JPS58108019A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPS58108019A JPS58108019A JP56205263A JP20526381A JPS58108019A JP S58108019 A JPS58108019 A JP S58108019A JP 56205263 A JP56205263 A JP 56205263A JP 20526381 A JP20526381 A JP 20526381A JP S58108019 A JPS58108019 A JP S58108019A
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気録音機、磁気ディスク装置等に使用される
薄膜磁気ヘッドに関する。
薄膜磁気ヘッドに関する。
高密度配鋒、再生を行危うために薄膜磁気ヘッドは多巻
線化される傾向にある。しかるにその際、導体層間の絶
縁性が良好で、かつギャップ長が小さいことが要求され
る。しかし導体層間の絶縁性を良好外らしめるためには
、絶縁層の厚さを成る程度の厚さにする必要がある。一
方、ギャップ長を小さくする丸めには絶縁層の厚さを可
能な限抄薄くすることが要求され、両者は互に相反する
亀のである。
線化される傾向にある。しかるにその際、導体層間の絶
縁性が良好で、かつギャップ長が小さいことが要求され
る。しかし導体層間の絶縁性を良好外らしめるためには
、絶縁層の厚さを成る程度の厚さにする必要がある。一
方、ギャップ長を小さくする丸めには絶縁層の厚さを可
能な限抄薄くすることが要求され、両者は互に相反する
亀のである。
またさらにギャップ探さも、ギャップ部の磁束密度の関
連から正確に制御することが要求される。
連から正確に制御することが要求される。
本発明は上記にかんがみなされたもので、導体層間の絶
縁性を充分に維持でき、ギャップ長゛を小さくでき、か
つギャップ深さの制御も容易に行危い得るとともに、ヘ
ッド効率の良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とするものである。
縁性を充分に維持でき、ギャップ長゛を小さくでき、か
つギャップ深さの制御も容易に行危い得るとともに、ヘ
ッド効率の良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とするものである。
この目的は本発明によれば、基板上に下部磁性薄膜を形
成し、該下部磁性薄膜上にそれぞれ絶縁層を介して少な
くとも下部導体層、上部導体層を形成し、さらにその上
に絶縁層を介して上部磁性薄膜を形成し九多層多巻線の
薄膜磁気ヘッドにおいて、下部導体層と下部導体層下側
の絶縁層とからなる部分の断面形状が下部磁性薄膜上に
載置され九第１の台形を形成し、上部導体層下、側の絶
縁層の断面外形が第１の台形を内部に含みかつ下部磁性
薄膜上に載置された第２の台形を形成し、上部導体層の
断面形状が第２の台形とほぼ相似形であってかつ第２の
台形上に載置された第３の台形を形成し、上部導体層上
側の絶縁層のみをギャップ先端側端部にまで延長してギ
ャップを形成せしめることにより達成される。
成し、該下部磁性薄膜上にそれぞれ絶縁層を介して少な
くとも下部導体層、上部導体層を形成し、さらにその上
に絶縁層を介して上部磁性薄膜を形成し九多層多巻線の
薄膜磁気ヘッドにおいて、下部導体層と下部導体層下側
の絶縁層とからなる部分の断面形状が下部磁性薄膜上に
載置され九第１の台形を形成し、上部導体層下、側の絶
縁層の断面外形が第１の台形を内部に含みかつ下部磁性
薄膜上に載置された第２の台形を形成し、上部導体層の
断面形状が第２の台形とほぼ相似形であってかつ第２の
台形上に載置された第３の台形を形成し、上部導体層上
側の絶縁層のみをギャップ先端側端部にまで延長してギ
ャップを形成せしめることにより達成される。
以下、本発明を実施例により説明する。
第１図および第２図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す図で
あシ、第３図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示
す図である。
あシ、第３図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示
す図である。
第１図に示す従来の薄膜磁気ヘッドは基板１上に、パー
マロイ等からなる下部磁性薄膜２ａ を設け、その上
