JP2000011320A

JP2000011320A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JP2000011320A
Application number: JP17567598A
Authority: JP
Inventors: Minoru Hasegawa; 実長谷川
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-06-23
Filing date: 1998-06-23
Publication date: 2000-01-14

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、簡単でス
ループットの良好な方法で下部磁極層に設ける凸部の幅
を上部磁極コアの幅に揃える。【解決手段】異なる２つ以上のイオンビーム源４，５
からのイオン６，７を、イオンミルマスクとなる上部磁
極３の左右両側の斜め方向から同時に入射させ、下部磁
極１をエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関し、特に、ハードディスクドライブ（ＨＤ
Ｄ）等の磁気記録装置或いは磁気テープ装置等に用いら
れる複合型薄膜磁気ヘッドを構成する誘導型の薄膜磁気
ヘッドの下部磁極に凸部を形成する際の再付着物の付着
防止方法に特徴のある薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
て用いるハードディスク装置等の小型化，大容量化によ
る需要の高まりに伴い、高密度磁気記録が可能なハード
ディスク装置等の研究開発が急速に進められているが、
この様なハードディスク装置の高密度化に伴い、記録ヘ
ッド、即ち、磁気ヘッドの高性能化が要請されており、
この様な要請に応えるものとして、再生ヘッドとしては
記録媒体の速度に依存せず、小型ディスクに対しても適
用でき、且つ、高い出力が得られるＭＲ（磁気抵抗）ヘ
ッドが注目されている。

【０００３】また、高記録密度を実現するためには、線
記録密度とトラック密度を向上させる必要があるが、そ
のためには、記録ヘッドとしては、高い周波数まで記録
でき、且つ、隣接するトラックとのクロストーク等の原
因となる記録にじみの少ないヘッドが要求されることに
なる。

【０００４】近年、この様な高性能化の要請に応えるヘ
ッドとして、ＭＲヘッドと誘導型の薄膜磁気ヘッドとを
複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが開発されており、記
録ヘッドの記録ギャップと再生ヘッドの再生ギャップを
それぞれ最適化することによって、記録特性の向上と、
再生分解能の向上を共に実現しようとしている。

【０００５】しかし、通常の複合型薄膜磁気ヘッドにお
いては、下部磁極層がＭＲヘッドの上部シールド層を兼
ねているために記録トラック幅よりも幅広く形成されて
おり、このために、記録の際に記録磁界がトラック幅方
向に広く拡がってしまい、書きにじみの原因になってい
た。

【０００６】そこで、記録磁界の拡がりを小さくするた
めに、上下の磁極の幅を揃えたヘッドが各種提案（必要
ならば、特開平２−２０８８１２号公報、特開平５−１
４３９３９号公報、特開平７−２２０２４５号公報、特
開平８−１２９７１５号公報、特開平８−１２９７２０
号公報、或いは、特開平９−１６７３１６号公報参照）
されているので、図４を参照して、この様な従来の改良
型の複合型薄膜磁気ヘッドを説明する。なお、図４
（ａ）は記録媒体に対する対向面側の断面図であり、図
４（ｂ）は図４（ａ）の一点鎖線に沿った断面図であ
り、また、図４（ｃ）は上部磁極の平面図である。

【０００７】図４（ａ）及び（ｂ）参照まず、基板３１上に、ＮｉＦｅ合金等からなる下部シー
ルド層３２を設け、Ａｌ₂Ｏ₃等のギャップスペーサ層
３３を介してＮｉＦｅ，Ｔｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造
等からなる磁気抵抗効果素子層３４を設けて所定の形状
にパターニングしたのち、磁気抵抗効果素子層３４の両
端にＡｕ等からなる導電膜を堆積させて素子電極３５を
形成する。

