JPS62132211A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62132211A JPS62132211A JP27275785A JP27275785A JPS62132211A JP S62132211 A JPS62132211 A JP S62132211A JP 27275785 A JP27275785 A JP 27275785A JP 27275785 A JP27275785 A JP 27275785A JP S62132211 A JPS62132211 A JP S62132211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- layer
- sio
- sio2
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は一軸磁気異方性を有する磁性薄膜に信号磁界を
印加し、それを磁化容易軸方向の電気抵抗変化として検
出する磁気抵抗効果素子(以下、MR素子という)を具
備して磁気記録媒体に記録される信号の検出を行なう薄
膜磁気ヘッド(以下、薄膜MRヘッドという)に関する
。
印加し、それを磁化容易軸方向の電気抵抗変化として検
出する磁気抵抗効果素子(以下、MR素子という)を具
備して磁気記録媒体に記録される信号の検出を行なう薄
膜磁気ヘッド(以下、薄膜MRヘッドという)に関する
。
〈従来技術〉
従来、薄膜MRヘンノド巻線型の磁気ヘッドと比較して
多くの利点があることが知られている。
多くの利点があることが知られている。
この薄膜MRヘッドは、磁気テープ等の磁気記録媒体に
書き込まれた信号磁界を受けることにより、M’R素子
内部の磁化方向が変化し、この磁化方向の変化に応じた
MR素子の内部抵抗の変化を外部出力として取り出すも
のである。従って、薄[MRヘッドは磁束応答型のヘッ
ドであり、磁気記録媒体の移送速度に依存せずに信号磁
界を再生できる〇又、この薄膜MRヘッドは半導体の微
細加工技術を適用することにより高集積化及び多素子化
が容易であるので、高密度記録が行なわれる固定ヘッド
弐PCM録音機の再生用磁気ヘッドとして有望視されて
いる。
書き込まれた信号磁界を受けることにより、M’R素子
内部の磁化方向が変化し、この磁化方向の変化に応じた
MR素子の内部抵抗の変化を外部出力として取り出すも
のである。従って、薄[MRヘッドは磁束応答型のヘッ
ドであり、磁気記録媒体の移送速度に依存せずに信号磁
界を再生できる〇又、この薄膜MRヘッドは半導体の微
細加工技術を適用することにより高集積化及び多素子化
が容易であるので、高密度記録が行なわれる固定ヘッド
弐PCM録音機の再生用磁気ヘッドとして有望視されて
いる。
この様なMR素子は外部磁界に対して2乗変化を示す感
応特性をもつことから、MR素子を再生ヘッドとして構
成する場合には、素子形状をストライプ状にするととも
に、線型応答特性を得るために所定のバイアス磁界を印
加する構成を備えることが必要である。このバイアス磁
界を印加する方法には、導体に直流電流を流すことによ
りバイアス磁界を誘起する方法及びCo−P層等の高抗
磁力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方法等が知ら
れている。実際の使用に際しては、薄膜MRヘッドでは
、上記導体または高抗磁力薄膜の上に絶縁層を介してM
R素子が形成される。
応特性をもつことから、MR素子を再生ヘッドとして構
成する場合には、素子形状をストライプ状にするととも
に、線型応答特性を得るために所定のバイアス磁界を印
加する構成を備えることが必要である。このバイアス磁
界を印加する方法には、導体に直流電流を流すことによ
りバイアス磁界を誘起する方法及びCo−P層等の高抗
磁力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方法等が知ら
れている。実際の使用に際しては、薄膜MRヘッドでは