に第１の絶縁層３ａ を形成し、第１の絶縁層３ａ を
エツチングした後、下部導体層４ａをエツチング等の手
段によシ第１の絶縁層３ａ 上の必要部分に設け、更に
第２の絶縁層３ｂ を設け、第２の絶縁層３ｂ 上の必
要部分に上部導体層４ｂを設けた後、上部導体層４ｂ
および第２の絶縁層３ｂ上に第３の絶縁層３ｃ を形成
し、最上部に上部磁性薄膜２ｂ を形成している。
マロイ等からなる下部磁性薄膜２ａ を設け、その上
に第１の絶縁層３ａ を形成し、第１の絶縁層３ａ を
エツチングした後、下部導体層４ａをエツチング等の手
段によシ第１の絶縁層３ａ 上の必要部分に設け、更に
第２の絶縁層３ｂ を設け、第２の絶縁層３ｂ 上の必
要部分に上部導体層４ｂを設けた後、上部導体層４ｂ
および第２の絶縁層３ｂ上に第３の絶縁層３ｃ を形成
し、最上部に上部磁性薄膜２ｂ を形成している。
しかるに第１図に示す薄膜磁気ヘッドにおいては、ギャ
ップ長Ｌ１ は第２および第３の絶縁層３ｂおよび３
ｃ の厚さの和となシ、ギャップ長Ｌｌ を小さくす
るためには第２および第３の絶縁層３ｂおよび３ｃ の
厚さを薄くせねばならず、絶縁層の厚さを−くすれば絶
縁性が悪化する。またさらに下部導体層４１ と上部
導体層４ｂ の位置により上部磁性薄膜２ｂ のテーパ
部分に段差が生じておシ、磁気特性が悪くなるために磁
気ヘッド効率が悪くなる。また、ギャップ深さＤはギャ
ップ先端から導体層先端までの距離となるため、第１の
絶縁層３ｍ のギヤツブ側先端人の位置を正確に制御す
る必要が−ある。この丸めにマスク位置合せに高精度が
要求される。
ップ長Ｌ１ は第２および第３の絶縁層３ｂおよび３
ｃ の厚さの和となシ、ギャップ長Ｌｌ を小さくす
るためには第２および第３の絶縁層３ｂおよび３ｃ の
厚さを薄くせねばならず、絶縁層の厚さを−くすれば絶
縁性が悪化する。またさらに下部導体層４１ と上部
導体層４ｂ の位置により上部磁性薄膜２ｂ のテーパ
部分に段差が生じておシ、磁気特性が悪くなるために磁
気ヘッド効率が悪くなる。また、ギャップ深さＤはギャ
ップ先端から導体層先端までの距離となるため、第１の
絶縁層３ｍ のギヤツブ側先端人の位置を正確に制御す
る必要が−ある。この丸めにマスク位置合せに高精度が
要求される。
また第２図に示す従来の薄膜磁気ヘッドは第１図に示す
従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、上部導体層４ｂ のギ
ャップ先端側端部Ｂを下部導体層４ｍのギャップ先端側
端部Ｃよりもギャップ先端側に位置せしめ、第１の絶縁
層３ａ のギャップ先端側端部Ｅを下部導体層４ｍ の
ギャップ先端側端部Ｃと上部導体層４ｂ のギャップ先
端側端部Ｂとの間に位置せしめている。
従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、上部導体層４ｂ のギ
ャップ先端側端部Ｂを下部導体層４ｍのギャップ先端側
端部Ｃよりもギャップ先端側に位置せしめ、第１の絶縁
層３ａ のギャップ先端側端部Ｅを下部導体層４ｍ の
ギャップ先端側端部Ｃと上部導体層４ｂ のギャップ先
端側端部Ｂとの間に位置せしめている。
この場合においてはギャップ深さＤはギャップ先端から
上部導体層４ｂ のギャップ先端側端部Ｂまでの距離と
なり、第１の絶縁層ａｎ を形成する際のマスク位置合
せて余裕は大きくとれて、高精度を必要としなくなるが
、ギャップ長さは第１図に示し喪薄膜磁気ヘッドの場合
と同じであり、第２および第３の絶縁層３ｂ および３
Ｑ の厚さの和となり、ギャップ長Ｌ１ を小さくす
ることは困難である。ｔｉさらに上部磁性薄膜２ｂ の
テーパ部分においては段差が生じ磁気ヘッド効率が悪く
なる問題は第１図に示した薄膜磁気ヘッドの場合と同様
である。
上部導体層４ｂ のギャップ先端側端部Ｂまでの距離と
なり、第１の絶縁層ａｎ を形成する際のマスク位置合
せて余裕は大きくとれて、高精度を必要としなくなるが
、ギャップ長さは第１図に示し喪薄膜磁気ヘッドの場合
と同じであり、第２および第３の絶縁層３ｂ および３
Ｑ の厚さの和となり、ギャップ長Ｌ１ を小さくす
ることは困難である。ｔｉさらに上部磁性薄膜２ｂ の
テーパ部分においては段差が生じ磁気ヘッド効率が悪く
なる問題は第１図に示した薄膜磁気ヘッドの場合と同様
である。
第３図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示してい
る。
る。