【０００８】次いで、再び、Ａｌ₂Ｏ₃等のギャップス
ペーサ層３６を介してＮｉＦｅ合金等からなる上部シー
ルド層を兼ねる下部磁極層３７を設け、その上にＡｌ₂
Ｏ₃等からなるギャップ層３８を設けたのち、レジスト
等の下部絶縁層３９を介して所定形状のコイル層４０を
形成し、次いで、レジスト等からなる上部絶縁膜４１で
コイル層４０を被覆し、この上部絶縁層４１を介して上
部磁極先端部４３及び上部磁極後方部４４からなる上部
磁極４２を設けることによって磁気抵抗効果素子層３４
を利用した再生用ＭＲヘッドと、記録用の誘導型の薄膜
磁気ヘッドとを複合化した複合型薄膜磁気ヘッドが得ら
れる。

【０００９】この場合、下部磁極層３７には、上部磁極
先端部４３と同じ幅を残して０．２〜１．０μｍの深さ
でエッチングすることによって凸部４５、即ち、ペデス
タルが形成されており、この凸部４５により記録磁界の
トラック幅方向の拡がりを最小限に抑えることができ、
それによって、書きにじみが防止されることになる。な
お、上部電極４２は上部磁極後方部４３の後端部におい
て下部磁極層３７と接合しており、コイル層４０は、こ
の接合部を回るように平面スパイラル状にパターニング
されている。

【００１０】図４（ｃ）参照また、この場合の上部磁極４２は、記録時におけるトラ
ック幅を決めるための幅細の上部磁極先端部４３と、よ
り多くの磁束を流すために幅方向を広く形成した上部磁
極後方部４４とからなり、両者の間はテーパ状部によっ
て接続されている。

【００１１】ここで、図５を参照して、下部磁極に凸部
を設けた従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する。図５（ａ）参照まず、図４と全く同様に、上部磁極４２まで形成したの
ち、上部磁極４２をマスクとしてＡｒイオンを照射する
ことによって露出しているメッキベース層４６を選択的
にエッチングする。なお、図においては上部磁極４２と
して上部電極先端部４３を示している。

【００１２】図５（ｂ）参照次いで、上部磁極先端部４３をマスクとしてＡｒイオン
４７を用いたイオンミーリングを施すことによってギャ
ップ層３８の露出部を除去する。なお、この場合の除去
工程は、ＲＩＥ（化学反応性イオンエッチング）によっ
て行っても良い。

【００１３】図５（ｃ）参照引き続いて、上部磁極先端部４３をマスクとしてＡｒイ
オン４８を用いたイオンミリングを施すことによって下
部磁極層３７を０．２〜１．０μｍ程度の深さまでエッ
チングすることによって凸部４５を形成する。

【００１４】この様なイオンミリング工程においては、
イオンビームは通常２〜１０°の拡がりが生じて完全に
直進していないために、上部磁極先端部４３をイオンミ
ルマスクとして下部磁極層３７をエッチングする際に、
基板３１の真上からイオンビームの照射を行うと、上部
磁極先端部４３の裾の部分が陰となって下部磁極層１１
がエッチングされにくくなるという問題が生ずる。

【００１５】そこで、この様な問題を解決するために、
イオンビームの照射を上部磁極先端部４３の側面に対し
て斜め方向から行うと共に、基板３１を回転させてエッ
チングすることによって上部磁極先端部４３の裾の部分
もエッチングすることが行われているが、この場合に、
エッチングされた下部磁極層３７からの再付着物が上部
磁極先端部４３の側面に付着し、上部磁極先端部４３と
下部磁極層３７の先端部が磁気的に短絡するという問題
があるので、この事情を図６を参照して説明する。

【００１６】図６（ａ）及び（ｂ）参照基板を回転させながらＡｒイオン４８によってイオンミ
リングを行った場合、常に、一方の側においては、下部
磁極層３７と上部磁極先端部４３の側面にＡｒイオン４
８が照射されるが、他方の側においては下部磁極像３７
にのみＡｒイオン４８が照射され、図において点線で示
す陰の部分の上部磁極先端部４３の側面にはＡｒイオン
４８は照射されないので、こちらの側の側面に下部磁極
層３７のエッチングに伴う再付着物が付着することにな
る。

