JPS63129512A - 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS63129512A JPS63129512A JP27516486A JP27516486A JPS63129512A JP S63129512 A JPS63129512 A JP S63129512A JP 27516486 A JP27516486 A JP 27516486A JP 27516486 A JP27516486 A JP 27516486A JP S63129512 A JPS63129512 A JP S63129512A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
- G11B5/3987—Specially shaped layers with provision for closing the magnetic flux during operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、薄膜形成技術およびフォトリソグラフィを用
いて作製される磁気抵抗型磁気ヘッドの製造方法に関す
るものである。
いて作製される磁気抵抗型磁気ヘッドの製造方法に関す
るものである。
（従来の技術）
最近、磁気記録装置において、トラック密度の向上に伴
うトラック幅の縮小と磁気テープ走行速度の低速化など
から再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ
）を使った磁気抵抗型磁気ヘッド（以後ＭＲヘッドと呼
ぶ）が広（使用されつつある。その基本的かつ代表的構
造を第４図に示す。
うトラック幅の縮小と磁気テープ走行速度の低速化など
から再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ
）を使った磁気抵抗型磁気ヘッド（以後ＭＲヘッドと呼
ぶ）が広（使用されつつある。その基本的かつ代表的構
造を第４図に示す。
（例えばマグネトレジスタンスリードアウトトランスジ
ューサーＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ７１５０頁
）第４図において、非磁性基板１０１上にＭ ＲＥ １
０２としてパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）、Ｎ１−Ｇｏ金合
金ような強磁性薄膜を短冊状に形成する。この時、ＭＲ
Ｅは磁界中蒸着などによってトラック幅方向を磁化容易
軸とするように一軸磁気異方性が誘起される。
ューサーＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ７１５０頁
）第４図において、非磁性基板１０１上にＭ ＲＥ １
０２としてパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）、Ｎ１−Ｇｏ金合
金ような強磁性薄膜を短冊状に形成する。この時、ＭＲ
Ｅは磁界中蒸着などによってトラック幅方向を磁化容易
軸とするように一軸磁気異方性が誘起される。
ＲＥＭ１０２は、磁気記録媒体１０３に近接して配置さ
れる。磁気記録媒体１０３の磁界によりＭ ＲＥ １０
２の磁化が変化し、磁気抵抗効果によってＭＲＥの抵抗
が変化する。この抵抗変化を検出するために、ＭＲＥの
両端に設けられた電極１０４ａ、１０４ｂからＭＲＥ
１０２へ検知電流が流される。電極１０４ａ、１０４ｂ
を介して接続された検出回路がＭＲＥの抵抗変化を検出
することにより、磁気記録媒体に記憶されている情報の
読み出しが行われる。
れる。磁気記録媒体１０３の磁界によりＭ ＲＥ １０
２の磁化が変化し、磁気抵抗効果によってＭＲＥの抵抗
が変化する。この抵抗変化を検出するために、ＭＲＥの
両端に設けられた電極１０４ａ、１０４ｂからＭＲＥ
１０２へ検知電流が流される。電極１０４ａ、１０４ｂ
を介して接続された検出回路がＭＲＥの抵抗変化を検出
することにより、磁気記録媒体に記憶されている情報の
読み出しが行われる。
また、Ｍ ＲＥ １０２を磁気記録媒体から離して配置
し、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くための
導磁性材料で構成された第５図に示すようなヨーク１０
５．１０６を有するＭＲＥヘッドも広く知られている。
し、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くための
導磁性材料で構成された第５図に示すようなヨーク１０
