JPH0490110A - 水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ハードディスク等に対して情報信号の書込み
或いは読出しを行うのに好適な水平型薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関し、特に磁気ギャップの形成方法の改良に
関する。

〔発明の概要〕

本発明は、閉磁路を構成する磁性薄膜のうち一方の磁性
薄膜の膜厚方向での面が磁気記録媒体摺動面と水平とさ
れ、この磁性薄膜の膜厚方向に磁気ギャップが形成され
てなる。いわゆる水平型薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップ
を形成するに際し、ギャップ膜を２段階に分けて形成す
ることにより、磁気特性を損なわずに磁性薄膜を成膜し
ようとするものである。

〔従来の技術〕

従来、閉磁路を構成する磁性薄膜のうち一方の磁性薄膜
の膜厚方向での面が磁気記録媒体摺動面と水平とされ、
この磁性薄膜の膜厚方向に磁気ギャップが形成されてな
る。いわゆる水平型薄膜磁気ヘッドがアメリカ電気・電
子通信学会ｔ９　（ＩＥＥＥＴＲＡＩＪＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ　　ＯＮ　　ＭＡＧＮＥＴｒＣ５，ＶＯＬ、２５．　
１１０．５．　　ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ１９８９ＰＡＧＥ
　３６８６〜３６８８）に開示されている。

この磁気ヘッドにおける磁気ギャップは、レジストある
いはカーボンをギャップ幅にパターニングした後、磁気
コアとなるパーマロイ膜を電着法により被着して形成さ
れている。

ところで、近年、パーマロイに比べて飽和磁束密度Ｂｓ
の高い磁性材料が得られており、より高密度記録が実現
できるとして期待されている。

しかし、これを水平型薄膜磁気ヘッドに応用する場合、
上記の方法によるギャップ形成、すなわち、第９図に示
すように、基Ｆｉ（１０１）上に予め設定されたギャッ
プ長としたギャップ膜（１０２）を形成した後、飽和磁
束密度の高い磁性材料をスパッタリングにより被着さセ
る方法では、ギャップ膜（１０２）の陰影効果により該
ギャップ膜（１０２）近傍の磁性薄膜（１０３）が阻害
され、極端な場合には膜割れが生ずることがある。この
改善策として、バイアススパッタが一般的に知られてい
るが、この場合にも陰影効果によるバイヤス効果の違い
から、ギャップ膜（１０２）近傍での局部的な磁性薄膜
（１０３）の組成変化が起き、磁性薄膜（１０３）の磁
気特性の劣化を招く広れがある。

このように従来の方法では、ギャップ膜（１０２）近傍
に磁気特性の不良な部分が生じ、ヘッド効率及び分解能
の低下が生じ易いという問題がある。

一方、磁性薄膜（１０３）形成後に、ギャップ加工を行
う方法も考えられるが、この場合には後に磁気記録媒体
摺動面となる基板表面（１０１ａ）まで加工することに
なり、摺動面に加工痕を残すことになる。

〔発明が解決しようとする！１８） そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであり、磁気特性を損なわせることなく磁性薄膜を
成膜し、ヘッド効率及び分解能に優れた水平型薄膜磁気
ヘッドを歩留り良く製造することが可能な水平型薄膜磁
気ヘッドの製造方法を得供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ 上述の目的を達成するために、本発明の水平型薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、基板上に第１の絶縁膜をギャップ
長に相当する幅で形成する工程と、上記基板上に上記第
１の絶縁膜を覆って下部磁性体となる磁性薄膜を形成す
る工程と、上記第１の絶縁膜の上に積層される磁性薄膜
を第１の絶縁膜に至るまでエツチングする工程と、上記
磁性薄膜がエツチングされた溝内を含め該磁性薄膜上に
第２の絶縁膜を形成する工程と、上記第２の絶縁膜を研
磨し前記磁性薄膜を平坦化する工程と、上記平坦化され
た磁性薄膜上に絶縁膜を介して導体コイル及び上部磁性
体となる磁性薄膜を積層する工程とからなるものである
。