本実施例の薄膜磁気ヘッド社基板１上下部磁性薄膜２ａ
を形成し、下部磁性薄膜２ａ 上に第１の絶縁層３ａ
と下部導体層４哀 とを、第１の絶縁層３ａ と
下部導体層４ａ とによシ構成される部分が第１の台
形を形成するように設ける。また第２の絶縁層３ｂ は
第２の台形を形成し、第１の台形が第２の台形内に含ま
れかつ第２の台形が下部磁性薄膜１上に載置されるよう
な形状に設ける。上部導体層４ｂ も第３の台形状に
形成し、第３の台形はその下底が第２の台形の上底に等
しく第２の台形とほぼ相似形となるように形成する。第
３のｔ縁層３ｃ は第２の台形および上部導体層４ｂ
により形成される第４の台形上に形成し、その端部はギ
ャップ部にまで延長して設ける。また第３の絶縁層３ｃ
上には上部磁性薄膜２ｂ を形成する。
を形成し、下部磁性薄膜２ａ 上に第１の絶縁層３ａ
と下部導体層４哀 とを、第１の絶縁層３ａ と
下部導体層４ａ とによシ構成される部分が第１の台
形を形成するように設ける。また第２の絶縁層３ｂ は
第２の台形を形成し、第１の台形が第２の台形内に含ま
れかつ第２の台形が下部磁性薄膜１上に載置されるよう
な形状に設ける。上部導体層４ｂ も第３の台形状に
形成し、第３の台形はその下底が第２の台形の上底に等
しく第２の台形とほぼ相似形となるように形成する。第
３のｔ縁層３ｃ は第２の台形および上部導体層４ｂ
により形成される第４の台形上に形成し、その端部はギ
ャップ部にまで延長して設ける。また第３の絶縁層３ｃ
上には上部磁性薄膜２ｂ を形成する。
従って、本実施例によれば、ギャップ長Ｌ２ は第３の
絶縁層３ｃ の厚さのみによって定まることＫｆｋり、
第１〜第３の絶縁層３８〜３ｃの厚さをｔとすれば、第
１図および第２図に示した従来の薄膜磁気ヘッドの場合
の＝１／２ となり、下部導体層４ａ と上部導体
層４ｂ との間の絶縁、下部磁性薄膜２１ と下部
導体層４ｍ との間の絶縁および上部磁性薄膜２ｂ
と上部導体層４ｂ との間の絶縁を十分に保った状
態で、ギャップ長を小さくすることができる。ま九、上
部磁性薄膜２ｂ のテーパ部分には段差が生じないため
に、磁気ヘッド効率も悪化しない。
絶縁層３ｃ の厚さのみによって定まることＫｆｋり、
第１〜第３の絶縁層３８〜３ｃの厚さをｔとすれば、第
１図および第２図に示した従来の薄膜磁気ヘッドの場合
の＝１／２ となり、下部導体層４ａ と上部導体
層４ｂ との間の絶縁、下部磁性薄膜２１ と下部
導体層４ｍ との間の絶縁および上部磁性薄膜２ｂ
と上部導体層４ｂ との間の絶縁を十分に保った状
態で、ギャップ長を小さくすることができる。ま九、上
部磁性薄膜２ｂ のテーパ部分には段差が生じないため
に、磁気ヘッド効率も悪化しない。
また、ギャップ深さＤについても第１および第２の台形
のギャップ側テーパを設定することにより、ギャップ側
に端部が近い方の下部または上部導体層４１ｔ＆は４ｂ
のギャップ側端部の位置を容易に設定することができ
るため、制御も容易である。
のギャップ側テーパを設定することにより、ギャップ側
に端部が近い方の下部または上部導体層４１ｔ＆は４ｂ
のギャップ側端部の位置を容易に設定することができ
るため、制御も容易である。
つぎに第３図に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明する。
て説明する。
基板１上にパーマロイ等からなる下部磁性薄膜２、を形
成し、次に磁性薄膜２ａ上の必要部分に８ｉ０２から表
る第１の絶縁層３ａ を形成する。さらに第１の絶縁
層３ａ 上にＡｊからなる下部導体層４ａ を形成し、
下部導体層４ａ 上にレジスト材５ａ にてパターンを
形成する。上記の如く形成した基板１、下部磁性薄膜２
ａ１第１の絶縁層３ａｓ下部導体層匂 およびレジスト
材５ｍ から々る第４図に示す部材を回転させながら、
４０〜４５度程度の入射角度α１ でイオンビームｉを
投射してイオンビームエツチングを行なう。イオンビー
ムｉの投射によるエツチング速度はＡｊ と５ｉ０２
とでは同程度であり、パーマロイ薄膜ではＡｊ、８ｉ
０３の場合のエツチング速度の１７３ 程度である。
成し、次に磁性薄膜２ａ上の必要部分に８ｉ０２から表
る第１の絶縁層３ａ を形成する。さらに第１の絶縁
層３ａ 上にＡｊからなる下部導体層４ａ を形成し、
下部導体層４ａ 上にレジスト材５ａ にてパターンを
形成する。上記の如く形成した基板１、下部磁性薄膜２
ａ１第１の絶縁層３ａｓ下部導体層匂 およびレジスト
材５ｍ から々る第４図に示す部材を回転させながら、
４０〜４５度程度の入射角度α１ でイオンビームｉを