５．１０６を有するＭＲＥヘッドも広く知られている。
（例えば、マグネトレジステイブヘッド ＩＥＩＥＥ
Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇ１７２８８４頁）一般に、ＭＲＥの
抵抗変化ΔＲは、検知電流の向きと、ＭＲＥの磁化の向
きとがなす角度をθ、最大抵抗変化をΔＲｍａｘとした
時 ΔＲ＝ΔＲｍａｘ ｃｏｓ２ｆｌ？ （１
）また、ＭＲＥ内の信号磁束密度をＢｓ１ｇ、 ＭＲＥ
の飽和磁束密度をＢｓとした時、近似的にＢｓ が成立し、（１） 、 （２）式より が導かれる。即ち、理論的にはＭＲＥは磁界変化に対し
て第６図のような抵抗変化を示す。そしてＭＲＥの抵抗
変化による出力を高感度化および直線応答化する目的で
、磁気平衡点を第６図Ｂの位置にするためのバイアス磁
界がＭＲＥの困難軸方向に印加される。第５図における
１０７は、このバイアス磁界印加用導体で、Ｍ ＲＥ
１０２の下層に、絶縁層を中間層として形成され、この
導体１０７に、適当な直流電流が流され、これによって
誘導される磁界により、Ｍ ＲＥ １０２は最適バイア
スに設定される。
Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇ１７２８８４頁）一般に、ＭＲＥの
抵抗変化ΔＲは、検知電流の向きと、ＭＲＥの磁化の向
きとがなす角度をθ、最大抵抗変化をΔＲｍａｘとした
時 ΔＲ＝ΔＲｍａｘ ｃｏｓ２ｆｌ？ （１
）また、ＭＲＥ内の信号磁束密度をＢｓ１ｇ、 ＭＲＥ
の飽和磁束密度をＢｓとした時、近似的にＢｓ が成立し、（１） 、 （２）式より が導かれる。即ち、理論的にはＭＲＥは磁界変化に対し
て第６図のような抵抗変化を示す。そしてＭＲＥの抵抗
変化による出力を高感度化および直線応答化する目的で
、磁気平衡点を第６図Ｂの位置にするためのバイアス磁
界がＭＲＥの困難軸方向に印加される。第５図における
１０７は、このバイアス磁界印加用導体で、Ｍ ＲＥ
１０２の下層に、絶縁層を中間層として形成され、この
導体１０７に、適当な直流電流が流され、これによって
誘導される磁界により、Ｍ ＲＥ １０２は最適バイア
スに設定される。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、記録の高密度化に従って、ＭＲＥが微小パター
ン化されると、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウ
ゼンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった
。
ン化されると、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウ
ゼンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった
。
即ち、消磁状態のＭＲＥは多数の磁区を有しており、第
７図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状のＭ
ＲＥの磁区構造の一例を示している。この例においては
、磁化容易軸方向に平行で逆方向の磁化を有する２つの
主磁区１５１，１５２と還流磁区とよばれる２つの磁区
１５３，１５４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を一有
しない構造となっている。
７図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状のＭ
ＲＥの磁区構造の一例を示している。この例においては
、磁化容易軸方向に平行で逆方向の磁化を有する２つの
主磁区１５１，１５２と還流磁区とよばれる２つの磁区
１５３，１５４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を一有
しない構造となっている。
そして、磁気記録媒体からの信号磁界がＭＲＥに作用し
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に、第８図に示
すようなバルクハウゼンノイズＮ１〜Ｎ４を発生するこ
とになる。その結果、良好な信号再生を実現できない問
題を有していた。
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に、第８図に示
すようなバルクハウゼンノイズＮ１〜Ｎ４を発生するこ
とになる。その結果、良好な信号再生を実現できない問
題を有していた。
一般に、ＭＲＥの磁区構造は、その形状に大きく依存し
