JPH11167704A

JPH11167704A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH11167704A
Application number: JP33300197A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Terui; 聡照井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-12-03
Filing date: 1997-12-03
Publication date: 1999-06-22

Abstract

(57)【要約】【課題】上層磁気コアが第１の磁性膜と第２の磁性膜
によって構成される薄膜磁気ヘッドを製造するに際し
て、第１の磁性膜をイオンミーリング法によるエッチン
グするに当たり、第１の磁性膜のエッチング物の第２の
磁性膜側面に付着するのを防止し、所定のトラック幅を
有する薄膜磁気ヘッドを製造する。【解決手段】コア形状にパターニングされた第２の磁
性膜をマスクとして、イオンミーリング法によって第１
の磁性膜をパターニングするに際して、第２の磁性膜の
トラック幅方向の一端縁をレジストで覆い、第２の磁性
膜の反対側の端縁に向かってイオンビームを斜めに照射
してこの部分の第１の磁性膜をエッチングした後、上記
レジストを除去した後、これとは反対に上記第２の磁性
膜のトラック幅方向の他端縁をレジストで覆い、第２の
磁性膜の反対側の端縁に向かってイオンビームを斜めに
照射して残りの第１の磁性膜をエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、上層磁気コアの磁
気ギャップ側に高飽和磁束密度材料が配された薄膜磁気
ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に薄膜磁気ヘッドは、磁性膜、絶縁
膜等の薄膜層が多層に積層されて構成される。これらの
薄膜層は、めっき法や、スパッタ法等の真空薄膜形成技
術によって形成されるため狭トラック化や狭ギャップ化
等の微細寸法化が容易である。このため、上記薄膜磁気
ヘッドは、高密度記録化に対応する磁気ヘッドとして注
目されている。

【０００３】このような薄膜磁気ヘッドとしては、電磁
誘導現象を利用した磁気ヘッド（インダクティブヘッ
ド）と、磁気抵抗効果現象を利用した磁気ヘッド（ＭＲ
ヘッド）が知られている。

【０００４】インダクティブヘッドは、記録用、再生用
の両方で使われる磁気ヘッドであり、酸化物磁性材料等
よりなる基板上に、軟磁性薄膜よりなる下層磁気コアと
上層磁気コアが形成され、この下層磁気コアと上層磁気
コアの間にスパイラル状の導体コイル層が形成されて構
成される。

【０００５】また、ＭＲヘッドは、再生専用で用いられ
る磁気ヘッドであり、基板上に上層シールド磁性体と下
層シールド磁性体が形成され、この上層シールド磁性体
と下層シールド磁性体の間に、磁気抵抗効果を有する磁
性薄膜よりなる磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称
する）と、このＭＲ素子に所要の向きの磁化状態を与え
るバイアス導体とが挟み込まれて構成される。

【０００６】また、例えばハードディスクドライブにお
いては、上記インダクディブヘッドを記録用ヘッドと
し、ＭＲヘッドを再生ヘッドとして組み合わせた複合型
磁気ヘッドが使用されている。

【０００７】この複合型磁気ヘッドが用いられるハード
ディスクシステムにおいては、さらなる高記録密度化が
要求され、磁気ディスクとしては高保磁力を有するもの
が用いられるようになっている。また、記録用に用いら
れるインダクティブヘッドに対しては、このような保磁
力の高い磁気ディスクに対して良好な情報記録が行える
ように、高い飽和磁束密度を有することが求められてい
る。

【０００８】ここで、上述のようなインダクティブヘッ
ドでは、上層磁気コア及び下層磁気コアにはＮｉ−Ｆｅ
（パーマロイ）合金メッキ膜等が一般に使用されるが、
Ｎｉ−Ｆｅ合金は軟磁性には優れるものの、飽和磁束密
度については十分であるとは言えない。

【０００９】そこで、インダクティブヘッドにおいて
は、高密度記録に対応するために上層磁気コアの磁気ギ
ャップ近傍にＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス材料等の高
飽和磁束密度材料を配した構成が提案されている。

【００１０】ところで、例えばＮｉ−Ｆｅ合金磁性材は
めっき法によって成膜されるが、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモ
ルファス材料のような高飽和磁束密度材はスパッタ法に
よって成膜されるのが一般的である。したがって、この
ような２種類の磁性薄膜を用いる上層磁気コアはこれま
で次のようにして形成されている。

