JP2002123916A - 磁気記録読取装置及びその製造方法 - Google Patents

磁気記録読取装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気記録読取装置及びその製造方法に関し、
ＣＰＰ方式リードヘッドをコンタクトホールの形成工程
を伴うことなく作製する。 【解決手段】 磁気センサー膜３を上部電極５と下部電
極２の間に挟持するとともに、磁気センサー膜３の周囲
の少なくとも一部を、少なくとも磁区制御膜を含む平坦
化膜６で埋め込む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録読取装置及
びその製造方法に関するものであり、特に、ハードディ
スクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気記録装置の再生ヘッド
（リードヘッド）に用いる磁気センサー膜の面内に垂直
に電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｅｒｐｅｎｄ
ｉｃｕｌａｒ ｔｏ ｔｈｅ ｐｌａｎｅ）方式の磁気
センサーにおいて、エッチングレスで磁気センサー膜と
上部電極とのコンタクトを取るための構造及び製造方法
に特徴のある磁気記録読取装置及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュータの外部記憶装置であ
るハードディスク装置等の磁気ヘッドとしては、コイル
に発生する誘導電流により磁場を感知する誘導型の薄膜
磁気ヘッド（インダクティブヘッド）が使用されていた
が、近年のハードディスク装置等の高密度化、高速化の
要請の高まりに伴い、磁場そのものを感知する磁気セン
サーが再生用磁気ヘッドの主流となっている。
【０００３】この様な磁気センサーとしては、磁気抵抗
効果を利用したものが採用されているが、このＭＲヘッ
ドにおける再生原理は、リード電極から一定のセンス電
流を流した場合に、磁気抵抗効果素子を構成する磁性薄
膜の電気抵抗が記録媒体からの磁界により変化する現象
を利用するものである。
【０００４】近年のハードディスクドライブの高密度記
録化に伴って、１ビットの記録面積が減少するととも
に、発生する磁場は小さくなり、小さい外部磁場の変化
を感知することができる必要があり、そのために、感度
のより高い巨大磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドが採
用されはじめている。
【０００５】現在、巨大磁気抵抗効果を利用した磁気セ
ンサーとしては、スピンバルブ膜を用いるとともに、電
流を横方向に流すＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｉｎ ｔｈ
ｅｐｌａｎｅ）方式のリードヘッドが用いられているの
で、この様な従来のＣＩＰ方式リードヘッドを図８を参
照して説明する。
【０００６】図８参照 図８は、従来のＣＩＰ方式リードヘッドの要部断面図で
あり、スライダーの母体となるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板
３１上に、Ａｌ2 Ｏ3 膜３２を介してＮｉＦｅ合金等か
らなる下部磁気シールド層３３を設け、Ａｌ2 Ｏ3 等の
下部リードギャップ層３４を介してスピンバルブ膜３５
を設けて所定の形状にパターニングしたのち、スピンバ
ルブ膜３５の両端にＣｏＣｒＰｔ等の高保磁力膜からな
る磁区制御膜３６を設け、次いで、Ｗ／Ｔｉ／Ｔａ多層
膜等からなる導電膜を堆積させてリード電極３７を形成
する。次いで、再び、Ａｌ2 Ｏ3 等の上部リードギャッ
プ層３８を介してＮｉＦｅ合金等からなる上部磁気シー
ルド層３９を設けることによって、スピンバルブ素子を
利用したリードヘッドの基本構成が完成する。
【０００７】しかし、現在、実用化されているリードヘ
ッドは、上述のように磁気センサー膜の膜面に平行に電
流を流すＣＩＰ方式であるため、上下の磁気シールド層
との間に、絶縁層、即ち、リードギャップ層を介在させ
る必要がある。
【０００８】現在、絶縁が可能な最も薄い材料としてＣ
ＶＤ法等で成膜されたＡｌ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 が用いられ