、特にＭＲＥのアスペクト比（ＭＲＥの長さ／ＭＲＥの
幅）が大きくなり、長さ方向の反磁界が小さくなると、
ＭＲＥの磁区構造は第９図のようにその中央部で磁壁を
有しない、単磁区にすることができ、バルクハウゼンノ
イズ発生を制御できることが知られている。
、特にＭＲＥのアスペクト比（ＭＲＥの長さ／ＭＲＥの
幅）が大きくなり、長さ方向の反磁界が小さくなると、
ＭＲＥの磁区構造は第９図のようにその中央部で磁壁を
有しない、単磁区にすることができ、バルクハウゼンノ
イズ発生を制御できることが知られている。
また、ＭＲＥの長さは、トラック幅の制限をうけ、特に
高密度記録用として狭トラツク化、マルチトラック化さ
れた磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥの長さを長くすること
は不可能であり、この場合には、第１０図に示すような
、微小な間隙を有する閉磁路構造の磁気抵抗素子が提案
されている。この場合には、同図に示すような磁区構造
を示し、ＭＲＥの有効部分１６０を単磁区化してバルク
ハウゼンノイズの発生を抑制することができるものであ
る。しかし、これを第５図に示すようなヨークタイプＭ
Ｒヘッドに適用した場合、下層に形成されるバイアス磁
界印加用導体による凹凸形状が、磁気抵抗素子に影響を
与え、第１Ｏ図に示すような磁区構造にはならず、バル
クハウゼンノイズの発生を抑制できない欠点があった。
高密度記録用として狭トラツク化、マルチトラック化さ
れた磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥの長さを長くすること
は不可能であり、この場合には、第１０図に示すような
、微小な間隙を有する閉磁路構造の磁気抵抗素子が提案
されている。この場合には、同図に示すような磁区構造
を示し、ＭＲＥの有効部分１６０を単磁区化してバルク
ハウゼンノイズの発生を抑制することができるものであ
る。しかし、これを第５図に示すようなヨークタイプＭ
Ｒヘッドに適用した場合、下層に形成されるバイアス磁
界印加用導体による凹凸形状が、磁気抵抗素子に影響を
与え、第１Ｏ図に示すような磁区構造にはならず、バル
クハウゼンノイズの発生を抑制できない欠点があった。
本発明は、上記問題点に鑑み、磁気記録媒体に記憶され
た情報を損うことなしに、トラック幅、トラックピッチ
などにより長さ制限されたＭＲＥの有効部分を単磁区構
造にして、バルクハウゼンノイズを発生しない磁気抵抗
型磁気ヘッドの製造方法を提供するものである。
た情報を損うことなしに、トラック幅、トラックピッチ
などにより長さ制限されたＭＲＥの有効部分を単磁区構
造にして、バルクハウゼンノイズを発生しない磁気抵抗
型磁気ヘッドの製造方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
この目的を達成するために、本発明による磁気抵抗型磁
気ヘッドの製造方法は、少なくとも１箇所に間隙を有す
る閉磁路構造のＭＲＥが形成され、下地の絶縁薄膜にお
けるバイアス磁界印加用導体に起因する凹凸を平坦にす
るような平坦化処理を施すことを特徴としている。
気ヘッドの製造方法は、少なくとも１箇所に間隙を有す
る閉磁路構造のＭＲＥが形成され、下地の絶縁薄膜にお
けるバイアス磁界印加用導体に起因する凹凸を平坦にす
るような平坦化処理を施すことを特徴としている。
（作 用）
本発明における作用は、ＭＲＥの両端に発生する反磁界
の影響をおさえ、ＭＲＥの中央有効部分を単磁区化する
ことである。
の影響をおさえ、ＭＲＥの中央有効部分を単磁区化する
ことである。
微小な間隙を有する閉磁路構造のＭＲＥにおいては５反
磁界の影響を最小限に抑えるため、二つの作用がある。
磁界の影響を最小限に抑えるため、二つの作用がある。
今１間隙内の磁場Ｈｇ、ＭＲＥ内の反磁界）１ｄ、間隙
をδ、ＭＲＥの磁路長をｅとし、Ｈｇ・δ＝Ｈｄ（＃−
δ）（４） が成立する。またＭＲＥが一様に磁化Ｐｍを持っている
とすると、 Ｐａ” ｐ ｏ（ｏｇ−ｏｎ） （５
）が成立する（μ。は真空透磁率）、 （４）式と（５
）式より）Ｉｇを消去して（６）式が導かれる。
をδ、ＭＲＥの磁路長をｅとし、Ｈｇ・δ＝Ｈｄ（＃−
δ）（４） が成立する。またＭＲＥが一様に磁化Ｐｍを持っている
とすると、 Ｐａ” ｐ ｏ（ｏｇ−ｏｎ） （５
）が成立する（μ。は真空透磁率）、 （４）式と（５
）式より）Ｉｇを消去して（６）式が導かれる。
１（Ｄ＝ （Ｐ、／μ。）（δ＃） （６
）まず、第１の作用は、本発明のｉＲＥにおいて、素子
を折り畳むことにより磁路長を長くすることによる。即
