JPH11161911A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 埋め込み膜に接続孔を形成する際にエッチン
グ量を高い精度で制御することができ、また接続孔を形
成してから第２の磁性膜を成膜するまでの間に生じる第
１の磁性膜の酸化を防止し、製造されたヘッド同士で特
性にばらつきを生ずることなく良好な特性を発揮する薄
膜磁気ヘッドを製造する。 【解決手段】 上層磁気コアが２層の磁性膜よるなる薄
膜磁気ヘッドを製造するに際して、コア形状の第１の磁
性膜を覆って埋め込み膜を全面形成する工程と、埋め込
み膜上に、第２の磁性膜形成領域に対応する領域に開口
部を有するレジストマスクを形成する工程と、反応性イ
オンエッチング法によって、第２の磁性膜形成領域に対
応する領域の埋め込み膜を底部に一部残存させて除去す
る工程と、埋め込み膜上のレジストマスクを除去する工
程と、反応性イオンエッチング法によって、第１の磁性
膜形成領域に対応する領域に残存させた埋め込み膜を除
去する工程と、埋め込み膜を除去した領域上に、コア形
状の第２の磁性膜を形成する工程によって上層磁気コア
を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、上層磁気コアの磁
気ギャップ側に高飽和磁束密度材が配された薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶縁
膜等の薄膜層が多層に積層されて構成される。これらの
薄膜層は、めっき法や、スパッタ法等の真空薄膜形成技
術によって形成されるため狭トラック化や狭ギャップ化
等の微細寸法化が容易である。このため、上記薄膜磁気
ヘッドは、高密度記録化に対応する磁気ヘッドとして注
目されている。

【０００３】このような薄膜磁気ヘッドとしては、電磁
誘導現象を利用した磁気ヘッド（インダクティブヘッ
ド）と、磁気抵抗効果現象を利用した磁気ヘッド（ＭＲ
ヘッド）が知られている。

【０００４】インダクティブヘッドは、記録用、再生用
の両方で使われる磁気ヘッドであり、酸化物磁性材料等
よりなる基板上に、軟磁性薄膜よりなる下層磁気コアと
上層磁気コアが形成され、この下層磁気コアと上層磁気
コアの間にスパイラル状の導体コイル層が形成されて構
成される。

【０００５】また、ＭＲヘッドは、再生専用で用いられ
る磁気ヘッドであり、基板上に上層シールド磁性体と下
層シールド磁性体が形成され、この上層シールド磁性体
と下層シールド磁性体の間に、磁気抵抗効果を有する磁
性薄膜よりなる磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称
する）と、このＭＲ素子に所要の向きの磁化状態を与え
るバイアス導体とが挟み込まれて構成される。

【０００６】また、例えばハードディスクドライブにお
いては、上記インダクディブヘッドを記録用ヘッドと
し、ＭＲヘッドを再生ヘッドとして組み合わせた複合型
磁気ヘッドが使用されている。

【０００７】この複合型磁気ヘッドが用いられるハード
ディスクシステムにおいては、さらなる高記録密度化が
要求され、磁気ディスクとしては高保磁力を有するもの
が用いられるようになっている。また、記録用に用いら
れるインダクティブヘッドに対しては、このような保磁
力の高い磁気ディスクに対して良好な情報記録が行える
ように、高い飽和磁束密度を有することが求められてい
る。

【０００８】ここで、上述のようなインダクティブヘッ
ドでは、上層磁気コア及び下層磁気コアにはＮｉ−Ｆｅ
（パーマロイ）合金メッキ膜等が一般に使用されるが、
Ｎｉ−Ｆｅ合金は軟磁性には優れるものの、飽和磁束密
度については十分であるとは言えない。

【０００９】そこで、インダクティブヘッドにおいて
は、高密度記録に対応するために上層磁気コアの磁気ギ
ャップ近傍にＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス材料等の高
飽和磁束密度材料を配した構成が提案されている。

【００１０】ところで、例えばＮｉ−Ｆｅ合金磁性材は
めっき法によって成膜されるが、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモ
ルファス材料のような高飽和磁束密度材はスパッタ法に
よって成膜される。したがって、このような２種類の磁
性薄膜を用いる上層磁気コアはこれまで次のようにして
形成されている。