ているが、２０ｎｍ程度の薄さが限界であるため、上下
のリードギャップ層の厚さを各２０ｎｍとすると巨大磁
気抵抗効果膜自体の厚さとしては３０ｎｍ（＝７０ｎｍ
−２０ｎｍ×２）以下であることが要求されることにな
る。
【０００９】さらに、ビット長が短くなった場合、リー
ドギャップ層をこれ以上薄くできないと考えると、磁気
センサー膜自体を薄くしていくしかないが、磁気センサ
ー膜の膜厚を薄くするにも限界がある。そこで、この様
な問題を解決するものとして、磁気センサー膜の膜面に
垂直に電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｅｒｐｅ
ｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ ｔｈｅ ｐｌａｎｅ）方式の
採用が検討されているので、この様なＣＰＰ方式のリー
ドヘッドの一例を図９を参照して説明する。
【００１０】図９参照 図９は、従来のＣＰＰ方式リードヘッドの要部断面図で
あり、コンタクトホール近傍を強調して図示したもので
ある。図から明らかなように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板
４１上にＮｉＦｅ下部電極４２を設け、このＮｉＦｅ下
部電極４２に対してコンタクトホール４４を有するＳｉ
Ｏ2 膜４３を介してリフトオフ法を用いてＣｏＦｅとＣ
ｕとを交互に１０層積層させた人工格子膜４５を接合
し、その上にＮｉＦｅ上部電極４６を設けたものであ
る。なお、図示を省略しているが、ＮｉＦｅ上部電極４
６及びＮｉＦｅ下部電極４２と人工格子膜４５との間の
磁気結合を切るために、人工格子膜４５との間に薄いＣ
ｕ膜を介在させている。
【００１１】このＣＰＰ方式リードヘッドにおいては、
矢印で示すように人工格子膜４５の膜面に垂直方向に電
流を流すもので、従来のＣＩＰ方式リードヘッドに比べ
てより大きな磁気抵抗変化が得られることが知られてお
り、且つ、構造的に上下のリードギャップ層が不要にな
る。
【００１２】したがって、上下の電極層をＮｉＦｅ等の
軟磁性体で構成して磁気シールド層として兼用すること
によって、 磁気センサー膜厚≒上下磁気シールド層の間隔 となり、上下磁気シールド層の間隔を大幅に小さくする
ことができる。なお、実際には、ＮｉＦｅ下部電極４２
及びＮｉＦｅ上部電極４６は、夫々、端子を形成するた
めに、所定の形状にパターニングされている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様なＣＰ
Ｐ構造は長所の多い構造であるが、作製が難しいという
問題があり、構造や加工方法に関しては未解決な部分が
多いという問題がある。特に、上部電極のコンタクト方
法には微細化やそれに伴う位置合わせ精度上の問題があ
る。
【００１４】また、ＳｉＯ2 膜４３にコンタクトホール
４４を形成する工程において、コンタクトホール４４の
底面には凹凸が発生しやすく、この凹凸が大きいと、こ
の上に成膜する人工格子膜４５の層構造が乱れて要求さ
れる巨大磁気抵抗効果が得られなくなるという問題があ
る。
【００１５】このような凹凸に関しては、コンタクトホ
ール４４を大きくすれば解決することができるが、ハー
ドディスクドライブの記録密度を高くするためには、コ
ンタクトホールを小さくする必要があり、その結果、コ
ンタクトホール４４のアスペクト比が大きくなるので、
イオン入射角は９０°近傍に限定され、底面の凹凸の制
御が困難になり、それによって、所望の巨大磁気抵抗効
果特性が得られないという問題がある。
【００１６】したがって、本発明は、ＣＰＰ方式リード
ヘッドをコンタクトホールの形成工程を伴うことなく作
製することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１は、
ＣＣＰ方式リードヘッドの要部断面図である。 図１参照 上述の目的を達成するために、本発明は、磁気センサー
膜３に磁気センサー膜３の堆積方向に電流を流す磁気記
録読取装置において、磁気センサー膜３を上部電極５と
下部電極２の間に挟持するとともに、磁気センサー膜３
の周囲の少なくとも一部を、少なくとも磁区制御膜を含
む平坦化膜６で埋め込んだことを特徴とする。