、上記導体または高抗磁力薄膜の上に絶縁層を介してM
R素子が形成される。
一方、MR素子単体で構成した薄膜MRヘッドよりも、
MR素子をヘッド先端から離して磁気記録媒体に発生し
た磁束をM R素子まで導く磁束導入路(以下、ヨーク
という)を配置した第3図のような構造の通常ヨークタ
イプMRヘッド(以下、YMRヘッドという)と呼ばれ
る薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能の向上やMR素子
の耐久性の向上に有効であることが知られている。尚、
第3図は従来のYMRヘッドのトラック幅方向に垂直な
方向の断面構造を示し、第4図はこのYMRヘッドの平
面構成を示す。但し、第3図は第4図のYMRヘッドの
A−B断面の構造を示す。
MR素子をヘッド先端から離して磁気記録媒体に発生し
た磁束をM R素子まで導く磁束導入路(以下、ヨーク
という)を配置した第3図のような構造の通常ヨークタ
イプMRヘッド(以下、YMRヘッドという)と呼ばれ
る薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能の向上やMR素子
の耐久性の向上に有効であることが知られている。尚、
第3図は従来のYMRヘッドのトラック幅方向に垂直な
方向の断面構造を示し、第4図はこのYMRヘッドの平
面構成を示す。但し、第3図は第4図のYMRヘッドの
A−B断面の構造を示す。
同図で上部ヨーク!2は、通常膜厚が0.5〜1.0μ
m8にのパーマロイ(Ni−Fe合金)膜で作製され、
磁気記録媒体2で発生した磁界をMR素子7に導くため
の磁路となる。バイアス磁界を印加するためにkl、C
uまたはAt−Cu合金等の膜からなる導体4が配設さ
れる。ヘッドギャップ部13ば実際に使用される記録波
長が0.5μm程度であるので、02〜0.3μm程度
に設定される。下部ヨークを形成する基板!は高透磁率
磁性体からなり、Ni−Znフェライト又はMn、−Z
nフェライトが用いられる。MR素子7はパーマロイ(
Ni−Fe合金)蒸着膜で作製され、トラック幅は多ト
ランク構成となるため50〜200μm程度に設定され
る。上述の導体4.MR素子7及び上部ヨーク12は基
板1上に絶縁層3,5.10を介して形成される。
m8にのパーマロイ(Ni−Fe合金)膜で作製され、
磁気記録媒体2で発生した磁界をMR素子7に導くため
の磁路となる。バイアス磁界を印加するためにkl、C
uまたはAt−Cu合金等の膜からなる導体4が配設さ
れる。ヘッドギャップ部13ば実際に使用される記録波
長が0.5μm程度であるので、02〜0.3μm程度
に設定される。下部ヨークを形成する基板!は高透磁率
磁性体からなり、Ni−Znフェライト又はMn、−Z
nフェライトが用いられる。MR素子7はパーマロイ(
Ni−Fe合金)蒸着膜で作製され、トラック幅は多ト
ランク構成となるため50〜200μm程度に設定され
る。上述の導体4.MR素子7及び上部ヨーク12は基
板1上に絶縁層3,5.10を介して形成される。
ところで、薄膜MR素子として使用される金属強磁性薄
膜の膜厚は200〜500^と非常に薄く、従って、こ
の金属強磁性薄膜と両側の絶縁層との間にわずかの拡散
等が生じても薄膜MR素子の特性に著しく大きな影響を
与えることになる。この拡散等による薄膜MR素子の特
性劣化について知る為に、膜厚320λのパーマロイ膜
を真空中で200〜250℃、2時間アニールした時の
パーマロイ膜の磁気特性の変化を調べた結果を第1表に
示す。同表でHcfiパーマロイ膜の磁化容易軸方向の
保磁力、Hchはパーマロイ膜の磁化困難軸方向の保磁
力、Hkfi異方性磁界、λSは磁歪定数を示す。
膜の膜厚は200〜500^と非常に薄く、従って、こ
の金属強磁性薄膜と両側の絶縁層との間にわずかの拡散
等が生じても薄膜MR素子の特性に著しく大きな影響を
与えることになる。この拡散等による薄膜MR素子の特
性劣化について知る為に、膜厚320λのパーマロイ膜
を真空中で200〜250℃、2時間アニールした時の
パーマロイ膜の磁気特性の変化を調べた結果を第1表に