【００１１】すなわち、基板上に下層磁気コア、平坦化
膜、導体コイル、平坦化膜を順次形成した後、この上に
上層磁気コアを形成する。

【００１２】上層磁気コアを形成するには、まず、スパ
ッタ法によって高飽和磁束密度材よりなる第１の磁性膜
を全面形成する。そして、この第１の磁性膜を上層磁気
コア形状に対応した平面形状でパターニングする。

【００１３】次に、このパターニングされた第１の磁性
膜を埋め込むように、スパッタリング法によって、Ａｌ
₂Ｏ₃よりなる埋め込み膜を全面形成し、この上に第１の
磁性膜形成領域に対応する領域に開口部を有するレジス
トマスクを形成する。そして、このレジストマスクが形
成された上から、例えばケミカルポリッシュを行うこと
によってレジストマスクの開口部に対応する領域の埋め
込み膜を除去し、第１の磁性膜と第２の磁性膜とを接続
する接続孔を形成する。

【００１４】そして、上記レジストマスクを有機溶媒を
用いて除去した後、第１の磁性膜上に上層磁気コアの外
形形状に対応したフレーム状のマスクを用いるめっき法
（フレームめっき法）と湿式エッチング法によって上層
磁気コア形状に対応した平面形状で第２の磁性膜を形成
する。以上の工程によって第１の磁性膜と第２の磁性膜
よりなる上層磁気コアは形成される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
て上層磁気コアを形成した場合、埋め込み膜をケミカル
ポリッシュする際にエッチング量の制御が難しく、研磨
が進み過ぎて第１の磁性膜を多く削ってしまったり、逆
に研磨が不十分で埋め込み膜が厚く残存し、製造される
ヘッドの特性がばらついてしまうといった問題がある。

【００１６】また、この製造工程では、埋め込み膜に接
続孔を形成してから、第１の磁性膜を成膜するまでの間
にレジストマスクを除去する作業が入り、接続孔から露
出する第１の磁性膜表面はこの作業の間中外気に曝され
るため、酸化されてしまう。

【００１７】第１の磁性膜が酸化されるとその磁気特性
が劣化するため第１の磁性膜が疑似ギャップとして作用
したり、また、第１の磁性膜と第２の磁性膜の密着性が
悪くなり、ヘッドの特性が損なわれる。

【００１８】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、埋め込み膜に接続孔を形
成する際にエッチング量を高い精度で制御することがで
き、また接続孔を形成してから第２の磁性膜を成膜する
までの間に生じる第１の磁性膜の酸化が防止される薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下層磁気
コア、導体コイル、絶縁層が形成された基板上に、コア
形状の第１の磁性膜を形成した後、この第１の磁性膜を
覆って埋め込み膜を全面形成する工程と、埋め込み膜上
に、第２の磁性膜形成領域に対応する領域に開口部を有
するレジストマスクを形成する工程と、反応性イオンエ
ッチング法によって、第２の磁性膜形成領域に対応する
領域の埋め込み膜を底部に一部残存させて除去する工程
と、埋め込み膜上のレジストマスクを除去する工程と、
反応性イオンエッチング法によって、第２の磁性膜形成
領域に対応する領域に残存させた埋め込み膜を除去する
工程と、埋め込み膜を除去した領域上に、コア形状の第
２の磁性膜を形成する工程によって上層磁気コアを形成
することを特徴とするものである。

【００２０】第１の磁性膜上に形成された埋め込み膜上
に、第２の磁性膜形成領域に対応する領域に開口部を有
するレジストマスクを形成し、この第２の磁性膜形成領
域に対応する領域の埋め込み膜を底部に一部残存させて
エッチング除去した後、レジストマスクを除去するよう
にすると、このレジストマスクを除去する工程ではエッ
チング領域に埋め込み膜が残存しているので第１の磁性
膜の酸化が防止される。

【００２１】また、この後の第２の磁性膜形成領域に対
応する領域に残存させた埋め込み膜を除去する工程では
第１の磁性膜表面が露出するが、レジストマスクは先の
工程で除去されており、この後、直ぐに第２の磁性膜の
形成なされるので、第１の磁性膜表面の酸化は抑えられ
る。

