JPH06274834A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06274834A JPH06274834A JP6570593A JP6570593A JPH06274834A JP H06274834 A JPH06274834 A JP H06274834A JP 6570593 A JP6570593 A JP 6570593A JP 6570593 A JP6570593 A JP 6570593A JP H06274834 A JPH06274834 A JP H06274834A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子層と磁気シールド層との間
の短絡に伴う再生出力への影響をなくし、磁気シールド
層間の間隔を可及的に小さくして、高密度記録へのより
良い対応が図れるようにする。 【構成】 磁気抵抗効果素子層１と、これの幅方向両側
に夫々接触する出力取り出し用の電極層２，２と、これ
らの上下に各別の絶縁層５，６を介して積層された磁気
シールド層３，４とを、スライダを兼ねる基板７の一面
に積層されたアンダーコート膜８上に構成し、全体を保
護膜９により覆う。磁気抵抗効果素子層１の上下を覆
い、外部からの磁気的ノイズを遮蔽する作用をなす磁気
シールド層３，４の材料として、磁気的には軟磁性であ
り、電気的には絶縁体であるフェライト材料を用いる。
また軟磁性フェライトからなる磁気シールド層３，４の
形成にめっき法を用いる。
の短絡に伴う再生出力への影響をなくし、磁気シールド
層間の間隔を可及的に小さくして、高密度記録へのより
良い対応が図れるようにする。 【構成】 磁気抵抗効果素子層１と、これの幅方向両側
に夫々接触する出力取り出し用の電極層２，２と、これ
らの上下に各別の絶縁層５，６を介して積層された磁気
シールド層３，４とを、スライダを兼ねる基板７の一面
に積層されたアンダーコート膜８上に構成し、全体を保
護膜９により覆う。磁気抵抗効果素子層１の上下を覆
い、外部からの磁気的ノイズを遮蔽する作用をなす磁気
シールド層３，４の材料として、磁気的には軟磁性であ
り、電気的には絶縁体であるフェライト材料を用いる。
また軟磁性フェライトからなる磁気シールド層３，４の
形成にめっき法を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク、磁気テ
ープ等の磁気記録媒体の記録情報を磁気抵抗効果を利用
して再生する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド及びその
製造方法に関する。
ープ等の磁気記録媒体の記録情報を磁気抵抗効果を利用
して再生する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの補助記憶装置として広く
普及しているハードディスク装置においては、近年、小
型化及び高密度記録化が進行し、記録媒体となるハード
ディスク側では、トラック幅及び線記録幅が益々狭小化
する傾向にあり、これに伴い、磁気誘導起電力を利用す
る従来の誘導型の薄膜磁気ヘッドでは記録情報の確実な
再生が困難となりつつあり、誘導型に代わる新たな再生
手段として、磁気抵抗効果（ magnetoresistive effec
t ）を利用する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドの使用
が検討されている。
普及しているハードディスク装置においては、近年、小
型化及び高密度記録化が進行し、記録媒体となるハード
ディスク側では、トラック幅及び線記録幅が益々狭小化
する傾向にあり、これに伴い、磁気誘導起電力を利用す
る従来の誘導型の薄膜磁気ヘッドでは記録情報の確実な
再生が困難となりつつあり、誘導型に代わる新たな再生
手段として、磁気抵抗効果（ magnetoresistive effec
t ）を利用する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドの使用
が検討されている。
【０００３】図３は、磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド
の正面図、図４は、同じく使用状態を示す縦断面図であ
る。磁気抵抗効果とは、強磁性体の電気抵抗が周辺磁場
の強弱に応じて増減する性質であり、磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果を有する強磁性体製の
磁気抵抗効果素子層１の一側に、幅方向に所定の間隔を
隔てて一対の電極層２，２を積層し、これらの厚み方向
両側に、各別の絶縁層５，６を介して磁気シールド層
３，４を夫々積層してなり、これら各層の全てを、基板
７の一面に積層されたアンダーコート膜８上に形成し、
全体を保護膜９により覆った構成となっている。
の正面図、図４は、同じく使用状態を示す縦断面図であ
る。磁気抵抗効果とは、強磁性体の電気抵抗が周辺磁場