投射してイオンビームエツチングを行なう。イオンビー
ムｉの投射によるエツチング速度はＡｊ と５ｉ０２
とでは同程度であり、パーマロイ薄膜ではＡｊ、８ｉ
０３の場合のエツチング速度の１７３ 程度である。
またレジスト材５ａ をポジ型キノジアジド系レジスト
材としたときそのエツチング速度はＡｊ ｓ ８ ｔ
Ｏｚの場合の１／２ 程度である。そこでイオンビーム
ｌの投射により、第１の絶縁層３ａ および下部導体層
４ｍ は破線に示す形成にエツチングされて、第５図に
示す如く第１の台形状に形成される。この場合に下部磁
性薄膜２ｍ のエツチング速度は遅く、第１の絶縁層Ｓ
、 Ｓ下部導体層４ａ のエツチングの完了時に磁性薄
膜２ｍ のエツチング量は少なくオーバーエツチングと
はならない。またレジスト材５ｍ の厚さを第１の絶縁
層３ｍ の厚さ、まえは下部導体層４ａ の厚さと同程
度の厚さに選択しておくことによりエツチング終了時に
おいてレジスト材５１ は無くなり、洗浄等を必要とし
ない。
材としたときそのエツチング速度はＡｊ ｓ ８ ｔ
Ｏｚの場合の１／２ 程度である。そこでイオンビーム
ｌの投射により、第１の絶縁層３ａ および下部導体層
４ｍ は破線に示す形成にエツチングされて、第５図に
示す如く第１の台形状に形成される。この場合に下部磁
性薄膜２ｍ のエツチング速度は遅く、第１の絶縁層Ｓ
、 Ｓ下部導体層４ａ のエツチングの完了時に磁性薄
膜２ｍ のエツチング量は少なくオーバーエツチングと
はならない。またレジスト材５ｍ の厚さを第１の絶縁
層３ｍ の厚さ、まえは下部導体層４ａ の厚さと同程
度の厚さに選択しておくことによりエツチング終了時に
おいてレジスト材５１ は無くなり、洗浄等を必要とし
ない。
また第１の台形のテーパ角度０１ハイオンヒームの入射
角度αｌ によって定まる。
角度αｌ によって定まる。
つぎに第１の台形に形成された下部導体層４ａ上に第２
の絶縁層３ｂ１第２の絶縁層３ｂ上に上部導体層４ｂ
を第６図に示す如く形成する。また〜 、上部導体層４ｂ上にレジスト部材６ａ にてノ・ター
ンを形成し、回転させながら再びイオンビームｉを投射
してイオンビームエツチングを行なう。
の絶縁層３ｂ１第２の絶縁層３ｂ上に上部導体層４ｂ
を第６図に示す如く形成する。また〜 、上部導体層４ｂ上にレジスト部材６ａ にてノ・ター
ンを形成し、回転させながら再びイオンビームｉを投射
してイオンビームエツチングを行なう。
この場合イオンビームの入射角α２ を前の入射角α１
と同一もしくは異ならしめて、エツチング後の第２の
台形のテーバ角度０２ と第１の台形のテーバ角度０
１ とがｅ Ｉ Ｊ？＃ ２かまたは＃２）＃１の関
係となるようにして、第１の台形のテーパ部上に第２の
絶縁層３ｂ のみが形成されているようにする。また、
イオンビームｉの入射角度αｌ を変更せず、レジスト
材６ａ の厚さを調整することＫよって４第１の台形の
テーパ部上に第２の絶縁層３ｂ のみが形成されている
よう圧することもできる。第２回目のイオンビームエツ
チング後の形状は第７図に示す如くである。
と同一もしくは異ならしめて、エツチング後の第２の
台形のテーバ角度０２ と第１の台形のテーバ角度０
１ とがｅ Ｉ Ｊ？＃ ２かまたは＃２）＃１の関
係となるようにして、第１の台形のテーパ部上に第２の
絶縁層３ｂ のみが形成されているようにする。また、
イオンビームｉの入射角度αｌ を変更せず、レジスト
材６ａ の厚さを調整することＫよって４第１の台形の
テーパ部上に第２の絶縁層３ｂ のみが形成されている
よう圧することもできる。第２回目のイオンビームエツ
チング後の形状は第７図に示す如くである。
ついで、第７図に示す基板１、下部磁性薄膜２ａ、第１
および第２の絶縁層３ｍおよび３ｂ１下部および上部導
体層４ｍ および４ｂ からなる部材上に第３の絶縁層
３ｃ を形成し、第３の絶縁層３ｃ上に上部磁性薄膜２
ｂ を形成する。
および第２の絶縁層３ｍおよび３ｂ１下部および上部導
体層４ｍ および４ｂ からなる部材上に第３の絶縁層
３ｃ を形成し、第３の絶縁層３ｃ上に上部磁性薄膜２
ｂ を形成する。
以上の如き方法により第３図に示し九本発明の一実施例
の薄膜磁気ヘッドを製造することができるＯ またこの場合において、テーパ角度０１−＃−０２とし
たときは下部導体層４ａ のギャップ側端部とギャップ
先端までの距離がギャップ深さｐとなり、テーバ角度θ
２〉０１のときは第１および第２の絶縁層３ａおよび３
ｃの厚さと下部導体層の厚さにより変るが通常上部導体
