JPH1097940A - めっき用下地膜 - Google Patents
めっき用下地膜Info
- Publication number
- JPH1097940A JPH1097940A JP27290696A JP27290696A JPH1097940A JP H1097940 A JPH1097940 A JP H1097940A JP 27290696 A JP27290696 A JP 27290696A JP 27290696 A JP27290696 A JP 27290696A JP H1097940 A JPH1097940 A JP H1097940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- nife
- magnetic
- thin
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっき用下地膜において、下地膜除去の時間
を短縮する。 【解決手段】 ＮｉＦｅ膜をめっき法で形成するための
下地膜であって、Ｃｒ膜５１ｂと該Ｃｒ膜５１ｂ上に形
成するＮｉＦｅ膜５１ａを含み、Ｃｒ膜５１ｂおよびＮ
ｉＦｅ膜５１ａはＣｒ用エッチング液で除去が可能とす
る。めっき用下地膜のＣｒ膜５１ｂのウエットエッチン
グによる除去時間は、イオンミリングと比較して短時間
であるため、下地膜除去の時間を短縮することができ、
また、ＮｉＦｅ膜５１ａの膜厚を薄く不連続とすること
によって、Ｃｒ膜５１ｂと同時にウエットエッチングに
よる除去を行うことができる。
を短縮する。 【解決手段】 ＮｉＦｅ膜をめっき法で形成するための
下地膜であって、Ｃｒ膜５１ｂと該Ｃｒ膜５１ｂ上に形
成するＮｉＦｅ膜５１ａを含み、Ｃｒ膜５１ｂおよびＮ
ｉＦｅ膜５１ａはＣｒ用エッチング液で除去が可能とす
る。めっき用下地膜のＣｒ膜５１ｂのウエットエッチン
グによる除去時間は、イオンミリングと比較して短時間
であるため、下地膜除去の時間を短縮することができ、
また、ＮｉＦｅ膜５１ａの膜厚を薄く不連続とすること
によって、Ｃｒ膜５１ｂと同時にウエットエッチングに
よる除去を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、めっき用下地膜に
関し、特に、ＮｉＦｅ膜をめっきするための下地膜に関
する。
関し、特に、ＮｉＦｅ膜をめっきするための下地膜に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、薄膜の磁性層をＮｉＦｅ膜で
形成する方法としてめっき法が知られている。ＮｉＦｅ
膜を電気めっき法により成膜する場合には下地膜が必要
であり、めっき膜の付着強度を考慮すると、下地膜とめ
っき膜は同一の材質であることが望ましく、下地膜は上
層のめっき層と同じ材質のＮｉＦｅ膜を単層で用いるこ
とが一般に行われている。この場合には、基板と下地膜
との間の接着強度が不足する場合があるため、基板との
密着強度を高めるために、ＴｉやＣｒ等を下地としＮｉ
Ｆｅを形成したＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜や、Ｔｉ−Ｎｉ
Ｆｅの二層膜をめっき用電極とするものも知られてい
る。
形成する方法としてめっき法が知られている。ＮｉＦｅ
膜を電気めっき法により成膜する場合には下地膜が必要
であり、めっき膜の付着強度を考慮すると、下地膜とめ
っき膜は同一の材質であることが望ましく、下地膜は上
層のめっき層と同じ材質のＮｉＦｅ膜を単層で用いるこ
とが一般に行われている。この場合には、基板と下地膜
との間の接着強度が不足する場合があるため、基板との
密着強度を高めるために、ＴｉやＣｒ等を下地としＮｉ
Ｆｅを形成したＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜や、Ｔｉ−Ｎｉ
Ｆｅの二層膜をめっき用電極とするものも知られてい
る。
【０００３】磁気ディスク装置において、小型化や薄型
化が要求される磁気ヘッドとして、導体コイルを薄膜形
成技術によって形成した磁気ヘッドや、薄膜型磁気ヘッ
ドが知られており、これらの磁気ヘッドでは、小型化や
薄型化の要求から薄膜の磁性層を用いている。
化が要求される磁気ヘッドとして、導体コイルを薄膜形
成技術によって形成した磁気ヘッドや、薄膜型磁気ヘッ
ドが知られており、これらの磁気ヘッドでは、小型化や
薄型化の要求から薄膜の磁性層を用いている。
【０００４】図１１は導体コイルを薄膜形成技術によっ
て形成した磁気ヘッドの構成例を説明する概略図であ
る。図１１において、磁気ヘッドは、スライダー部２と
コイル部３を備え、スライダー部２は浮上面側に一対の
スライダーレール２１を持ち、該スライダーレール２１
の端部に２つのコアを有した磁気コア４を備え、また、
コイル部３は基板３１上にバックヨーク（図示していな
い）および薄膜コイル３２を備え、スライダー部２の磁
気コア４とともに磁路を形成する。
て形成した磁気ヘッドの構成例を説明する概略図であ
る。図１１において、磁気ヘッドは、スライダー部２と
コイル部３を備え、スライダー部２は浮上面側に一対の
スライダーレール２１を持ち、該スライダーレール２１
の端部に２つのコアを有した磁気コア４を備え、また、
コイル部３は基板３１上にバックヨーク（図示していな
い）および薄膜コイル３２を備え、スライダー部２の磁
気コア４とともに磁路を形成する。
【０００５】コイル部３の薄膜コイル３２は薄膜形成技
術によって形成する。図１２は薄膜コイルの薄膜形成技
術による形成工程の従来例を説明するための図である。
図１２において、基板３１上に例えば、スパッタリング
によってＣｒ膜５０ｂとＮｉＦｅ膜５０ａからなるＣｒ
−ＮｉＦｅの二層膜のめっき用下地膜５０を形成し（ス
テップＪ１）、塗布したレジストを露光、現像してフレ
ームレジストを形成し（ステップＪ２，３）、ＮｉＦｅ
膜をめっき法で成膜してバックヨーク部分を形成する
（ステップＪ４）。レジストを除去した後（ステップＪ
５）、フレームレジスト部のめっき用下地膜５０をイオ
ンミリングにより除去する（ステップＪ６）。さらに、
バックヨーク上に絶縁膜を形成した後、フレームめっき
で導体を形成した薄膜コイルを形成する（図示していな
い）。
術によって形成する。図１２は薄膜コイルの薄膜形成技
術による形成工程の従来例を説明するための図である。
図１２において、基板３１上に例えば、スパッタリング
によってＣｒ膜５０ｂとＮｉＦｅ膜５０ａからなるＣｒ
−ＮｉＦｅの二層膜のめっき用下地膜５０を形成し（ス
テップＪ１）、塗布したレジストを露光、現像してフレ
ームレジストを形成し（ステップＪ２，３）、ＮｉＦｅ
膜をめっき法で成膜してバックヨーク部分を形成する
（ステップＪ４）。レジストを除去した後（ステップＪ
５）、フレームレジスト部のめっき用下地膜５０をイオ
ンミリングにより除去する（ステップＪ６）。さらに、
バックヨーク上に絶縁膜を形成した後、フレームめっき
で導体を形成した薄膜コイルを形成する（図示していな
い）。
【０００６】また、薄膜型磁気ヘッドは、基板上に下部
磁性膜，絶縁膜を形成し、その上にコイル導体をスパイ
ラル状に形成し、さらに絶縁膜を介して上部磁性膜を積
層して閉磁路を形成したものである。この下部磁性膜お
よび上部磁性膜は、ＮｉＦｅのめっき膜によって形成す
ることができる。
磁性膜，絶縁膜を形成し、その上にコイル導体をスパイ
ラル状に形成し、さらに絶縁膜を介して上部磁性膜を積
層して閉磁路を形成したものである。この下部磁性膜お