【００１１】すなわち、基板上に下層磁気コア、平坦化
膜、導体コイル、平坦化膜を順次形成した後、この上に
上層磁気コアを形成する。

【００１２】上層磁気コアを形成するには、スパッタ法
によって高飽和磁束密度材よりなる第１の磁性膜を全面
形成し、その上にフレームめっき法と湿式エッチング法
を用いて上層磁気コア形状にパターニングされた第２の
磁性膜を形成する。図１７（ａ）に第１の磁性膜３１上
にパターニングされた第２の磁性膜３２の平面形状を、
図１７（ｂ）に第２の磁性膜３２を磁気記録媒体対向面
側から見た正面図をそれぞれ示す。

【００１３】そして、このように第２の磁性膜３２が形
成された基板を回転させながら、第１の磁性膜３１をイ
オンミーリング法によってエッチングする。イオンミー
リング法は、イオンビームの照射によってエッチングを
行うものであり、この場合、イオンビームを照射する
と、第２の磁性膜３２がエッチングマスクとなり、この
第２の磁性膜３２が形成されていない領域の第１の磁性
膜３１がエッチング除去される。その結果、第２の磁性
膜３２が第１の磁性膜３１に対応する平面形状にパター
ニングされ、第１の磁性膜３１と第２の磁性膜３２より
なる上層磁気コアが形成される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
て上層磁気コアを形成した場合、第１の磁性膜をイオン
ミーリング法によってエッチングする際に、エッチング
除去された第１の磁性膜のエッチング物が、コア形状に
パターニングされた第１磁性膜の端縁に再付着してしま
う。このエッチング物の再付着は、特にイオンビームを
照射している側と反対側の第２の磁性膜の端縁で著し
い。

【００１５】そして、図１８に示すように、エッチング
物３３がトラック幅Ｔｗを規制するフロントギャップ部
で多く生じた場合、所定のトラック幅Ｔｗが得られなく
なり、安定な特性で薄膜磁気ヘッドが得られなくなる。

【００１６】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、第２の磁性膜をマスクと
して、第１の磁性膜をイオンミーリング法によってエッ
チングするに際して、エッチング物の第２の磁性膜端縁
への付着が防止される薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下層磁気
コア、導体コイル及び絶縁層が形成された基板上に第１
の磁性膜と第２の磁性膜を順次積層形成し、上記第２の
磁性膜を磁気ギャップ部が所定のトラック幅となるよう
にパターニングする工程と、上記第２の磁性膜のトラッ
ク幅方向の一端縁をレジストで覆い、第２の磁性膜の反
対側の端縁に向かってイオンビームを斜めに照射してこ
の部分の第１の磁性膜をエッチングする工程と、上記レ
ジストを除去した後、これとは反対に上記第２の磁性膜
のトラック幅方向の他端縁をレジストで覆い、第２の磁
性膜の反対側の端縁に向かってイオンビームを斜めに照
射して残りの第１の磁性膜をエッチングして第１の磁性
膜をパターニングする工程と、を有することを特徴とす
るものである。

【００１８】第２の磁性膜のトラック幅方向の一端縁を
レジストで覆い、第２の磁性膜の反対側の端縁に向かっ
てイオンビームを斜めに照射してこの部分の第１の磁性
膜をエッチングすると、この部分の第１の磁性膜が第２
の磁性膜に対応した平面形状にエッチングされる。この
とき発生する第１の磁性膜のエッチング物は、イオンビ
ームを照射している側とは反対側で付着を生じやすい
が、この反対側の第２の磁性膜の端縁はレジストで覆わ
れているので、この端縁へのエッチング物の付着が防止
される。

【００１９】また、この後、これとは反対に上記第２の
磁性膜のトラック幅方向の他端縁をレジストで覆い、第
２の磁性膜の反対側の端縁に向かってイオンビームを斜
めに照射して残りの第１の磁性膜をエッチングすると、
第１の磁性膜が第２の磁性膜の平面形状に対応した形状
にパターニングされる。

【００２０】このときも第１の磁性膜のエッチング物
は、イオンビームを照射している側とは反対側で付着を
生じやすいが、この反対側の第２の磁性膜の端縁はレジ
ストで覆われているので、この端縁へのエッチング物の
付着が防止される。

【００２１】したがって、エッチング物によってトラッ
ク幅を変動させることなく２層構成の上層磁気コアが形
成され、特性の安定な薄膜磁気ヘッドが製造される。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について説明する。