【００１８】この様に、少なくとも磁区制御膜を含む平
坦化膜６を利用して磁気センサー膜３の周囲の少なくと
も一部を埋め込んで平坦化することによって、磁気セン
サー膜３と上部電極５との微小コンタクトをエッチング
レス及びリフトオフレスで取ることができ、位置合わせ
精度が不要になるので、微細化が可能になる。
【００１９】また、平坦化工程におけるマージンを高め
るためには、磁気センサー膜３の上に、磁気センサー膜
３の膜厚の１／２倍以上の膜厚で、保護膜４、特に、軟
磁性体からなる保護膜４を設けることが望ましい。
【００２０】また、少なくとも磁区制御膜を含む平坦化
膜６は全体をフェライト等の絶縁性の磁性膜で構成して
も良いし、或いは、ＣｏＣｒＰｔ等の導電性を有する磁
区制御膜と、ＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 等の非磁性絶縁
膜の積層構造で構成しても良いものである。
【００２１】また、磁気センサー膜３としては、巨大磁
気抵抗効果の期待できる、スピンバルブ膜、トンネル磁
気抵抗効果（ＴＭＲ）膜、或いは、人工格子膜のいずれ
かが望ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】ここで、図２乃至図６を参照し
て、本発明の第１の実施の形態のＣＣＰ方式リードヘッ
ドの製造工程を説明する。なお、図２（ａ）乃至図５
（ｈ）における左図は平面図であり、右図は左図におけ
るＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり、ま
た、図６（ｉ）における左上図は平面図であり、右上図
は左図におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図
であり、左下図は左上図におけるＢ−Ｂ′を結ぶ一点鎖
線に沿った断面図であり、また、右下図は左上図におけ
るＣ−Ｃ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。
【００２３】図２（ａ）参照 まず、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板１１上に、スパッタ法を
用いて、例えば、Ｎｉ 80Ｆｅ20組成で、厚さが、０．２
〜１．０μｍ、例えば、０．５μｍの下部磁気シールド
層を兼ねるＮｉＦｅ下部電極１２、スピンバルブ膜１
３、及び、例えば、Ｎｉ80Ｆｅ20組成で、厚さが、例え
ば、４０ｎｍのＮｉＦｅ保護膜１４を順次堆積させる。
なお、この場合、ＮｉＦｅ保護膜１４の膜厚は、後述す
る２度のＣＭＰ工程においてスピンバルブ膜１３を保護
するために、スピンバルブ膜１３の膜厚の１／２以上に
することが望ましい。
【００２４】また、この場合のスピンバルブ膜１３は、
例えば、８０〔Ｏｅ〕の磁界を印加しながらスパッタリ
ング法を用いて、下地層となる厚さが、例えば、５０Å
のＴａ層を形成したのち、厚さが、例えば、４０ÅのＮ
ｉＦｅ層、及び、厚さが、例えば、２５ÅのＣｏＦｅ層
の２層構造からなるフリー層、厚さが、例えば、２５Å
のＣｕ層からなる中間層、厚さが、例えば、２５ÅのＣ
ｏＦｅ層からなるピンド層、及び、厚さが２０〜３００
Å、例えば、２５０ÅのＰｄＰｔＭｎ膜からなる反強磁
性層を順次積層させて形成する。なお、この場合のＮｉ
Ｆｅの組成は、例えば、Ｎｉ81Ｆｅ19であり、ＣｏＦｅ
の組成は、例えば、Ｃｏ90Ｆｅ10であり、また、ＰｄＰ
ｔＭｎの組成は、例えば、Ｐｄ31Ｐｔ17Ｍｎ52である。
【００２５】図２（ｂ）参照 次いで、全面にレジストを塗布し、露光・現像すること
によって、幅Ｗが２〜６μｍ、例えば、Ｗ＝４μｍの開
口部を、間隔ｄが、０．１〜０．５μｍ、例えば、ｄ＝
０．３μｍとなるように配置したレジストパターン１５
を形成し、このレジストパターン１５をマスクとしてＡ
ｒイオンを用いたイオンミリングを施すことによって、
開口部に露出するＮｉＦｅ保護膜１４及びスピンバルブ
膜１３を除去して除去部１６を形成する。
【００２６】図３（ｃ）参照 次いで、再び、スパッタ法を用いて全面に、厚さが、
０．２〜１．０μｍ、例えば、０．３μｍの磁区制御膜
となるフェライト膜１７を堆積させる。