ち、（６）式でＰ□δを一定とし１ｇを大きくすること
に対応する。その結果、（６）式に従って、ＭＲＥ内の
反磁界がおさえられる。
）まず、第１の作用は、本発明のｉＲＥにおいて、素子
を折り畳むことにより磁路長を長くすることによる。即
ち、（６）式でＰ□δを一定とし１ｇを大きくすること
に対応する。その結果、（６）式に従って、ＭＲＥ内の
反磁界がおさえられる。
第２の作用は１本発明のＭＲＥが間隙を有していること
による。即ち、これは、（６）式でδを小さくすること
に対応し、従ってＭＲＥ内の反磁界がおさえられる。こ
の作用はδを小さくするほど大きい。
による。即ち、これは、（６）式でδを小さくすること
に対応し、従ってＭＲＥ内の反磁界がおさえられる。こ
の作用はδを小さくするほど大きい。
以上２つの作用によってＭＲＥ内の反磁界は最少となり
、第１０図に示すＭＲＥ中央有効部１６０は単磁区化さ
れる。
、第１０図に示すＭＲＥ中央有効部１６０は単磁区化さ
れる。
こうした作用を円滑に行わせるためには、ＭＲＥを形成
する下地が凹凸のない平面であることが必要である。凹
凸ある下地にＭＲＥを形成すると、その段差部で磁荷を
発生し、これによる反磁界によって磁区構造が乱される
ためである。
する下地が凹凸のない平面であることが必要である。凹
凸ある下地にＭＲＥを形成すると、その段差部で磁荷を
発生し、これによる反磁界によって磁区構造が乱される
ためである。
以上のように、本発明の磁気抵抗型磁気ヘッドの製造方
法においては、ＭＲＥの下地絶縁薄膜の凹凸を無くする
ことによって、上記２つの作用を円滑に行わせ、バルク
ハウゼンノイズの発生を抑制するものである。
法においては、ＭＲＥの下地絶縁薄膜の凹凸を無くする
ことによって、上記２つの作用を円滑に行わせ、バルク
ハウゼンノイズの発生を抑制するものである。
（実施例）
第１図は、本発明の一実施例の磁気抵抗型磁気ヘッドの
製造方法を示したものである。また、第２図には、実施
例に従って作製された磁気抵抗型磁気ヘッドの外観、を
示している。なお、第１図は、第２図における磁気テー
プ摺動面に垂直なＡ−Ａ′断面の各製造段階を示してい
る。
製造方法を示したものである。また、第２図には、実施
例に従って作製された磁気抵抗型磁気ヘッドの外観、を
示している。なお、第１図は、第２図における磁気テー
プ摺動面に垂直なＡ−Ａ′断面の各製造段階を示してい
る。
第１図（ａ）に示したように、磁性基板ｌＯ上に、ます
Ａ６０．絶縁層１１を形成する。この時の膜厚は丁度ギ
ャップ長になるように形成される。次いで。
Ａ６０．絶縁層１１を形成する。この時の膜厚は丁度ギ
ャップ長になるように形成される。次いで。
第１図（ｂ）に示すように、Ｃｒ下地のＡｕあるいはＡ
１１などの導体膜厚が形成され、フォトリソグラフィ技
術によって所定の形状にされ、バイアス磁界印加用導体
１２が形成される０次に、第１図（ｃ）のように、バイ
アス磁界印加用導体１２上に絶縁層としてＳｉＯ□絶縁
薄膜１３が形成される。この時、ＳｉＯ□絶縁薄膜１３
には、バイアス磁界印加用導体１２に起因する段差１４
ａ 、 １４ｂが発生している。この段差１４ａ。
１１などの導体膜厚が形成され、フォトリソグラフィ技
術によって所定の形状にされ、バイアス磁界印加用導体
１２が形成される０次に、第１図（ｃ）のように、バイ
アス磁界印加用導体１２上に絶縁層としてＳｉＯ□絶縁
薄膜１３が形成される。この時、ＳｉＯ□絶縁薄膜１３
には、バイアス磁界印加用導体１２に起因する段差１４
ａ 、 １４ｂが発生している。この段差１４ａ。
１４ｂをなくするために、第１図（Ｃ）に示すように環
化ゴム−ビスアジド系のフォトレジスト１５がスピンコ
ードされ、熱硬化される。熱硬化後のフォトレジスト１
５は下地層の凹凸を吸収し、フォトレジスト１５はほぼ
均一な表面となる。フォトレジスト１５はその粘度が小
さい程、均一な表面となる傾向があった。
化ゴム−ビスアジド系のフォトレジスト１５がスピンコ
ードされ、熱硬化される。熱硬化後のフォトレジスト１
５は下地層の凹凸を吸収し、フォトレジスト１５はほぼ
均一な表面となる。フォトレジスト１５はその粘度が小
さい程、均一な表面となる傾向があった。
次に、フォトレジスト１５と、５ＩＯ２絶縁薄膜１３と
を同じエツチングレートでエツチングすることにより、
第１図（ｄ）のように、Ｓｕｎ、絶縁薄膜１３を平坦化
する。エツチング法としては、イオン化されたＡｒイオ
ンなどを加速して基板にぶつけ、エツチングを行うイオ
ンミリング法を用いた。イオンミリング法は、加速され
たＡｒイオンの基板に対する入射角によって、エツチン