【００２３】この薄膜磁気ヘッドは、図１に示すよう
に、磁気記録媒体対向面Ａに再生用磁気ギャップｇ₁を
臨ませる磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称
する）１と、この磁気記録媒体対向面Ａに記録用磁気ギ
ャップｇ₂を臨ませるインダクティブヘッド２を、非磁
性基板２５上に積層した、複合型磁気ヘッドとされてい
る。

【００２４】上記ＭＲヘッド１は、センス電流がトラッ
ク幅方向と直交する方向に流れる、いわゆる縦型のＭＲ
ヘッドである。このＭＲヘッド１は、上記基板２５上に
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等よりなり絶縁層２６を介して形成
された下層シールド磁性体３と上層シールド磁性体４と
の間に、ＭＲ素子５及びバイアス導体６が挟み込まれて
なるものであり、磁気記録媒体対向面ＡにＭＲ素子５の
一端が露出されることによって再生ギャップｇ₁が形成
されるようになっている。

【００２５】上記ＭＲ素子５は、長方形パターンとして
形成され、その長手方向が上記磁気記録媒体対向面Ａに
対する直交方向となるように設けられるとともにその一
端縁が上記磁気記録媒体対向面Ａに臨むようになってい
る。

【００２６】このＭＲ素子５には、先端部と後端部にそ
れぞれ図示しない定電流源からのセンス電流を通ずるた
めの一対の電極７ａ，７ｂが積層されている。

【００２７】上記バイアス導体６は、平面長方形状の細
長い配線パターンとして形成され、上記ＭＲ素子５上に
絶縁層８を介して所定の距離を隔てて積層されている。

【００２８】また、このバイアス導体６は、上記ＭＲ素
子５に対して略直交する方向、つまりＭＲ素子５を横切
る形で設けられている。そして、このバイアス導体６の
両端部は、直流電源からのバイアス電流を通電するため
の端子部とされている。したがって、この端子部より供
給される直流電流は、配線パターンの長手方向であるト
ラック幅方向に流れる。これにより、磁気記録媒体対向
面Ａと直交する方向にバイアス磁界が上記ＭＲ素子５に
印加される。

【００２９】そして、上記ＭＲヘッド１においては、上
記ＭＲ素子５を絶縁層８，９，１０を介してパーマロイ
等の軟磁性体からなる下層シールド磁性体３と上層シー
ルド磁性体４とで挟み込んだ、いわゆるシールド型構成
となっている。

【００３０】一方、インダクティブヘッド２は、図１に
示すように上層シールド磁性体４を閉磁路を構成する他
方の磁気コア（下層磁気コア）とし、この上層シールド
磁性体４に対向して積層される上層磁気コア１１とによ
って上記磁気記録媒体対向面Ａ側にフロントギャップ部
２ａが構成され、このフロントギャップ部２ａの上記磁
気記録媒体対向面Ａに臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップｇ₂が形成されている。このインダクティブ
ヘッド２においては上記フロントギャップ部２ａでの上
層磁気コア１１の幅によって記録用磁気ギャップｇ₂の
トラック幅が規制される。また、上記上層シールド磁性
体４と上層磁気コア１１とは後端部で磁気的に接触して
バックギャップ２ｂを構成するようになっている。

【００３１】そして、上記上層シールド磁性体４と上層
磁気コア１１との間には、上記上層シールド磁性体４上
に第１の平坦化膜１２、第２の平坦化膜１３を介して導
体コイル１４が形成されている。この導体コイル１４
は、上記バックギャップ２ｂを取り囲むようにしてスパ
イラル状に設けられている。また、この導体コイル１４
上には、第３の平坦化膜１５と第４の平坦化膜１６が形
成され、前記第４の平坦化膜１６上に上層磁気コア１１
が形成されている。第１の平坦化膜１２〜第４の平坦化
膜１６はレジスト等の絶縁材料よりなり、このうち第１
の平坦化膜１２の厚さによって記録用磁気ギャップｇ₂
のギャップ幅が規制される。また、第２の平坦化膜１３
〜第４の平坦化膜１６は、フロントギャップ部２ａを除
いた部分に設けられ、上層シールド磁性体４と導体コイ
ル１４との絶縁と、導体コイル１４と上層磁気コア１１
との絶縁を図るとともに表面を平坦化することによっ
て、その上に導体コイル１４や上層磁気コア１１を正確
な形状で形成するために設けられる。

【００３２】また、ここでは、特に上記上層磁気コア１
１は、第１の磁性膜１７と第２の磁性膜１８の２層の磁
性膜によって構成されている。

【００３３】上記第１の磁性膜１７には、第２の磁性膜
よりも飽和磁束密度の高い磁性材料、例えばＣｏ−Ｚｒ
−Ｎｂアモルファス磁性材料が用いられる。また、第２
の磁性膜１８は、例えばＮｉ−Ｆｅ合金のような軟磁性
材料によって構成される。

【００３４】以上が複合型磁気ヘッドの構成であり、こ
のような複合型磁気ヘッドは次のようにして製造され
る。

【００３５】まず、非磁性基板２５上に形成された絶縁
層２６上に、下層シールド磁性体３を形成し、この上に
ＭＲ素子５、バイアス導体６、上層シールド磁性体４を
絶縁層８，９，１０を介して形成し、ＭＲヘッド１を作
製する。

【００３６】そして、図２に示すように、上記上層シー
ルド磁性体４上に、第１の平坦化膜１２、第２の平坦化
膜１３を形成する。これら第１の平坦化膜１２、第２の
平坦化膜１３は、例えば有機高分子材料を塗布、真空キ
ュア炉にてキュアリングすることによって形成される。

【００３７】次に、図３に示すように、第２の平坦化膜
１３上に、スパッタリング法によって例えばＣｒ膜とＣ
ｕ膜よりなるめっき下地膜１９を成膜し、このめっき下
地膜１９上にフォトレジストを塗布し、所定のパターン
のマスクを重ねた状態でレジストを光硬化させること
で、導体コイル１４のパターンに対して反転パターンの
レジストマスクを形成する。そして、このレジストマス
クから露出しているめっき下地膜１９上に、電解めっき
法によってＣｕ等を析出させ、図４に示すようにスパイ
ラル状の導体コイル１４を形成する。この後、有機溶剤
によってレジストマスクを除去し、図５に示すようにこ
のレジストマスクの下側から露出した不要なめっき下地
膜１９をイオンミリング法によってエッチング除去す
る。

【００３８】続いて、図６に示すように、このようにし
て形成された導体コイル１４の配線間を埋めるようにレ
ジストを塗布し、真空キュア炉にてキュアリングするこ
とによって第３の平坦化膜１５を形成し、図７に示すよ
うにこの第３の平坦化膜１５上にさらにレジストを塗布
し、真空キュア炉によってキュアリングすることによっ
て第４の平坦化膜１６を形成する。

【００３９】そして、上記第４の平坦化膜１６上に第１
の磁性膜１７と第２の磁性膜１８よりなる上層磁気コア
１１を形成する。

【００４０】上層磁気コア１１を形成するには、図８に
示すように、まずスパッタリング法によって高飽和磁束
密度材よりなる第１の磁性膜１７を成膜し、この上にス
パッタリング法によって、Ｎｉ−Ｆｅメッキ下地膜ある
いはＴｉ膜とＮｉ−Ｆｅ膜よりなるメッキ下地膜２０を
成膜する。なお、ヘッドに高飽和磁束密度を付与するた
めに上記第１の磁性膜１７は０．３μｍ以上の厚さで成
膜するのが望ましい。

【００４１】そして、上記めっき下地膜２０上にフォト
レジストを塗布し、所定のパターンのマスクを重ねた状
態でレジストを硬化させることで、図９に示すように上
層磁気コア１１の外形形状に対応しためっきフレーム２
１を形成する。そして、図１０に示すように、このめっ
きフレーム２１から露出しているめっき下地膜２０上
に、電解めっき法によってＮｉ−Ｆｅのような軟磁性材
を析出させ、第２の磁性膜１８を形成する。

【００４２】この後、図１１に示すように、有機溶剤に
よってめっきフレーム２１を除去する。そして、第２の
磁性膜１８上の上層磁気コア１１に対応する領域にレジ
ストマスクを形成し、さらに硝酸を含有するエッチング
液を用いる湿式エッチングによってレジストマスクから
露出している第２の磁性膜１８及びＮｉ−Ｆｅめっき下
地膜を溶解させて除去する。図１２（ａ）に第２の磁性
膜１８を上から見た平面図を示すが、このように上層磁
気コア１１形状に対応して第２の磁性膜１８が残存した
かたちになる。この第２の磁性膜１８を磁気記録媒体対
向面Ａ側から見た正面図を図１２（ｂ）に示す。なお、
図１２（ｂ）及び以下に示す図１３（ｂ）〜図１６
（ｂ）の正面図において第１の磁性膜１７は第２の磁性
膜１８よりも厚さが薄いものとする。

【００４３】次に、イオンミーリング法によって、第２
の磁性膜１８をマスクとして、この第２の磁性膜１８の
非成膜領域に存する第１の磁性膜１７を除去するが、そ
のままイオンミーリング法によるエッチングを行うと、
エッチング除去された第１の磁性膜１７のエッチング物
が第２の磁性膜１８端縁に再付着し、トラック幅が変動
してしまう。

【００４４】そこで、ここでは第２の磁性膜１８をカバ
ーレジストで覆いながら、第１の磁性膜１７を２段階に
分けてイオンミーリング法によってエッチングする。

【００４５】すなわち、まず図１３（ａ），（ｂ）に示
すように上記第２の磁性膜１８のトラック幅方向の一端
縁を第１のカバーレジスト２２で覆う。なお、この第１
のカバーレジスト２２は、例えばフォトレジストを塗布
し、所定のパターンで光硬化させることによって形成さ
れる。

【００４６】そして、第２の磁性膜１８の、第１のカバ
ーレジスト２２で覆われた側とは反対側の端縁に向かっ
てイオンビームを斜めに照射してこの部分の第１の磁性
膜１７をエッチングする。これにより、図１４（ａ），
（ｂ）に示すようにこの部分の第１の磁性膜１７が第２
の磁性膜１８に覆われた部分を除いて除去される。

【００４７】このとき、イオンミーリング法では、エッ
チングが行われている側とは反対側にエッチング物が付
着し易いが、この反対側の第２の磁性膜１８の端縁は第
１のカバーレジスト２２によって覆われているので、こ
の端縁へのエッチング物の付着が防止される。

【００４８】次に、図１５（ａ），（ｂ）に示すよう
に、第１のカバーレジスト２２を除去し、第１のカバー
レジスト２２で覆った側とは反対の第２の磁性膜１８の
トラック幅方向の他端縁を第２のカバーレジスト２３で
覆い、第２の磁性膜１８の反対側の端縁に向かってイオ
ンビームを斜めに照射して残りの第１の磁性膜１７をエ
ッチングし、第２のカバーレジスト２３を除去する。こ
れによって、図１６（ａ），（ｂ）に示すように第１の
磁性膜１７が、第２の磁性膜１８の平面形状に対応した
平面形状でパターニングされたかたちになる。

【００４９】このときも、イオンミーリング法では、エ
ッチングが行われている側とは反対側にエッチング物が
付着し易いが、この反対側の第２の磁性膜の端縁は第２
のカバーレジストによって覆われているので、この端縁
へのエッチング物の付着が防止される。

【００５０】したがって、以上の工程によれば、第１の
磁性膜１７のエッチング物によってトラック幅を変動さ
せることなく２層構成の上層磁気コアが形成され、特性
の安定な薄膜磁気ヘッドが製造される。

【００５１】なお、このとき、エッチング物の再付着を
十分に防止するためには、図１３（ｂ），図１５（ｂ）
に示すようにイオンミリングに用いるイオンビームを、
磁気記録媒体対向面Ａに対して略平行に入射させ、第１
の磁性膜１７表面と直交する面Ｓに対する入射角度θが
４０゜〜４５゜となるようにするのが望ましい。イオン
ビームの入射角度θが小さ過ぎるとエッチング物の再付
着が多くなるおそれがある。また、イオンビームの入射
角度θが大き過ぎると、第２の磁性膜の下側でエッチン
グが進行してしまう等の不都合が生じる。

【００５２】以上、本発明の製造方法を、複合型磁気ヘ
ッドを製造する場合を例にして説明したが、この製造方
法はインダクティブヘッドのみを製造する場合にも勿論
適用できる。この場合にも、上層磁気コア１１が高い寸
法精度で形成され、所定のトラック幅を有するインダク
ティブヘッドが製造される。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は上層磁気コアが第１の磁性膜と第２の磁性膜よりな
る薄膜磁気ヘッドの製造方法であり、コア形状にパター
ニングされた第２の磁性膜をマスクとして、イオンミー
リング法によって第１の磁性膜をパターニングするに際
して、上記第２の磁性膜のトラック幅方向の一端縁をレ
ジストで覆い、第２の磁性膜の反対側の端縁に向かって
イオンビームを斜めに照射してこの部分の第１の磁性膜
をエッチングした後、上記レジストを除去した後、これ
とは反対に上記第２の磁性膜のトラック幅方向の他端縁
をレジストで覆い、第２の磁性膜の反対側の端縁に向か
ってイオンビームを斜めに照射して残りの第１の磁性膜
をエッチングするので、第１の磁性膜のエッチング物に
よってトラック幅を変動させることなく２層構成の上層
磁気コアを形成することができる。