よび上部磁性膜は、ＮｉＦｅのめっき膜によって形成す
ることができる。
【０００７】図１３は薄膜型の磁気ヘッドの磁性層の形
成工程の従来例を説明するための図である。図１３にお
いて、基板３１上に絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜５３を形
成し、その上にＣｒ膜５０ｂとＮｉＦｅ膜５０ａからな
るＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜のめっき用下地膜５０を形成
し（ステップＪ１１）、レジストパターンによる露光，
現像によってフレームレジスト５２を形成し（ステップ
Ｊ１２）、このフレームレジスト５２を用いてＮｉＦｅ
膜３８をめっきして磁性層を形成する（ステップＪ１
３）。
成工程の従来例を説明するための図である。図１３にお
いて、基板３１上に絶縁膜としてＡｌ2 Ｏ3 膜５３を形
成し、その上にＣｒ膜５０ｂとＮｉＦｅ膜５０ａからな
るＣｒ−ＮｉＦｅの二層膜のめっき用下地膜５０を形成
し（ステップＪ１１）、レジストパターンによる露光，
現像によってフレームレジスト５２を形成し（ステップ
Ｊ１２）、このフレームレジスト５２を用いてＮｉＦｅ
膜３８をめっきして磁性層を形成する（ステップＪ１
３）。
【０００８】フレームレジストを除去した後（ステップ
Ｊ１４）、フレームレジスト部の下地膜５０をイオンミ
リングで除去する（ステップＪ１５）。この後、下地膜
５０を除去した部分およびめっきＮｉＦｅ膜３８上にフ
ィールドエッチング用レジスト５７を形成し（ステップ
Ｊ１６）、フィールドエッチングを行う。フィールドエ
ッチングは、まずＮｉＦｅ用エッチング液を用いてめっ
きＮｉＦｅ膜３８およびＮｉＦｅ膜５０ａを除去し、次
にＣｒ用エッチング液を用いてＣｒ膜５０ｂを除去する
（ステップＪ１７）。フィールドエッチング終了後、フ
ィールドエッチング用レジスト５７を除去する（ステッ
プＪ１８）。
Ｊ１４）、フレームレジスト部の下地膜５０をイオンミ
リングで除去する（ステップＪ１５）。この後、下地膜
５０を除去した部分およびめっきＮｉＦｅ膜３８上にフ
ィールドエッチング用レジスト５７を形成し（ステップ
Ｊ１６）、フィールドエッチングを行う。フィールドエ
ッチングは、まずＮｉＦｅ用エッチング液を用いてめっ
きＮｉＦｅ膜３８およびＮｉＦｅ膜５０ａを除去し、次
にＣｒ用エッチング液を用いてＣｒ膜５０ｂを除去する
（ステップＪ１７）。フィールドエッチング終了後、フ
ィールドエッチング用レジスト５７を除去する（ステッ
プＪ１８）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ＮｉＦｅ膜の形成に使
用する従来のめっき用下地膜は、Ｃｒ膜とＮｉＦｅ膜の
２層膜、Ｔｉ膜とＮｉＦｅ膜の２層膜、ＮｉＦｅ単層膜
等を用いており、フレームレジスト部の下地膜を除去す
るにはイオンミリングによる除去が必要となる。しかし
ながら、このイオンミリングによる下地膜の除去では、
除去時間が長くなり、下地膜除去の終点を精度良く検出
することが困難という問題点があり、また、イオンミリ
ング装置が高価であるという問題点もある。
用する従来のめっき用下地膜は、Ｃｒ膜とＮｉＦｅ膜の
２層膜、Ｔｉ膜とＮｉＦｅ膜の２層膜、ＮｉＦｅ単層膜
等を用いており、フレームレジスト部の下地膜を除去す
るにはイオンミリングによる除去が必要となる。しかし
ながら、このイオンミリングによる下地膜の除去では、
除去時間が長くなり、下地膜除去の終点を精度良く検出
することが困難という問題点があり、また、イオンミリ
ング装置が高価であるという問題点もある。
【００１０】例えば、イオンミリングによる下地膜除去
では、基板をイオンミリング装置に導入してから装置内
を真空排気する必要があり、このために３０分から６０
分程度の時間を要し、また、イオンミリング法のエッチ
ングレートは、０．１μｍ／１０分程度と低速であるた
め、所要時間が長時間化する。
では、基板をイオンミリング装置に導入してから装置内
を真空排気する必要があり、このために３０分から６０
分程度の時間を要し、また、イオンミリング法のエッチ
ングレートは、０．１μｍ／１０分程度と低速であるた
め、所要時間が長時間化する。
【００１１】また、イオンミリング不足の場合には、磁
気的あるいは電気的短絡が生じるおそれがあるため、高
い精度の終点検出が必要である。イオンミリングによる
エッチングでは、エッチング量を処理時間で管理してい
るため、下地膜除去の終点の合否は、基板をイオンミリ
ング装置から取り出し、光学顕微鏡で観察して判断する
必要がある。しかしながら、エッチングレートのばらつ
きや下地膜の膜厚のばらつきがあるため、終点を精度良
く検出することが困難である。また、イオンミリングで
除去した成分がめっきＮｉＦｅ膜の側面に再付着する場
合もある。そのため、エッチングが不十分な場合には、
イオンミリングを追加して行う必要があり、再度真空排
気を行うため処理時間が長くなる。
気的あるいは電気的短絡が生じるおそれがあるため、高
い精度の終点検出が必要である。イオンミリングによる
エッチングでは、エッチング量を処理時間で管理してい
るため、下地膜除去の終点の合否は、基板をイオンミリ
ング装置から取り出し、光学顕微鏡で観察して判断する
必要がある。しかしながら、エッチングレートのばらつ
きや下地膜の膜厚のばらつきがあるため、終点を精度良
く検出することが困難である。また、イオンミリングで
除去した成分がめっきＮｉＦｅ膜の側面に再付着する場
合もある。そのため、エッチングが不十分な場合には、
イオンミリングを追加して行う必要があり、再度真空排
気を行うため処理時間が長くなる。
【００１２】この下地膜の除去に要する時間が長時間と
なると、磁性層の形成に要する時間が長くなり、磁気ヘ
ッドの製造時間にも影響することになる。
なると、磁性層の形成に要する時間が長くなり、磁気ヘ
ッドの製造時間にも影響することになる。
【００１３】そこで、本発明は前記した従来の問題点を
解決して、フレームレジスト部の下地膜除去の時間を短
縮することを目的とする。
解決して、フレームレジスト部の下地膜除去の時間を短
縮することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＮｉＦｅ膜の
磁性層を形成するためのめっき用下地膜であって、Ｃｒ
膜と該Ｃｒ膜上に形成するＮｉＦｅ膜を含み、Ｃｒ膜お
よびＮｉＦｅ膜はＣｒ用エッチング液による除去を可能
とする。めっき用下地膜のＣｒ膜のウエットエッチング
による下地膜の除去時間は、イオンミリングと比較して
短時間であるため、下地膜除去の時間を短縮することが
できる。
磁性層を形成するためのめっき用下地膜であって、Ｃｒ
膜と該Ｃｒ膜上に形成するＮｉＦｅ膜を含み、Ｃｒ膜お
よびＮｉＦｅ膜はＣｒ用エッチング液による除去を可能
とする。めっき用下地膜のＣｒ膜のウエットエッチング
による下地膜の除去時間は、イオンミリングと比較して
短時間であるため、下地膜除去の時間を短縮することが
できる。
【００１５】硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エ
ッチング液を用いた場合のＮｉＦｅ膜のエッチングレー
トは、Ｃｒ膜のエッチングレートの約７００分の１程度
と小さいため、めっきＮｉＦｅ膜をほとんどエッチング
せずに、下地膜を除去することが可能である。
ッチング液を用いた場合のＮｉＦｅ膜のエッチングレー
トは、Ｃｒ膜のエッチングレートの約７００分の１程度
と小さいため、めっきＮｉＦｅ膜をほとんどエッチング