グレートが異なり、イオン入射角度を適当に選ぶことに
よって異種材料を等エツチングレートでエツチングでき
る。第３図は、 Ａｒイオン入射角度に対するＳｉｎ、
絶縁薄膜（Ａ）と、環化ゴム−ビスアジド系フォトレジ
スト（Ｂ）のエツチングレートを示しており、この場合
の等エツチングレートの入射角は７５度である。
を同じエツチングレートでエツチングすることにより、
第１図（ｄ）のように、Ｓｕｎ、絶縁薄膜１３を平坦化
する。エツチング法としては、イオン化されたＡｒイオ
ンなどを加速して基板にぶつけ、エツチングを行うイオ
ンミリング法を用いた。イオンミリング法は、加速され
たＡｒイオンの基板に対する入射角によって、エツチン
グレートが異なり、イオン入射角度を適当に選ぶことに
よって異種材料を等エツチングレートでエツチングでき
る。第３図は、 Ａｒイオン入射角度に対するＳｉｎ、
絶縁薄膜（Ａ）と、環化ゴム−ビスアジド系フォトレジ
スト（Ｂ）のエツチングレートを示しており、この場合
の等エツチングレートの入射角は７５度である。
この後、平坦化されたＳｉｎ、絶縁薄膜１３上に微小な
間隙を有する閉磁路構造のＭ ＲＥ １６を形成し。
間隙を有する閉磁路構造のＭ ＲＥ １６を形成し。
次に、ＭＲＥの中央有効部の抵抗変化のみを検出するよ
うに電極２３ａ 、 ２３ｂが形成される（第１図では
図示せず）。次いで、磁気記録媒体からの信号磁界をＭ
ＲＥ １６に導くためのフロントヨーク１８、バック
ヨーク１９とＭ ＲＥ １６とを電気的かつ磁気的にア
イソレートするための５ｉｎ２絶縁薄膜１７を形成し、
７０ントギャップ部２０．パックギャップ部２１の余分
なＳｉｎ、絶縁薄膜１７をエツチングにより取り除き、
この上にフロントヨーク１８．およびバックヨーク１９
を形成する。最後に保護層（図示せず）を形成し、保護
基板（図示せず）に接着されてテープ摺動面２２が研摩
加工され、第１図に示すような磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドが完成される。
うに電極２３ａ 、 ２３ｂが形成される（第１図では
図示せず）。次いで、磁気記録媒体からの信号磁界をＭ
ＲＥ １６に導くためのフロントヨーク１８、バック
ヨーク１９とＭ ＲＥ １６とを電気的かつ磁気的にア
イソレートするための５ｉｎ２絶縁薄膜１７を形成し、
７０ントギャップ部２０．パックギャップ部２１の余分
なＳｉｎ、絶縁薄膜１７をエツチングにより取り除き、
この上にフロントヨーク１８．およびバックヨーク１９
を形成する。最後に保護層（図示せず）を形成し、保護
基板（図示せず）に接着されてテープ摺動面２２が研摩
加工され、第１図に示すような磁気抵抗型薄膜磁気ヘッ
ドが完成される。
本実施例においては、５ｉｎ２絶縁薄膜１３の平坦化に
イオンミリング法を用いたが、この他Ａｒガスのプラズ
マ中にサンプルを設置してエツチングを行うプラズマエ
ツチング法、あるいは反応性ガスのプラズマ中にサンプ
ルを設置してエツチングを行う反応性プラズマエツチン
グ法などを用いることができる。
イオンミリング法を用いたが、この他Ａｒガスのプラズ
マ中にサンプルを設置してエツチングを行うプラズマエ
ツチング法、あるいは反応性ガスのプラズマ中にサンプ
ルを設置してエツチングを行う反応性プラズマエツチン
グ法などを用いることができる。
なお、本実施例において作製した１幅し工を１０戸、間
隙Ｌ２を５戸、長さり、を１００戸、電極間距離即ちＭ
Ｒ有効率の長さＬ４を７０１Ｘ＠、鉛直部長さり、を１
０／７ｍとするＭＲＥを平坦化したＳｉｎ、絶縁薄膜上
に形成してなる磁気抵抗型磁気ヘッドの再生波形中のバ
ルクハウゼンノイズに起因する高調波成分をスペクトロ
アナライザーで分析した結果、幅１０−１長さ１００戸
、電極間距離７０戸の短冊状ＭＲＥによる高調波成分と
比較して、本実施例のものは常に高調波成分が１５〜３
０ｄＢ少なかった。
隙Ｌ２を５戸、長さり、を１００戸、電極間距離即ちＭ
Ｒ有効率の長さＬ４を７０１Ｘ＠、鉛直部長さり、を１
０／７ｍとするＭＲＥを平坦化したＳｉｎ、絶縁薄膜上
に形成してなる磁気抵抗型磁気ヘッドの再生波形中のバ
ルクハウゼンノイズに起因する高調波成分をスペクトロ
アナライザーで分析した結果、幅１０−１長さ１００戸
、電極間距離７０戸の短冊状ＭＲＥによる高調波成分と
比較して、本実施例のものは常に高調波成分が１５〜３
０ｄＢ少なかった。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、微小な間隙を有
する閉磁路構造のＭＲＥの下地層として形成される絶縁
薄膜において、バイアス磁界印加用導体に起因する段差