層４ｂ のギャップ側端部とギャップ先端までの距離が
ギャップ深さＤとなる。
の薄膜磁気ヘッドを製造することができるＯ またこの場合において、テーパ角度０１−＃−０２とし
たときは下部導体層４ａ のギャップ側端部とギャップ
先端までの距離がギャップ深さｐとなり、テーバ角度θ
２〉０１のときは第１および第２の絶縁層３ａおよび３
ｃの厚さと下部導体層の厚さにより変るが通常上部導体
層４ｂ のギャップ側端部とギャップ先端までの距離が
ギャップ深さＤとなる。
以上説明した如く本発明′によれば絶縁層を薄くするこ
となく、ギャップ長を小さくすることができ、さらに磁
気ヘッド効率も悪化するととはない。
となく、ギャップ長を小さくすることができ、さらに磁
気ヘッド効率も悪化するととはない。
また、ギャップ深さの設定本容易である。
第１図および第２図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す図。
第３図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す図。
第４図ないし第７図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の説明に供する図。 １・・・・・・基板、２ｍ ・・・・・・下部磁性薄膜
、２ｂ ・・・・・・上部磁性薄膜、３ａｓ３ｂおよび
３ｃ・・・・・・絶縁層、４ａ ・・・・・・下部導体
層、４ｂ ・・・・・・上部導体層。 特許出願人 トリオ株式会社 代理人 弁理士 砂子信夫 第１ＶＡ 第 ２ 図 第４図 第５図 第６図
ドの製造方法の説明に供する図。 １・・・・・・基板、２ｍ ・・・・・・下部磁性薄膜
、２ｂ ・・・・・・上部磁性薄膜、３ａｓ３ｂおよび
３ｃ・・・・・・絶縁層、４ａ ・・・・・・下部導体
層、４ｂ ・・・・・・上部導体層。 特許出願人 トリオ株式会社 代理人 弁理士 砂子信夫 第１ＶＡ 第 ２ 図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に下部磁性薄膜を形成し、該下部磁性薄膜上にそ
れぞれ絶縁層を介して少なくとも下部導体層、上部導体
層を形成し、さらにその上に絶縁層を介して上部磁性薄
膜を形成し九多層寝巻線の薄膜磁気ヘッドにおいて、下
部導体層と下部導体層下側の絶縁層とからなる部分の断
面形状が下部磁性薄膜上に載置された第１の台形を形成
し、上部導体層下側の絶縁層の断面形状が第１の台形を
内部に含みかつ下部磁性薄膜上に載置された第２の台形
を形成し、上部導体層の断面形状が第２の番 台形とほぼ相以形であってかつ第２の台形上に載置され
た第３の台形を形成し、上部導体層上側の絶縁層のみを
ギャップ先端側端部Ｋまで延長してギャップを形成せし
めてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205263A JPS58108019A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US07/165,076 US4804816A (en) | 1981-12-21 | 1988-03-07 | Method of making a thin-film magnetic head having a multi-layered coil structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205263A JPS58108019A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108019A true JPS58108019A (ja) | 1983-06-28 |
| JPS6118250B2 JPS6118250B2 (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16504080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56205263A Granted JPS58108019A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4804816A (ja) |