【００２７】図３（ｄ）参照 次いで、ＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いることによっ
て、ＮｉＦｅ保護膜１４が露出するまでフェライト膜１
７を研磨して全体を平坦化し、除去部１６をフェライト
からなる平坦化磁区制御膜１８で埋め込む。なお、この
ＣＭＰ工程において、多少過剰に研磨してもスピンバル
ブ膜１３上にＮｉＦｅ保護膜１４を設けているので、ス
ピンバルブ膜１３が研磨されることがない。
【００２８】図４（ｅ）参照 次いで、再び、全面にレジストを塗布し、露光・現像す
ることによって、幅ｗ１〜５μｍ、例えば、ｗ＝３μｍ
で、両側の平坦化磁区制御膜１８にかかる矩形状のレジ
ストパターン１９を形成する。
【００２９】図４（ｆ）参照 次いで、レジストパターン１９をマスクとしてＡｒイオ
ンを用いたイオンミリングを施すことによって、露出す
るＮｉＦｅ保護膜１４、スピンバルブ膜１３、及び、平
坦化磁区制御膜１８を除去する。
【００３０】図５（ｇ）参照 次いで、再び、スパッタリング法を用いて全面に厚さ
が、例えば、０．２〜１．０μｍ、例えば、０．３μｍ
のＳｉＯ2 膜２０を堆積させる。
【００３１】図５（ｈ）参照 次いで、再び、ＣＭＰ法を用いることによって、ＮｉＦ
ｅ保護膜１４が露出するまでフェライト膜１７を研磨し
て全体を平坦化し、エッチング部をＳｉＯ2 からなる平
坦化埋込層２１で埋め込む。なお、このＣＭＰ工程にお
いても、多少過剰に研磨してもスピンバルブ膜１３上に
ＮｉＦｅ保護膜１４を設けているので、スピンバルブ膜
１３が研磨されることがない。
【００３２】図６（ｉ）参照 最後に、再び、スパッタ法を用いて、全面に、例えば、
Ｎｉ80Ｆｅ20組成で、厚さが、０．２〜０．８μｍ、例
えば、０．３μｍの上部磁気シールド層を兼ねるＮｉＦ
ｅ上部電極２２を堆積させることによって、ＣＣＰ方式
リードヘッドの基本構造が完成する。
【００３３】なお、上部電極及び下部電極として軟磁性
体であるＮｉＦｅを用いており、スピンバルブ膜１３と
磁気的に結合してしまうので、図示は省略しているもの
の、下部電極とスピンバルブ膜との間、保護膜と上部電
極の間、或いはスピンバルブ膜と保護膜との間に、磁気
的結合を切るために薄いＣｕやＴａ等の非磁性金属層を
介在させる必要がある。但し、下部電極とスピンバルブ
膜との間には下地層となるＴａ膜が存在しているので、
必ずしも、非磁性金属層を設ける必要はない。また、実
機を構成する場合には、ＮｉＦｅ下部電極１２及びＮｉ
Ｆｅ上部電極２２を端子形状にパターニングする必要が
ある。
【００３４】この本発明の第１の実施の形態において
は、ＣＭＰ法を用いることによって、絶縁性磁性膜であ
るフェライトからなる磁区制御膜を利用してスピンバル
ブ膜１３を平坦に埋め込んでいるので、コンタクトホー
ル形成工程及びリフトオフ工程を必要とすることなく、
且つ、非磁性絶縁膜を介在させることなくスピンバルブ
膜１３とＮｉＦｅ上部電極２２とのコンタクトを取るこ
とができ、位置合わせ精度を必要としないので微細化が
可能になる。
【００３５】また、スピンバルブ膜１３の上にスピンバ
ルブ膜１３の膜厚の１／２以上の膜厚のＮｉＦｅ保護膜
１４を設けているので、２度のＣＭＰ工程において、ス
ピンバルブ膜１３が研磨損傷を受けることがない。
【００３６】次に、図７を参照して、本発明の第２の実
施の形態のＣＣＰ方式リードヘッドの製造工程を説明す
るが、磁区制御膜の製造工程以外は上記の第１の実施の
形態と同様であるので、磁区制御膜の製造工程のみを説
明する。 図７（ａ）参照 上述の図２（ａ）乃至図（ｂ）の工程を経ることによっ
て除去部を形成したのち、スパッタ法を用いて、全面
に、厚さが２００〜５００Å、例えば、３００ÅのＣｏ
ＣｒＰｔ膜２３、及び、厚さが０．１〜０．５μｍ、例
えば、０．２μｍのＳｉＯ2 膜２４を順次堆積させる。
なお、この場合のＣｏＣｒＰｔ膜２３の組成は、例え
ば、Ｃｏ78Ｃｒ10Ｐｔ12である。
【００３７】図７（ｂ）参照 次いで、再び、ＣＭＰ法を用いることによって、ＮｉＦ
ｅ保護膜１４が露出するまでＳｉＯ2 膜２４及びＣｏＣ
ｒＰｔ膜２３を研磨して全体を平坦化し、エッチング部
をＳｉＯ2 からなる平坦化絶縁膜２６で埋め込むととも
に、スピンバルブ膜１３の側面をＣｏＣｒＰｔからなる
磁区制御膜２５で覆う。
【００３８】以降は、再び、上記の第１の実施の形態と