さらに本発明の水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基
板上に第１の絶縁膜をギャップ長に相当する幅で形成す
る工程と、上記基板上に上記第１の絶縁膜を覆って下部
磁性体となる第１の磁性薄膜を形成する工程と、上記第
１の磁性薄膜を上記第１の絶縁膜が露出するまで研磨し
て平坦化する工程と、この上に第２の絶縁膜を形成する
工程と、上記第２の絶縁膜を少なくとも上記第１の絶縁
膜より広い幅で当該第１の絶縁膜上に残存するようにエ
ツチングする工程と、下部磁性体となる第２の磁性薄膜
を積層形成し該第２の磁性薄膜を上記第２の絶縁膜が露
出するまで研磨して平坦化する工程と、上記平坦化され
た磁性薄膜上に絶縁膜を介して導体コイル及び上部磁性
体となる磁性薄膜を積層する工程とからなるものである
。

〔作用〕

第１の発明にかかる方法においては、第１の絶縁膜をギ
ャップ長に相当する幅で形成した後、この上に磁性薄膜
をスパッタにより形成し、そしてこの磁性薄膜を第１の
絶縁膜に至るまでエツチングせしめ、該エツチングによ
る溝内に第２の絶縁膜を形成して、所定のデプスとした
ギャップ膜を形成する。このように、磁性薄膜をスパッ
タリングする際には、第１の絶縁膜の膜厚が磁気ギャッ
プのデプス以下とされているので、この絶縁膜による陰
影効果が抑えられ、磁気特性の劣化のない磁性薄膜の成
膜が可能となる。

また、第２の発明にかかる方法に゛おいても第１の発明
にかかる方法と同様、ギャップ膜を２段階に分けて形成
するようにしており、第１の絶縁膜の上に形成する磁性
薄膜のスパッタリング時には、この第１の絶縁膜の膜厚
が磁気ギャップのデプス以下とされているので、同様に
この絶縁膜による陰影効果が抑えられ、磁性薄膜の局所
的特性劣化を抑えた成膜が可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明を通用した具体的な実施例について図面を
参照しながら説明する。

先ず、第１の発明を適用した水平型薄膜磁気ヘッドの製
造方法の実施例について説明する。

本実施例のヘッドを作製するには、先ず、第１図（Ａ）
に示すように、薄ＩＩ！磁気ヘッドを真空薄膜製造プロ
セスによって順次形成して行く際の土台となる基板（１
）上にギャップ膜として機能する第１の絶縁膜（２）を
形成する。

この第１の絶縁膜（２）の膜厚は、後工程で磁性材料を
スパッタする際に、この絶縁１１！（２）の陰影効果を
小さなものとして磁性薄膜を均一に被着させるため、磁
気ギャップのデプス以下とする。

本例では、第１の絶縁膜（２）には、リアクティブイオ
ンエツチング（ＲＩＥ）が可能なＳｉｎ。

を用い、これをスパッタ、ＣＶＤ、熱酸化（基板として
Ｓｉを用いる場合）等によって０．１〜０．４μｍ程度
の膜厚となるようにした。

なお、第１の絶縁膜（２）にリアクティブイオンエツチ
ングが困難なＡ　ｌ　ｚ　Ｏｓ等のギャップ膜を使用す
る場合には、第２図に示すように、ギャップ膜を形成す
る部分にフォトレジスｌ−（５１）等で反転パターンを
形成しておき、この上からＡｆｔＯｚ（５２）を成膜し
、その後フォトレジスト（５１）と共にギヤツブ部以外
の薄膜を取り去る、いわゆるリフト法で形成する。

次いで、上記第１の絶縁膜（２）上にギャップ長に相当
する幅と路間−幅のレジスト（３）を形成すそして、こ
のレジスト（３）をマスクとして上記第１の絶縁Ｈ’；
１．＜２）をエツチングする。

この結果、レジスト（３）の下に設けられる第１の絶縁
膜（２ａ）がギャップ長に相当する幅とされる。

次に、第１図（Ｂ）に示すように、上記基板（１）上に
上記第１の絶縁膜（２ａ）を覆って下部磁性体となる磁
性薄膜（４）を形成する。

磁性薄膜（４）は、Ｎｉ−Ｆｅ系合金（パーマロイ）や
Ｆｅ−Ａ１．−３ｉ系合金（センダスト）等の強磁性金
属材料、あるいは強磁性非晶質金属合金、いわゆるアモ
ルファス合金等の飽和磁束密度Ｂｓの高い材料をスパッ
タまたはイオンビームスパッタすることによって形成す
る。