の強弱に応じて増減する性質であり、磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果を有する強磁性体製の
磁気抵抗効果素子層１の一側に、幅方向に所定の間隔を
隔てて一対の電極層２，２を積層し、これらの厚み方向
両側に、各別の絶縁層５，６を介して磁気シールド層
３，４を夫々積層してなり、これら各層の全てを、基板
７の一面に積層されたアンダーコート膜８上に形成し、
全体を保護膜９により覆った構成となっている。
【０００４】磁気抵抗効果素子層１の両側を覆う磁気シ
ールド層３，４は、外部からの磁気的ノイズを遮蔽する
ために必要なものであり、従来一般的には、パーマロイ
等の軟磁性金属を、スパッタリング又はめっき法により
所定の厚みに成膜して形成されている。また絶縁層５，
６は、導電性を有する磁気シールド層３，４と磁気抵抗
効果素子層１との間の電気的及び磁気的な絶縁を確保す
るために必要なものであり、従来一般的には、Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁材料のスパッタリングにより形成
されている。
ールド層３，４は、外部からの磁気的ノイズを遮蔽する
ために必要なものであり、従来一般的には、パーマロイ
等の軟磁性金属を、スパッタリング又はめっき法により
所定の厚みに成膜して形成されている。また絶縁層５，
６は、導電性を有する磁気シールド層３，４と磁気抵抗
効果素子層１との間の電気的及び磁気的な絶縁を確保す
るために必要なものであり、従来一般的には、Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁材料のスパッタリングにより形成
されている。
【０００５】図４に示す如く基板７は、磁気記録面Ａ上
にわずかな隙間を有して浮上し、磁気記録面Ａに対して
相対移動するスライダを構成しており、前記各層は、基
板７の一側端面に図３に示す断面を磁気記録面Ａに対向
せしめて形成されている。
にわずかな隙間を有して浮上し、磁気記録面Ａに対して
相対移動するスライダを構成しており、前記各層は、基
板７の一側端面に図３に示す断面を磁気記録面Ａに対向
せしめて形成されている。
【０００６】而して、以上の如き磁気抵抗効果型の薄膜
磁気ヘッドにおいては、図４中に白抜矢符にて示す如く
移動する磁気記録面Ａの各部の磁場の作用により磁気抵
抗効果素子層１の電気抵抗が変化し、この変化が電極層
２，２間の出力として取り出されて記録情報の再生が行
われる。
磁気ヘッドにおいては、図４中に白抜矢符にて示す如く
移動する磁気記録面Ａの各部の磁場の作用により磁気抵
抗効果素子層１の電気抵抗が変化し、この変化が電極層
２，２間の出力として取り出されて記録情報の再生が行
われる。
【０００７】このとき、磁気抵抗効果素子層１の電気抵
抗の変化は、磁気記録面Ａ上に形成された磁場そのもの
に感応して生じ、前記出力は、磁気記録面Ａの相対速度
の高低に依存しないことから、ハードディスクの小型化
に伴う周速の低下に対応できる。また、磁気抵抗効果素
子層１の厚みを十分に薄くし、本来の電気抵抗を大きく
設定することにより再生感度の向上が図れる。更に、磁
気抵抗効果素子層１両側の磁気シールド層３，４間の間
隔を小さくすることにより、線記録幅の狭小化に対応で
きる。
抗の変化は、磁気記録面Ａ上に形成された磁場そのもの
に感応して生じ、前記出力は、磁気記録面Ａの相対速度
の高低に依存しないことから、ハードディスクの小型化
に伴う周速の低下に対応できる。また、磁気抵抗効果素
子層１の厚みを十分に薄くし、本来の電気抵抗を大きく
設定することにより再生感度の向上が図れる。更に、磁
気抵抗効果素子層１両側の磁気シールド層３，４間の間
隔を小さくすることにより、線記録幅の狭小化に対応で
きる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上の如く磁気抵抗効
果型の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体の小型化及び高
密度記録化に対応するための多くの利点を有するが、一
方、線記録幅の狭小化に対応するため上下の磁気シール
ド層３，４間の間隔を過度に小さくした場合、絶縁層
５，６の層厚もまた減少することから、磁気抵抗効果素
子層１と磁気シールド層３，４との間に短絡が生じる虞
れがある。上下の磁気シールド層３，４はいずれも、外
部磁場の確実な遮蔽のために十分な厚みを有する一方、
前述の如く、パーマロイ等の導電性材料製であるから、
磁気抵抗効果素子層１との間に短絡が生じた場合、電気
抵抗が低い磁気シールド層３，４内部の通電により電極
層２，２間に取り出される再生出力の低下を招来する。
果型の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体の小型化及び高
密度記録化に対応するための多くの利点を有するが、一
方、線記録幅の狭小化に対応するため上下の磁気シール
ド層３，４間の間隔を過度に小さくした場合、絶縁層
５，６の層厚もまた減少することから、磁気抵抗効果素
子層１と磁気シールド層３，４との間に短絡が生じる虞