せずに、下地膜を除去することが可能である。
【００１６】また、めっき用下地膜のＮｉＦｅ膜は、Ｃ
ｒ膜上において島状に不連続に存在し、下側のＣｒ膜の
一部が露出する構成であり、これによって、エッチング
液はＮｉＦｅ膜とＣｒ膜の両方に浸潤し、両膜をエッチ
ングすることができる。また下地膜内のＮｉＦｅ膜の平
均膜厚を１０Åから３０Å程度とすることで、下地膜の
ＮｉＦｅ膜を島状の、不連続膜とすることができる。平
均膜厚は一様な連続膜に換算した値で定義している。下
地膜のＮｉＦｅ膜は非常に薄い膜であるが、下地膜にＮ
ｉＦｅ膜を加えることで、下地膜とめっきＮｉＦｅ膜と
の密着力を増大させることができる。
ｒ膜上において島状に不連続に存在し、下側のＣｒ膜の
一部が露出する構成であり、これによって、エッチング
液はＮｉＦｅ膜とＣｒ膜の両方に浸潤し、両膜をエッチ
ングすることができる。また下地膜内のＮｉＦｅ膜の平
均膜厚を１０Åから３０Å程度とすることで、下地膜の
ＮｉＦｅ膜を島状の、不連続膜とすることができる。平
均膜厚は一様な連続膜に換算した値で定義している。下
地膜のＮｉＦｅ膜は非常に薄い膜であるが、下地膜にＮ
ｉＦｅ膜を加えることで、下地膜とめっきＮｉＦｅ膜と
の密着力を増大させることができる。
【００１７】また、本発明のめっき用下地膜を、磁気ヘ
ッドのＮｉＦｅ膜の形成に適用すると、コイル部におけ
る薄膜形成工程や薄膜型磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成
工程中の下地膜の除去に要する時間を短縮することがで
き、これによって、磁気ヘッドの製造時間を短縮するこ
とができる。
ッドのＮｉＦｅ膜の形成に適用すると、コイル部におけ
る薄膜形成工程や薄膜型磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成
工程中の下地膜の除去に要する時間を短縮することがで
き、これによって、磁気ヘッドの製造時間を短縮するこ
とができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照しながら詳細に説明する。以下、本発明のめっき用
下地膜を、導体コイルに薄膜形成技術を用いた磁気ヘッ
ドにおける磁性層の形成，および薄膜型磁気ヘッドにお
ける磁性層の形成に適用した各場合について説明する。
参照しながら詳細に説明する。以下、本発明のめっき用
下地膜を、導体コイルに薄膜形成技術を用いた磁気ヘッ
ドにおける磁性層の形成，および薄膜型磁気ヘッドにお
ける磁性層の形成に適用した各場合について説明する。
【００１９】はじめに、導体コイルに薄膜形成技術を用
いた磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成に対して、本発明の
めっき用下地膜を適用した場合について、図１，２，３
を用いて説明する。
いた磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成に対して、本発明の
めっき用下地膜を適用した場合について、図１，２，３
を用いて説明する。
【００２０】図１は磁気ディスク装置に適用される磁気
ヘッドの構成を説明するための概略図であり、図２にそ
の組み立て後の拡大図を示す。図１において、磁気ヘッ
ド１はスライダー部２とコイル部３とによって構成され
る。スライダー部２は、スライダー溝２２を挟んで設け
た一対のスライダーレール２１により形成される浮上面
を持つとともに、スライダーレール２１の端部に２つの
コアを有した磁気コア４を備えている。また、コイル部
３は、基板３１上にバックヨーク４６（図２参照）およ
び薄膜コイル３２を設け、スライダー部２の磁気コア４
とともに閉磁路を形成する。
ヘッドの構成を説明するための概略図であり、図２にそ
の組み立て後の拡大図を示す。図１において、磁気ヘッ
ド１はスライダー部２とコイル部３とによって構成され
る。スライダー部２は、スライダー溝２２を挟んで設け
た一対のスライダーレール２１により形成される浮上面
を持つとともに、スライダーレール２１の端部に２つの
コアを有した磁気コア４を備えている。また、コイル部
３は、基板３１上にバックヨーク４６（図２参照）およ
び薄膜コイル３２を設け、スライダー部２の磁気コア４
とともに閉磁路を形成する。
【００２１】スライダー部２は、例えばＣａＴｉＯ3 ，
ヘマタイト，ＮｉＯＭｎＯ等のスライダー材により形成
することができる。そして、スライダー部２の磁気コア
４が設置された縁部側の浮上面と反対側の一部分を切り
欠き、この切り欠き部に基板３１をはめ込むことによっ
て磁気ヘッド１が組み立てられる。基板３１上に形成さ
れる薄膜コイル３２は、磁気ヘッド１を組み立てたとき
に磁気コア４の下方となる位置に形成する。また、薄膜
コイル３２の外部端子であるボンディングパッド３３
は、スライダー部２の磁気コア４が設置された縁部から
はみ出た位置となる基板３１上に形成し、薄膜コイル３
２とボンディングパッド３３との間はリード部によって
薄膜形成することができる。
ヘマタイト，ＮｉＯＭｎＯ等のスライダー材により形成
することができる。そして、スライダー部２の磁気コア
４が設置された縁部側の浮上面と反対側の一部分を切り
欠き、この切り欠き部に基板３１をはめ込むことによっ
て磁気ヘッド１が組み立てられる。基板３１上に形成さ
れる薄膜コイル３２は、磁気ヘッド１を組み立てたとき
に磁気コア４の下方となる位置に形成する。また、薄膜
コイル３２の外部端子であるボンディングパッド３３
は、スライダー部２の磁気コア４が設置された縁部から
はみ出た位置となる基板３１上に形成し、薄膜コイル３
２とボンディングパッド３３との間はリード部によって
薄膜形成することができる。
【００２２】なお、図１に示す磁気ヘッドは、基板３１
の一部がスライダー部２からはみ出た構成としている
が、基板３１とスライダー部２の縁部を揃えた構成とす
ることもできる。また、図１に示す構成では、外部コー
ド（図示していない）との接続を行うボンディングパッ
ド３３を大きく形成できるとともに、磁気ヘッド１を形
成した後においても外部コードの接続を容易に行うこと
ができる。
の一部がスライダー部２からはみ出た構成としている
が、基板３１とスライダー部２の縁部を揃えた構成とす
ることもできる。また、図１に示す構成では、外部コー
ド（図示していない）との接続を行うボンディングパッ
ド３３を大きく形成できるとともに、磁気ヘッド１を形
成した後においても外部コードの接続を容易に行うこと
ができる。
【００２３】図２は、スライダー部２と基板３１とを組
み合わせた後の磁気ヘッド１の一部を切り欠いた斜視図
であり、図３は本発明の磁気ヘッドの概略断面図であ
る。なお、図２，３において、図中の上方は磁気記録媒
体の記録面側を示している。
み合わせた後の磁気ヘッド１の一部を切り欠いた斜視図
であり、図３は本発明の磁気ヘッドの概略断面図であ
る。なお、図２，３において、図中の上方は磁気記録媒
体の記録面側を示している。
【００２４】図２，３において、磁気コア４はほぼＩ字
状の第１コア４１とＬ字状の第２コア４２の２つコアか
らなり、例えばＭｎＺｎ等の単結晶フェライトによって
形成する。第２コア４２の先細りに形成された一辺は、
微小な間隔を開けて第１コア４１と対向配置する。そし
て、両コアの対向する面には、例えばＦｅＡｌＳｉ，Ｃ
ｏＴａＺｒ，ＦｅＴａＮ等の高飽和磁束密度膜４３を設
け、両高飽和磁束密度膜４３間に磁気ギャップ４４を形
成する。また、この磁気ギャップ４４の部分にはガラス
