JPS60107714A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS60107714A JPS60107714A JP21400983A JP21400983A JPS60107714A JP S60107714 A JPS60107714 A JP S60107714A JP 21400983 A JP21400983 A JP 21400983A JP 21400983 A JP21400983 A JP 21400983A JP S60107714 A JPS60107714 A JP S60107714A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic layer
- magnetic
- lower magnetic
- thin film
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に高精度のトラック
幅とでき、かつ、コンタ−効果を低減し、さらに、基板
の磁性層形成面の形状にかかわりなく要求される磁気特
性を得るのに好適な構成の薄膜磁気ヘッドに関するもの
である。
幅とでき、かつ、コンタ−効果を低減し、さらに、基板
の磁性層形成面の形状にかかわりなく要求される磁気特
性を得るのに好適な構成の薄膜磁気ヘッドに関するもの
である。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの磁路長方向の断面図で
ある。第１図において、１はガラスセラミック、フェラ
イト等の耐摩耗性非磁性材料からなる基ｌｆｌ、２．５
はそれぞれパーマロイまたはセンダストよりなる下部磁
性層、上部磁性層、４は５ｉＯｚまｆｃ祉Ａ７！ｚＯａ
よりなる磁気ギャップとなる絶縁層、５はコイル導体、
６はコイル導体５と上部磁性層３との絶縁をはかる絶縁
体、７社保護板８との間の隙間ヲ埋めるための埋込材で
ある。
ある。第１図において、１はガラスセラミック、フェラ
イト等の耐摩耗性非磁性材料からなる基ｌｆｌ、２．５
はそれぞれパーマロイまたはセンダストよりなる下部磁
性層、上部磁性層、４は５ｉＯｚまｆｃ祉Ａ７！ｚＯａ
よりなる磁気ギャップとなる絶縁層、５はコイル導体、
６はコイル導体５と上部磁性層３との絶縁をはかる絶縁
体、７社保護板８との間の隙間ヲ埋めるための埋込材で
ある。
このような構成の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜形
成技術やフォトエツチング等の手法を用いて行う。とこ
ろで、薄膜輯気ヘッドのトラック幅は±２μｍの精度が
必要で、従来、上部磁性層６か下部磁性層２のいずれか
（両者の場合もある）をパターンコンタすることでトラ
ック幅を決めていたが、磁性層２．己の厚さが例えば、
１０μｍ程度になると、パターン精度が±５〜１０μｍ
と悪くなるという問題があった。
成技術やフォトエツチング等の手法を用いて行う。とこ
ろで、薄膜輯気ヘッドのトラック幅は±２μｍの精度が
必要で、従来、上部磁性層６か下部磁性層２のいずれか
（両者の場合もある）をパターンコンタすることでトラ
ック幅を決めていたが、磁性層２．己の厚さが例えば、
１０μｍ程度になると、パターン精度が±５〜１０μｍ
と悪くなるという問題があった。
パターンコンタを湿式エツチングで行う場合は、膜厚に
比例してサイドエツチングが大きくなる。また、イオン
エツチング等の方法では、マスク材との選択比よりマス
ク材の膜厚を厚くする必要があり、パターン精度を向上
できないという欠点があった。
比例してサイドエツチングが大きくなる。また、イオン
エツチング等の方法では、マスク材との選択比よりマス
ク材の膜厚を厚くする必要があり、パターン精度を向上
できないという欠点があった。
一方、下部磁性層２をパターンコンタする方法として、
第２図に示すように、基板１に溝１１を加工して、その
後下部磁性層２を形成し、ラップ加工で線１２０部分ま
で研磨加工する方法があるが、この場合、溝１１の深さ
を必要な磁性層厚さより深くする必要があり、これをイ
オンエツチング等の方法で行うとすると、溝１１の端面
にテーパ部１６が生じ、線１２までの研磨加工を高精度
で行うようにしないと、パターン精度（Ｔｗ）が悪くな
り、かつ、下部磁性層２としてパーマロイ、センダスト
磁性膜を使用しているため、縛１１の磁性層形成面を０
．０３５程度の面に仕上げ、テーパ部１６の角度θを５
０’以下にしないと、要求される磁気特性を満足するこ
とができず、基板加工が困難であるという問題もあった
。
第２図に示すように、基板１に溝１１を加工して、その
後下部磁性層２を形成し、ラップ加工で線１２０部分ま
で研磨加工する方法があるが、この場合、溝１１の深さ
を必要な磁性層厚さより深くする必要があり、これをイ
オンエツチング等の方法で行うとすると、溝１１の端面
にテーパ部１６が生じ、線１２までの研磨加工を高精度
