JPS5856223A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5856223A JPS5856223A JP15595881A JP15595881A JPS5856223A JP S5856223 A JPS5856223 A JP S5856223A JP 15595881 A JP15595881 A JP 15595881A JP 15595881 A JP15595881 A JP 15595881A JP S5856223 A JPS5856223 A JP S5856223A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- magnetic
- permalloy
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体からの信号磁界の検出を行う磁気
抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲヘ
ッドと略す）に関するものである○ 薄膜ＭＲヘッドは従来の巻線型の磁気ヘッドと比較して
磁気記録媒体の速度に依存せずに再生でき、又半導体の
微細加工技術により素子の高集積化、多素子化が容易々
ため、高密度記録される固定ヘット型ＰＣＭ録音機の再
生用磁気ヘッドとして期待されている。
抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲヘ
ッドと略す）に関するものである○ 薄膜ＭＲヘッドは従来の巻線型の磁気ヘッドと比較して
磁気記録媒体の速度に依存せずに再生でき、又半導体の
微細加工技術により素子の高集積化、多素子化が容易々
ため、高密度記録される固定ヘット型ＰＣＭ録音機の再
生用磁気ヘッドとして期待されている。
ＭＲ素子を再生用磁気ヘッドとする場合には、線型応答
特性と高分解能特性を得る事が基本的に必要になる。
特性と高分解能特性を得る事が基本的に必要になる。
ＭＲ素子において」１記線型応答特性を得る為にＭＲス
トライプに所定のバイアス磁界を印加する方法が用いら
れる。そしてこの方法には導体に直流電流を流す事によ
ってバイアス磁界を誘起する方法とｃｏ −ｐ膜等の高
抗磁力薄膜を用いる方法が知られる。
トライプに所定のバイアス磁界を印加する方法が用いら
れる。そしてこの方法には導体に直流電流を流す事によ
ってバイアス磁界を誘起する方法とｃｏ −ｐ膜等の高
抗磁力薄膜を用いる方法が知られる。
又、ＭＲ素子において上記高分解能特性を得る為にＭＲ
ストライプの上層及び下層に絶縁膜を介して磁気シール
ド層を設ける方法が用いられる。
ストライプの上層及び下層に絶縁膜を介して磁気シール
ド層を設ける方法が用いられる。
尚、上記の磁気シールド層を設ける場合には上層及び下
層の磁気シールド間距離即ちギャップ長を短くするに従
い、より高分解能特性が得られる事から、上層及び下層
の磁気シールド間の絶縁膜はできる限り薄くされる。し
かし、上記絶縁層を薄＜ＬＭＲストライプと磁気シール
ド間距離が近くなりすぎると磁気シールド層の磁気特性
がＭＲ素子の特性に影響を及ぼす為、ＭＲ特性にバルク
ハウゼン・ジャンプが発生し、ノイズの原因となり、磁
気ヘッドの特性向上を防げる要因となることが判明して
いる。
層の磁気シールド間距離即ちギャップ長を短くするに従
い、より高分解能特性が得られる事から、上層及び下層
の磁気シールド間の絶縁膜はできる限り薄くされる。し
かし、上記絶縁層を薄＜ＬＭＲストライプと磁気シール
ド間距離が近くなりすぎると磁気シールド層の磁気特性
がＭＲ素子の特性に影響を及ぼす為、ＭＲ特性にバルク
ハウゼン・ジャンプが発生し、ノイズの原因となり、磁
気ヘッドの特性向上を防げる要因となることが判明して
いる。
本発明は上側シールド層の磁気特性を改善する事により
、上記のようなバルクハウゼン・ジャンプによるノイズ
を減少させることを目的とするものである。
、上記のようなバルクハウゼン・ジャンプによるノイズ
を減少させることを目的とするものである。
以下、本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの一実施例を図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係わる薄膜ＭＲヘッドの一実施例の構
造を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ’
切断面での側面断面図である。
造を示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ’
切断面での側面断面図である。
１はＮｉ−ＺｎあるいはＭｎ−Ｚｎフェライト基板であ
って、該基板１上にＳ ｉ０２ 、Ａ ’２０ａ 等
の絶縁膜２がスパッタ等により形成される。上記絶縁膜
２上には磁気バイアス用の高抗磁力膜３（Ｃ。
って、該基板１上にＳ ｉ０２ 、Ａ ’２０ａ 等
の絶縁膜２がスパッタ等により形成される。上記絶縁膜
２上には磁気バイアス用の高抗磁力膜３（Ｃ。
−Ｐ膜）がスパッタ等により形成され、更に該高抗磁力
膜３は硝酸（ＨＮＯ３）、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、
水（Ｈ２０）からなるエツチング液を用いて化学エツチ
ングによりパターン加工される。
膜３は硝酸（ＨＮＯ３）、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、
水（Ｈ２０）からなるエツチング液を用いて化学エツチ
ングによりパターン加工される。
上記化学エツチングの代わりにプラズマエツチングを用
いてもよい。上記高抗磁力膜３上にＳｉＯ□。
いてもよい。上記高抗磁力膜３上にＳｉＯ□。
Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜４がスパッタ等により形成される