また、磁性材料をスパッタするに際しては、ギャップ長
に相当する幅とされた第１の絶縁膜（２ａ）の膜厚が薄
いため、この絶縁膜（２ａ）によって影になる部分が極
めて少なくなり、つまりこの絶縁膜（２ａ）による陰影
効果が抑えられ、磁性材料が均一に被着する。したがっ
て、磁性材料の局所的特性劣化を抑えた成膜ができ、磁
気特性に優れた磁性薄膜（４）とすることができる。

次に、第Ｆ図（Ｃ）に示すように、上記第１の絶縁Ｍ（
２ａ）と対応する位置の前記磁性薄膜（４）の上に、ギ
ャップ長と路間−幅としたスリット（５ａ）を設けたフ
ォトレジスト（５）を形成する。

そして、このフォトレジスト（５）をマスクとしてイオ
ンミリング等によって上記第１の絶縁膜（２ａ）上に積
層される前記磁性薄膜（４）をギャップ長に相当する幅
で、該第１の絶縁膜（２ａ）に至るまでエツチングする
。

あるいは、第３図に示すように、集束イオンビームエツ
チング装Ｗ　（Ｆ　Ｉ　Ｂ）を用いて、マスクなしに直
接、磁性薄膜（４）をエツチングするようにしてもよい
。もちろん、この場合も、ギャップ長に相当する幅で第
１の絶縁膜（２ａ）に至る位置までエツチングする。

この結果、上記第１の絶縁膜（２ａ）上の磁性ｆｊｉ膜
（４）がギャップ長にエツチングされ、第１図（Ｄ）に
示すように、当該筒１の絶縁膜（２ａ）に至る溝（４ａ
）が形成される。

このように、エツチングを第１の絶縁膜（２ａ）の膜厚
の範囲内で終了することにより、磁気記録媒体摺動面と
なる基板表面（１ａ）を保護することができる。したが
って、磁気記録媒体摺動面に加工痕を残すようなことが
ない。

なお、この工程でエツチング幅を、第４図に示すように
、第１の絶縁膜（２ａ）の幅よりも大きくし、後述する
ように、記録再生特性の改善を図るようにしてもよい。

次に、上記磁性′ｇｉ膜（４）がエツチングされた溝（
４ａ）内を含め、該磁性薄膜（４）上にやはり第１の絶
縁膜（２ａ）と同様、ギャップ膜として機能する第２の
絶縁膜（６）を形成する。

この第２の絶縁膜（６）は、５ｉｆｔをバイアススパッ
タ、ＣＶＤ等によって成膜することで形成する。なお、
第１の絶縁膜（２ａ）がＡ／！、Ｏ，の場合には、Ａ　
Ｒ，ｚ　Ｏｓを同様にバイアススパッタ、ＣｖＤ等によ
って成膜する。

次いで、上記第２の絶縁膜（６）を研磨し、前記磁性薄
膜（４）の上端面を平坦化する。

なお、磁性薄膜（４）の平坦化は、エッチバック等の手
法によって行ってもよい。

この結果、第１図（Ｅ）に示すように、前記溝（４ａ）
内に第２の絶縁膜（６）が埋め込まれた形となり、これ
ら第１の絶縁膜（２ａ）と第２の絶縁膜（６）とにより
、磁性薄膜（４）の膜厚と同一長さを持つギャップ膜が
形成される。

同様に、ギャップ幅よりも広くエツチングした場合にお
いても、第５図に示すように、溝（４ａ）内に第２の絶
縁膜（６）が埋め込まれた形となり、これら第１の絶縁
膜（２ａ）と第２の絶縁Ｗｌｔ（６）とにより、磁性薄
膜（４）の膜厚と同一長さを持つギャップ膜が形成され
る。特に、このヘッドでは、ギャップ幅が磁性１＃（４
）の厚み方向で異なるため、いわゆる２段ギャップ構造
となる。

次に、第１図（Ｆ）に示すように、上記平坦化された磁
性ＴＲ膜（４）上に絶縁膜（７）を介して導体コイル（
８）をスパイラル状に形成するとともに、この導体コイ
ル（８）を覆って上部磁性体となる磁性薄膜（９）を形
成する。