れがある。上下の磁気シールド層３，４はいずれも、外
部磁場の確実な遮蔽のために十分な厚みを有する一方、
前述の如く、パーマロイ等の導電性材料製であるから、
磁気抵抗効果素子層１との間に短絡が生じた場合、電気
抵抗が低い磁気シールド層３，４内部の通電により電極
層２，２間に取り出される再生出力の低下を招来する。
【０００９】特に、幅方向両側に電極層２，２を備えた
磁気抵抗効果素子層１上に形成される上部の絶縁層５に
おいては、電極層２，２両側の段差部等に、局所的に層
厚の薄い部分が生じ易いことから、この部分での絶縁性
を確保するため厚みの低減に限界があり、線記録幅の狭
小化への対応を阻害する要因となっている。
磁気抵抗効果素子層１上に形成される上部の絶縁層５に
おいては、電極層２，２両側の段差部等に、局所的に層
厚の薄い部分が生じ易いことから、この部分での絶縁性
を確保するため厚みの低減に限界があり、線記録幅の狭
小化への対応を阻害する要因となっている。
【００１０】一方、図４に示す使用状態において、スラ
イダを兼ねる基板７の後端に構成された薄膜磁気ヘッド
は、磁気記録面Ａ上に所定の距離を保って浮上している
が、この浮上量はわずか（０．数μｍ）であり、また、
高密度記録への対応のため前記浮上量は減少する傾向に
あり、実際の使用状態においては、動作中の各部の振
動、磁気記録面Ａの反り等の影響により、磁気記録面Ａ
と薄膜磁気ヘッドの対向面との接触は避けられない。ま
た、始動停止方式としてＣＳＳ（コンタクト・スタート
・ストップ）方式を採用した場合、磁気記録面Ａと薄膜
磁気ヘッドの対向面との接触は、始動及び停止の都度生
じる。
イダを兼ねる基板７の後端に構成された薄膜磁気ヘッド
は、磁気記録面Ａ上に所定の距離を保って浮上している
が、この浮上量はわずか（０．数μｍ）であり、また、
高密度記録への対応のため前記浮上量は減少する傾向に
あり、実際の使用状態においては、動作中の各部の振
動、磁気記録面Ａの反り等の影響により、磁気記録面Ａ
と薄膜磁気ヘッドの対向面との接触は避けられない。ま
た、始動停止方式としてＣＳＳ（コンタクト・スタート
・ストップ）方式を採用した場合、磁気記録面Ａと薄膜
磁気ヘッドの対向面との接触は、始動及び停止の都度生
じる。
【００１１】このように、磁気記録面Ａと対向する図３
に示す断面は、実際の使用状態において磁気記録面Ａと
頻繁に擦れ合っており、この擦れ合いにより、対向面に
露出する各層は徐々に摩耗する。従って、絶縁層５，６
が正常に形成され、磁気抵抗効果素子層１と磁気シール
ド層３，４との間の絶縁が良好に確保されている場合に
おいても、磁気記録面Ａとの擦れ合いにより発生する磁
気シールド層３，４の摩耗片が、磁気シールド層３，４
と磁気抵抗効果素子層１との間に付着し、両者間の短絡
を招来する虞れがある。
に示す断面は、実際の使用状態において磁気記録面Ａと
頻繁に擦れ合っており、この擦れ合いにより、対向面に
露出する各層は徐々に摩耗する。従って、絶縁層５，６
が正常に形成され、磁気抵抗効果素子層１と磁気シール
ド層３，４との間の絶縁が良好に確保されている場合に
おいても、磁気記録面Ａとの擦れ合いにより発生する磁
気シールド層３，４の摩耗片が、磁気シールド層３，４
と磁気抵抗効果素子層１との間に付着し、両者間の短絡
を招来する虞れがある。
【００１２】特開平2-116009号公報には、磁気シールド
層３，４の材料として、パーマロイに比して摩耗しにく
いセンダストを用い、磁気記録面Ａとの擦れ合いに伴う
短絡の発生を防ぐことが提案されている。ところが、セ
ンダストを用いたとしても磁気シールド層３，４の摩耗
は防ぎ得ず、また、センダストはパーマロイに比して電
気抵抗は高いが、摩耗片が磁気シールド層３，４と磁気
抵抗効果素子層１との間に付着した場合、磁気抵抗効果
素子層１の両側に取り出される再生出力への影響は避け
られない。
層３，４の材料として、パーマロイに比して摩耗しにく
いセンダストを用い、磁気記録面Ａとの擦れ合いに伴う
短絡の発生を防ぐことが提案されている。ところが、セ
ンダストを用いたとしても磁気シールド層３，４の摩耗
は防ぎ得ず、また、センダストはパーマロイに比して電
気抵抗は高いが、摩耗片が磁気シールド層３，４と磁気
抵抗効果素子層１との間に付着した場合、磁気抵抗効果
素子層１の両側に取り出される再生出力への影響は避け
られない。
【００１３】また、センダストによる層形成には高い熱
処理温度を必要とし、前述の如く短絡の虞れが高い磁気
抵抗効果素子層１及び電極層２，２上部の磁気シールド
層３への適用が難しいという難点がある。
処理温度を必要とし、前述の如く短絡の虞れが高い磁気
抵抗効果素子層１及び電極層２，２上部の磁気シールド
層３への適用が難しいという難点がある。
【００１４】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、磁気抵抗効果素子層と磁気シールド層との間の
短絡に伴う再生出力の影響を排除し、磁気シールド層間
の間隔を可及的に小さくできて、高密度記録へのより良