【００１７】図６（ｃ）参照この様な工程を下部磁極層３７に０．２〜１．０μｍの
高さの凸部４５が形成されるまで行うと、上部磁極先端
部４３、メッキベース層４６、ギャップ層３８、及び、
凸部４３の両側の側面に再付着物層４９が形成され、上
部磁極先端部４３と下部磁極層３７の先端部が磁気的に
短絡することになる。

【００１８】この様な不所望な再付着物層の問題を解決
するために各種の方法が提案されているので、これらの
提案を図７を参照して説明する。図７（ａ）及び（ｂ）参照二つのイオンビーム源を用いて、まず、入射角θ₁が０
°＜θ₁＜６０°、より好適には、２０°＜θ₁＜４０
°、例えば、θ₁＝３０°のＡｒイオン５０を照射して
下部磁極層３７をイオンミリングすることによって凸部
４５を形成したのち、入射角θ₂が６０°＜θ₂＜８５
°、好適には、θ₂＝７５°のＡｒイオン５１を照射し
て側面に付着した再付着物層４９を除去することが提案
（必要ならば、特開平７−２６２５１９号公報及び特開
昭６４−６４２２３号公報参照）されている。

【００１９】図７（ｃ）参照或いは、入射角θ₁が０°＜θ₁＜６０°、より好適に
は、２０°＜θ₁＜４０°、例えば、θ₁＝３０°のＡ
ｒイオン５０と、入射角θ₂が６０°＜θ₂＜８５°、
好適には、θ₂＝７５°のＡｒイオン５１を同時に照射
して、側面に付着した再付着物層を逐次除去しながら凸
部４５を形成することも合わせて提案（必要ならば、同
じく、特開平７−２６２５１９号公報参照）されてい
る。

【００２０】図７（ｄ）参照さらに、入射角θ₃が４５°＜θ₃＜６５°、好適に
は、θ₃＝５５°のＡｒイオン５２のみを照射すること
によって、再付着物の付着を抑制しながら下部磁極層３
７のエッチングを行い凸部４５を形成することも合わせ
て提案（必要ならば、同じく、特開平７−２６２５１９
号公報参照）されている。この場合には、下部磁極層３
７のエッチングに伴う再付着物の付着速度よりも、上部
磁極先端部４３の側面のエッチング速度が上回ることを
利用したものである。

【００２１】この様に再付着物層を除去、乃至、再付着
物の付着を抑制することによって、磁気的な短絡の問題
を発生することなく、上部磁極先端部４３の幅と下部磁
極層３７の凸部４５の幅を揃えることができ、それによ
って、記録磁界の拡がりを最小限に抑えることができる
ので記録密度を向上することができる。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の各種の
提案においては、結果として得られる誘導型薄膜磁気ヘ
ッド部の上下磁極の幅はほぼ同じであるために、記録ヘ
ッドとしての特性は向上し、記録密度を上げることがで
きるものの、製造方法に難点があり、したがって、生産
性良く低コストで複合型薄膜磁気ヘッドを製造すること
が困難であった。

【００２３】例えば、上記の図７（ａ）及び（ｂ）に示
した、異なった入射角のＡｒイオンを２度に分けて照射
する方法は、工程数が増えるという問題があるととも
に、イオンミル装置として一方の側に異なった入射角で
設定されたイオンビーム源を２つ配置した特殊なイオン
ミル装置を必要とし、また、上部磁極先端部４３の裾の
部分のエッチングは瞬間瞬間には片面側しか行われず、
時間がかかるという問題がある。

【００２４】また、図７（ｃ）に示した異なった入射角
のＡｒイオンを同時に照射する方法は、工程数は増えな
いものの、図７（ａ）及び（ｂ）の方法と同様に、イオ
ンミル装置として一方側に異なった入射角で設定された
イオンビーム源を２つ配置した特殊なイオンミル装置を
必要とし、また、上部磁極先端部４３の裾の部分のエッ
チングは瞬間瞬間には片面側しか行われず、時間がかか
るという問題がある。

【００２５】さらに、図７（ｄ）に示した方法の場合に
は、イオンビーム源は１つで良いものの、入射角θ₃が
４５°＜θ₃＜６５°とかなり大きなＡｒイオンを用い
ており、下部磁極層３７のエッチング速度はＡｒイオン
の入射角に依存するので、イオンミリングに要する時間
が増大することになり、且つ、イオンミリング時間の増
大に伴って上部磁極先端部４３の頂部のエッチング量が
増大し、上部磁極先端部４３の厚さが設計値より減少し
て特性低下をもたらすという問題がある。なお、この様
な膜厚の減少の問題を解決するためには、予め上部磁極
先端部４３を厚く形成しておけば良いが、そのためには
上部磁極先端部４３をメッキで形成する際のレジストパ
ターンを厚くしなければならず、その結果、レジストパ
ターンの加工精度が低下するので上下磁極の先端部の
幅、即ち、記録幅を再現性良く狭くすることが困難にな
るという新たな問題が発生する。

【００２６】したがって、本発明は、簡単でスループッ
トの良好な方法で下部磁極層に設ける凸部の幅を上部磁
極先端部の幅に揃えて、記録磁界の拡がりを抑えること
を目的とする。

【００２７】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図におけ
る上部磁極３は上部磁極の先端部を表している。図１参照（１）本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
異なる２つ以上のイオンビーム源４，５からのイオン
６，７を、イオンミルマスクとなる上部磁極３の左右両
側の斜め方向から同時に入射させ、下部磁極１をエッチ
ングすることを特徴とする。

【００２８】この様に、イオンミルマスクとなる上部磁
極３の左右両側の斜め方向から同時にイオン６，７を入
射させることによって、上部磁極３の左右の側面は常に
イオン６，７によりエッチングされるので再付着物の付
着が抑制されとともに、同時に左右両側の下部磁極１を
エッチングするので、イオンミリングに要する時間が短
縮される。また、イオンミル装置としても両側に少なく
とも一つずつのイオンビーム源４，５を備えた装置（必
要ならば、特開昭５９−１９３２５号公報参照）を用い
れば良いので、特殊な構成のイオンミル装置を必要とす
ることはない。なお、本発明における薄膜磁気ヘッド
は、単独の誘導型の薄膜磁気ヘッド、及び、誘導型の薄
膜磁気ヘッドとＭＲヘッドとを積層した複合型薄膜磁気
ヘッドの双方を意味するものである。

【００２９】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、イオン６，７の入射角θが、１０°≦θ＜４５°で
あり、左右両側から同じ角度及び同じエネルギーで入射
させることを特徴とする。

【００３０】この様に、イオン６，７を左右両側から同
時に入射させることによって、イオン６，７の入射角θ
を、１０°≦θ＜４５°と図７（ｄ）の場合に比べて小
さくすることができ、それによって、エッチング速度が
向上するので、イオンミリングに要する時間をより短縮
することができる。

【００３１】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、下部磁極１のエッチング深さｄが、
０．２μｍ≦ｄ≦１．０μｍであることを特徴とする。

【００３２】この様に、下部磁極１のエッチング深さ
ｄ、即ち、凸部の高さｄはギャップ層２の厚さと同程度
の０．２μｍ≦ｄ≦１．０μｍの範囲が好適であり、ｄ
＜０．２μｍであれば凸部を設けたことによる記録磁界
の拡がりの抑制の作用が効果的に発揮されず、一方、ｄ
＞１．０μｍの場合には、ｄを大きくしても凸部を設け
た作用効果は飽和するのでイオンミリングに要する時間
が増大するだけで意味がなくなる。

【００３３】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）において、下部磁極１をエッチングする際に、基
板を固定してエッチングを行うことを特徴とする。

【００３４】この様に、基板を固定した状態でエッチン
グを行うことによって、イオン６，７は常に左右両側に
入射するので、イオンミリングを効率的に行うことがで
きる。

【００３５】（５）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）において、下部磁極１をエッチングする際に、基
板を回転しながらエッチングを行うことを特徴とする。

【００３６】この様に、基板を回転させながらエッチン
グを行った場合には、回転の状態によりイオン６，７は
常には上部磁極３の左右から入射されないので、イオン
ミリングに要する時間は増加するが、異なったイオンビ
ーム源４，５の微妙なエネルギーの違いにより生ずる左
右のエッチング量の違いを相殺することができ、より精
度の高いエッチングが可能になる。

【００３７】

【発明の実施の形態】ここで、本発明の実施の形態の複
合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を図２を参照して説明す
る。なお、図２は複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体との
対向面側の要部断面図で示しており、本発明の本質に実
質的に関連しない磁気抵抗効果ヘッド部については説明
を簡単にするために図示を省略する。図２（ａ）参照まず、図４に示した従来の複合型薄膜磁気ヘッドと同様
に、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣからなる基板上に、ＮｉＦｅ合
金からなる下部シールド層を設け、Ａｌ₂Ｏ₃からなる
ギャップスペーサ層を介してＮｉＦｅ，Ｔｉ，ＣｏＺｒ
Ｍｏの積層構造からなる磁気抵抗効果素子層を設けて所
定の形状にパターニングしたのち、磁気抵抗効果素子層
の両端にＡｕからなる導電膜を堆積させて素子電極を形
成し、次いで、再び、Ａｌ₂Ｏ₃からなるギャップスペ
ーサ層を介してＮｉＦｅ合金からなる厚さが２．０〜
４．０μｍ、例えば、３．０μｍの上部シールド層を兼
ねる下部磁極層１１を形成する。

【００３８】次いで、スパッタリング法によって厚さ
０．３〜０．６μｍ、例えば、０．４μｍのＡｌ₂Ｏ₃
を堆積させてギャップ層１２としたのち、レジストから
なる下部絶縁層（図示せず）を介して導電体膜を設け、
パターニングすることによって上部磁極の後端と下部磁
極層１１の接続部を複数回巻く平面スパイラル状のコイ
ル（図示せず）を形成し、次いで、レジストからなる上
部絶縁層（図示せず）を形成してコイルを被覆したの
ち、下部磁極層１１の上部磁極の後端との接続部が露出
するようにパターニングする。なお、この場合のギャッ
プ層１２の厚さが、磁気ギャップの間隔、即ち、記録ギ
ャップ長となる。

【００３９】次いで、メッキベース層１３となる、厚さ
５０〜１００Å、例えば、５０ÅのＴｉ層、及び、厚さ
１０００Å以下、例えば、５００ÅのＮｉＦｅをスパッ
タリング法によって順次成膜し、レジストを塗布して、
露光・現像することによって上部磁極を形成するための
レジストマスク（図示せず）を形成したのち、電解メッ
キを行うことによって、厚さ２．５〜４．０μｍ、例え
ば、３．０μｍで、上部磁極先端部１４の幅が０．５〜
２．０μｍ、例えば、１．０μｍのＮｉＦｅ合金からな
る上部磁極を形成し、次いで、レジストマスクを除去し
たのち、露出したメッキベース層１２をＡｒイオンを用
いたイオンミリングによって除去する。なお、この場合
のイオンミリングは、後述する工程と同様のイオンミリ
ング工程である。

【００４０】図２（ｂ）参照次いで、再び、基板を固定した状態で、２つのイオンビ
ーム源（図示せず）から、入射角θが１０°≦θ＜４５
°、例えば、θ＝３０°のＡｒイオン１５を上部磁極先
端部１４の左右両側から、同じエネルギーで同時に入射
させることによって、上部磁極先端部１４をイオンミル
マスクとしてギャップ層１２をエッチングする。

【００４１】図２（ｃ）参照引き続いて、同じく基板を固定した状態で、２つのイオ
ンビーム源（図示せず）から、入射角θが１０°≦θ＜
４５°、例えば、θ＝３０°のＡｒイオン１５を上部磁
極先端部１４の左右両側から、同じエネルギーで同時に
入射させることによって、上部磁極先端部１４をイオン
ミルマスクとして下部磁極層１１を０．２〜１．０μ
ｍ、例えば、０．５μｍだけエッチングすることによっ
て凸部１７を形成する。

【００４２】この様な２つのイオンビーム源を用いて左
右からＡｒイオンを同時に照射することによって、再付
着物が付着することなく、且つ、高いエッチングレート
で凸部１７を形成することができるので、図３を参照し
てこの事情を説明する。図３（ａ）参照図３（ａ）は、本発明の実施の形態に用いるイオンミル
装置２１の概念的構成図であり、装置の両側に同じ入射
角θに設定された２つのイオンビーム源２２，２３が設
けられており、この２つのイオンビーム源２２，２３か
ら出射されたＡｒイオン２４，２５が基板、即ち、Ａｌ
₂Ｏ₃−ＴｉＣウェハ２６に対して左右から同じ入射角
θで、且つ、同じエネルギーで同時に入射する。

【００４３】図３（ｂ）参照図３（ｂ）は、図３（ａ）に示したＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ
ウェハ２６の一部を拡大して概念的に示したもので、下
部磁性層１１をエッチングして凸部１７を形成する際
に、左側においてはＡｒイオン２４及びＡｒイオン２５
によって下部磁性層１１をエッチングするとともに、Ａ
ｒイオン２４によって上部磁極先端部１４の左側面をエ
ッチングするので、上部磁極先端部１４の左側面に再付
着物が付着することがない。

【００４４】また、右側においても同様に、Ａｒイオン
２４及びＡｒイオン２５によって下部磁性層１１をエッ
チングするとともに、Ａｒイオン２５によって上部磁極
先端部１４の右側面をエッチングするので、上部磁極先
端部１４の右側面に再付着物が付着することがない。

【００４５】この様に、本発明の実施の形態において
は、２つのイオンビーム源を用いて左右両側から同時に
Ａｒイオンを照射しているので、再付着物が付着するこ
となく凸部１７の形成が可能になるので、再付着物層の
除去工程が不要になり、処理時間が大幅に短縮される。

【００４６】また、２つのイオンビーム源を用いて左右
両側から同時にＡｒイオンを照射することによって、Ａ
ｒイオンの入射角θをより小さくすることができ、それ
によって、エッチング速度が大きくなるので、より処理
時間を短縮することができ、且つ、処理時間の短縮に伴
って、上部磁極先端部１４の膜厚の減少も抑制すること
ができる。

【００４７】また、本発明の実施の形態においては、基
板を固定してエッチングを行っているので、Ａｒイオン
は常に上部磁極先端部１４の左右から同時に入射するの
でエッチング効率を高めることができ、それによっても
処理時間が短縮されるので上部磁極先端部１４の膜厚の
減少を抑制することができる。

【００４８】以上、本発明の実施の形態を説明してきた
が、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるもの
ではなく、各種の変更が可能であり、例えば、凸部１７
の形成工程において基板を固定してエッチングを行って
いるが、基板を回転させながら行っても良いものであ
る。

【００４９】この様に、基板を回転させながらエッチン
グを行った場合には、回転の状態により経時的にＡｒイ
オンは上部磁極先端部１４の延在方向からの入射される
場合があり、この場合には、Ａｒイオンは凸部１７の形
成に寄与しないためイオンミリングに要する時間は増加
するが、互いに異なったイオンビーム源２２及びイオン
ビーム源２３の微妙なエネルギーの違いにより生ずる左
右のエッチング量の違いを相殺することができ、より精
度の高いエッチングが可能になる。

【００５０】また、上記の実施の形態の説明において
は、イオンミル装置として、両側にイオンビーム源を１
つずつ設けた、計２個のイオンビーム源を有する装置を
用いているが、両側に複数個同数ずつ設けて、計偶数個
のイオンビーム源を有する装置を用いても良いものであ
る。

【００５１】また、上記の実施の形態の説明において
は、ギャップ層１２のエッチングに際して、イオンミリ
ング法を用いているが、イオンミリング法に限られるも
のではなく、例えば、反応ガスとして塩素系ガス或いは
ＣＨＦ₃等を用いた反応性イオンエッチング法を用いて
も良いものであり、或いは、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）を用い
たウェット・エッチングによって除去しても良いもので
ある。

【００５２】また、上記の実施の形態の説明において
は、下部磁性層１１及び上部磁極先端部１４としては、
高周波特性を向上するために飽和磁束密度Ｂ_sの高い材
料を用いることが必要となり、また、高周波になるに従
って渦電流による損失が大きくなり、表皮効果による記
録磁界強度の低下を招くことになるため、渦電流の発生
を抑制するために、比抵抗ρの大きな材料を用いること
が必要となり、そのために高Ｂ_s軟磁性材料であるＮｉ
Ｆｅ合金を用いているが、ＦｅＮｉＺｒ、ＣｏＮｉＦｅ
等の他の高Ｂ_s軟磁性材料を用いても良いものである。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、下部磁極をイオンミリ
ングして凸部を形成する際に、２つのイオンビーム源を
用いてイオンを左右両側から同じ入射角で、同じエネル
ギーで同時に入射しているので、再付着物の付着を生ず
ることなくイオンミリングに要する時間を短縮すること
ができるので、簡単でスループットの良好な工程で記録
磁界の拡がりを低減することができ、それによって、複
合型薄膜磁気ヘッドの高記録密度化、低価格化に寄与
し、ひいては、高性能ＨＤＤ装置の普及に寄与するとこ
ろが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の実施の形態の製造工程の説明図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態における作用の説明図であ
る。

【図４】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの概略的構成図で
ある。

【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程の説明図であ
る。

【図６】従来の製造工程の問題点の説明図である。

【図７】従来の再付着物層の除去方法の説明図である。

【符号の説明】

１下部磁極２ギャップ層３上部磁極４イオンビーム源５イオンビーム源６イオン７イオン１１下部磁極層１２ギャップ層１３メッキベース層１４上部磁極先端部１５Ａｒイオン１６Ａｒイオン１７凸部２１イオンミル装置２２イオンビーム源２３イオンビーム源２４Ａｒイオン２５Ａｒイオン２６Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣウェハ３１基板３２下部シールド層３３ギャップスペーサ層３４磁気抵抗効果素子層３５素子電極３６ギャップスペーサ層３７下部磁極層３８ギャップ層３９下部絶縁層４０コイル層４１上部絶縁層４２上部磁極４３上部磁極先端部４４上部磁極後方部４５凸部４６メッキベース層４７Ａｒイオン４８Ａｒイオン４９再付着物層５０Ａｒイオン５１Ａｒイオン５２Ａｒイオン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】異なる２つ以上のイオンビーム源からの
イオンを、イオンミルマスクとなる上部磁極の左右両側
の斜め方向から同時に入射させ、下部磁極をエッチング
することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】上記イオンの入射角θが、１０°≦θ＜
４５°であり、左右両側から同じ角度及び同じエネルギ
ーで入射させることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項３】上記下部磁極のエッチング深さｄが、
０．２μｍ≦ｄ≦１．０μｍであることを特徴とする請
求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】上記下部磁極をエッチングする際に、基
板を固定してエッチングを行うことを特徴とする請求項
１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項５】上記下部磁極をエッチングする際に、基
板を回転しながらエッチングを行うことを特徴とする請
求項１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。