このとき、下部磁性体となる磁性３３１Ｍ（４）の両端
部に上部磁性体となる磁性薄膜（９）の両端部をそれぞ
れ接続させ、これら磁性薄膜（４）　、　（９）とによ
り閉磁路を構成する。

次いで、上記上部磁性体となる磁性薄膜（９）を覆って
保護膜（１０）を形成した後、この保護膜（１０）の上
に前述の各種の薄膜を支持するガラスよりなる支持基板
（１１）を積層する。

同様に、ギャップ幅よりも広くエツチングした場合にお
いても、第６図に示すように、磁性薄膜（４）上に絶縁
膜（７）を介して導体コイル（８）及び上部磁性体とな
る磁性薄膜（９）を形成し、この上に保護１１９　（１
０）と支持基板（１１）とを積層する。

そして最後に、第１図（Ｇ）に示すように、下部磁性体
となる磁性薄膜（４）部分より基板（１）を剥離し、水
平型薄膜磁気ヘッドを完成する。

この結果、基板（１）と接触していた磁性薄膜（４）の
面が磁気記録媒体と摺接する磁気記録媒体摺動面（１ａ
）となり、この摺動面（１ａ）に磁気ギャップｇが呈す
る。

同様に、ギャップ幅よりも広くエツチングした場合のヘ
ッドにおいても、第７回に示すように、下部磁性体とな
る磁性薄膜（４）部分より基板（１）を剥離することで
、基板（１）と接触していた磁性薄膜（４）の面が磁気
記録媒体摺動面（１ａ）となり、この摺動面（１ａ）に
磁気ギャップｇが呈する。

以上のような工程を経て作製された薄膜磁気ヘッドにお
いては、始めから所定のデプスとしたギャップ膜を形成
しておいてから磁性薄膜を形成するのと違い、ギャップ
膜を２段階に分けて形成するようにしているので、ギャ
ップ膜による陰影効果を抑えた磁性薄膜の成膜が行え、
当該磁性薄膜の磁気特性を劣化させることがない。した
がって、本例のヘッドによれば、ヘッド効率及び分解能
の向上が期待できる。

なお、上部磁性体となる磁性薄膜（９）に高飽和磁束密
度且つ低透磁率の磁性材料を用い、下部磁性体となる磁
性薄膜（４）に低飽和磁束密度且つ高透磁率の磁性材料
を用いれば、高感度化、高分解能化が図れ、より一層の
記録再生特性の向上が期待できる。

特に、第７図に示す２段ギャップ構造のヘッドでは、下
部磁性体となる磁性薄膜（４）のギャップ長が狭い部分
の膜厚が０．１〜０．３μｍと薄いため、記録時にはこ
の部分が容易に飽和に達し、実効的なギャップ長がこの
上の広いギャップ部にまで広がり、この部分に強い磁界
が発生する。一方、再生時にはギャップ長の狭い部分の
みが動作する。

したがって、２段ギャップ構造では、高い分解能を有し
ながら記録再生の向上を図ることができる。

また、ストレート幅とされたギャップ構造のヘッドでは
、高分解能を図るための狭ギャップ化が難しいが、２段
ギャップ構造のヘッドでは、ギャップ長の狭い部分の磁
性薄膜の膜厚が薄いため容易に狭キャップ化できる。

なお、上述の実施例では、ギャップ膜を形成した後に下
部磁性体となる磁性薄膜を形成したが、ギャップ膜の代
わりにレジストを用いて先に磁性薄膜を形成し、レジス
トを除去した後にバイアススパンタあるいはＣＶＤ等に
よってギャップ材を後から充填してギャップ膜を形成す
るようにしてもよい。

次に、第２の発明を適用した水平型薄膜磁気ヘッドの製
造方法の実施例について説明する。

本例のヘッドを作製するには、先の方法と同様の要領で
、先ず、第８図（Ａ）に示すように、基板（１２）上に
ギャップ膜となるＳｉｎ、やＡ１．Ｏ，等の第１の絶縁
膜（１３）をギャップ長に相当する幅で形成する。