い対応が図れる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供
することを目的とする。
であり、磁気抵抗効果素子層と磁気シールド層との間の
短絡に伴う再生出力の影響を排除し、磁気シールド層間
の間隔を可及的に小さくできて、高密度記録へのより良
い対応が図れる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供
することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、磁気抵抗効果素子層の厚み方向両側を、絶縁層
を介して積層された磁気シールド層により覆い、これら
に対向する磁気記録面の記録情報を、前記磁気抵抗効果
素子層の電気抵抗の変化に基づいて再生する磁気抵抗効
果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気シールド層
は、軟磁性フェライト材料により形成してあることを特
徴とし、この薄膜磁気ヘッドを得るべく実施される本発
明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前記磁気シール
ド層の形成にめっき法を用いることを特徴とする。
ッドは、磁気抵抗効果素子層の厚み方向両側を、絶縁層
を介して積層された磁気シールド層により覆い、これら
に対向する磁気記録面の記録情報を、前記磁気抵抗効果
素子層の電気抵抗の変化に基づいて再生する磁気抵抗効
果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気シールド層
は、軟磁性フェライト材料により形成してあることを特
徴とし、この薄膜磁気ヘッドを得るべく実施される本発
明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前記磁気シール
ド層の形成にめっき法を用いることを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明においては、磁気抵抗効果素子層の上下
を覆う磁気ノイズ遮蔽用の磁気シールド層を、磁気的に
は軟磁性であり、しかも電気的には絶縁体であるフェラ
イト材料により形成し、磁気抵抗効果素子層と磁気シー
ルド層との間に電気的な短絡が生じた場合においても磁
気抵抗効果素子層の両側の電極層間に取り出される再生
出力に影響が生じないようにする。
を覆う磁気ノイズ遮蔽用の磁気シールド層を、磁気的に
は軟磁性であり、しかも電気的には絶縁体であるフェラ
イト材料により形成し、磁気抵抗効果素子層と磁気シー
ルド層との間に電気的な短絡が生じた場合においても磁
気抵抗効果素子層の両側の電極層間に取り出される再生
出力に影響が生じないようにする。
【００１７】また、フェライトの一般的な作製方法であ
る焼結法は、高い熱処理温度を必要とし、またスパッタ
法は、フェライトが酸化物であり成膜後のエッチングに
よる不要な部分の除去に多大の時間を要することから、
軟磁性フェライト材料製の磁気シールド層の形成にめっ
き法を採用する。
る焼結法は、高い熱処理温度を必要とし、またスパッタ
法は、フェライトが酸化物であり成膜後のエッチングに
よる不要な部分の除去に多大の時間を要することから、
軟磁性フェライト材料製の磁気シールド層の形成にめっ
き法を採用する。
【００１８】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て詳述する。図１は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの正
面図である。この薄膜磁気ヘッドの全体構成は、従来の
それと同様、基板７の一面に積層されたアンダーコート
膜８上に、全体を保護膜９により覆って構成され、磁気
抵抗効果素子層１の幅方向両側に電極層２，２を夫々接
触せしめて積層し、これらの上下に、各別の絶縁層５，
６を介して磁気シールド層３，４を夫々積層してなり、
図示の面を、前記図４に示す如く、磁気記録面Ａに対向
せしめて用いられる。
て詳述する。図１は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの正
面図である。この薄膜磁気ヘッドの全体構成は、従来の
それと同様、基板７の一面に積層されたアンダーコート
膜８上に、全体を保護膜９により覆って構成され、磁気
抵抗効果素子層１の幅方向両側に電極層２，２を夫々接
触せしめて積層し、これらの上下に、各別の絶縁層５，
６を介して磁気シールド層３，４を夫々積層してなり、
図示の面を、前記図４に示す如く、磁気記録面Ａに対向
せしめて用いられる。
【００１９】以上の如き構成の薄膜磁気ヘッドは、以下
に述べる手順により得られる。まずアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）と炭化チタン（ＴｉＣ）との焼結体であるアルチッ
ク（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）製のセラミックス基板７上
に、アルミナのスパッタリングにより所定厚み（２０μ