| JP (1) | JPS58108019A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271609A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-01 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0646447B2 (ja) * | 1984-07-25 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US4945397A (en) * | 1986-12-08 | 1990-07-31 | Honeywell Inc. | Resistive overlayer for magnetic films |
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| JPH1153731A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Ebara Corp | 磁気ディスク及びその作製方法 |
| US6468598B1 (en) | 1998-10-02 | 2002-10-22 | Ebara Corporation | Magnetic disk and method of making thereof |
| JP2002343639A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Sony Corp | 薄膜コイルおよび磁気ヘッドならびに薄膜コイルの製造方法および磁気ヘッドの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554734A (en) * | 1978-06-23 | 1980-01-14 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head for vertical magnetic recording |
| JPS554762A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Fujitsu Ltd | Production of thin film magnetic head |
| JPS5512530A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-29 | Fujitsu Ltd | Thin film magnetic head |
| US4281357A (en) * | 1979-09-10 | 1981-07-28 | Magnex Corporation | Thin film magnetic head and method of making the same |
| JPS5661018A (en) * | 1979-10-19 | 1981-05-26 | Hitachi Ltd | Manufacture of thin film magnetic head |
| JPS56137514A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film magnetic head |
| JPS56145514A (en) * | 1980-04-14 | 1981-11-12 | Hitachi Ltd | Thin-film magnetic head |
| NL8102148A (nl) * | 1981-05-01 | 1982-12-01 | Philips Nv | Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56205263A patent/JPS58108019A/ja active Granted
-
1988
- 1988-03-07 US US07/165,076 patent/US4804816A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271609A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-01 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4804816A (en) | 1989-02-14 |
| JPS6118250B2 (ja) | 1986-05-12 |
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