次いで、上記基板（１２）上に上記第１の絶縁膜（１３
）を覆って下部磁性体となる第１の磁性薄膜（１４）を
形成する。

本例では、上記第１の磁性薄膜（１４）の膜厚は、０、
１〜０．３μｍとなるようにした。

次に、第８図ＣＢ）に示すように、上記第１の磁性薄膜
（１４）を上記第１の絶縁膜（１３）が露出するまで研
磨して平坦化する。

次いで、この上にギャップ膜として機能する第２の絶縁
膜（１５）を形成する。

この第２の絶縁膜（１５）には、先の第１の絶縁膜（１
３）と同様のＳｉＯ□やＡ　ｌ　ｚ　Ｏａ等を成膜する
。

次に、上記第２の絶縁膜（１５）の上にレジストを塗布
し、露光・現像して前記第１の絶縁膜（１３）に対応し
た位置に、当該筒２の絶縁Ｍ　（１５）と接触する側の
幅Ｗ２を上記第１の絶縁膜（１３）のギャップ長Ｗ１よ
り広い幅とし、側面（１６ａ）　、　（１６ｂ）を傾斜
させた台形状のレジスト（１６）を形成する。

すなわち、上記レジスト（１６）は、レジスト幅が第２
の絶縁膜（１５）と接する側より上端側に行くに従って
次第に狭くなるような台形状とする。このときの傾斜は
、加熱処理によるリフローを利用して形成することがで
きる。

なお、エツチングの種類によっては、上記レジス）　（
１６）を上端側に行くに従いレジスト幅が次第に広がる
ような台形状としてもよい。

そして、上記レジスト（１６）をマスクとして前記第２
の絶縁膜（１５）をエツチングする。

エツチングは、イオンミリングやりアクティブイオンエ
ツチングで行い、第２の絶縁膜（１５）を前記レジスト
（１６）の形状に応じた台形状とする。

このときの第２の絶縁膜（１５ａ）の傾斜面（１５ｂ）
（１５ｃ）の傾斜角度θ、つまり前記第１の磁性薄膜（
１４）の上端面とのなす角度θは、イオン入射角度や酸
素ガスの導入等の制御により、３０度〜６０度となるよ
うにする。

次いで、この上に下部磁性体となる第２の磁性薄膜（１
７）を積層形成する。

このとき、第２の絶縁膜（１５ａ）の傾斜面（１５ｂ）
（１５ｃ）の傾斜角度θが９０度より緩いため、磁性材
料を比較的厚く被着しても、ギャップ近傍の磁気特性が
乱れることがない。したがって、この第２の磁性薄膜（
１７）の磁気特性が損なわれることはない。

次に、上記第２の磁性薄膜（１７）を上記第２の絶縁膜
（１５ａ）が露出するまで研磨して平坦化する。

この結果、第８図（Ｄ）に示すように、膜厚方向でギャ
ップ長の異なるいわゆる２段階ギャップ構造の磁気ギャ
ップｇが形成される。

次に、第８図（Ｅ）に示すように、上記平坦化された第
２の磁性薄膜（１７）上に、先の方法と同様にして絶縁
膜（１８）を介して導体コイル（１９）及び上部磁性体
となる磁性薄膜（２０）を形成し、さらにこの磁性薄膜
（２０）を覆って保護膜（２１）を形成した後、この保
護膜（２１）の上に支持基板（２２）を積層する。

そして最後に、下部磁性体となる第２の磁性薄膜（１７
）部分より前記基板（１２）を剥離し、水平型薄膜磁気
ヘッドを完成する。

上述のようにして作製された薄膜磁気ヘッドにおいては
、先の第１の発明にかかる水平型薄膜磁気ヘッドと同様
、第１の磁性薄膜（１４）及び第２の磁性薄膜（１７）
が磁気特性を損なうことな（成膜されているので、高ヘ
ツド効率及び高分解能が期待できる。また、このヘッド
では、２段ギャップ構造とされているので、録再生特性
に有効に作用するとともに、狭キャップ化が可能である
。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明の方法によれ
ば、いずれも磁気ギャップのデプス以下としたギャップ
膜のときに磁性薄膜を形成しているので、このギャップ
膜による陰影効果を抑えた成膜が行え、磁性薄膜の磁気
特性の劣化を防ぐことができる。したがって、本発明に
よって作製されるヘッドでは、高ヘツド効率及び高分解
能が望め、記録再生特性の向上が図れる。