【００２２】つまり、この製造工程では、埋め込み膜を
エッチングしてから第２の磁性膜を成膜するまでの間に
生じる第１の磁性膜の酸化が防止される。

【００２３】さらに、この製造方法では、埋め込み膜の
エッチングを反応性イオンエッチング法によって行って
いる。反応性イオンエッチング法は、エッチングレート
が高く、しかもエッチング量が高い精度で制御される。

【００２４】このため、埋め込み膜のエッチングにおい
て、底部に所望の厚さで埋め込み膜を残存させられ、ま
たこの残存させた埋め込み膜が精度良くエッチング除去
される。

【００２５】したがって、この製造方法によれば、製造
されるヘッド同士で特性にばらつきを生じることなく、
特性に優れた薄膜磁気ヘッドが製造される。

【００２６】

【発明の実施の形態】この薄膜磁気ヘッドは、図１に示
すように、磁気記録媒体対向面Ａに再生用磁気ギャップ
ｇ₁を臨ませる磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッ
ドと称する）１と、この磁気記録媒体対向面Ａに記録用
磁気ギャップｇ₂を臨ませるインダクティブヘッド２
を、非磁性基板２５上に積層した、複合型磁気ヘッドと
されている。

【００２７】上記ＭＲヘッド１は、センス電流がトラッ
ク幅方向と直交する方向に流れるいわゆる縦型のＭＲヘ
ッドである。このＭＲヘッド１は、上記基板２５上にＡ
ｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等よりなり絶縁層２６を介して形成さ
れた下層シールド磁性体３と上層シールド磁性体４との
間に、ＭＲ素子５及びバイアス導体６が挟み込まれてな
るものであり、磁気記録媒体対向面ＡにＭＲ素子５の一
端が露出されることによって再生用磁気ギャップｇ₁が
形成されるようになっている。

【００２８】上記ＭＲ素子５は、長方形パターンとして
形成され、その長手方向が上記磁気記録媒体対向面Ａに
対する直交方向となるように設けられるとともにその一
端縁が上記磁気記録媒体対向面Ａに臨むようになってい
る。

【００２９】このＭＲ素子には、先端部と後端部にそれ
ぞれ図示しない定電流源からのセンス電流を通ずるため
の一対の電極７ａ，７ｂが積層されている。

【００３０】上記バイアス導体６は、平面長方形状の細
長い配線パターンとして形成され、上記ＭＲ素子５上に
絶縁層８を介して所定の距離を隔てて積層されている。

【００３１】また、このバイアス導体６は、上記ＭＲ素
子５に対して略直交する方向、つまりＭＲ素子５を横切
る形で設けられている。そして、このバイアス導体６の
両端部は、直流電源からのバイアス電流を通電するため
の端子部とされている。したがって、この端子部より供
給される直流電流は、配線パターンの長手方向であるト
ラック幅方向に流れる。これにより、磁気記録媒体対向
面Ａと直交する方向にバイアス磁界が上記ＭＲ素子５に
印加される。

【００３２】そして、上記ＭＲヘッド１においては、上
記ＭＲ素子５を絶縁層８，９，１０を介してパーマロイ
等の軟磁性体からなる下層シールド磁性体３と上層シー
ルド磁性体４とで挟み込んだ、いわゆるシールド型構成
となっている。

【００３３】一方、インダクティブヘッド２は、図１に
示すように上層シールド磁性体４を閉磁路を構成する他
方の磁気コア（下層磁気コア）とし、この上層シールド
磁性体４に対向して積層される上層磁気コア１１とによ
って上記磁気記録媒体対向面Ａ側にフロントギャップ部
２ａが構成され、このフロントギャップ部２ａの上記磁
気記録媒体対向面Ａに臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップｇ₂が形成されている。このインダクティブ
ヘッド２においては上記フロントギャップ部２ａでの上
層磁気コア１１の幅によって記録用磁気ギャップｇ₂の
トラック幅が規制される。また、上記上層シールド磁性
体４と上層磁気コア１１とは後端部で磁気的に接触して
バックギャップ２ｂを構成するようになっている。