４５等が充填されている。そして、この磁気コア４は、
スライダー部２に形成された凹部内にはめ込めれ、磁気
ギャップ４４がスライダー面側に露出するよう取り付け
る。また、第１コア４１をほぼＩ字状の形状とした場合
にはそのコア面が平面状となるため、コア面上への磁性
膜の形成が容易となり、磁路の磁気抵抗を低減して再生
出力を高めるという効果を得ることができる。なお、前
記した第１コア４１と第２コア４２の形状は一例であっ
てこの形状に限定されるものではなく、コア間の磁気ギ
ャップを介して閉磁路を形成するものであれば任意の形
状とすることができる。
状の第１コア４１とＬ字状の第２コア４２の２つコアか
らなり、例えばＭｎＺｎ等の単結晶フェライトによって
形成する。第２コア４２の先細りに形成された一辺は、
微小な間隔を開けて第１コア４１と対向配置する。そし
て、両コアの対向する面には、例えばＦｅＡｌＳｉ，Ｃ
ｏＴａＺｒ，ＦｅＴａＮ等の高飽和磁束密度膜４３を設
け、両高飽和磁束密度膜４３間に磁気ギャップ４４を形
成する。また、この磁気ギャップ４４の部分にはガラス
４５等が充填されている。そして、この磁気コア４は、
スライダー部２に形成された凹部内にはめ込めれ、磁気
ギャップ４４がスライダー面側に露出するよう取り付け
る。また、第１コア４１をほぼＩ字状の形状とした場合
にはそのコア面が平面状となるため、コア面上への磁性
膜の形成が容易となり、磁路の磁気抵抗を低減して再生
出力を高めるという効果を得ることができる。なお、前
記した第１コア４１と第２コア４２の形状は一例であっ
てこの形状に限定されるものではなく、コア間の磁気ギ
ャップを介して閉磁路を形成するものであれば任意の形
状とすることができる。
【００２５】コイル部３は、バックヨーク４６，コイル
台座３４上に形成される薄膜コイル３２を備える。この
バックヨーク４６，コイル台座３４は磁性層によりな
り、基板３１上に下地膜５１を介してめっきＮｉＦｅ膜
によって形成される。
台座３４上に形成される薄膜コイル３２を備える。この
バックヨーク４６，コイル台座３４は磁性層によりな
り、基板３１上に下地膜５１を介してめっきＮｉＦｅ膜
によって形成される。
【００２６】下地膜５１は、ＮｉＦｅをめっきするとき
に電流を流す膜である。なお、バックヨーク４６は、磁
気ギャップ４４とは反対側の端部において、第１コア４
１と第２コア４２とを接合して閉磁路を形成する磁性体
部分であり、薄膜コイル３２の一部をその上方に形成す
る。また、コイル台座３４は薄膜コイル３２の一部を上
方に支持する台座の役目をなす部分であり、バックヨー
ク４６と同様にめっきによるＮｉＦｅ膜等の磁性材料に
よって形成することができる。
に電流を流す膜である。なお、バックヨーク４６は、磁
気ギャップ４４とは反対側の端部において、第１コア４
１と第２コア４２とを接合して閉磁路を形成する磁性体
部分であり、薄膜コイル３２の一部をその上方に形成す
る。また、コイル台座３４は薄膜コイル３２の一部を上
方に支持する台座の役目をなす部分であり、バックヨー
ク４６と同様にめっきによるＮｉＦｅ膜等の磁性材料に
よって形成することができる。
【００２７】薄膜コイル３２は薄膜形成技術によって導
体と絶縁材とを層状に重ねて形成して多層コイルを形成
することができ、リード部３５を介して外部端子である
ボンディングパッド３３と接続している。
体と絶縁材とを層状に重ねて形成して多層コイルを形成
することができ、リード部３５を介して外部端子である
ボンディングパッド３３と接続している。
【００２８】図４は、本発明の下地膜の断面図であり、
基板３１上に形成されるめっき用下地膜５１を示してい
る。図４において、めっき用下地膜５１は、Ｃｒ膜５１
ｂの上に薄く不連続膜であるＮｉＦｅ膜５１ａを形成し
て構成される。ＮｉＦｅ膜５１ａはＣｒ膜５１ｂ上に島
状に不連続な状態で形成され、Ｃｒ膜５１ｂが露出した
状態にある。従って、本発明のめっき用下地膜５１は、
従来のＣｒ膜とＮｉＦｅ膜との２層膜と異なり、ＮｉＦ
ｅ膜を含むＣｒ膜の１層膜である。
基板３１上に形成されるめっき用下地膜５１を示してい
る。図４において、めっき用下地膜５１は、Ｃｒ膜５１
ｂの上に薄く不連続膜であるＮｉＦｅ膜５１ａを形成し
て構成される。ＮｉＦｅ膜５１ａはＣｒ膜５１ｂ上に島
状に不連続な状態で形成され、Ｃｒ膜５１ｂが露出した
状態にある。従って、本発明のめっき用下地膜５１は、
従来のＣｒ膜とＮｉＦｅ膜との２層膜と異なり、ＮｉＦ
ｅ膜を含むＣｒ膜の１層膜である。
【００２９】一般に、薄膜を作成する場合、その初期成
長時には、島状に膜が形成される。従って、Ｃｒ膜５１
ｂ上にＮｉＦｅ膜をスパッリング等によって成長させる
場合、初期段階ではＮｉＦｅ膜は島状に形成される。本
発明のめっき用下地膜は、このＮｉＦｅ膜の形成を初期
段階で終了させることによって、Ｃｒ膜５１ｂ上に島状
の不連続なＮｉＦｅ膜を形成することができる。本発明
のめっき用下地膜は、このような構成とすることによっ
て、ウエットエッチングによる下地膜の除去を可能とす
る。
長時には、島状に膜が形成される。従って、Ｃｒ膜５１
ｂ上にＮｉＦｅ膜をスパッリング等によって成長させる
場合、初期段階ではＮｉＦｅ膜は島状に形成される。本
発明のめっき用下地膜は、このＮｉＦｅ膜の形成を初期
段階で終了させることによって、Ｃｒ膜５１ｂ上に島状
の不連続なＮｉＦｅ膜を形成することができる。本発明
のめっき用下地膜は、このような構成とすることによっ
て、ウエットエッチングによる下地膜の除去を可能とす
る。
【００３０】Ｃｒ膜はウエットエッチングによって除去
可能な素材であり、下地膜としてＣｒ膜を用いることに
よって、以後の下地膜の除去工程においてウエットエッ
チングによる処理が可能となる。また、Ｃｒ膜に加えて
ＮｉＦｅ膜を設けることによって、下地膜の密着度を向
上させることができる。
可能な素材であり、下地膜としてＣｒ膜を用いることに
よって、以後の下地膜の除去工程においてウエットエッ
チングによる処理が可能となる。また、Ｃｒ膜に加えて
ＮｉＦｅ膜を設けることによって、下地膜の密着度を向
上させることができる。
【００３１】ＮｉＦｅ膜は、例えば１００Å程度の膜厚
の場合には、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エ
ッチング液ではウエットエッチングによる除去は困難で
ある。本発明のめっき用下地膜中のＮｉＦｅ膜は、スパ
ッタリングによって平均膜厚が１０Åから３０Å程度の
薄い膜厚で形成する。このような薄い膜厚では、ＮｉＦ
ｅ膜は前記したように、Ｃｒ膜上に島状に不連続な状態
で形成される。硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用
エッチング液に対するＮｉＦｅ膜のエッチングレートは
非常に小さいが、本発明のめっき用下地膜は、ＮｉＦｅ
膜を不連続膜とすることによってＣｒ用エッチング液に
よる除去を可能としている（ステップＳ１）。
の場合には、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エ
ッチング液ではウエットエッチングによる除去は困難で
ある。本発明のめっき用下地膜中のＮｉＦｅ膜は、スパ
ッタリングによって平均膜厚が１０Åから３０Å程度の
薄い膜厚で形成する。このような薄い膜厚では、ＮｉＦ
ｅ膜は前記したように、Ｃｒ膜上に島状に不連続な状態
で形成される。硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用