ｍ程度）のアンダーコート膜８を成膜する。次いで、イ
オンミリングにより、前記アンダーコート膜８の表面の
一部を粗面化しておき、公知のフォトリソグラフィ法に
よりレジストをパターニングし、この状態で後述する方
法によりフェライトめっきを行い、軟磁性フェライト材
料からなる下部の磁気シールド層４を１μｍ前後の厚み
を有して形成する。
に述べる手順により得られる。まずアルミナ（Ａｌ2 Ｏ
3 ）と炭化チタン（ＴｉＣ）との焼結体であるアルチッ
ク（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）製のセラミックス基板７上
に、アルミナのスパッタリングにより所定厚み（２０μ
ｍ程度）のアンダーコート膜８を成膜する。次いで、イ
オンミリングにより、前記アンダーコート膜８の表面の
一部を粗面化しておき、公知のフォトリソグラフィ法に
よりレジストをパターニングし、この状態で後述する方
法によりフェライトめっきを行い、軟磁性フェライト材
料からなる下部の磁気シールド層４を１μｍ前後の厚み
を有して形成する。
【００２０】次に、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁材料
のスパッタリングにより、磁気シールド層４及びアンダ
ーコート膜８の表面上に薄い絶縁層６を形成し、更に、
この絶縁層６の表面上に磁気抵抗効果素子層１を形成す
る。磁気抵抗効果素子層１は、例えば、ＮｉＦｅ合金、
ＮｉＣｏ合金等の強磁性材料からなる磁気抵抗効果膜、
Ｔｉ等からなる非磁性膜、及びＣｏＺｒ系の非晶質合金
からなる軟磁性膜を、磁界中での連続蒸着により順次成
膜し、磁気抵抗効果膜の成膜に際し、幅方向を磁化容易
軸とすべく一軸磁気異方性を誘起させることにより、全
体として０．１μｍ前後の厚みを有して形成される。
のスパッタリングにより、磁気シールド層４及びアンダ
ーコート膜８の表面上に薄い絶縁層６を形成し、更に、
この絶縁層６の表面上に磁気抵抗効果素子層１を形成す
る。磁気抵抗効果素子層１は、例えば、ＮｉＦｅ合金、
ＮｉＣｏ合金等の強磁性材料からなる磁気抵抗効果膜、
Ｔｉ等からなる非磁性膜、及びＣｏＺｒ系の非晶質合金
からなる軟磁性膜を、磁界中での連続蒸着により順次成
膜し、磁気抵抗効果膜の成膜に際し、幅方向を磁化容易
軸とすべく一軸磁気異方性を誘起させることにより、全
体として０．１μｍ前後の厚みを有して形成される。
【００２１】磁気抵抗効果素子層１は、フォトリソグラ
フィ法とドライエッチング法とにより、絶縁層６の表面
上にて前記磁気シールド層４と等しい幅と所定の奥行き
を備えた矩形の平面形状を有して画定され、次にこの磁
気抵抗効果素子層１の上部に、幅方向に両側にて接触す
る電極層２，２を形成する。これらの電極層２，２は、
薄い層厚にて十分な導電性を確保するため、Ｃｕ，Ａｕ
等、高い導電性を有する金属材のスパッタリングにより
形成される。
フィ法とドライエッチング法とにより、絶縁層６の表面
上にて前記磁気シールド層４と等しい幅と所定の奥行き
を備えた矩形の平面形状を有して画定され、次にこの磁
気抵抗効果素子層１の上部に、幅方向に両側にて接触す
る電極層２，２を形成する。これらの電極層２，２は、
薄い層厚にて十分な導電性を確保するため、Ｃｕ，Ａｕ
等、高い導電性を有する金属材のスパッタリングにより
形成される。
【００２２】次いで、以上の如く形成された磁気抵抗効
果素子層１及び電極層２，２、並びにこれらの外側の絶
縁層６の表面上に、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁材料
のスパッタリングにより、上部の絶縁層５を形成し、更
にこの絶縁層５の表面上の所定範囲に上部の磁気シール
ド層３を形成する。
果素子層１及び電極層２，２、並びにこれらの外側の絶
縁層６の表面上に、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁材料
のスパッタリングにより、上部の絶縁層５を形成し、更
にこの絶縁層５の表面上の所定範囲に上部の磁気シール
ド層３を形成する。
【００２３】この磁気シールド層３は、下部の磁気シー
ルド層４の場合と同様に、まず、絶縁層５の表面の一部
をイオンミリングにより粗面化しておき、フォトリソグ
ラフィ法によりレジストをパターニングし、この状態で
フェライトめっきを実施する手順により、１μｍ前後の
厚みを有する軟磁性フェライトのめっき層として、磁気
シールド層４と整合する平面形状を有して形成する。最
後にこれらの上部全体を、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶
縁材料のスパッタリングにより成膜された保護膜９によ
り被覆し、図１に示す薄膜磁気ヘッドが完成する。
ルド層４の場合と同様に、まず、絶縁層５の表面の一部
をイオンミリングにより粗面化しておき、フォトリソグ
ラフィ法によりレジストをパターニングし、この状態で
フェライトめっきを実施する手順により、１μｍ前後の
厚みを有する軟磁性フェライトのめっき層として、磁気
シールド層４と整合する平面形状を有して形成する。最