【００５４】したがって、本発明によれば所定のトラッ
ク幅を有する薄膜磁気ヘッドを高い歩留まりで製造する
ことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法で製造される薄膜磁気ヘッド
の一例を示す概略断面図である。

【図２】薄膜磁気ヘッドの製造方法を工程順に示すもの
であり、第１の平坦化膜、第２の平坦化膜の形成工程を
示す概略断面図である。

【図３】第１のメッキ下地膜形成工程を示す概略断面図
である。

【図４】導体コイル形成工程を示し概略断面図である。

【図５】第１のメッキ下地膜エッチング工程を示す概略
断面図である。

【図６】第３の平坦化膜形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図７】第４の平坦化膜形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図８】第１の磁性膜及び第２のメッキ下地膜形成工程
を示す概略断面図である。

【図９】めっきフレーム形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図１０】第２の磁性膜形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図１１】めっきフレーム除去工程を示す概略断面図で
ある。

【図１２】第１の磁性膜上に、コア形状にパターニング
された第２の磁性膜が形成されている様子を示し、
（ａ）は第１の磁性膜及び第２の磁性膜の平面図であ
り、（ｂ）は第１の磁性膜及び第２の磁性膜を磁気記録
媒体対向面側から見た正面図である。

【図１３】第１の磁性膜の片側をイオンミーリング法に
よってエッチングする工程を示し、（ａ）は第１の磁性
膜及び第２の磁性膜の平面図であり、（ｂ）は第１の磁
性膜及び第２の磁性膜を磁気記録媒体対向面側から見た
正面図である。

【図１４】第１の磁性膜の片側が第２の磁性膜に対応し
た平面形状にパターニングされた様子を示し、（ａ）は
平面図であり、（ｂ）は第１の磁性膜及び第２の磁性膜
を磁気記録媒体対向面側から見た正面図である。

【図１５】第１の磁性膜の反対側をイオンミーリング法
によってエッチングする工程を示し、（ａ）は第１の磁
性膜及び第２の磁性膜の平面図であり、（ｂ）は第１の
磁性膜及び第２の磁性膜を磁気記録媒体対向面側から見
た正面図である。

【図１６】第１の磁性膜が第２の磁性膜に対応した平面
形状にパターニングされた様子を示し、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は第１の磁性膜及び第２の磁性膜を磁気
記録媒体対向面側から見た正面図である。

【図１７】第１の磁性膜上に、コア形状にパターニング
された第２の磁性膜が形成されている様子を示し、
（ａ）は第１の磁性膜及び第２の磁性膜の平面図であ
り、（ｂ）は第１の磁性膜及び第２の磁性膜を磁気記録
媒体対向面側から見た正面図である。

【図１８】磁性膜の端縁にエッチング物が付着している
様子を示す正面図である。

【符号の説明】

４上層シールド磁性体（下層磁気コア）、１１上層
磁気コア、１２，１３，１５，１６平坦化膜、１７
第１の磁性膜、１８第２の磁性膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下層磁気コア、導体コイル及び絶縁層が
形成された基板上に第１の磁性膜と第２の磁性膜を順次
積層形成し、上記第２の磁性膜を磁気ギャップ部が所定
のトラック幅となるようにパターニングする工程と、上記第２の磁性膜のトラック幅方向の一端縁をレジスト
で覆い、第２の磁性膜の反対側の端縁に向かってイオン
ビームを斜めに照射してこの部分の第１の磁性膜をエッ
チングする工程と、上記レジストを除去した後、これとは反対に上記第２の
磁性膜のトラック幅方向の他端縁をレジストで覆い、第
２の磁性膜の反対側の端縁に向かってイオンビームを斜
めに照射して残りの第１の磁性膜をエッチングして第１
の磁性膜をパターニングする工程と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】第１の磁性膜の成膜方法は、スパッタ法
であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項３】第２の磁性膜の成膜方法は、めっき法で
あることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。