を平坦化処理により解消することで、段差部に生じる磁
化による反磁化を無くシ、前記の微小な間隙を有する閉
磁路構造ＭＲＥの中央有効部の単磁区構造を安定して現
出させることができ、その結果として、変則的な磁壁移
動に起因するバルクハウゼンノイズを除去することが可
能になる。特に、本発明はトラック幅、トラックピッチ
などに制限があり、ＭＲＥの長さを大きくできない時の
製造方法として特に有効である。
する閉磁路構造のＭＲＥの下地層として形成される絶縁
薄膜において、バイアス磁界印加用導体に起因する段差
を平坦化処理により解消することで、段差部に生じる磁
化による反磁化を無くシ、前記の微小な間隙を有する閉
磁路構造ＭＲＥの中央有効部の単磁区構造を安定して現
出させることができ、その結果として、変則的な磁壁移
動に起因するバルクハウゼンノイズを除去することが可
能になる。特に、本発明はトラック幅、トラックピッチ
などに制限があり、ＭＲＥの長さを大きくできない時の
製造方法として特に有効である。
第１図は、本発明の一実施例における磁気抵抗型磁気ヘ
ッドの製造方法を示す断面図、第２図は、同実施例に従
って作製された磁気抵抗型磁気ヘッドの外観図、第３図
は、イオンミリング法によるＳｉｎ、絶縁薄膜と環化ゴ
ム−ビスアジド系レジストのエツチングレートとＡｒイ
オン入射角度の関係を示す特性図、第４図は、従来の磁
気抵抗型磁気ヘッドの基本的構成図、第５図は、磁気記
録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くためのヨークを有
する磁気抵抗型磁気ヘッドの外観図、第６図は、磁界強
度とＭＲＥの抵抗変化を示す理論特性図、第７図は、短
冊状ＭＲＥの消磁状態おける磁区構造を示す図、第８図
は、バルクハウゼンノイズを発生する微小パターンＭＲ
Ｅの磁界強度による抵抗変化を示す特性図、第９図は、
アスペクト比が非常に大きいＭＲＥの消磁時における単
磁区状態を示す図、第１０図は、微小な間隙を有する閉
磁路構造のＭＲＥの消磁状態の磁区構造を示す図である
。 １０・・・基板、１１，１３，１７・・・絶縁薄膜、１
２・・・バイアス磁界印加用導体、１４ａ。 １４ｂ・・・段差、１５・・・フォトレジスト、１６・
・・微小な間隙を有する閉磁路構造のＭＲＥ、 １８
・・・ フロントヨーク、 １９・・・バックヨーク、
２０・・・ フロントギャップ、２１・・・パックギャ
ップ、２２・・・テープ摺動面、２３ａ、２３ｂ・・・
電極。 特許出願人 松下電器産業株式会社 ＋０．−基板 １１ｊ３．＋７−絶縁薄状 １２．−バ
イア人植界ｈｐＩＪａ用尋体 ＋４ａｊ４ｂ −Ｊｉｍ ＋５−フォトｐ７人ト＋６
−、イ枚小心間屏、！有すう閉ｉ乃購逼のＭＥＲ１８−
、フロ）トヨーク １９．−パ、、クヨーク２００．フ
ロ゛ノロ〜、７プ ２１．、−バ１．クギＡ”／プ第２
図 ２２−、、テーブオ習ｖＪ面 ２３ａ、２３ｂ −一電梗 第３図 Ａｒ＋入射内（屋） 第４図 第５図 第６図 ＭＲＥｌ”ＪＰ７ＩＯ′ｔヶ磁界の強ご第７図 第８図 Ｍ ＲＥ Ｉｓ即加Ｔ勺磁界の強Ｓ 第９図
ッドの製造方法を示す断面図、第２図は、同実施例に従
って作製された磁気抵抗型磁気ヘッドの外観図、第３図
は、イオンミリング法によるＳｉｎ、絶縁薄膜と環化ゴ
ム−ビスアジド系レジストのエツチングレートとＡｒイ
オン入射角度の関係を示す特性図、第４図は、従来の磁
気抵抗型磁気ヘッドの基本的構成図、第５図は、磁気記
録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くためのヨークを有
する磁気抵抗型磁気ヘッドの外観図、第６図は、磁界強
度とＭＲＥの抵抗変化を示す理論特性図、第７図は、短
冊状ＭＲＥの消磁状態おける磁区構造を示す図、第８図
は、バルクハウゼンノイズを発生する微小パターンＭＲ
Ｅの磁界強度による抵抗変化を示す特性図、第９図は、
アスペクト比が非常に大きいＭＲＥの消磁時における単
磁区状態を示す図、第１０図は、微小な間隙を有する閉
磁路構造のＭＲＥの消磁状態の磁区構造を示す図である
。 １０・・・基板、１１，１３，１７・・・絶縁薄膜、１
２・・・バイアス磁界印加用導体、１４ａ。 １４ｂ・・・段差、１５・・・フォトレジスト、１６・
・・微小な間隙を有する閉磁路構造のＭＲＥ、 １８
・・・ フロントヨーク、 １９・・・バックヨーク、
２０・・・ フロントギャップ、２１・・・パックギャ
ップ、２２・・・テープ摺動面、２３ａ、２３ｂ・・・
電極。 特許出願人 松下電器産業株式会社 ＋０．−基板 １１ｊ３．＋７−絶縁薄状 １２．−バ
イア人植界ｈｐＩＪａ用尋体 ＋４ａｊ４ｂ −Ｊｉｍ ＋５−フォトｐ７人ト＋６
−、イ枚小心間屏、！有すう閉ｉ乃購逼のＭＥＲ１８−
、フロ）トヨーク １９．−パ、、クヨーク２００．フ
ロ゛ノロ〜、７プ ２１．、−バ１．クギＡ”／プ第２
図 ２２−、、テーブオ習ｖＪ面 ２３ａ、２３ｂ −一電梗 第３図 Ａｒ＋入射内（屋） 第４図 第５図 第６図 ＭＲＥｌ”ＪＰ７ＩＯ′ｔヶ磁界の強ご第７図 第８図 Ｍ ＲＥ Ｉｓ即加Ｔ勺磁界の強Ｓ 第９図
Claims (1)
- 磁気抵抗素子にバイアス磁界を印加るための導体上に、
絶縁薄膜を介して、微小な間隙を有する閉磁路構造の磁
気抵抗素子を形成するに際し、前記導体に起因する絶縁
薄膜の凹凸を除去するための平坦化処理を施すことを特
徴とする磁気抵抗型磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27516486A JPH0719343B2 (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27516486A JPH0719343B2 (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63129512A true JPS63129512A (ja) | 1988-06-01 |
| JPH0719343B2 JPH0719343B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17551565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27516486A Expired - Lifetime JPH0719343B2 (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719343B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685839A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-06 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head with asymmetric leads |
| JP2002000343A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-08 | Yoshida Industry Co Ltd | 気密容器 |
| JP2006174867A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Key Tranding Co Ltd | 気密容器 |
| US7481229B2 (en) | 2002-11-06 | 2009-01-27 | L'oreal | Case with a sealing element |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP27516486A patent/JPH0719343B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0685839A1 (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-06 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head with asymmetric leads |
| JP2002000343A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-01-08 | Yoshida Industry Co Ltd | 気密容器 |
| US7481229B2 (en) | 2002-11-06 | 2009-01-27 | L'oreal | Case with a sealing element |
| JP2006174867A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Key Tranding Co Ltd | 気密容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719343B2 (ja) | 1995-03-06 |
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