後にこれらの上部全体を、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶
縁材料のスパッタリングにより成膜された保護膜９によ
り被覆し、図１に示す薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００２４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、前述した
如く、磁気抵抗効果素子層１の上下を覆う磁気シールド
層３，４が軟磁性フェライトからなり、また、めっき法
により形成されていることに特徴がある。酸化物磁性体
である軟磁性フェライトは、電気的には絶縁材であり、
極めて高い電気抵抗を有している。従って、図４に示す
如き使用状態において、上下の磁気シールド層３，４が
磁気記録面Ａとの擦れ合いにより摩耗し、この摩耗片が
磁気抵抗効果素子層１との間に付着した場合において
も、磁気シールド層３，４内部に通電が生じる虞れはな
く、電極層２，２間に取り出される再生出力に殆ど影響
を及ぼさない。
如く、磁気抵抗効果素子層１の上下を覆う磁気シールド
層３，４が軟磁性フェライトからなり、また、めっき法
により形成されていることに特徴がある。酸化物磁性体
である軟磁性フェライトは、電気的には絶縁材であり、
極めて高い電気抵抗を有している。従って、図４に示す
如き使用状態において、上下の磁気シールド層３，４が
磁気記録面Ａとの擦れ合いにより摩耗し、この摩耗片が
磁気抵抗効果素子層１との間に付着した場合において
も、磁気シールド層３，４内部に通電が生じる虞れはな
く、電極層２，２間に取り出される再生出力に殆ど影響
を及ぼさない。
【００２５】また、磁気抵抗効果素子層１と磁気シール
ド層３，４とを隔絶する上下の絶縁層５，６を、再生出
力に影響を及ぼすことなく十分に薄くできる。特に、上
部絶縁層５の厚みの減少により、トラック線の方向の読
み取り幅を制限する上下の磁気シールド層３，４の間隔
を従来に比して大幅に小さく設定でき、高密度記録のた
めの線記録幅の狭小化に対応できるようになる。
ド層３，４とを隔絶する上下の絶縁層５，６を、再生出
力に影響を及ぼすことなく十分に薄くできる。特に、上
部絶縁層５の厚みの減少により、トラック線の方向の読
み取り幅を制限する上下の磁気シールド層３，４の間隔
を従来に比して大幅に小さく設定でき、高密度記録のた
めの線記録幅の狭小化に対応できるようになる。
【００２６】さて、軟磁性フェライト製の磁気シールド
層３，４の形成に際し、一般的なフェライトの作製方法
である焼結法は、高い熱処理温度を必要とすることから
採用できない。またスパッタ法による磁気シールド層
３，４の形成は可能であるが、フェライトは酸化物であ
り、フォトリソグラフィ法による成膜後のドライエッチ
ングに多大の時間を用して現実的ではない。
層３，４の形成に際し、一般的なフェライトの作製方法
である焼結法は、高い熱処理温度を必要とすることから
採用できない。またスパッタ法による磁気シールド層
３，４の形成は可能であるが、フェライトは酸化物であ
り、フォトリソグラフィ法による成膜後のドライエッチ
ングに多大の時間を用して現実的ではない。
【００２７】そこで本発明においては、軟磁性フェライ
ト製の磁気シールド層３，４の形成にめっき法を採用す
る。このめっきは、「IEEE Transactions on Magnetic
s，MAG 23巻，1987，pp.3432-3434」等に、阿部等によ
って紹介されたスプレー・スピンコートめっき装置を用
いて行う。フェライトのめっきは、金属イオンの吸着席
として、例えば、ＯＨ基、ＣＯＯＨ基等が露出している
面においてのみ可能であり、金属イオンの吸着及び酸化
を順次繰り返して行われる。磁気シールド層３，４の形
成面は、前述した如く、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 からなる
絶縁膜５及びアンダーコート膜８の表面であり、また、
両者の表面は、前述した如くイオンミリングにより粗面
化されていることから、めっきによる磁気シールド層
３，４の形成は確実に行われる。
ト製の磁気シールド層３，４の形成にめっき法を採用す
る。このめっきは、「IEEE Transactions on Magnetic
s，MAG 23巻，1987，pp.3432-3434」等に、阿部等によ
って紹介されたスプレー・スピンコートめっき装置を用
いて行う。フェライトのめっきは、金属イオンの吸着席
として、例えば、ＯＨ基、ＣＯＯＨ基等が露出している
面においてのみ可能であり、金属イオンの吸着及び酸化
を順次繰り返して行われる。磁気シールド層３，４の形
成面は、前述した如く、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 からなる
絶縁膜５及びアンダーコート膜８の表面であり、また、
両者の表面は、前述した如くイオンミリングにより粗面
化されていることから、めっきによる磁気シールド層
３，４の形成は確実に行われる。
