薄膜の部分を直接露出させる（ステップＳ８）。
【００３８】
この後、スピンコート等によりレジスト５５を塗布する（ステップＳ９）。
【００３９】
レジストを塗布した後、形成する薄膜コイルのパターンに対応したフレームレジスト５６を形成する。このフレームレジスト５６は、バックヨーク，コイル台座，およびリード部上に形成する（ステップＳ１０）。
【００４０】
フレームレジスト５６を用いて薄膜コイルのＣｕ膜３９をめっき法で形成する。薄膜コイルのＣｕ膜３９の厚さは、このフレームレジスト５６の膜厚によって制限される。薄膜コイルの導体の厚さおよびフレームレジスト５６の膜厚の一例として、４μｍ，５．５μｍとすることができる（ステップＳ１１）。コイルのＣｕ膜３９を形成した後、レジストを塗布、露光、現像してコアがバックヨークと接合する面を露出させる。この後硬化させて層間の絶縁を行う。これによって、一層目の薄膜コイルの形成が終了する（ステップＳ１２）。
【００４１】
前記ステップＳ１０，１１，１２と同様のレジストパターンの形成工程およびコイルの形成工程を繰り返すことによって多層の薄膜コイルを形成を行う。この多層の薄膜コイルの形成において、形成するコイルの巻線数は総巻線数と層数によって設定することができる（ステップＳ１３，１４，１５）。
【００４２】
前記ステップＳ１５までの工程では、バックヨーク，コイル台座，およびリード部以外の部分についてもＮｉＦｅ膜が残った状態にある。そこで、フィールドエッチングによって不要部分のＮｉＦｅ膜，および下地膜の除去を行う。素子部以外をフィールドエッチング用レジストで覆い（ステップＳ１６）、ＮｉＦｅ用エッチング液を用いて素子以外のＮｉＦｅ膜を除去し、次に、Ｃｒ用エッチング液を用いて素子以外の下地膜中のＣｒ膜を除去する。ＮｉＦｅ用エッチング液として、例えば過硫酸アンモンと硝酸の溶液を用い、Ｃｒ用エッチング液として、硝酸第二セリウムアンモンの溶液を用いることができる（ステップＳ１７）。
【００４３】
フィールドエッチングの処理の後、アセトンまたは剥離液を用いてフィールドエッチング用レジストを除去する（ステップＳ１８）。
【００４４】
従って、この実施形態によれば、ステップＳ６のフレームレジスト部の下地膜５１の除去をウエットエッチングで行うことによって工程時間を短縮することができる。
【００４５】
次に、薄膜型磁気ヘッドにおける磁性層の形成に対して、本発明のめっき膜の製造方法を適用した場合について、図８，９，１０を用いて説明する。
【００４６】
図８は磁気ディスク装置に適用される薄膜型磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。図８において、薄膜型磁気ヘッド６０は、上部磁極７７と下部磁極７２（図９参照）とを、一端を磁気ギャップ６４（図９参照）とし、他端を結合部６８で結合して閉磁路を形成し、該結合部６８を囲むように薄膜技術によってコイル導体６５を形成する。磁気ギャップ６４の部分では、上部磁極７７と下部磁極７２とをトラック幅程度に狭め、ポールティップ６２を形成し、スライダ浮上面６３の端面に合わせて配置する。なお、コイル導体６５の両端には端子６６，６７が形成される。 図９は、薄膜型磁気ヘッドの断面図である。図９において、薄膜型磁気ヘッドは、基板６１上に絶縁膜を形成し、その上部に下部磁極７２，コイル導体６５，および上部磁極７７を形成する。基板６１として、例えばＡｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣを用いることができ、該基板上の絶縁膜として、例えば膜厚１０μｍ程度のＡｌ2 Ｏ3 膜７０を用いることができる。
【００４７】
Ａｌ2 Ｏ3 膜７０の上に、本発明の製造方法によってめっき用下地膜７１を形成する。このめっき用下地膜７１の膜厚は約０．１μｍ程度であり、約０．１μｍ程度の膜厚のＣｒ膜の上に１０Å〜３０Å程度の膜厚のＮｉＦｅ膜を成膜して形成することができる。
【００４８】
めっき用下地膜７１の上にＮｉＦｅ膜をめっきして下部磁極７２を形成し、さらにその上方に磁気ギャップ６４を形成するための非磁性層７３を設け、絶縁層７４を介してコイル導体６５を形成する。コイル導体６５の上方には、さらに絶縁層７５を介してめっき用下地膜７６を設け、その上にＮｉＦｅ膜をめっきして上部磁極７７を形成する。
【００４９】
めっき用下地膜７１および７６の断面の状態は、前記図４と同様であり、めっき用下地膜５１は、Ｃｒ膜５１ｂの上に薄いＮｉＦｅ膜５１ａを島状に不連続な状態で形成した、ＮｉＦｅ膜を含むＣｒ膜の１層膜である。
【００５０】
上記しためっき用下地膜の構成とすることによって、Ｃｒ用エッチング液による除去が可能となり、また、Ｃｒ膜に加えてＮｉＦｅ膜を設けることによって、めっきＮｉＦｅ膜と下地膜の密着力を向上させることができる。
【００５１】
以下、図１０を用いて、薄膜型磁気ヘッドの成膜プロセスについて説明する。図１０は薄膜型磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成工程の一例を説明するための図である。
【００５２】
はじめに、基板３１上に絶縁膜として膜厚約１０μｍのＡｌ2 Ｏ3 膜５３を形成し、該Ａｌ2 Ｏ3 膜５３上にＣｒ膜を成膜した後、該Ｃｒ膜上にＮｉＦｅ膜を成膜して、めっき用下地膜５１を形成する。Ｃｒ膜の膜厚は、例えば約０．１μｍ程度とし、ＮｉＦｅ膜の膜厚は約１０Å〜３０Å程度の薄い薄膜とする。従って、めっき用下地膜５１の膜厚は、ほぼＣｒ膜の膜厚によって定まることになる。成膜は、スパッタリングあるいは蒸着等で行うことができる（ステップＳ２１）。