エッチング液に対するＮｉＦｅ膜のエッチングレートは
非常に小さいが、本発明のめっき用下地膜は、ＮｉＦｅ
膜を不連続膜とすることによってＣｒ用エッチング液に
よる除去を可能としている（ステップＳ１）。
【００３２】以下、図５〜図７を用いて、薄膜コイルに
よる磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜形成プロセスについて説明
する。
よる磁気ヘッドのＮｉＦｅ膜形成プロセスについて説明
する。
【００３３】はじめに、基板３１上にＣｒ膜を成膜した
後、該Ｃｒ膜上にＮｉＦｅ膜を成膜して下地膜５１を形
成する。Ｃｒ膜の膜厚は、例えば約０．１μｍ程度と
し、ＮｉＦｅ膜の平均膜厚は約１０Å〜３０Å程度の薄
い薄膜とする（図４参照）。従って、めっき用下地膜の
膜厚は、ほぼＣｒ膜の膜厚によって定まることになる。
成膜は、スパッタリングあるいは蒸着等で行うことがで
きる（ステップＳ１）。
後、該Ｃｒ膜上にＮｉＦｅ膜を成膜して下地膜５１を形
成する。Ｃｒ膜の膜厚は、例えば約０．１μｍ程度と
し、ＮｉＦｅ膜の平均膜厚は約１０Å〜３０Å程度の薄
い薄膜とする（図４参照）。従って、めっき用下地膜の
膜厚は、ほぼＣｒ膜の膜厚によって定まることになる。
成膜は、スパッタリングあるいは蒸着等で行うことがで
きる（ステップＳ１）。
【００３４】次に、下地膜５１上にレジスト５２を塗布
し、バックヨークやコイル台座の形状に合わせたパター
ンによって露光，現像を行う。レジスト５２の塗布はス
ピンコート等により均一な厚さに制御することができ、
例えば７μｍ程度の厚さのバックヨークを形成する場合
には１０μｍ厚程度のレジストを形成する（ステップＳ
２，３）。
し、バックヨークやコイル台座の形状に合わせたパター
ンによって露光，現像を行う。レジスト５２の塗布はス
ピンコート等により均一な厚さに制御することができ、
例えば７μｍ程度の厚さのバックヨークを形成する場合
には１０μｍ厚程度のレジストを形成する（ステップＳ
２，３）。
【００３５】その後、フレームレジストを用いて、めっ
き法で例えば７μｍ程度の膜厚のＮｉＦｅ膜３８を形成
する。この磁性部材によって、バックヨークやコイル台
座を形成することができる。また、リード部についても
同様に形成することができる（ステップＳ４）。
き法で例えば７μｍ程度の膜厚のＮｉＦｅ膜３８を形成
する。この磁性部材によって、バックヨークやコイル台
座を形成することができる。また、リード部についても
同様に形成することができる（ステップＳ４）。
【００３６】ＮｉＦｅ膜３８をめっき法で形成した後、
フレームレジスト５２の除去を行い（ステップＳ５）、
さらに、フレームレジスト５２部の下側の下地膜５１の
除去を行う。下地膜５１の除去には、硝酸第二セリウム
アンモンを含むＣｒ用エッチング液によって行う。硝酸
第二セリウムアンモン含むＣｒ用エッチング液によるＣ
ｒ膜のエッチングレートは、ＮｉＦｅ膜のエッチングレ
ートの約７００倍大きく、エッチングレートに大きな差
があり、下地膜を除去する際にはめっきＮｉＦｅ膜はほ
とんどエッチングされない。下地膜のＮｉＦｅ膜は薄く
不連続であるため、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣ
ｒ用エッチング液で除去が可能であり、めっき用下地膜
のＣｒ膜とＮｉＦｅ膜の両膜を同時にウエットエッチン
グで除去し、工程時間を短縮することができる（ステッ
プＳ６）。
フレームレジスト５２の除去を行い（ステップＳ５）、
さらに、フレームレジスト５２部の下側の下地膜５１の
除去を行う。下地膜５１の除去には、硝酸第二セリウム
アンモンを含むＣｒ用エッチング液によって行う。硝酸
第二セリウムアンモン含むＣｒ用エッチング液によるＣ
ｒ膜のエッチングレートは、ＮｉＦｅ膜のエッチングレ
ートの約７００倍大きく、エッチングレートに大きな差
があり、下地膜を除去する際にはめっきＮｉＦｅ膜はほ
とんどエッチングされない。下地膜のＮｉＦｅ膜は薄く
不連続であるため、硝酸第二セリウムアンモンを含むＣ
ｒ用エッチング液で除去が可能であり、めっき用下地膜
のＣｒ膜とＮｉＦｅ膜の両膜を同時にウエットエッチン
グで除去し、工程時間を短縮することができる（ステッ
プＳ６）。
【００３７】ＮｉＦｅ膜３８および下地膜５１に形成さ
れている穴部分を選択的に穴埋めする（ステップＳ
７）。バックヨーク，コイル台座，およびリード部等の
磁性薄膜の上層部において、コイルを形成する所定箇所
に絶縁膜５４を形成する。この絶縁膜５４は、ＮｉＦｅ
膜３８と薄膜コイルの導体との間の絶縁を確保するため
であり、絶縁が確保できる程度の所定の厚さとする。ま
た、バックヨークとなるＮｉＦｅ膜３８において、コア
が接合する面には絶縁膜５４を設けず、磁性薄膜の部分
を直接露出させる（ステップＳ８）。
れている穴部分を選択的に穴埋めする（ステップＳ
７）。バックヨーク，コイル台座，およびリード部等の
磁性薄膜の上層部において、コイルを形成する所定箇所
に絶縁膜５４を形成する。この絶縁膜５４は、ＮｉＦｅ
膜３８と薄膜コイルの導体との間の絶縁を確保するため
であり、絶縁が確保できる程度の所定の厚さとする。ま
た、バックヨークとなるＮｉＦｅ膜３８において、コア
が接合する面には絶縁膜５４を設けず、磁性薄膜の部分
を直接露出させる（ステップＳ８）。
【００３８】この後、スピンコート等によりレジスト５
５を塗布する（ステップＳ９）。
５を塗布する（ステップＳ９）。
【００３９】レジストを塗布した後、形成する薄膜コイ
ルのパターンに対応したフレームレジスト５６を形成す
る。このフレームレジスト５６は、バックヨーク，コイ
ル台座，およびリード部上に形成する（ステップＳ１
０）。
ルのパターンに対応したフレームレジスト５６を形成す
る。このフレームレジスト５６は、バックヨーク，コイ
ル台座，およびリード部上に形成する（ステップＳ１
０）。
【００４０】フレームレジスト５６を用いて薄膜コイル
のＣｕ膜３９をめっき法で形成する。薄膜コイルのＣｕ
膜３９の厚さは、このフレームレジスト５６の膜厚によ
って制限される。薄膜コイルの導体の厚さおよびフレー
ムレジスト５６の膜厚の一例として、４μｍ，５．５μ
ｍとすることができる（ステップＳ１１）。コイルのＣ
ｕ膜３９を形成した後、レジストを塗布、露光、現像し
てコアがバックヨークと接合する面を露出させる。この
後硬化させて層間の絶縁を行う。これによって、一層目
の薄膜コイルの形成が終了する（ステップＳ１２）。
のＣｕ膜３９をめっき法で形成する。薄膜コイルのＣｕ
膜３９の厚さは、このフレームレジスト５６の膜厚によ
って制限される。薄膜コイルの導体の厚さおよびフレー
ムレジスト５６の膜厚の一例として、４μｍ，５．５μ
ｍとすることができる（ステップＳ１１）。コイルのＣ
ｕ膜３９を形成した後、レジストを塗布、露光、現像し
てコアがバックヨークと接合する面を露出させる。この
後硬化させて層間の絶縁を行う。これによって、一層目
の薄膜コイルの形成が終了する（ステップＳ１２）。
【００４１】前記ステップＳ１０，１１，１２と同様の
レジストパターンの形成工程およびコイルの形成工程を
繰り返すことによって多層の薄膜コイルを形成を行う。
この多層の薄膜コイルの形成において、形成するコイル
の巻線数は総巻線数と層数によって設定することができ
る（ステップＳ１３，１４，１５）。
レジストパターンの形成工程およびコイルの形成工程を
繰り返すことによって多層の薄膜コイルを形成を行う。
この多層の薄膜コイルの形成において、形成するコイル
の巻線数は総巻線数と層数によって設定することができ