【００２８】図２は、下部の磁気シールド層４の形成手
順の説明図である。図２（ａ）に示す如く、まず、基板
７上に成膜されたアンダーコート膜８の表面にＡｒイオ
ンを衝突させ、短時間のイオンミリングを実施し、アン
ダーコート膜８の表面を粗面化する。
順の説明図である。図２（ａ）に示す如く、まず、基板
７上に成膜されたアンダーコート膜８の表面にＡｒイオ
ンを衝突させ、短時間のイオンミリングを実施し、アン
ダーコート膜８の表面を粗面化する。
【００２９】次いで、アンダーコート膜８の全体にレジ
スト材を塗布してプリベークし、上部に位置決めしたフ
ォトマスクを介して露光した後に現像するフォトリソグ
ラフィ法により、磁気シールド層４の形成範囲を除くア
ンダーコート膜８の表面上に、図２（ｂ）に示す如くレ
ジスト膜10を残し、この状態でめっきを行う。
スト材を塗布してプリベークし、上部に位置決めしたフ
ォトマスクを介して露光した後に現像するフォトリソグ
ラフィ法により、磁気シールド層４の形成範囲を除くア
ンダーコート膜８の表面上に、図２（ｂ）に示す如くレ
ジスト膜10を残し、この状態でめっきを行う。
【００３０】このめっきは、前述のスプレー・スピンコ
ートめっき装置を参考とした装置を用い、スピンテーブ
ルにペルティエ素子を組み込み、熱電対により基板温度
を監視し、正確に70℃に維持して行った。金属塩を溶け
込ませた反応液は、酸化防止のため、高純度窒素ガスの
吹き込みにより予め溶存酸素を除去した純水を用い、こ
れに、金属塩たるＦｅＣｌ2 ，ＭｎＣｌ2 及びＺｎＣｌ
2 と共に、ｐＨ緩衝剤としての酢酸アンモニウムを添加
し、水酸化ナトリウムを用いてｐＨを７．０に調整した
ものを用いた。
ートめっき装置を参考とした装置を用い、スピンテーブ
ルにペルティエ素子を組み込み、熱電対により基板温度
を監視し、正確に70℃に維持して行った。金属塩を溶け
込ませた反応液は、酸化防止のため、高純度窒素ガスの
吹き込みにより予め溶存酸素を除去した純水を用い、こ
れに、金属塩たるＦｅＣｌ2 ，ＭｎＣｌ2 及びＺｎＣｌ
2 と共に、ｐＨ緩衝剤としての酢酸アンモニウムを添加
し、水酸化ナトリウムを用いてｐＨを７．０に調整した
ものを用いた。
【００３１】以上の如き反応液と酸化液としてのＮａＮ
Ｏ3 溶液とを回転している基板に吹きつける手順によ
り、厳密な時間管理のもとでめっきを実施し、図２
（ｃ）に示す如く、レジスト膜10による覆われていない
アンダーコート膜８の表面に所定厚みのフェライト層11
を形成する。この後、レジスト膜10を適宜の有機溶剤を
用いて除去することにより、除去後に残ったフェライト
層11が磁気シールド層４として得られる。
Ｏ3 溶液とを回転している基板に吹きつける手順によ
り、厳密な時間管理のもとでめっきを実施し、図２
（ｃ）に示す如く、レジスト膜10による覆われていない
アンダーコート膜８の表面に所定厚みのフェライト層11
を形成する。この後、レジスト膜10を適宜の有機溶剤を
用いて除去することにより、除去後に残ったフェライト
層11が磁気シールド層４として得られる。
【００３２】上部の磁気シールド層３は、磁気シールド
層４の上部に、磁気抵抗効果素子層１、電極層２，２及
び絶縁層５をこの順に形成した後、最上部の絶縁層５の
表面上にて前述した手順を繰り返すことにより同様に形
成できる。
層４の上部に、磁気抵抗効果素子層１、電極層２，２及
び絶縁層５をこの順に形成した後、最上部の絶縁層５の
表面上にて前述した手順を繰り返すことにより同様に形
成できる。
【００３３】以上の如きめっき法においては、低温下に
て所望の形状を有する磁気シールド層３，４を得ること
ができ、形成後のエッチングが不要であり、更に、スパ
ッタ法に比して安価な設備により、高い量産性にて実施
し得る。
て所望の形状を有する磁気シールド層３，４を得ること
ができ、形成後のエッチングが不要であり、更に、スパ
ッタ法に比して安価な設備により、高い量産性にて実施
し得る。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明に係る薄膜磁気
ヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子層の上下を覆う磁
気的ノイズ遮蔽用の磁気シールド層が、電気的に絶縁体
である軟磁性フェライト材料により形成されているか
ら、磁気抵抗効果素子層と磁気シールド層との間に磁気
記録面との擦れ合いにより発生する各層の摩耗片が付着
した場合、又は磁気抵抗効果素子層と磁気シールド層と
を隔絶する絶縁層が過度に薄い場合であっても磁気抵抗
効果素子層の絶縁状態が良好に維持され、該磁気抵抗効
果素子層の電気抵抗の変化として得られる再生出力への
影響を排除でき、また磁気シールド層の間隔を可及的に
小さくすることにより、高密度記録化への対応が可能と
なる。
ヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子層の上下を覆う磁
気的ノイズ遮蔽用の磁気シールド層が、電気的に絶縁体
である軟磁性フェライト材料により形成されているか
ら、磁気抵抗効果素子層と磁気シールド層との間に磁気