。次に上記絶縁膜４上にパーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ ）
膜５（ＭＲ素子）が磁界中で真空蒸着後、続いて導電材
料Ａ、１−Ｃｕ膜６がスパッタ等により形成される。こ
の製法によればＭＲ素子と導電膜の密着状態は良好とな
る。上記導電材料Ａ、’−Ｃｕ膜６は化学エツチング等
に÷１り目的のパターンに加工され、その後上記パーマ
ロイ膜５は化学エツチング等により目的のパターンに加
工される。この加工後、ＭＲ素子のＰａ５ｓｉｖａｔｉ
ｏｎ層として５ＩＯ２膜７がスパッタ等により形成され
る。
。次に上記絶縁膜４上にパーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ ）
膜５（ＭＲ素子）が磁界中で真空蒸着後、続いて導電材
料Ａ、１−Ｃｕ膜６がスパッタ等により形成される。こ
の製法によればＭＲ素子と導電膜の密着状態は良好とな
る。上記導電材料Ａ、’−Ｃｕ膜６は化学エツチング等
に÷１り目的のパターンに加工され、その後上記パーマ
ロイ膜５は化学エツチング等により目的のパターンに加
工される。この加工後、ＭＲ素子のＰａ５ｓｉｖａｔｉ
ｏｎ層として５ＩＯ２膜７がスパッタ等により形成され
る。
次に上記５ｉＣｈ層７上にパーマロイ （Ｎｉ −Ｆｅ
）層８ｉ３００〜１００ＯＡの厚さで蒸着する。このパ
ーマロイ層８は」二側磁気シールド層９のメッキベース
層となる。即ち上記パーマロイ層８を一方の電極として
パーマロイ層９が２〜５μの厚さにメッキされる。次に
このパーマロイ層９は目的のパターンに加工される。
）層８ｉ３００〜１００ＯＡの厚さで蒸着する。このパ
ーマロイ層８は」二側磁気シールド層９のメッキベース
層となる。即ち上記パーマロイ層８を一方の電極として
パーマロイ層９が２〜５μの厚さにメッキされる。次に
このパーマロイ層９は目的のパターンに加工される。
以上の手順により薄膜ＭＲヘッドは完成する。
ここで上記上側磁気シールド層９のメッキベース層とし
てパーマロイ蒸着膜８を用いた理由は次の通りである。
てパーマロイ蒸着膜８を用いた理由は次の通りである。
第２図はパーマロイメッキ膜９の膜厚変化に対する磁気
特性（容易軸方向の抗磁力Ｈｃ ＋困難軸方向の抗磁力
Ｈ８ｈ、異方性磁界Ｈｋｘ変化を示すグラフである。同
図に示す如くメッキベース層の違い（Ｃｕ／Ｔｉ蒸着膜
とＮｉ−Ｆｅ蒸着膜）によりパーマロイメッキ膜９の磁
気特性が変化する。
特性（容易軸方向の抗磁力Ｈｃ ＋困難軸方向の抗磁力
Ｈ８ｈ、異方性磁界Ｈｋｘ変化を示すグラフである。同
図に示す如くメッキベース層の違い（Ｃｕ／Ｔｉ蒸着膜
とＮｉ−Ｆｅ蒸着膜）によりパーマロイメッキ膜９の磁
気特性が変化する。
同図から理解されるようにメッキベース層として導電性
の良いＣｕ膜を用いた場合（Ｔｉ 層は電着層）、メッ
キ膜膜厚が帆５μ以上になると見かけ」二メッキ膜の磁
気特性は良好となるが、メッキ膜の０．５μ以下のＭＲ
素子に近い部分の磁気特性は悪い。ところが絶縁膜７を
薄くしてｇａｐ 長を狭くすればする程メッキ膜の薄い
（メッキ初期）部分の特性がＭＲ素子に影響するので結
局ＭＲ素素子時特性バルクハウゼン・ジャンプが発生し
ノイズの原因になり磁気ヘッドの特性向上を妨げる。
の良いＣｕ膜を用いた場合（Ｔｉ 層は電着層）、メッ
キ膜膜厚が帆５μ以上になると見かけ」二メッキ膜の磁
気特性は良好となるが、メッキ膜の０．５μ以下のＭＲ
素子に近い部分の磁気特性は悪い。ところが絶縁膜７を
薄くしてｇａｐ 長を狭くすればする程メッキ膜の薄い
（メッキ初期）部分の特性がＭＲ素子に影響するので結
局ＭＲ素素子時特性バルクハウゼン・ジャンプが発生し
ノイズの原因になり磁気ヘッドの特性向上を妨げる。
一方メンキベース層としてパーマロイ蒸着膜を用いた場
合はメッキ下地としては導電性の点で劣るが同図から理
解されるようにメッキ膜初期の状態の磁気特性が良く磁
気シールド層として優れている。又、高分解能を達成す
るためｇａｐ長を狭くしてもＭＲ素子の特性にパルクツ
・ウゼン・ジャンプの発生が少なく高分解能が達成され
る。
合はメッキ下地としては導電性の点で劣るが同図から理
解されるようにメッキ膜初期の状態の磁気特性が良く磁
気シールド層として優れている。又、高分解能を達成す
るためｇａｐ長を狭くしてもＭＲ素子の特性にパルクツ
・ウゼン・ジャンプの発生が少なく高分解能が達成され
る。
又、ｇａｐ長の点から見れば、メッキ下地としてパーマ
ロイ蒸着膜を用いた場合は両シールド間距離がそのま”
！ ｇａｐ長となるが、Ｃｕ膜を用いた場合は上述の如
くメッキ膜の初期特性が悪いためＭＲ素子に近い部分は
磁気シールド層として役目をせず、よって見かけ上より
ｇａｐ長が長くなり高分解能を達成できない。
ロイ蒸着膜を用いた場合は両シールド間距離がそのま”
！ ｇａｐ長となるが、Ｃｕ膜を用いた場合は上述の如
くメッキ膜の初期特性が悪いためＭＲ素子に近い部分は
磁気シールド層として役目をせず、よって見かけ上より
ｇａｐ長が長くなり高分解能を達成できない。
ここでメッキ下地に用いるパーマロイ蒸着膜８の比抵抗
ρは２５〜３０μΩ・ａｍなのでその膜厚が３０ＯＡ以
」＝あれば密着性及び抵抗値からメノキの電極として十
分である。しかし上記膜厚が１０００Ａ以上となるとメ
ッキ膜とメッキ下地膜との膜質の違いにより、メッキ膜
を微細加工するべくエツチングする際サイドエツチング
量が大きく磁気シールド層として精度良く加工出来ない
ので上記メッキ下地に用いるパーマロイ蒸着膜８の膜厚
は３００〜１００ＯＡがよい。
ρは２５〜３０μΩ・ａｍなのでその膜厚が３０ＯＡ以
」＝あれば密着性及び抵抗値からメノキの電極として十
分である。しかし上記膜厚が１０００Ａ以上となるとメ
ッキ膜とメッキ下地膜との膜質の違いにより、メッキ膜
を微細加工するべくエツチングする際サイドエツチング
量が大きく磁気シールド層として精度良く加工出来ない
ので上記メッキ下地に用いるパーマロイ蒸着膜８の膜厚
は３００〜１００ＯＡがよい。
以上説明した如く本発明によればノイズの少ない薄膜磁
気ヘッドを得るものである。
気ヘッドを得るものである。
第１図は本発明に係わる薄膜ＭＲヘッド構造を示し同図
（ａ）は平面図、同図側はＡ−Ａ’切断面での側面断面
図、第２図はメノギベース層の違いによるＮｉ−Ｆｅメ
ッキ膜の磁気特性のグラフ図である。 図中、１：フェライト基板 ２，４，７：絶縁層３：高
抗磁力膜 ５ ：ＭＲ素子 ６：導電層 ８：メソキ下地 ９：シールド層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
（ａ）は平面図、同図側はＡ−Ａ’切断面での側面断面
図、第２図はメノギベース層の違いによるＮｉ−Ｆｅメ
ッキ膜の磁気特性のグラフ図である。 図中、１：フェライト基板 ２，４，７：絶縁層３：高
抗磁力膜 ５ ：ＭＲ素子 ６：導電層 ８：メソキ下地 ９：シールド層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
Claims (1)
- １、−軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の困難軸方向に
印加された信号磁界の変化を容易軸方向の電気抵抗の変
化として検出する磁気抵抗効果素子の上側磁気シールド
層のメッキ下地用として、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ膜を３００
〜１０００Ａの厚さで形成し、該膜上にＮｉ−Ｆｅ メ
ッキ膜を形成し上側磁気シールド層とした事を特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15595881A JPS5856223A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15595881A JPS5856223A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856223A true JPS5856223A (ja) | 1983-04-02 |
Family
ID=15617246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15595881A Pending JPS5856223A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856223A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0228688A2 (en) * | 1985-12-23 | 1987-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording head |
| US6751071B2 (en) * | 2000-01-27 | 2004-06-15 | Alps Electric Company Co., Ltd. | Thin film magnetic head comprising magnetoresistive element having shield layer formed by plating and method of manufacturing the thin film magnetic head |
| CN103898574A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 北京有色金属研究总院 | 一种电镀Fe-Ni合金磁屏蔽材料及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144917A (ja) * | 1974-08-19 | 1976-04-16 | Ibm |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP15595881A patent/JPS5856223A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144917A (ja) * | 1974-08-19 | 1976-04-16 | Ibm |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0228688A2 (en) * | 1985-12-23 | 1987-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording head |
| EP0228688A3 (en) * | 1985-12-23 | 1988-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording head |
| US6751071B2 (en) * | 2000-01-27 | 2004-06-15 | Alps Electric Company Co., Ltd. | Thin film magnetic head comprising magnetoresistive element having shield layer formed by plating and method of manufacturing the thin film magnetic head |
| CN103898574A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 北京有色金属研究总院 | 一种电镀Fe-Ni合金磁屏蔽材料及其制备方法 |
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