る（ステップＳ１３，１４，１５）。
【００４２】前記ステップＳ１５までの工程では、バッ
クヨーク，コイル台座，およびリード部以外の部分につ
いてもＮｉＦｅ膜が残った状態にある。そこで、フィー
ルドエッチングによって不要部分のＮｉＦｅ膜，および
下地膜の除去を行う。素子部以外をフィールドエッチン
グ用レジストで覆い（ステップＳ１６）、ＮｉＦｅ用エ
ッチング液を用いて素子以外のＮｉＦｅ膜を除去し、次
に、Ｃｒ用エッチング液を用いて素子以外の下地膜中の
Ｃｒ膜を除去する。ＮｉＦｅ用エッチング液として、例
えば過硫酸アンモンと硝酸の溶液を用い、Ｃｒ用エッチ
ング液として、硝酸第二セリウムアンモンの溶液を用い
ることができる（ステップＳ１７）。
クヨーク，コイル台座，およびリード部以外の部分につ
いてもＮｉＦｅ膜が残った状態にある。そこで、フィー
ルドエッチングによって不要部分のＮｉＦｅ膜，および
下地膜の除去を行う。素子部以外をフィールドエッチン
グ用レジストで覆い（ステップＳ１６）、ＮｉＦｅ用エ
ッチング液を用いて素子以外のＮｉＦｅ膜を除去し、次
に、Ｃｒ用エッチング液を用いて素子以外の下地膜中の
Ｃｒ膜を除去する。ＮｉＦｅ用エッチング液として、例
えば過硫酸アンモンと硝酸の溶液を用い、Ｃｒ用エッチ
ング液として、硝酸第二セリウムアンモンの溶液を用い
ることができる（ステップＳ１７）。
【００４３】フィールドエッチングの処理の後、アセト
ンまたは剥離液を用いてフィールドエッチング用レジス
トを除去する（ステップＳ１８）。
ンまたは剥離液を用いてフィールドエッチング用レジス
トを除去する（ステップＳ１８）。
【００４４】従って、この実施形態によれば、ステップ
Ｓ６のフレームレジスト部の下地膜５１の除去をウエッ
トエッチングで行うことによって工程時間を短縮するこ
とができる。
Ｓ６のフレームレジスト部の下地膜５１の除去をウエッ
トエッチングで行うことによって工程時間を短縮するこ
とができる。
【００４５】次に、薄膜型磁気ヘッドにおける磁性層の
形成に対して、本発明のめっき用下地膜を適用した場合
について、図８，９，１０を用いて説明する。
形成に対して、本発明のめっき用下地膜を適用した場合
について、図８，９，１０を用いて説明する。
【００４６】図８は磁気ディスク装置に適用される薄膜
型磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。図
８において、薄膜型磁気ヘッド６０は、上部磁極７７と
下部磁極７２（図９参照）とを、一端を磁気ギャップ６
４（図９参照）とし、他端を結合部６８で結合して閉磁
路を形成し、該結合部６８を囲むように薄膜技術によっ
てコイル導体６５を形成する。磁気ギャップ６４の部分
では、上部磁極７７と下部磁極７２とをトラック幅程度
に狭め、ポールティップ６２を形成し、スライダ浮上面
６３の端面に合わせて配置する。なお、コイル導体６５
の両端には端子６６，６７が形成される。 図９は、薄
膜型磁気ヘッドの断面図である。図９において、薄膜型
磁気ヘッドは、基板６１上に絶縁膜を形成し、その上部
に下部磁極７２，コイル導体６５，および上部磁極７７
を形成する。基板６１として、例えばＡｌ2 Ｏ3 ・Ｔｉ
Ｃを用いることができ、該基板上の絶縁膜として、例え
ば膜厚１０μｍ程度のＡｌ2 Ｏ3 膜７０を用いることが
できる。
型磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。図
８において、薄膜型磁気ヘッド６０は、上部磁極７７と
下部磁極７２（図９参照）とを、一端を磁気ギャップ６
４（図９参照）とし、他端を結合部６８で結合して閉磁
路を形成し、該結合部６８を囲むように薄膜技術によっ
てコイル導体６５を形成する。磁気ギャップ６４の部分
では、上部磁極７７と下部磁極７２とをトラック幅程度
に狭め、ポールティップ６２を形成し、スライダ浮上面
６３の端面に合わせて配置する。なお、コイル導体６５
の両端には端子６６，６７が形成される。 図９は、薄
膜型磁気ヘッドの断面図である。図９において、薄膜型
磁気ヘッドは、基板６１上に絶縁膜を形成し、その上部
に下部磁極７２，コイル導体６５，および上部磁極７７
を形成する。基板６１として、例えばＡｌ2 Ｏ3 ・Ｔｉ
Ｃを用いることができ、該基板上の絶縁膜として、例え
ば膜厚１０μｍ程度のＡｌ2 Ｏ3 膜７０を用いることが
できる。
【００４７】Ａｌ2 Ｏ3 膜７０の上に、本発明のめっき
用下地膜７１を形成する。このめっき用下地膜７１の膜
厚は約０．１μｍ程度であり、約０．１μｍ程度の膜厚
のＣｒ膜の上に１０Å〜３０Å程度の膜厚のＮｉＦｅ膜
を成膜して形成することができる。
用下地膜７１を形成する。このめっき用下地膜７１の膜
厚は約０．１μｍ程度であり、約０．１μｍ程度の膜厚
のＣｒ膜の上に１０Å〜３０Å程度の膜厚のＮｉＦｅ膜
を成膜して形成することができる。
【００４８】めっき用下地膜７１の上にＮｉＦｅ膜をめ
っきして下部磁極７２を形成し、さらにその上方に磁気
ギャップ６４を形成するための非磁性層７３を設け、絶
縁層７４を介してコイル導体６５を形成する。コイル導
体６５の上方には、さらに絶縁層７５を介してめっき用
下地膜７６を設け、その上にＮｉＦｅ膜をめっきして上
部磁極７７を形成する。
っきして下部磁極７２を形成し、さらにその上方に磁気
ギャップ６４を形成するための非磁性層７３を設け、絶
縁層７４を介してコイル導体６５を形成する。コイル導
体６５の上方には、さらに絶縁層７５を介してめっき用
下地膜７６を設け、その上にＮｉＦｅ膜をめっきして上
部磁極７７を形成する。
【００４９】めっき用下地膜７１および７６の断面の状
態は、前記図４と同様であり、めっき用下地膜５１は、
Ｃｒ膜５１ｂの上に薄いＮｉＦｅ膜５１ａを島状に不連
続な状態で形成した、ＮｉＦｅ膜を含むＣｒ膜の１層膜
である。
態は、前記図４と同様であり、めっき用下地膜５１は、
Ｃｒ膜５１ｂの上に薄いＮｉＦｅ膜５１ａを島状に不連
続な状態で形成した、ＮｉＦｅ膜を含むＣｒ膜の１層膜
である。
【００５０】上記しためっき用下地膜の構成とすること
によって、Ｃｒ用エッチング液による除去が可能とな
り、また、Ｃｒ膜に加えてＮｉＦｅ膜を設けることによ
って、めっきＮｉＦｅ膜と下地膜の密着力を向上させる
ことができる。
によって、Ｃｒ用エッチング液による除去が可能とな
り、また、Ｃｒ膜に加えてＮｉＦｅ膜を設けることによ
って、めっきＮｉＦｅ膜と下地膜の密着力を向上させる
ことができる。
【００５１】以下、図１０を用いて、薄膜型磁気ヘッド
の成膜プロセスについて説明する。図１０は薄膜型磁気
ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成工程の一例を説明するための
図である。
の成膜プロセスについて説明する。図１０は薄膜型磁気
ヘッドのＮｉＦｅ膜の形成工程の一例を説明するための
図である。
【００５２】はじめに、基板３１上に絶縁膜として膜厚
約１０μｍのＡｌ2 Ｏ3 膜５３を形成し、該Ａｌ2 Ｏ3
膜５３上にＣｒ膜を成膜した後、該Ｃｒ膜上にＮｉＦｅ
膜を成膜して、めっき用下地膜５１を形成する。Ｃｒ膜
の膜厚は、例えば約０．１μｍ程度とし、ＮｉＦｅ膜の
膜厚は約１０Å〜３０Å程度の薄い薄膜とする。従っ
て、めっき用下地膜５１の膜厚は、ほぼＣｒ膜の膜厚に
よって定まることになる。成膜は、スパッタリングある
いは蒸着等で行うことができる（ステップＳ２１）。
約１０μｍのＡｌ2 Ｏ3 膜５３を形成し、該Ａｌ2 Ｏ3
膜５３上にＣｒ膜を成膜した後、該Ｃｒ膜上にＮｉＦｅ