【００３４】そして、上記上層シールド磁性体４と上層
磁気コア１１との間には、上記上層シールド磁性体４上
に第１の平坦化膜１２、第２の平坦化膜１３を介して導
体コイル１４が形成されている。この導体コイル１４
は、上記バックギャップ２ｂを取り囲むようにしてスパ
イラル状に設けられている。また、この導体コイル１４
上には、第３の平坦化膜１５と第４の平坦化膜１６が形
成され、前記第４の平坦化膜１６上に上層磁気コア１１
が形成されている。第１の平坦化膜１２〜第４の平坦化
膜１６はレジスト等の絶縁材料よりなり、このうち第１
の平坦化膜１２の厚さによって記録用磁気ギャップｇ₂
のギャップ幅が規制される。また、第２の平坦化膜１３
〜第４の平坦化膜１６は、フロントギャップ部２ａを除
いた部分に設けられ、上層シールド磁性体４と導体コイ
ル１４との絶縁と、導体コイル１４と上層磁気コア１１
との絶縁を図るとともに表面を平坦化することによっ
て、その上に導体コイル１４や上層磁気コア１１を正確
な形状で形成するために設けられる。

【００３５】また、ここでは、特に上記上層磁気コア１
１は、第１の磁性膜１７と第２の磁性膜１８の２層の磁
性膜によって構成されている。

【００３６】上記第１の磁性膜１７には、第２の磁性膜
１８よりも飽和磁束密度の高い磁性材料、例えばＣｏ−
Ｚｒ−Ｎｂアモルファス磁性材料が用いられる。また、
第２の磁性膜１８は、例えばＮｉ−Ｆｅ合金のような軟
磁性材料によって構成される。

【００３７】以上が複合型磁気ヘッドの構成であり、こ
のような複合型磁気ヘッドは次のようにして製造され
る。

【００３８】まず、非磁性基板２５上に形成された絶縁
層２６上に、下層シールド磁性体３を形成し、この上に
ＭＲ素子５、バイアス導体６、上層シールド磁性体４を
絶縁層８，９，１０を介して形成し、ＭＲヘッド１を作
製する。

【００３９】そして、図２に示すように、上記上層シー
ルド磁性体４上に、第１の平坦化膜１２、第２の平坦化
膜１３を形成する。これら第１の平坦化膜１２、第２の
平坦化膜１３は、例えば有機高分子材料を塗布、真空キ
ュア炉にてキュアリングすることによって形成される。

【００４０】次に、図３に示すように、第２の平坦化膜
１３上に、スパッタリング法によって例えばＣｒ膜とＣ
ｕ膜よりなるめっき下地膜１９を成膜し、このめっき下
地膜１９上にフォトレジストを塗布し、所定のパターン
のマスクを重ねた状態でレジストを光硬化させること
で、導体コイル１４のパターンに対して反転パターンの
レジストマスクを形成する。そして、このレジストパタ
ーンから露出しているめっき下地膜１９上に、めっき法
によってＣｕ等を析出させ、図４に示すようにスパイラ
ル状の導体コイル１４を形成する。この後、有機溶剤に
よってレジストパターンを除去し、図５に示すようにこ
のレジストパターンの下側から露出した不要なめっき下
地膜１９を例えばイオンミリング法によってエッチング
除去する。

【００４１】続いて、図６に示すように、このようにし
て形成された導体コイル１４の配線間を埋めるようにレ
ジストを塗布し、真空キュア炉にてキュアリングするこ
とによって第３の平坦化膜１５を形成し、図７（ａ）に
示すようにこの第３の平坦化膜１５上にさらにレジスト
を塗布し、ハードキュアすることによって第４の平坦化
膜１６を形成する。このときのウェハを磁気記録媒体対
向面Ａ側から見た正面図を図７（ｂ）に示す。

【００４２】そして、上記第４の平坦化膜１６上に第１
の磁性膜１７と第２の磁性膜１８よりなる上層磁気コア
１１を形成する。以下、上層磁気コア１１の形成工程
を、このウェハを磁気記録媒体対向面Ａ側から見た正面
図を参照しながら説明する。

【００４３】上層磁気コア１１を形成するには、まず、
図８に示すようにスパッタリング法によって高飽和磁束
密度材よりなる第１の磁性膜１７を成膜する。そして、
図９に示すように、この第１の磁性膜１７上に上層磁気
コアに対応した平面形状でレジストマスク２０を形成す
る。次いで、図１０に示すようにレジストマスク２０が
形成されていない領域の第１の磁性膜１７をエッチング
除去した後、レジストマスク２０を除去する。その結
果、図１１に示すように第１の磁性膜１７が上層磁気コ
アに対応したパターンで残存したかたちになる。