同様の工程を経ることによって、スピンバルブ膜１３の
側面が導電性の磁区制御膜と非磁性絶縁膜との２層構造
膜で埋め込んだＣＣＰ方式リードヘッドの基本構成が得
られる。
【００３９】この様に、本発明の第２の実施の形態にお
いては、従来のＣＩＰ方式リードヘッドにおける磁区制
御膜と同様にＣｏＣｒＰｔ膜を用いることができるの
で、安定な磁区制御が可能になる。
【００４０】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
の各実施の形態の説明においては、磁気センサー膜とし
てスピンバルブ膜を用いているが、スピンバルブ膜に限
られるものではなく、スピンバルブ膜と同様に巨大磁気
抵抗効果が期待できるトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）
膜或いは人工格子膜を用いても良いものである。
【００４１】トンネル磁気抵抗効果膜を用いる場合に
は、例えば、上記の実施の形態におけるＣｕ中間層をト
ンネル絶縁膜で置き換えれば良く、また、人工格子膜を
用いる場合には、ＣｏＦｅ等の強磁性膜とＣｕ等の非磁
性膜とを交互に積層すれば良く、例えば、１．１ｎｍの
Ｃｏ90Ｆｅ10膜、及び、厚さが２．１ｎｍのＣｕ膜を交
互に１０層積層させれば良い。
【００４２】また、上記の各実施の形態の説明において
は、平坦化埋込層２１をＣＭＰ法によって研磨が容易な
ＳｉＯ2 膜で構成しているが、ＳｉＯ2 膜に限られるも
のではなく、Ａｌ2 Ｏ3 等の他の絶縁膜を用いても良い
ものである。
【００４３】また、上記の第２の実施の形態の説明にお
いては、ＣｏＣｒＰｔからなる磁区制御膜を絶縁するた
めにＳｉＯ2 膜を用いているが、この場合もＳｉＯ2 膜
に限られるものではなく、Ａｌ2 Ｏ3 等の他の絶縁膜を
用いても良いものである。
【００４４】また、上記の各実施の形態の説明において
は、保護膜としてＮｉＦｅを用いているが、ＮｉＦｅに
限られるものではなく、他の軟磁性体を用いても良い
し、或いは、Ｃｕ等の非磁性導電体を用いても良いもの
であり、保護膜として非磁性導電体を用いた場合には、
磁気結合を切るために保護膜の下または上に設ける非磁
性導電体膜は不要になる。
【００４５】さらに、保護膜は必ずしも必要ではなく、
ＣＭＰ工程の精度を高めた場合には、保護膜は設けず、
スピンバルブ膜１３を形成したのち、エッチング工程を
行えば良い。
【００４６】また、上記の各実施の形態の説明において
は、上部電極、下部電極、或いは、保護膜として軟磁性
体のＮｉＦｅを用いているが、ＮｉＦｅに限られるもの
ではなく、ＦｅＮやＦｅ等の他の軟磁性体を用いても良
いものである。
【００４７】さらに、上部電極及び下部電極は軟磁性体
である必要は必ずしもなく、Ｃｕ等の非磁性良導電体を
用いても良いものであり、その場合には、上部電極及び
下部電極の外側に上部磁気シールド層及び下部磁気シー
ルド層を設ける必要があり、したがって、ギャップ長が
長くなる。
【００４８】また、上記の各実施の形態の説明において
は、基板としてＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を用い、このＡ
ｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上に直接ＮｉＦｅ下部電極を設け
ているが、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上にスパッタリング
法を用いて厚さ２μｍ程度のＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させた
のち、ＮｉＦｅ下部電極を形成するようにしても良い。
【００４９】また、上記の各実施の形態の説明において
は、ＳｉＯ2 膜を堆積させる場合、スパッタ法を用いて
いるが、スパッタ法に限られるものではなく、ステップ
カヴァレッジを考慮してＣＶＤ法を用いても良いもので
ある。
【００５０】また、上記の各実施の形態の説明において
は、磁区制御膜或いは平坦化埋込層を平坦化する際に、
ＣＭＰ法を用いているが、ＣＭＰ法に限られるものでは
なく、ラッピング法を用いても良いものであり、或い
は、エッチングバック法を用いても良いものである。