膜を成膜して、めっき用下地膜５１を形成する。Ｃｒ膜
の膜厚は、例えば約０．１μｍ程度とし、ＮｉＦｅ膜の
膜厚は約１０Å〜３０Å程度の薄い薄膜とする。従っ
て、めっき用下地膜５１の膜厚は、ほぼＣｒ膜の膜厚に
よって定まることになる。成膜は、スパッタリングある
いは蒸着等で行うことができる（ステップＳ２１）。
【００５３】レジストを塗布、露光、現像しフレームレ
ジスト５２を形成する。フレームレジスト５２の幅は、
例えば３〜１０μｍとすることができる（ステップＳ２
２）。このフレームレジスト５２を用いてＮｉＦｅ膜３
８をめっきして磁性層を形成する。めっきＮｉＦｅ膜の
膜厚として、例えば２〜４μｍとすることができる（ス
テップＳ２３）。
ジスト５２を形成する。フレームレジスト５２の幅は、
例えば３〜１０μｍとすることができる（ステップＳ２
２）。このフレームレジスト５２を用いてＮｉＦｅ膜３
８をめっきして磁性層を形成する。めっきＮｉＦｅ膜の
膜厚として、例えば２〜４μｍとすることができる（ス
テップＳ２３）。
【００５４】フレームレジストを除去した後（ステップ
Ｓ２４）、素子部分のめっきＮｉＦｅ膜３８を覆うよう
にフィールドエッチング用レジスト５７を形成し（ステ
ップＳ２５）、フィールドエッチングを行う。フィール
ドエッチングは、まずＮｉＦｅ用エッチング液を用いて
素子部以外のＮｉＦｅ膜を除去し（ステップＳ２６）、
次に、アセトン又は剥離液を用いてフィールドエッチン
グ用レジスト５７を除去する（ステップＳ２７）。次
に、Ｃｒ用エッチング液を用いて、素子部以外のめっき
用下地膜５３のＣｒを除去する（ステップＳ２８）。
Ｓ２４）、素子部分のめっきＮｉＦｅ膜３８を覆うよう
にフィールドエッチング用レジスト５７を形成し（ステ
ップＳ２５）、フィールドエッチングを行う。フィール
ドエッチングは、まずＮｉＦｅ用エッチング液を用いて
素子部以外のＮｉＦｅ膜を除去し（ステップＳ２６）、
次に、アセトン又は剥離液を用いてフィールドエッチン
グ用レジスト５７を除去する（ステップＳ２７）。次
に、Ｃｒ用エッチング液を用いて、素子部以外のめっき
用下地膜５３のＣｒを除去する（ステップＳ２８）。
【００５５】Ｃｒ用エッチング液として、例えば硝酸第
二セリウムアンモン３６０ｇを純水２０４０ｃｃに溶か
した溶液を用いることができ、ＮｉＦｅ用エッチング液
として、例えば過硫酸アンモン３６０ｇを硝酸２００ｃ
ｃと純水２０００ｃｃに溶かした溶液を用いることがで
きる。上記の実施形態によれば、めっき用下地膜の除去
に硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液
を用いた場合、膜厚が０．１μｍのＣｒ膜を１〜２分程
度でエッチングを行うことができる。このエッチングレ
ートは、従来のイオンミリング法による０．１μｍ／１
０分程度より５〜１０倍の処理の速さとなる。
二セリウムアンモン３６０ｇを純水２０４０ｃｃに溶か
した溶液を用いることができ、ＮｉＦｅ用エッチング液
として、例えば過硫酸アンモン３６０ｇを硝酸２００ｃ
ｃと純水２０００ｃｃに溶かした溶液を用いることがで
きる。上記の実施形態によれば、めっき用下地膜の除去
に硝酸第二セリウムアンモンを含むＣｒ用エッチング液
を用いた場合、膜厚が０．１μｍのＣｒ膜を１〜２分程
度でエッチングを行うことができる。このエッチングレ
ートは、従来のイオンミリング法による０．１μｍ／１
０分程度より５〜１０倍の処理の速さとなる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＮｉＦｅ膜のめっき用下地膜の除去に要する処理時間を
短縮することができる。
ＮｉＦｅ膜のめっき用下地膜の除去に要する処理時間を
短縮することができる。
【図１】磁気ディスク装置に適用される本発明を適用し
た磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。
た磁気ヘッドの構成を説明するための概略図である。
【図２】スライダー部とコイル部とを組み合わせた後
の、本発明を適用した磁気ヘッドの一部を切り欠いた斜
視図である。
の、本発明を適用した磁気ヘッドの一部を切り欠いた斜
視図である。
【図３】本発明を適用した磁気ヘッドの概略断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の下地膜の断面図である。
【図５】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明
するための図である。
するための図である。
【図６】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明
するための図である。
するための図である。
【図７】本発明を適用した薄膜コイルのプロセスを説明
するための図である。
するための図である。
【図８】磁気ディスク装置に適用される薄膜型磁気ヘッ
ドの構成を説明するための概略図である。
ドの構成を説明するための概略図である。
【図９】薄膜型磁気ヘッドの断面図である。
【図１０】本発明を適用した薄膜型磁気ヘッドの磁性層
の形成工程の一例を説明するための図である。
の形成工程の一例を説明するための図である。
【図１１】導体コイルを薄膜形成技術によって形成した
磁気ヘッドの構成例を説明する概略図である。
磁気ヘッドの構成例を説明する概略図である。
【図１２】薄膜コイルの薄膜形成技術による形成工程の
従来例を説明するための図である。
従来例を説明するための図である。
【図１３】薄膜型の磁気ヘッドの磁性層の形成工程の従
来例を説明するための図である。
来例を説明するための図である。
１ 磁気ヘッド ２ スライダー部 ３ コイル部 ４ 磁気コア ２１ スライダーレール ２２ スライダー溝 ３１，６１ 基板 ３２ 薄膜コイル ３３ ボンディングパッド ３４ コイル台座 ３５ リード部 ３８ ＮｉＦｅ膜 ３９ Ｃｕ膜 ４１ 第１コア ４２ 第２コア ４３ 高飽和磁束密度膜 ４４，６４ 磁気ギャップ ４５ ガラス ４６ バックヨーク ５０，５１，７１，７６ めっき用下地膜 ５０ａ，５１ａ ＮｉＦｅ膜 ５０ｂ，５１ｂ Ｃｒ膜 ５２ フレームレジスト ５３ Ａｌ2 Ｏ3 膜 ５４ 絶縁膜 ５５ レジスト ５６ フレームレジスト ５７ フィールドエッチング用レジスト ６０ 薄膜型磁気ヘッド ６２ ポールティップ ６３ スライダ浮上面 ６５ コイル導体 ６６，６７ 端子 ６８ 結合部 ７０ Ａｌ2 Ｏ3 膜 ７２ 下部磁極 ７３ 非磁性層 ７４，７５ 絶縁層 ７７ 上部磁極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富谷 忠史 栃木県真岡市松山町18番地 日立金属株式 会社電子部品工場内
Claims (4)
- 【請求項１】 ＮｉＦｅ膜のめっき用下地膜であって、
Ｃｒ膜と該Ｃｒ膜上に形成するＮｉＦｅ膜を含み、前記
Ｃｒ膜およびＮｉＦｅ膜はＣｒ用エッチング液で除去が
可能であることを特徴とするめっき用下地膜。 - 【請求項２】 前記Ｃｒ用エッチング液は、硝酸第二セ
リウムアンモンを含むことを特徴とする請求項１記載の
めっき用下地膜。 - 【請求項３】 前記ＮｉＦｅ膜はＣｒ膜上で不連続であ
り、Ｃｒ膜の一部が露出することを特徴とする請求項
１，又は２記載のめっき用下地膜。 - 【請求項４】 前記ＮｉＦｅ膜の平均膜厚は１０Å〜３
０Åであることを特徴とする請求項１，又は２記載のめ