【００４４】次いで、図１２に示すように、スパッタリ
ング法によって、パターニングされた第１の磁性膜１７
を埋め込むように、ＳｉＯ₂よりなる埋め込み膜２１を
全面形成する。

【００４５】続いて、埋め込み膜２１の第２の磁性膜形
成領域に対応する領域の埋め込み膜を除去して第１の磁
性膜と第２の磁性膜とを接続する接続孔を形成するが、
この製造方法では特に埋め込み膜の加工を、反応性イオ
ンエッチング法によって２段階で行うこととする。

【００４６】すなわち、図１３に示すように、上記埋め
込み膜２１上に、接続孔形成領域Ｃに対応する領域に開
口部を有するレジストマスク２２を形成する。そして、
図１４に示すように反応性イオンエッチング法によっ
て、この接続孔形成領域Ｃの埋め込み膜２１を底部に一
部のみ残存させて除去した後、レジストマスク２２を除
去する。

【００４７】ここで反応性イオンエッチング処理は、ケ
ミカルポリッシュと同等のエッチングレートが得られ、
しかもエッチング速度とエッチング時間によってエッチ
ング量が高い精度で制御される。したがって、処理時間
が短くて済み、また接続孔形成領域Ｃの底部に所望の厚
さで埋め込み膜を残存させることができる。

【００４８】また、従来の製造方法では、接続孔形成領
域Ｃに第１の磁性膜を露出させた後にレジストマスクを
除去するため、このレジストマスクの除去工程での第１
の磁性膜の酸化が問題となるが、この製造方法ではレジ
ストマスクの除去工程では接続孔形成領域Ｃに埋め込み
膜が残存しているので第１の磁性膜の酸化が防止され
る。

【００４９】なお、接続孔形成領域Ｃに残存させる埋め
込み膜の厚さｄは２０〜１００ｎｍとするのが望まし
い。残存させる埋め込み膜の厚さを２０ｎｍ未満と薄く
設定した場合、埋め込み膜から第１の磁性膜が部分的に
露出してしまい、その部分から酸化が進行してしまう可
能性がある。また、残存させる埋め込み膜の厚さを１０
０ｎｍを越えて厚く設定した場合、次工程で行う埋め込
み膜のエッチング除去に長時間を要することになる。

【００５０】そして、この後、反応性イオンエッチング
処理を全面に施すことで、図１５に示すように埋め込み
膜２１の接続孔形成領域Ｃに残存させた埋め込み膜を除
去することで接続孔２１ａを形成する。

【００５１】このときも、反応性イオンエッチング法で
はエッチング量が高い精度で制御されるので、第１の磁
性膜１２を多く削ってしまったり、埋め込み膜２１を厚
く残してしまうことなく、第１の磁性膜１２表面を露出
させることができる。

【００５２】また、この段階で第１の磁性膜１２表面は
露出するが、レジストマスクは先の工程で除去されてお
り、この後、直ぐにこの第１の磁性膜１２上に第２の磁
性膜の形成が行われるので、第１の磁性膜１２表面の酸
化は抑えられる。

【００５３】つまり、この製造工程では、埋め込み膜２
１をエッチングしてから第２の磁性膜を成膜するまでの
間に生じる第１の磁性膜１２の酸化が防止される。

【００５４】そして、以上のようにして埋め込み膜２１
に接続孔２１ａを形成した後、メッキ下地膜の形成、上
層磁気コアの外形形状に対応しためっきフレームの形
成、めっき法による第２の磁性膜の形成、湿式エッチン
グによる不要な第２の磁性膜の除去といった工程で、図
１６に示すように上層磁気コアに対応した形状で第２の
磁性膜１８を形成し、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００５５】このようにして製造される薄膜磁気ヘッド
は、接続孔形成領域Ｃにおける第１の磁性膜表面の酸化
や過度なエッチング、埋め込み膜の残存が防止されてい
るので、第１の磁性膜が疑似ギャップとして作用するこ
とがなく、また第１の磁性膜と第２の磁性膜の密着性が
良好であり、また製造されたヘッド同士で特性にばらつ
きがなく、いずれも良好な特性が得られる。

【００５６】以上、本発明の製造方法を、複合型磁気ヘ
ッドを製造する場合を例にして説明したが、この製造方
法はインダクティブヘッドのみを製造する場合にも勿論
適用できる。この場合にも、接続孔形成領域Ｃにおける
第１の磁性膜表面の酸化や過度なエッチング、埋め込み
膜の残存が防止され、製造されたヘッド同士で特性にば
らつきを生じることなく、良好な特性を発揮する薄膜磁
気ヘッドを製造することができる。

【００５７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、コア形状の第１の磁
性膜を覆って埋め込み膜を全面形成する工程と、埋め込
み膜上に、第２の磁性膜形成領域に対応する領域に開口
部を有するレジストマスクを形成する工程と、反応性イ
オンエッチング法によって、第２の磁性膜形成領域に対
応する領域の埋め込み膜を底部に一部残存させて除去す
る工程と、埋め込み膜上のレジストマスクを除去する工
程と、反応性イオンエッチング法によって、第１の磁性
膜形成領域に対応する領域に残存させた埋め込み膜を除
去する工程と、埋め込み膜を除去した領域上に、コア形
状の第２の磁性膜を形成する工程によって２層構成の上
層磁気コアを形成するので、埋め込み膜の第１の磁性膜
形成領域をエッチングするに際して、第１の磁性膜表面
の酸化や過度なエッチング、埋め込み膜の残存が防止さ
れ、製造されたヘッド同士で特性にばらつきを生ずるこ
となく良好な特性を発揮する薄膜磁気ヘッドを製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法で製造される薄膜磁気ヘッド
の一例を示す概略断面図である。

【図２】薄膜磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもの
であり、第１の平坦化膜、第２の平坦化膜の形成工程を
示す概略断面図である。

【図３】第１のメッキ下地膜形成工程を示す概略断面図
である。

【図４】導体コイル形成工程を示す概略断面図である。

【図５】第１のメッキ下地膜エッチング工程を示す概略
断面図である。

【図６】第３の平坦化膜形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図７】第４の平坦化膜形成工程を示すものであり、
（ａ）はウェハの概略断面図であり、（ｂ）はウェハを
磁気記録媒体対向面側から見た正面図である。

【図８】第１の磁性膜形成工程を示す正面図である。

【図９】第１のレジストマスク形成工程を示す正面図で
ある。

【図１０】第１の磁性膜エッチング工程を示す正面図で
ある。

【図１１】第１のレジストマスク除去工程を示す正面図
である。

【図１２】埋め込み膜形成工程を示す正面図である。

【図１３】第２のレジストマスク形成工程を示す正面図
である。

【図１４】第１の埋め込み膜エッチング工程を示す正面
図である。

【図１５】第２の埋め込み膜エッチング工程を示す正面
図である。

【図１６】第２の磁性膜形成工程を示す正面図である。

【符号の説明】

４ 上層シールド磁性体（下層磁気コア）、１１ 上層
磁気コア、１２，１３，１５，１６ 平坦化膜、１７
第１の磁性膜、１８ 第２の磁性膜、２１ 埋め込み膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層磁気コア、導体コイル、絶縁層が形
   成された基板上に、コア形状の第１の磁性膜を形成した
   後、この第１の磁性膜を覆って埋め込み膜を全面形成す
   る工程と、 埋め込み膜上に、第２の磁性膜形成領域に対応する領域
   に開口部を有するレジストマスクを形成する工程と、 反応性イオンエッチング法によって、第２の磁性膜形成
   領域に対応する領域の埋め込み膜を底部に一部残存させ
   て除去する工程と、 埋め込み膜上のレジストマスクを除去する工程と、 反応性イオンエッチング法によって、第２の磁性膜形成
   領域に対応する領域に残存させた埋め込み膜を除去する
   工程と、 埋め込み膜を除去した領域上に、コア形状の第２の磁性
   膜を形成する工程によって上層磁気コアを形成すること
   を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】 第１の磁性膜の成膜方法は、スパッタ法
   であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド
   の製造方法。
3. 【請求項３】 第２の磁性膜の成膜方法は、めっき法で
   あることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの
   製造方法。
4. 【請求項４】 反応性イオンエッチング法によって、第
   ２の磁性膜形成領域に対応する領域の埋め込み膜を底部
   に一部残存させて除去するに際して、残存させる埋め込
   み膜の厚さを２０ｎｍ〜１００ｎｍとすることを特徴と
   する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。