で行うようにしないと、パターン精度（Ｔｗ）が悪くな
り、かつ、下部磁性層２としてパーマロイ、センダスト
磁性膜を使用しているため、縛１１の磁性層形成面を０
．０３５程度の面に仕上げ、テーパ部１６の角度θを５
０’以下にしないと、要求される磁気特性を満足するこ
とができず、基板加工が困難であるという問題もあった
。
このように、従来の構成の薄膜磁気ヘッドでは、磁性層
２．６の膜厚を厚くできないため、この薄膜磁気ヘッド
のアナログの記録、再生特性は、第３図に示すようにな
る。つまり、磁性層膜厚Ｐが使用記録波長λと同程度以
下になると、磁気ギャップとなる絶縁層４と磁性層２゜
３のエッヂ９，１０（第１図参照）が擬似磁気ギャップ
となり、再生波形が干渉することになり記録波長λによ
り再生出力にうねりが生ずるというコンタ−効果を示し
、アナログ記録再生特性の信頼性を損なうという欠点が
あった。
２．６の膜厚を厚くできないため、この薄膜磁気ヘッド
のアナログの記録、再生特性は、第３図に示すようにな
る。つまり、磁性層膜厚Ｐが使用記録波長λと同程度以
下になると、磁気ギャップとなる絶縁層４と磁性層２゜
３のエッヂ９，１０（第１図参照）が擬似磁気ギャップ
となり、再生波形が干渉することになり記録波長λによ
り再生出力にうねりが生ずるというコンタ−効果を示し
、アナログ記録再生特性の信頼性を損なうという欠点が
あった。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、高精度のトラック幅とすることかでき、かつ
、コンタ−効果を低減できさらに、基板の磁性層形成面
の形状に左右されることなく要求される磁気特性を得る
ことができる薄膜磁気ヘッド全提供することにある。
ところは、高精度のトラック幅とすることかでき、かつ
、コンタ−効果を低減できさらに、基板の磁性層形成面
の形状に左右されることなく要求される磁気特性を得る
ことができる薄膜磁気ヘッド全提供することにある。
本発明の特徴は、非磁性基板上に第１の下部磁性層、ト
ラック幅を規制する第２の下部磁性層、磁気ギャップと
なる絶縁層、コイル導体および上部磁性層を所定形状に
順次積層してなり上記第１の下部磁性層は非晶質合金か
らなる薄膜とし、この第１の下部磁性層の上に形成した
上記第２の下部磁性層の周囲の部分には埋込材を積層（
−て全体の表面を平坦化し、その上に上記磁気ギャップ
となる絶縁層を積層し、上記第１、第２の下部磁性層の
合計膜厚および上記上部磁性層の膜厚はそれぞれ使用最
長記録波長より太きくした構成とした点にある。
ラック幅を規制する第２の下部磁性層、磁気ギャップと
なる絶縁層、コイル導体および上部磁性層を所定形状に
順次積層してなり上記第１の下部磁性層は非晶質合金か
らなる薄膜とし、この第１の下部磁性層の上に形成した
上記第２の下部磁性層の周囲の部分には埋込材を積層（
−て全体の表面を平坦化し、その上に上記磁気ギャップ
となる絶縁層を積層し、上記第１、第２の下部磁性層の
合計膜厚および上記上部磁性層の膜厚はそれぞれ使用最
長記録波長より太きくした構成とした点にある。
以下本発明を第４図、第６図、第７図に示した実施例お
よび第５図を用いて詳細に説明する。
よび第５図を用いて詳細に説明する。
第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示すテー
プ摺動面より見た図である。第４図において、１はガラ
ス、セラミック、フェライト等よりなる非磁性基板、１
１は非磁性基板１に堀った溝、１３は溝１１の側壁、２
ａは溝１１内に形成したＣｏ−Ｎｂ合金の薄膜からなる
第１の下部磁性層、２ｂは第１の下部磁性層２ａの上に
形成したＣｏ−Ｎｂ合金、パーマロイ、センダスト薄膜
のうち１種からなるトラック幅を規制するための第２の
下部磁性層、１４は第２の下部磁性層２ｂの周囲を平坦
化するために非磁性基板１上？こ積層したＡｌ２Ｏ３ま
たはＳｉＯ２よりなる埋込材、４は５ｉ０２またはＡ＃
ｚＯａよりなる磁気ギャップとなる絶縁層、６はＣｏ
−Ｎｂ合金、パーマロイ、センダスト薄膜のうち１種か
らなる上部磁性層である。
プ摺動面より見た図である。第４図において、１はガラ
ス、セラミック、フェライト等よりなる非磁性基板、１
１は非磁性基板１に堀った溝、１３は溝１１の側壁、２
ａは溝１１内に形成したＣｏ−Ｎｂ合金の薄膜からなる
第１の下部磁性層、２ｂは第１の下部磁性層２ａの上に
形成したＣｏ−Ｎｂ合金、パーマロイ、センダスト薄膜
のうち１種からなるトラック幅を規制するための第２の
下部磁性層、１４は第２の下部磁性層２ｂの周囲を平坦
化するために非磁性基板１上？こ積層したＡｌ２Ｏ３ま
たはＳｉＯ２よりなる埋込材、４は５ｉ０２またはＡ＃
ｚＯａよりなる磁気ギャップとなる絶縁層、６はＣｏ
−Ｎｂ合金、パーマロイ、センダスト薄膜のうち１種か
らなる上部磁性層である。
次に、第４図に示す本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法について説明する。まず、非磁性基板１に＠１１ｉ