特に、第２の発明の方法によれば、膜厚方向でギャップ
長の異なる、いわゆる２段ギャップ構造とすることがで
きるので、記録再生能力を爪光的に高めることができる
とともに、高記録密度化並びに高トラツク密度化が図れ
、記録容量の増大が望める。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）ないし第１図（Ｇ）は第１の発明を適用し
て水平型薄膜磁気ヘッドを作製する工程を順次示す要部
拡大断面図であり、第１図（Ａ）は第１の絶縁膜をギャ
ップ長に相当する幅とする工程、第１Ｉ！１（Ｂ）は磁
性薄膜形成工程、第１図（Ｃ）はレジスト形成工程、第
１図（Ｄ）は磁性薄膜のエツチング工程、第１図（Ｅ）
は磁性Ｆ！ｉ膜の平坦化工程、第１図（Ｆ）は導体コイ
ル及び磁性薄膜形成工程、第１図（Ｇ）は基板剥離工程
をそれぞれ示す。 第２図は第１の絶縁膜をギャップ長に相当する幅とする
工程の他の例を示す要部拡大断面図である。 第３図ないし第７図は２段ギャップ構造とした水平型薄
膜磁気ヘッドの製造工程を順次示す要部拡大断面図であ
り、第３図は磁性薄膜形成工程、第４図は磁性薄膜のエ
ツチング工程、第５図は磁性薄膜の平坦化工程、第６図
は導体コイル及び磁性薄膜形成工程、第７図は基板剥離
工程をそれぞれ示す。 第８図（Ａ）ないし第８図（Ｅ）は第２の発明を適用し
て水平型Ｆａｌｌ！磁気ヘッドを作製する工程を順次示
す要部拡大断面図であり、第８図（八）は磁性薄膜形成
工程、第８図（Ｂ）はレジスト形成工程、第８図（Ｃ）
は第２の絶縁膜をギャップ長とする工程、第８図（Ｄ）
は磁性薄膜の平坦化工程、第８図（Ｅ）は導体コイル及
び磁性薄膜形成工程をそれぞれ示す。 第９図は従来の水平型薄膜磁気ヘッドのギャップ部を形
成する工程を示す要部拡大断面図である。 ■、１２・ ２ａ、１３ ６．１５ａ ４．１７・ ８．１９・ ・基板 ・・第１の絶縁膜 ・・第２の絶縁膜 ・下部磁性体となる磁性薄膜 ・導体コイル

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に第１の絶縁膜をギャップ長に相当する幅
   で形成する工程と、 上記基板上に上記第１の絶縁膜を覆って下部磁性体とな
   る磁性薄膜を形成する工程と、 上記第１の絶縁膜の上に積層される磁性薄膜を第１の絶
   縁膜に至るまでエッチングする工程と、上記磁性薄膜が
   エッチングされた溝内を含め該磁性薄膜上に第２の絶縁
   膜を形成する工程と、上記第２の絶縁膜を研磨し前記磁
   性薄膜を平坦化する工程と、 上記平坦化された磁性薄膜上に絶縁膜を介して導体コイ
   ル及び上部磁性体となる磁性薄膜を積層する工程とから
   なる水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. （２）基板上に第１の絶縁膜をギャップ長に相当する幅
   で形成する工程と、 上記基板上に上記第１の絶縁膜を覆って下部磁性体とな
   る第１の磁性薄膜を形成する工程と、上記第１の磁性薄
   膜を上記第１の絶縁膜が露出するまで研磨して平坦化す
   る工程と、この上に第２の絶縁膜を形成する工程と、 上記第２の絶縁膜を少なくとも上記第１の絶縁膜より広
   い幅で当該第１の絶縁膜上に残存するようにエッチング
   する工程と、 下部磁性体となる第２の磁性薄膜を積層形成し該第２の
   磁性薄膜を上記第２の絶縁膜が露出するまで研磨して平
   坦化する工程と、 上記平坦化された磁性薄膜上に絶縁膜を介して導体コイ
   ル及び上部磁性体となる磁性薄膜を積層する工程とから
   なる水平型薄膜磁気ヘッドの製造方法。