っき用下地膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27290696A JP3805440B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | めっき膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27290696A JP3805440B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | めっき膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097940A true JPH1097940A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3805440B2 JP3805440B2 (ja) | 2006-08-02 |
Family
ID=17520412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27290696A Expired - Fee Related JP3805440B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | めっき膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3805440B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7095589B2 (en) | 2002-11-20 | 2006-08-22 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing system |
| WO2008047810A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Antibacterial substratum and process for producing the same |
-
1996
- 1996-09-25 JP JP27290696A patent/JP3805440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7095589B2 (en) | 2002-11-20 | 2006-08-22 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing system |
| WO2008047810A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Antibacterial substratum and process for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3805440B2 (ja) | 2006-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5745980A (en) | Method of fabricating magnetic recording thin film head having pinched-gap | |
| JP2000105906A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3394266B2 (ja) | 磁気書込／読取ヘッドの製造方法 | |
| JPS6142714A (ja) | 多層導体膜構造体の製造方法 | |
| US5793579A (en) | Thin film magnetic head and process for producing same | |
| US5945007A (en) | Method for etching gap-vias in a magnetic thin film head and product | |
| JP3805440B2 (ja) | めっき膜の製造方法 | |
| JPH09190918A (ja) | 磁気回路形成部材の形成方法と磁気回路形成部材及びこれを用いた磁気ヘッドと薄膜コイル | |
| JPH07210821A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0348570B2 (ja) | ||
| JPS60177418A (ja) | 垂直磁気記録再生用薄膜ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH03205607A (ja) | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JPH03127308A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2861080B2 (ja) | 非晶質合金磁性膜のパターン形成方法 | |
| JPS6247812A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH11273026A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH05159217A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2633907B2 (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS60111313A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| KR100289181B1 (ko) | 자기저항헤드의제조방법 | |
| JP2994997B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0554331A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2000207709A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05258236A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0411311A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040204 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040310 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050815 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051108 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060418 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060510 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140519 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |