JPH03250414A - 薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法

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JPH03250414A
JPH03250414A JP2320503A JP32050390A JPH03250414A JP H03250414 A JPH03250414 A JP H03250414A JP 2320503 A JP2320503 A JP 2320503A JP 32050390 A JP32050390 A JP 32050390A JP H03250414 A JPH03250414 A JP H03250414A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は薄膜磁気読み書きヘッドの製造方法に関するも
ので、特に、イオンミリング整合方法を容易にするポジ
調に傾斜した上部極を利用することに関するものである
。
〈従来の技術〉 情報記録密度の増大の探求は、連続駆動情報記録技術に
関するものである。薄膜磁気読み書きヘッドは磁気記録
媒体における情報記録密度の程度を大きく増大している
。この増大は薄膜磁気ヘッドの小型化に大きく起因する
ものである。
薄膜磁気ヘッドにおいて、ギャップ領域は、薄膜ヘッド
の磁束通路を形成する２つのレッグすなわちポールピー
スの先端に形成されている。この磁束通路はパックギャ
ップ（ｖｉａ）によりギャップ領域と反対側の端部て閉
じている。導電体は２つの磁気レッグの間で薄膜の中心
を介して電流を流している。これらの導電体を通して電
流が流れると、磁束が薄膜ヘッドのコア（すなわち２つ
のポールピース）を流れる。作動中磁界かこの磁束によ
り磁気記録媒体にかけられる。磁束かギャップ領域にか
かると磁気線界がポールピースの先端から発生する。逆
に情報は、磁気領域の近くの磁界の変化により電流か導
電体を流れるのて磁気記録媒体から再生される。
薄膜ヘッドの性能か高められた領域は上下のポールピー
スの先端の間の整合領域にある。この整合は磁気線界を
画定するので重要なものである。
磁界密度と分布はこの整合に直接関係している。
よりよいボール先端の配置を提供する技術は、下部ボー
ルか所定の幅よりも実質的に広い基板に蒸着された下部
ボールにより始められる。次に絶縁体か下部ボール上に
蒸着され完全なボール先端内のギャップ領域を形成する
。上部ボールはこの絶縁体上に蒸着される。上部ボール
は、フォトレジスト層を蒸着し、フォトレジスト層を照
射しこの層に三次元レリーフを形成する（エツチング除
去）化学反応性フォトレジストデイベロツバ−を付与す
るフォトレジスト処理により形成される。
上部ポールピースは絶縁体の上に蒸着され、確実に傾斜
した断面を有する従来のボジフォトレジストを用いて形
成される。ポジ調に傾斜した断面は基板に最も近い下部
内端よりも上部外端で広い断面である。このポジフォト
レジストにより形成された上部ボールはポジ調に傾斜し
た側面を有する。
保護フォトレジスト層を上部ポールに蒸着してもよい。
保護フォトレジスト層はポジ側に傾斜したポジ調を有す
るポジフォトレジストを有している。整合しないボール
先端構造はイオンミリング等の材料除去方法を用いて整
合される。イオンミリングにおいて高エネルギーイオン
か材料面に衝突しボール先端の不整合部を除去する保護
フォトレジストマスクは上部ポール、絶縁ギャップ材の
部分及び下部ボールを高エネルギーイオンから保護する
。これによりほぼ整合したボール先端構造か残される。
〈発明が解決しようとする課題〉 これらの整合方法は多くの問題点を有している。
保護フォトレジストマスク及び上部ポールは対抗する傾
斜を存している。このためリップ部かその交点に形成さ
れる。このリップにより、イオンミリング処理中に除去
材料の再蒸着領域を形成してしまう。イオンミリング中
の上部ポールの自己マスク効果により最終ボール先端幅
の正確さに限度かある。
〈課題を解決するための手段〉 本発明によると、従来可能であったより正確に整合した
上下ポールピースを有する薄膜磁気ヘッドを介して磁気
記録媒体における情報記録密度か改善される。上部ポー
ルを形成するポジフォトレジストを用いるというよりむ
しろネガフォトレジスト（内方に傾斜）を用いて上部ボ
ール断面かポジスロープを有するようにしている。これ
により保護フォトレジストマスクと上部ポールとの間に
スムーズな接合及び連続的な傾斜か提供される。
上下ボールは約１ミクロンから５ミクロンの厚さ（フィ
ルム深さ）を有している。ギャップ層の厚さは約０．１
ミクロンから１ミクロンの範囲にある。フォトレジスト
マスクの厚さは約１ミクロンから７ミクロンの範囲にあ
る。
最終ボール構造はポジフォトレジスト層を有する上部ボ
ール構造より４ミリング整合にふされしいものとなる。
フォトレジスト層と上部ポールとの間の界面に形成され
た不要なリップか形成される。ミリング処理中の再蒸着
と上部ポールの自己マスク効果は低減される。
〈実施例〉 磁気ヘッドの小型化は磁気記録媒体の情報記録密度を増
大させる要求に起因するものである。これは、製造方法
がＩＣ回路を製造する方法に似ている一体薄膜磁気ヘッ
ドに通じる。薄膜ヘッドの二次元性により高透過率及び
高飽和磁性を有する磁性膜を用いることかでき、よりよ
い性能を提供しつつヘッドの小型サイズによりトラック
密度を増加させる。さらにアレー状のヘッドを組立てる
ことによりコストの低減をはかっている。
薄膜ヘッドの製造において、デイバイスパターンかフォ
トレジスト層に潜像を用いるフォトリゾグラフ工程か用
いられる。潜像は三次元のリリーフ形状を残しつつ現像
される。このリリーフは薄膜ヘッドの適当な層材により
充填される。
多回転誘導薄膜磁気ヘッドＩＯは第１図及び第２図に示
されている。第１図は薄膜ヘッド１０の平面図であり、
第２図は側断面図である。薄膜ヘッド１０は、ニッケル
鉄合金である上下の薄膜磁気コアレッグ１２．１４を有
している。フォトリゾグラフは上下の磁気コアレッグ１
２．１４の形状を決定する。導電性コイル１６．１８は
上下の薄膜磁気コアレッグ１２．１４の間に延びて絶縁
層２０により上下の薄膜磁気コアレッグＩ２，１４と電
気的に絶縁されている。薄膜磁気ヘッドは例えばＡＡ２
０ｉ　−’ｒｉｃ等のセラミック材を有する非磁性基板
２２に蒸着されている。
薄膜ヘッド１０の製造において、いくつかの分離パター
ン転写工程かヘッド１０を基板２２に蒸着するのに用い
られる。この転写工程は、リフトオフステップ、ウェッ
ト化学エツチング及びスパッタリングを有している。典
型的なヘッド組立工程は１２以上のマスキング工程及び
蒸着、メツキ及びエツチングを有する３０以上の工程を
有している。
組立時、薄膜ヘラｌ−”　ｌ　Ｏに似たヘッドか基板２
２の前面に蒸着される。ヘラｔ”　Ｉ　Ｏの層か第１図
及び第２図に示されるように蒸着された後基板２２は多
くの独立した薄膜ヘッドにスライス（ダイス）され、そ
れぞれのヘッドは基板２２の一部に支持され上部ポール
チップ２４、下部ポールチップ２６及びギャップ２８が
露呂される。ポールチップ２４．２６及びギャップ２８
（その下の基板２２の部分）は薄膜ヘッド１０の中心に
向かってほぼ内方に包まれ所定の形状を達成する。この
ラップ工程は、上下のポールチップ２４．２６及びギャ
ップ２８の露出部がダイヤモンドスラリー等の研磨材に
適用されるグラインド工程である。電気接点（図示せず
）は導電体１６．１８に接続されている。完成ヘッドは
次にコンピュータディスク等の磁気記録媒体上の読み書
きデータに用いられるように支持固定材（図示せず）に
取付けられる。
作動において、磁気記録媒体は上下のポールチップ２４
．２６の近くに置かれる。再生動作において移動する記
録媒体の磁界の変化により上下のポールチップ２４．２
６に磁界かかけられる。この磁界は導電体１６．１８の
まわりの上下の磁気フィルムコア１２．＋４に支持され
る。この磁界により電流か誘導され、電流か電気検出回
路を用いて検出される導電体１６．１８を流れる。この
電流は移動する磁気記録媒体により発生する変化磁界を
表わす。
記録動作において電流が導電体１６．１８に流される。
電流は上下の薄膜コア１２．１４に磁界を誘発し、磁界
か上下のポールチップ２４．２６の間のギャップ２８を
横切る。上下のポールチップ２４．２６とギャップ２８
の構成により磁界の縁かポールチップ２４．２６の境界
を越えてほぼ磁気記録媒体まで延びる。この磁界の縁は
記録媒体上に磁界をかけ情報を記録する。
薄膜磁気ヘッドの製造方法は２つあり、加算法及び減算
法がある。加算法が圧倒的であり、薄膜ヘッド１０の様
々な層が基板２２に蒸着される一連の工程を有している
。達成可能な最も高いトラック密度は上下のポールチッ
プ２４．２６の整合性及びそのサイズにより大きく影響
される。典型的には磁気ポールチップは設計条件すなわ
ち再生時における解像力を上げるためより薄い極及びよ
りよい書きなおし効率のためより厚い極を考慮して約１
ミクロンから５ミクロンの極厚さを有している。ポール
チップ２４．２６の側面形状（すなわち側面の傾斜）は
、オフトラック記録特性かポールチップ２４．２６から
の磁界の側縁により大きく影響されるのて重要である。
上下のポールチップ２４．２６及びギャップ２８の形状
は読み書き時の薄膜ヘッド１０の性能に大きく影響する
。
この側縁は側縁磁界の強さによりかつ磁界の分布に対応
して側部消去帯域の形成において重要な役割を果たす。
上下のポールピース２４，２６の整合の正確さはイオン
ミリング等の材料除去工程により改善される。イオンミ
リング工程において高エネルギーイオンか薄膜ヘッド１
０の面に衝突し蒸着層の不要部を選択的に除去する。保
護マスクはポールチップ２４．２６の部分を保護する。
高エネルギーイオンは薄膜ヘッドＩＯの露出部を除去し
ギャップ２８と下部ポールチップ２６との不整合部を除
去する。
第３図は４ミリング前の従来のポールチップ形状を示し
ている。第３図において無限幅下部ポール３０（すなわ
ちほぼ最終幅よりも広い幅）は基板３２上に蒸着されて
いる。絶縁ギャップ材３４は無限幅下部ボール３０に蒸
着されている。上部ポール３６は絶縁ギャップ材３４上
に蒸着され２つのフォトレジストダム（図示せず）の間
に形成される。このフォトレジストダムはポジ調（すな
わちダムか基部で広くなっているポジ側に傾斜したプロ
フィール）を有している。フォトレジストダムのプロフ
ィールにおけるポジ側の傾斜により上部ボール３６はネ
ガ側に傾斜したプロフィールを第３図に示すように有し
ている。すなわち上部ボール３６はその上部よりも基部
（基板３２に最も近い部分）で狭くなっている。最後に
保護フォトレジスト層３８か上部ポールチップ３６に蒸
着される。ポジ調のポジフォトレジストは保護フォトレ
ジスト層３８を′形成するのに用いられ、第３図の構造
を有している。この製造工程により上記ポール３６と保
護フォトレジスト層３８との境界において両者の傾斜か
急激に変化している。上部ポール３６のプロフィールに
おけるネガ傾斜（第３図の角度α）により上部ボール３
６の各側部にデイツプ３９か形成される。このポールチ
ップ領域は第３図の矢印で示されるエネルギーイオンに
露出される。これらのイオンは面に衝突し露出層を除去
する。保護フォトレジスト層３８は上部ボール３６を覆
いイオンミリングの後にほぼ整合した上１１ポール３６
、ギャップ材３４及び下部ポール３０の構造が残る。
しかしながら第３図に示される上部ボール３６のり）プ
３９は、ポールチップ３６．３０及びギャップ材３４の
整合を制限する問題を存する。リップ３９はイオンミリ
ング中に上部ボール３６を自己マスクとして用いる。す
なわち自己マスクとは層かそれ自身のマスクとして働き
材料除去工程中にソールトされる現像である。さらにリ
ップ３９は材料除去工程に不要物か集まるシェルタ−領
域を形成する。
第４八から４Ｅ図は本発明のステップを示す。
第４Ａ図において無限幅の下部ポール４０か基板４２に
蒸着されている。絶縁キャップ層４４か下部ボール４０
に蒸着される。ネガ調のフォトし・レスト層４４は下部
ポール４０と絶縁ギャップ層４４とに蒸着される。フォ
トレジスト層４５をマスクを介して露出させることによ
り潜像か層４５の点線で示されるように形成される。こ
れはポジ調のフォトレジスｌ〜の像反転工程を用いても
達成できる。潜像は第４Ｂ図で示されるように化学的に
現像される（除去）。第４Ｂ図は絶縁ギャップ層４４上
のネガ調のフォトレジスト層４５上に形成される三次元
リリーフを示している。潜像はコア材が蒸着される２つ
のダムを形成する。第４Ｃ図はポジ調の傾斜プロフィー
ルを有する上部ボール４６を示している。上部ボール４
６は第４Ｂ図の三次元リリーフに磁気コア材を蒸着する
ことにより形成される。フォトレジスト層４５はポジ調
の傾斜上部ポール４６を残す化学エツチング材を用いて
除去される。
また像反転工程を用いて上部ボール４６を形成する場合
、ポジ調のフォトレジスト層か下部ポール４０に蒸着さ
れマスクを介して露光される。フォトレジストは充分な
照射露光のあとに焼き付けられる。ポジ調のフォトレジ
ストか現像されるとマスクされていない部分は除去され
、ネガ調の傾斜プロフィールを有する潜像の後ろに残る
。
第４Ｄ図は下部ボール４０、絶縁ギャップ層４４及び上
部ボール４６に蒸着された従来のポジ調のフォトレジス
ト層５０を示している。フォトレジスト層５０は第４Ｄ
図の点線により示された潜像を残すマスクを介して露光
される。現像後残りのレジストは高温で焼き付けられ引
き続く極のトリミング用のマスク層として働く。
第４Ｅ図はイオンミリング前の本発明によるポールチッ
プ構造を示す。保護フォトレジスト層４８が上部ポール
チップ４６に蒸着される。イオンミリング整合工程中に
ポールチップ４６．４０とギャップ４４を保護する保護
フォトレジスト層４８はポジ調フォトレジスト５０を用
いて形成されフォトレジスト４８のプロフィールの側部
はポジ調の傾斜を有する。第３図における上部ポールチ
ップ３６と第４Ｅ図における上部ポールチップ４６を比
較すると、第３図の上部ポールチップ３６の傾斜と保護
フォトレジスト層３８の傾斜の不一致とリップは第４Ｅ
図の上部のポールチップ４６と保護フォトレジスト層４
８の構造からは除去されている。事実、上部ボール４６
と保護フォトレジスト層４８の側面は第４Ｅ図に示され
るように連続傾斜壁となっている。
典型的には上下のポールチップ４０．４６は約１ミクロ
ンから５ミクロンの厚さすなわちフィルム深さを有して
いる。好ましくはギャップ材層４４は約０．１から１ミ
クロン厚さを有している。
好ましくはフォトレジストマスク層４８は約１ミクロン
から７ミクロンの厚さを有している。
第４Ｅ図の上からの矢印は上部ポールチップ４６、ギャ
ップ材４４及び下部ポールチップ４０を整合するのに用
いられる材料除去工程ぐイオンミリング）中のエネルギ
ーイオンの方向を示している。イオンミリング、反応イ
オンミリング、スパッタエツチング、化学エツチング等
かポールチップの整合に用いられる。ミリング後に、上
部ポールチップ４６に残るフォトレジスト層４８の部分
はフォトレジスト化学エツチング材により除去される。
第４Ｅ図の構造においてはミリング材か再蒸着するリッ
プ領域か形成されない。第３図の上部ポールチップ３６
に関する自己マスクの問題も上部ポールチップ４６のプ
ロフィールにおけるポジ調傾斜により第４Ｅ図では除去
されている。
本発明は特定の実施例に基いて説明されたかこれに限定
されるものではないことは明らかである。
例えば上部ポールチップと保護フォトレジスト層のプロ
フィールの斜面は必要に応し個々または一緒に変更てき
る。さらに、上部ポールチップはネガ調のフォトレジス
ト以外の材料を用いてもよくフォトレジスト層は整合工
程に有用なあらゆるタイプの保護材を用いる二とかでき
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は薄膜磁気読み書きヘッドの平面図、第２図は第
１図の薄膜ヘッドの側面図、第３図はイオンミリング工
程でポールピースを整合させる前の従来の構造を示す断
面図、及び第４Ａ図から第４Ｅ図はイオンミリング工程
でポールピースを整合させる前の本発明のポールピース
を形成するのに用いられる工程を示す断面図である。 １０・・・薄膜ヘッド、１２・・・上部コアレッグ、１
４・・・下部コアレッグ、１６．１８・・・導電性コイ
ル、２０・・・絶縁層、２２・・・基板、２４・・・上
部ポールチップ、２６・・・下部ポールチップ、２８・
・・ギャップ、３０・・・下部ボール、３２・・・基板
、３４・・・ギャップ材、３６・・・上部ボール、３８
・・・フォトレジスト層、３９・・・リップ、４０・・
・下部ボール、４２・・・基板、４４・・・ギャップ層
、４５・・・フォトレジスト層、４６・・・上部ホール
、４８・・・保護フォトレジスト、５０・・・フォトレ
ジスト層。

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板に支持された薄膜磁気ヘッドのポールチップ
    構造の製造方法であって、前記薄膜磁気ヘッドが磁気記
    録媒体に情報を読み書きするのに用いられるタイプであ
    り、前記基板に磁気下部ポールピースを蒸着し、前記磁
    気下部ポールピースに絶縁ギャップ層を蒸着し、前記絶
    縁ギャップ層に磁気上部ポールピースを蒸着し、前記磁
    気上部ポールピースがポジ調の傾斜プロフィールを有し
    、前記磁気上部ポールピース上にマスクを蒸着し、ポー
    ルチップ構造から露出された材料を除去する方法。
  2. （２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    磁気上部ポールピースを蒸着する方法において、ネガ調
    のフォトレジスト層を蒸着し、前記ネガ調のフォトレジ
    スト層を照射マスクを介して露光し、前記ネガ調のフォ
    トレジストを現像して、三次元リリーフを前記ネガ調の
    フォトレジスト層に形成し、前記ネガ調のフォトレジス
    トの前記三次元リリーフに磁気材料を蒸着し前記磁気上
    部ポールピースを形成し、化学フォトレジストエッチン
    グ材により前記ネガ調フォトレジストをエッチングする
    ことを特徴とする方法。
  3. （３）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    磁気上部ポールピースを蒸着する方法において、ポジ調
    のフォトレジスト層を蒸着し、像反転工程を実行し、三
    次元リリーフを前記ポジ調フォトレジスト層に形成し、
    前記ポジ調フォトレジストの三次元リリーフに磁気材を
    蒸着し、磁気上部ポールピースを形成し、前記三次元の
    リリーフを形成する前記ポジ調のフォトレジストを除去
    することを特徴とする方法。
  4. （４）特許請求の範囲第３項記載の方法において、前記
    像反転工程を実行するとき、前記ポジ調フォトレジスト
    を照射マスクを介して露光し、前記ポジ調フォトレジス
    トを焼き付け、前記ポジ調フォトレジストを充分露光し
    、前記ポジ調フォトレジストを現像し、前記三次元リリ
    ーフを形成することを特徴とする方法。
  5. （５）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    マスクがポジ調の傾斜プロフィールを有するポジ調フォ
    トレジストを有していることを特徴とする方法。
  6. （６）特許請求の範囲第５項記載の方法において、前記
    ポジ調のフォトレジストのポジ調の傾斜プロフィールが
    前記上部ポールピースのポジ調の傾斜プロフィールとほ
    ぼ同じであることを特徴とする方法。
  7. （７）特許請求の範囲第６項記載の方法において、前記
    ポジ調のフォトレジストと前記上部ポールピースのプロ
    フィールはほぼ整合していることを特徴とする方法。
  8. （８）特許請求の範囲第１項記載の方法において、ポー
    ルチップ構造から露出材料を除去する工程は４ミリング
    であることを特徴とする方法。
  9. （９）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前記
    磁気上部ポールピースの厚さは約１ミクロンから５ミク
    ロンであることを特徴とする方法。
  10. （１０）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記マスクの厚さは約１ミクロンから７ミクロンであるこ
    とを特徴とする方法。
  11. （１１）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記絶縁ギャップ層の厚さは約０．１ミクロンから１ミク
    ロンであることを特徴とする方法。
  12. （１２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記磁気下部ポールピースの厚さは約１ミクロンから５ミ
    クロンであることを特徴とする方法。
  13. （１３）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記マスクの厚さが約１ミクロンから７ミクロンであり、
    前記磁気下部ポールピースの厚さが約１ミクロンから５
    ミクロンの厚さであることを特徴とする方法。
  14. （１４）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記マスクの厚さが約１ミクロンから７ミクロンの厚さで
    あり、前記絶縁ギャップ層の厚さが約０．１から１ミク
    ロンの厚さであり、前記磁気下部ポールピースの厚さが
    約１ミクロンから５ミクロンであることを特徴とする方
    法。
  15. （１５）特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
    記マスクの厚さが約１ミクロンから７ミクロンの厚さで
    あり、前記絶縁ギャップ層の厚さが約０．１ミクロンか
    ら１ミクロンの厚さであり前記磁気下部ポールピースの
    厚さが約１ミクロンから５ミクロンの厚さであり前記絶
    縁ギャップ層はアルミナであり、前記磁気下部ポールピ
    ースはニッケル鉄合金であることを特徴とする方法。
  16. （１６）特許請求の範囲第１項の方法により形成された
    薄膜磁気ヘッド。
  17. （１７）磁気記録媒体に情報を読み書きするのに用いら
    れる薄膜磁気ヘッドのポールチップを製造する方法にお
    いて、磁気下部ポールピースを非磁性体の基板に蒸着し
    、絶縁ギャップ層を前記磁気下部ポールピースに蒸着し
    、前記絶縁ギャップ層に磁気上部ポールピースを蒸着す
    る工程において、前記絶縁磁気層と面接触し、第１の面
    長さを有する第１の面と、前記第１の面から距離的に離
    れて第２の面長さを有し前記第１の面長さよりも短い面
    長さを有し、前記磁気上部ポールピースのプロフィール
    がほぼ台形状である第２の面を有しており、前記上部ポ
    ールピースの前記第２の面にマスクを蒸着することを特
    徴とする方法。
  18. （１８）特許請求の範囲第１７項記載の方法において、
    前記マスクが、前記磁気上部ポールピースの前記第２の
    面と面接触し第１の面長さを有する第１の面と、前記フ
    ォトレジストマスクの前記第１の面から距離的に離れて
    前記第１の面長さよりも短い第２の面を有しており前記
    フォトレジストマスクのプロフィールがほぼ台形状であ
    ることを特徴とする方法。
  19. （１９）特許請求の範囲第１７項記載の方法において、
    前記磁気上部ポールピースの厚さは約１ミクロンから５
    ミクロンであることを特徴とする方法。
  20. （２０）特許請求の範囲第１７項記載の方法において、
    前記マスクの厚さは約１ミクロンから７ミクロンである
    ことを特徴とする方法。
  21. （２１）特許請求の範囲第１７項記載の方法において、
    前記絶縁ギャップ層の厚さは約０．１ミクロンから１ミ
    クロンであることを特徴とする方法。
  22. （２２）特許請求の範囲第１７項記載の方法において、
    前記磁気下部ポールピースの厚さは約１ミクロンから５
    ミクロンであることを特徴とする方法。
  23. （２３）特許請求の範囲第１７項記載の方法において、
    前記マスクの厚さが約１ミクロンから７ミクロンであり
    、前記磁気下部ポールピースの厚さが約１ミクロンから
    ５ミクロンの厚さであることを特徴とする方法。
  24. （２４）特許請求の範囲第１７項記載の方法において、
    前記マスクの厚さが約１ミクロンから７ミクロンの厚さ
    であり、前記絶縁ギャップ層の厚さが約０．１ミクロン
    から１ミクロンの厚さであり、前記磁気下部ポールピー
    スの厚さが約１ミクロンから５ミクロンであることを特
    徴とする方法。
  25. （２５）特許請求の範囲第１７項記載の方法において、
    前記マスクの厚さが約１ミクロンから７ミクロンの厚さ
    であり、前記絶縁ギャップ層の厚さが約０．１ミクロン
    から１ミクロンの厚さであり前記磁気下部ポールピース
    の厚さが約１ミクロンから５ミクロンの厚さであり前記
    絶縁ギャップ層はアルミナであり、前記磁気下部ポール
    ピースはニッケル鉄合金であることを特徴とする方法。
  26. （２６）特許請求の範囲第１７項記載の方法により形成
    された薄膜磁気ヘッド。
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