【００５１】また、本発明の各実施の形態の説明におい
ては、単独の磁気センサーとして説明しているが、本発
明は単独のリードヘッドに用いられる磁気センサーに限
られるものではなく、誘導型のライト用薄膜磁気ヘッド
と積層した複合型薄膜磁気ヘッド用の磁気センサーとし
ても適用されるものであることは言うまでもないことで
ある。
【００５２】ここで、再び、図１を参照して、本発明の
詳細な特徴を説明する。 図１参照 （付記１） 磁気センサー膜３に前記磁気センサー膜３
の堆積方向に電流を流す磁気記録読取装置において、前
記磁気センサー膜３を上部電極と下部電極２の間に挟持
するとともに、前記磁気センサー膜３の周囲の少なくと
も一部を、少なくとも磁区制御膜を含む平坦化膜６で埋
め込んだことを特徴とする磁気記録読取装置。 （付記２） 上記磁気センサー膜３上に、前記磁気セン
サー膜３の膜厚の１／２倍以上の膜厚の保護膜４を設け
たことを特徴とする付記１記載の磁気記録読取装置。 （付記３） 上記保護膜４が、軟磁性体からなることを
特徴とする付記１または２記載の磁気記録読取装置。 （付記４） 上記少なくとも磁区制御膜を含む平坦化膜
６全体を、絶縁性の磁性膜で構成することを特徴とする
付記１乃至３のいずれか１に記載の磁気記録読取装置。 （付記５） 上記絶縁性の磁性膜が、フェライトである
ことを特徴とする付記４記載の磁気記録読取装置。 （付記６） 上記少なくとも磁区制御膜を含む平坦化膜
６を、導電性を有する磁区制御膜と非磁性絶縁膜の積層
構造で構成することを特徴とする付記１乃至３のいずれ
か１に記載の磁気記録読取装置。 （付記７） 上記導電性を有する磁区制御膜がＣｏＣｒ
Ｐｔ膜からなり、且つ、非磁性絶縁膜がＳｉＯ2 膜また
はＡｌ2 Ｏ3 膜のいずれかからなることを特徴とする付
記６記載の磁気記録読取装置。 （付記８） 上記下部電極２及び上部電極５の少なくと
も一方が、軟磁性膜からなることを特徴とする付記１乃
至７のいずれか１に記載の磁気記録読取装置。 （付記９） 上記磁気センサー膜が、スピンバルブ膜、
トンネル磁気抵抗効果膜、或いは、人工格子膜のいずれ
かからなることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１
に記載の磁気記録読取装置。 （付記１０） 磁気センサー膜３に前記磁気センサー膜
３の堆積方向に電流を流す磁気記録読取装置の製造方法
において、基板１上に下部電極２、磁気センサー膜３、
及び、軟磁性体からなる保護膜４を順次積層させたの
ち、前記磁気センサー膜３及び軟磁性体からなる保護膜
４を所定形状にエッチングする工程、全面に少なくとも
磁区制御膜を含む平坦化膜６を堆積させたのち、平坦化
技術によってエッチング除去部を少なくとも磁区制御膜
を含む平坦化膜６で平坦に埋め込む工程、所定形状にエ
ッチングされた磁気センサー膜３及び軟磁性体からなる
保護膜４と少なくとも磁区制御膜を含む平坦化膜６を所
定形状にエッチングしたのち、全面に絶縁膜を堆積さ
せ、次いで、平坦化技術によってエッチング除去部を前
記絶縁膜で平坦に埋め込む工程、全面に上部電極５を堆
積させて、上部電極５と保護膜４をコンタクトさせる工
程を有することを特徴とする磁気記録読取装置の製造方
法。 （付記１１） 上記平坦化技術が、化学機械研磨法、ラ
ッピング法、或いは、エッチングバック法のいずれかで
あることを特徴とする付記１０記載の磁気記録読取装置
の製造方法。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＰＰ方式リードヘッ
ドを構成する際に、磁区制御膜を用いて磁気センサー膜
を平坦に埋め込んでいるので、コンタクトホール形成工
程及びリフトオフ工程を必要とすることなく、磁気セン
サー膜と上部電極とのコンタクトを取ることができ、そ
れによって、微細化が可能になるので、高記録密度のＨ
ＤＤ装置の実現・普及に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のＣＰＰ方式リード
ヘッドの途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降のＣＰＰ
方式リードヘッドの途中までの製造工程の説明図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施の形態の図３以降のＣＰＰ