溝１１に対応したダイシングソーブレードを用いて機械
加工するかあるいはエツチングにより堀り、この非磁性
基板１を洗滌乾燥する。次に、スパッタリング法により
、Ｃｏ−Ｎｂ合金薄膜を残留ガス圧５ Ｘ １０６Ｔｏ
ｒｒ 以下、 Ａｒガス圧５ Ｘ １０ ” Ｔｏｒｒ
以下として非磁性基板１上に溝１１内を含めて形成し、
その後、ラップ等により不要部分を取り除き、溝１１内
に第１の下部磁性層２ａを埋め込む。次に、第１の下部
磁性層２ａの上に、第１の下部磁性層２ａに比較して薄
い（厚さ０．５〜５μｍ）第２の下部磁性Ｍ ２ ｂを
Ｃｏ−Ｎｂ合金薄膜、パーマロイまたはセンダストで形
成し、トラック幅を規制する所定の形状のマスク材を用
いてイオンエツチング等の手法により第４図に示す形状
にパターンコンタし、非磁性基板１上の第２の下部磁性
層２ｂの周囲にはＡｌｚ０３等の埋込材１４を積層して
全体の表面を平坦化する。次に、その上に従来と同様に
第１図に示しであるように磁気ギャップとなる絶縁層４
．コイル導体５１層間絶縁体６および上部磁性層３を所
定形状に順次積層する０ なお、第１の下部磁性層２ａと第２の下部磁性層２ｂと
の合計膜厚Ｐおよび上部磁性ノー３の膜厚Ｐ′はそれぞ
れ使用最長記録波λ、より大きくなるようにする。
方法について説明する。まず、非磁性基板１に＠１１ｉ
溝１１に対応したダイシングソーブレードを用いて機械
加工するかあるいはエツチングにより堀り、この非磁性
基板１を洗滌乾燥する。次に、スパッタリング法により
、Ｃｏ−Ｎｂ合金薄膜を残留ガス圧５ Ｘ １０６Ｔｏ
ｒｒ 以下、 Ａｒガス圧５ Ｘ １０ ” Ｔｏｒｒ
以下として非磁性基板１上に溝１１内を含めて形成し、
その後、ラップ等により不要部分を取り除き、溝１１内
に第１の下部磁性層２ａを埋め込む。次に、第１の下部
磁性層２ａの上に、第１の下部磁性層２ａに比較して薄
い（厚さ０．５〜５μｍ）第２の下部磁性Ｍ ２ ｂを
Ｃｏ−Ｎｂ合金薄膜、パーマロイまたはセンダストで形
成し、トラック幅を規制する所定の形状のマスク材を用
いてイオンエツチング等の手法により第４図に示す形状
にパターンコンタし、非磁性基板１上の第２の下部磁性
層２ｂの周囲にはＡｌｚ０３等の埋込材１４を積層して
全体の表面を平坦化する。次に、その上に従来と同様に
第１図に示しであるように磁気ギャップとなる絶縁層４
．コイル導体５１層間絶縁体６および上部磁性層３を所
定形状に順次積層する０ なお、第１の下部磁性層２ａと第２の下部磁性層２ｂと
の合計膜厚Ｐおよび上部磁性ノー３の膜厚Ｐ′はそれぞ
れ使用最長記録波λ、より大きくなるようにする。
上記した実施例の本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば
、トラック幅は、第４図に示した第２の下部磁性層２ｂ
の上面の寸法Ｔｗで決まるから、±２μｍ程度の高精度
とすることができるＯ また、第１の下部磁性層２ａおよび上部磁性層６の膜厚
を厚くできるから、従来、問題となっていたコンタ−効
果の低減をはかることができる・・ また、下部磁性層２ａ、２ｂの合計膜厚と上部磁性層３
の膜厚をそれぞれ使用最長記録波長λＬより太きしであ
るから、擬似ギャップの再生波形への干渉がなくなり、
第５図に示すように、使用記録波長帯域では、全くコン
タ−効果が認められず、信頼性の高い記録、再生特性が
得られる。
、トラック幅は、第４図に示した第２の下部磁性層２ｂ
の上面の寸法Ｔｗで決まるから、±２μｍ程度の高精度
とすることができるＯ また、第１の下部磁性層２ａおよび上部磁性層６の膜厚
を厚くできるから、従来、問題となっていたコンタ−効
果の低減をはかることができる・・ また、下部磁性層２ａ、２ｂの合計膜厚と上部磁性層３
の膜厚をそれぞれ使用最長記録波長λＬより太きしであ
るから、擬似ギャップの再生波形への干渉がなくなり、
第５図に示すように、使用記録波長帯域では、全くコン
タ−効果が認められず、信頼性の高い記録、再生特性が
得られる。
また、第１の下部磁性層２ａとしてＣｏ基非晶質合金を
使用しているので、非磁性基板１の溝１１の面精度はダ
イシングソーブレード等による機械加工面でよく、また
、面形状は、第６図。
使用しているので、非磁性基板１の溝１１の面精度はダ
イシングソーブレード等による機械加工面でよく、また
、面形状は、第６図。
第７図に示すような形状でもよく、そして溝１１の側壁
角θは９０°以下であれば、要求される磁気特性を満足
する磁性膜が得られる。
角θは９０°以下であれば、要求される磁気特性を満足
する磁性膜が得られる。
以上説明したように“、本発明によれば、高精度のトラ
ック幅とすることができ、かつ、下部および上部磁性層
の膜厚を充分大きくできるから、コンタ−効果を低減で
き、さらに、第１の下部磁性）＠を非晶質合金としであ
るから基板の磁性層形成面の形状に左右されることなく
要求される磁気特性を得ることができるという効果があ