記録面との擦れ合いにより発生する各層の摩耗片が付着
した場合、又は磁気抵抗効果素子層と磁気シールド層と
を隔絶する絶縁層が過度に薄い場合であっても磁気抵抗
効果素子層の絶縁状態が良好に維持され、該磁気抵抗効
果素子層の電気抵抗の変化として得られる再生出力への
影響を排除でき、また磁気シールド層の間隔を可及的に
小さくすることにより、高密度記録化への対応が可能と
なる。
【００３５】また本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法においては、軟磁性フェライト材料からなる磁気シー
ルド層をめっき法により形成するから、上下の磁気シー
ルド層が低温下にて高い量産性にて得られる等、本発明
は優れた効果を奏する。
法においては、軟磁性フェライト材料からなる磁気シー
ルド層をめっき法により形成するから、上下の磁気シー
ルド層が低温下にて高い量産性にて得られる等、本発明
は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの正面図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおける磁気シー
ルド層の形成手順の説明図である。
ルド層の形成手順の説明図である。
【図３】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの正面図
である。
である。
【図４】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの使用状態を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
１ 磁気抵抗効果素子層 ２ 電極層 ３ 磁気シールド層 ４ 磁気シールド層 ５ 絶縁層 ６ 絶縁層 ７ 基板 ８ アンダーコート膜 Ａ 磁気記録面
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子層の厚み方向両側を、
絶縁層を介して積層された磁気シールド層により覆い、
これらに対向する磁気記録面の記録情報を、前記磁気抵
抗効果素子層の電気抵抗の変化に基づいて再生する磁気
抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気シール
ド層は、軟磁性フェライト材料により形成してあること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁気シールド層の形成にめっき法を
用いる請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6570593A JPH06274834A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6570593A JPH06274834A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06274834A true JPH06274834A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13294711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6570593A Pending JPH06274834A (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06274834A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| JP2012151285A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP6570593A patent/JPH06274834A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6754051B2 (en) | 1999-03-24 | 2004-06-22 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7079360B2 (en) | 1999-03-24 | 2006-07-18 | Tdk Corporation | Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element |
| US7085109B1 (en) | 1999-03-24 | 2006-08-01 | Tdk Corporation | Spin valve type transducer capable of reducing reproducing gap |
| JP2012151285A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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