方式リードヘッドの途中までの製造工程の説明図であ
る。
【図５】本発明の第１の実施の形態のＣＰＰ方式リード
ヘッドの図４以降の途中までの製造工程の説明図であ
る。
【図６】本発明の第１の実施の形態のＣＰＰ方式リード
ヘッドの図５以降の製造工程の説明図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態のＣＰＰ方式リード
ヘッドの製造工程の説明図である。
【図８】従来のＣＩＰ方式リードヘッドの要部断面図で
ある。
【図９】従来のＣＰＰ方式リードヘッドの要部断面図で
ある。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 下部電極 ３ 磁気センサー膜 ４ 保護膜 ５ 上部電極 ６ 少なくとも磁区制御膜を含む平坦化膜 １１ Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板 １２ ＮｉＦｅ下部電極 １３ スピンバルブ膜 １４ ＮｉＦｅ保護膜 １５ レジストパターン １６ 除去部 １７ フェライト膜 １８ 平坦化磁区制御膜 １９ レジストパターン ２０ ＳｉＯ2 膜 ２１ 平坦化埋込層 ２２ ＮｉＦｅ上部電極 ２３ ＣｏＣｒＰｔ膜 ２４ ＳｉＯ2 膜 ２５ 磁区制御膜 ２６ 平坦化絶縁膜 ３１ Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板 ３２ Ａｌ2 Ｏ3 膜 ３３ 下部磁気シールド層 ３４ 下部リードギャップ層 ３５ スピンバルブ膜 ３６ 磁区制御膜 ３７ リード電極 ３８ 上部リードギャップ層 ３９ 上部磁気シールド層 ４１ Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板 ４２ ＮｉＦｅ下部電極 ４３ ＳｉＯ2 膜 ４４ コンタクトホール ４５ 人工格子膜 ４６ ＮｉＦｅ上部電極

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気センサー膜に前記磁気センサー膜の
    堆積方向に電流を流す磁気記録読取装置において、前記
    磁気センサー膜を上部電極と下部電極の間に挟持すると
    ともに、前記磁気センサー膜の周囲の少なくとも一部
    を、少なくとも磁区制御膜を含む平坦化膜で埋め込んだ
    ことを特徴とする磁気記録読取装置。
  2. 【請求項２】 上記磁気センサー膜上に、前記磁気セン
    サー膜の膜厚の１／２倍以上の膜厚の保護膜を設けたこ
    とを特徴とする請求項１記載の磁気記録読取装置。
  3. 【請求項３】 上記少なくとも磁区制御膜を含む平坦化
    膜全体を、絶縁性の磁性膜で構成することを特徴とする
    請求項１または２に記載の磁気記録読取装置。
  4. 【請求項４】 上記少なくとも磁区制御膜を含む平坦化
    膜を、導電性を有する磁区制御膜と非磁性絶縁膜の積層
    構造で構成することを特徴とする請求項１または２に記
    載の磁気記録読取装置。
  5. 【請求項５】 磁気センサー膜に前記磁気センサー膜の
    堆積方向に電流を流す磁気記録読取装置の製造方法にお
    いて、基板上に下部電極、磁気センサー膜、及び、軟磁
    性体からなる保護膜を順次積層させたのち、前記磁気セ
    ンサー膜及び軟磁性体からなる保護膜を所定形状にエッ
    チングする工程、全面に少なくとも磁区制御膜を含む平
    坦化膜を堆積させたのち、平坦化技術によってエッチン
    グ除去部を少なくとも磁区制御膜を含む平坦化膜で平坦
    に埋め込む工程、所定形状にエッチングされた磁気セン
    サー膜及び軟磁性体からなる保護膜と少なくとも磁区制
    御膜を含む平坦化膜を所定形状にエッチングしたのち、
    全面に絶縁膜を堆積させ、次いで、平坦化技術によって
    エッチング除去部を前記絶縁膜で平坦に埋め込む工程、
    全面に上部電極を堆積させて、上部電極と軟磁性体から
    なる保護膜をコンタクトさせる工程を有することを特徴
    とする磁気記録読取装置の製造方法。
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