る。
ック幅とすることができ、かつ、下部および上部磁性層
の膜厚を充分大きくできるから、コンタ−効果を低減で
き、さらに、第１の下部磁性）＠を非晶質合金としであ
るから基板の磁性層形成面の形状に左右されることなく
要求される磁気特性を得ることができるという効果があ
る。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの磁路長方向の断面図、
第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明
するための図、第６図は従来の薄膜磁気ヘッドの記録再
生特性線図、第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施
例を示すテープ摺動面より見た図、第５図は本発明の薄
膜磁気ヘッドの記録再生特性線図、第６図、第７図は本
発明の他の実施例を示す第４図に相当する図である。 １・・・非磁性基板 ２８・・・第１の下部磁性層 ２ｂ・・・第２の下部磁性層 ５・・・上部磁性層 ４・・・絶縁層 ５・・・コイル導体 ６・・・絶縁体 １１・・・溝 １４・・・埋込材 囁２図 囁３図 −４図
第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明
するための図、第６図は従来の薄膜磁気ヘッドの記録再
生特性線図、第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施
例を示すテープ摺動面より見た図、第５図は本発明の薄
膜磁気ヘッドの記録再生特性線図、第６図、第７図は本
発明の他の実施例を示す第４図に相当する図である。 １・・・非磁性基板 ２８・・・第１の下部磁性層 ２ｂ・・・第２の下部磁性層 ５・・・上部磁性層 ４・・・絶縁層 ５・・・コイル導体 ６・・・絶縁体 １１・・・溝 １４・・・埋込材 囁２図 囁３図 −４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板上に第１の下部磁性層、トラック幅を規
制する第２の下部磁性層、磁気ギャップとなる絶縁層、
コイル導体および上部磁性Ｊ＠を所定形状に順次積層し
てなり、前記第１の下部磁性層は非晶質合金からなる薄
膜とし、該第１の下Ｓ磁性層の上に形成した前記第２の
下部磁性層の周囲の部分には埋込材を積層して全体の表
面を平坦化し、その上に前記磁気ギャップとなる絶縁層
を積層し、前記第１．第２の下′Ｓ磁性層の合計膜厚お
よび前記上部磁性層の膜厚はそれぞれ使用最長記録波長
より大キくシた構成としであることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 ２、 前記非晶質合金はＣＯ基非晶質合金である特許請
求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21400983A JPS60107714A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21400983A JPS60107714A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107714A true JPS60107714A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16648750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21400983A Pending JPS60107714A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107714A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356419B1 (en) | 1999-07-23 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned read sensor with improved magnetresistance |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP21400983A patent/JPS60107714A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356419B1 (en) | 1999-07-23 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Antiparallel pinned read sensor with improved magnetresistance |
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