【００５３】
レジストを塗布、露光、現像しフレームレジスト５２を形成する。フレームレジスト５２の幅は、例えば３〜１０μｍとすることができる（ステップＳ２２）。このフレームレジスト５２を用いてＮｉＦｅ膜３８をめっきして磁性層を形成する。めっきＮｉＦｅ膜の膜厚として、例えば２〜４μｍとすることができる（ステップＳ２３）。
【００５４】
フレームレジストを除去した後（ステップＳ２４）、素子部分のめっきＮｉＦｅ膜３８を覆うようにフィールドエッチング用レジスト５７を形成し（ステップＳ２５）、フィールドエッチングを行う。フィールドエッチングは、まずＮｉＦｅ用エッチング液を用いて素子部以外のＮｉＦｅ膜を除去し（ステップＳ２６）、次に、アセトン又は剥離液を用いてフィールドエッチング用レジスト５７を除去する（ステップＳ２７）。次に、Ｃｒ用エッチング液を用いて、素子部以外のめっき用下地膜５３のＣｒを除去する（ステップＳ２８）。
【００５５】
Ｃｒ用エッチング液として、例えば硝酸第二セリウムアンモン３６０ｇを純水２０４０ｃｃに溶かした溶液を用いることができ、ＮｉＦｅ用エッチング液として、例えば過硫酸アンモン３６０ｇを硝酸２００ｃｃと純水２０００ｃｃに溶かした溶液を用いることができる。
上記の実施形態によれば、めっき用下地膜の除去に硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液を用いた場合、膜厚が０．１μｍのＣｒ膜を１〜２分程度でエッチングを行うことができる。このエッチングレートは、従来のイオンミリング法による０．１μｍ／１０分程度より５〜１０倍の処理の速さとなる。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＮｉＦｅ膜のめっき用下地膜の除去に要する処理時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気ディスク装置に適用される本発明を適用した磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。
【図２】スライダー部とコイル部とを組み合わせた後の、本発明を適用した磁気ヘッドの一部を切り欠いた斜視図である。
【図３】本発明を適用した磁気ヘッドの概略断面図である。
【図４】 本発明のめっき膜の製造方法における下地膜の断面図である。
【図５】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明するための図である。
【図６】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明するための図である。
【図７】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明するための図である。
【図８】磁気ディスク装置に適用される薄膜型磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。
【図９】薄膜型磁気ヘッドの断面図である。
【図１０】本発明を適用した薄膜型磁気ヘッドの磁性層の形成工程の一例を説明するための図である。
【図１１】導体コイルを薄膜形成技術によって形成した磁気ヘッドの構成例を説明する概略図である。
【図１２】薄膜コイルの薄膜形成技術による形成工程の従来例を説明するための図である。
【図１３】薄膜型の磁気ヘッドの磁性層の形成工程の従来例を説明するための図である。
【符号の説明】
１ 磁気ヘッド
２ スライダー部
３ コイル部
４ 磁気コア
２１ スライダーレール
２２ スライダー溝
３１，６１ 基板
３２ 薄膜コイル
３３ ボンディングパッド
３４ コイル台座
３５ リード部
３８ ＮｉＦｅ膜
３９ Ｃｕ膜
４１ 第１コア
４２ 第２コア
４３ 高飽和磁束密度膜
４４，６４ 磁気ギャップ
４５ ガラス
４６ バックヨーク
５０，５１，７１，７６ めっき用下地膜
５０ａ，５１ａ ＮｉＦｅ膜
５０ｂ，５１ｂ Ｃｒ膜
５２ フレームレジスト
５３ Ａｌ2 Ｏ3 膜
５４ 絶縁膜
５５ レジスト
５６ フレームレジスト
５７ フィールドエッチング用レジスト
６０ 薄膜型磁気ヘッド
６２ ポールティップ
６３ スライダ浮上面
６５ コイル導体
６６，６７ 端子
６８ 結合部
７０ Ａｌ2 Ｏ3 膜
７２ 下部磁極
７３ 非磁性層
７４，７５ 絶縁層
７７ 上部磁極
Claims (2)
- Ｃｒ膜およびＮｉＦｅ膜からなるめっき用下地膜と、前記めっき用下地膜の上に形成されたＮｉＦｅめっき膜からなるめっき膜の製造方法であって、
前記Ｃｒ膜の一部が露出するように、前記Ｃｒ膜上に前記ＮｉＦｅ膜を不連続で形成する工程、
前記めっき用下地膜上にＮｉＦｅめっき膜を所定パターンにてめっき形成する工程、
前記ＮｉＦｅめっき膜に覆われていない前記めっき用下地膜を硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液で除去するとき、前記Ｃｒ膜と前記ＮｉＦｅ膜とを同時にウエットエッチングにより除去する工程、
を有することを特徴とするめっき膜の製造方法。 - 前記ＮｉＦｅ膜を１０Å〜３０Åの平均膜厚で形成することを特徴とする請求項１記載のめっき膜の製造方法。
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