示す。同表でHcfiパーマロイ膜の磁化容易軸方向の
保磁力、Hchはパーマロイ膜の磁化困難軸方向の保磁
力、Hkfi異方性磁界、λSは磁歪定数を示す。
ここで300℃、2時間以上のアニールでは著しく特性
が劣化し、特に飽和磁化も減少していることからこの特
性劣化はパーマロイ膜と下地の5i02との間の相互拡
散によるものと考えられる。
が劣化し、特に飽和磁化も減少していることからこの特
性劣化はパーマロイ膜と下地の5i02との間の相互拡
散によるものと考えられる。
一方アニール温度を200℃に下げても特性の劣化が生
じることから薄膜磁気ヘッドの加工プロセス中の昇温に
よって、薄膜MR素子の特注劣化が生じる可能性があり
、さらに、製品そのものの耐熱性も悪いという問題があ
る。
じることから薄膜磁気ヘッドの加工プロセス中の昇温に
よって、薄膜MR素子の特注劣化が生じる可能性があり
、さらに、製品そのものの耐熱性も悪いという問題があ
る。
〈発明の目的〉
本発明は薄膜磁気ヘッドに使用される薄膜M R素子の
耐熱性を向上させることにより、加工プロセス中の昇温
あるいは高温雰囲気下での使用等の熱的要因による薄膜
MR素子の特性劣化を防止することを目的とする。
耐熱性を向上させることにより、加工プロセス中の昇温
あるいは高温雰囲気下での使用等の熱的要因による薄膜
MR素子の特性劣化を防止することを目的とする。
〈実施例〉
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例について
、図面を参照して詳細に説明する。
、図面を参照して詳細に説明する。
第1図はYMRヘッドの磁気記録媒体のトラック幅方向
に垂直な方向の断面構造を示す。
に垂直な方向の断面構造を示す。
同図で上部ヨーク12は膜厚が0.5〜1.0μm程度
のパーマロイ(Ni−Fe合金)等の高透磁率磁性膜か
らなり、この上部ヨーク12iji気記録媒体2で発生
した磁界をMR素子7へ導くための磁路となる。M R
素子7はパーマロイ蒸着膜からなリ、その膜厚は200
〜500Aであり、トラック幅は多トラツク構成となる
ため50〜200μm程度に設定される。M R素子7
は絶縁層5上に形成された絶縁層SiO膜6の上に形成
される。又、バイアス磁界をMR素子7に印加するため
の導体層4はMo 、 Cu 、 AJa又はAA−C
u合金等の膜からなる。
のパーマロイ(Ni−Fe合金)等の高透磁率磁性膜か
らなり、この上部ヨーク12iji気記録媒体2で発生
した磁界をMR素子7へ導くための磁路となる。M R
素子7はパーマロイ蒸着膜からなリ、その膜厚は200
〜500Aであり、トラック幅は多トラツク構成となる
ため50〜200μm程度に設定される。M R素子7
は絶縁層5上に形成された絶縁層SiO膜6の上に形成
される。又、バイアス磁界をMR素子7に印加するため
の導体層4はMo 、 Cu 、 AJa又はAA−C
u合金等の膜からなる。
下部ヨークを形成する基板1はNi−Znフェライト又
はMn−Znフェライトから成る。この基板1上に絶縁
層3を介して導体層4が形成され、該導線層10を介し
て上部ヨーク12が形成される。
はMn−Znフェライトから成る。この基板1上に絶縁
層3を介して導体層4が形成され、該導線層10を介し
て上部ヨーク12が形成される。
以上のヘッドの製作手順としては、先ず基板Iの上に5
i02.Si3N4.At203等からなる絶縁層3が
RFスパッタ法又はP−CVD法等により形成される。
i02.Si3N4.At203等からなる絶縁層3が
RFスパッタ法又はP−CVD法等により形成される。
次にこの絶縁層3の上にMo、Cu。
Al、Al−Cu合金等からなる導体層4が抵抗加熱法
、RFスパッタ法又は電子ビーム蒸着法等により形成さ
れる。この導体層4を目的の形状に加工するために、ケ
ミカルエツチング法、スパッタエツチング法又はイオン
ミーリング法が用いられる。
、RFスパッタ法又は電子ビーム蒸着法等により形成さ
れる。この導体層4を目的の形状に加工するために、ケ
ミカルエツチング法、スパッタエツチング法又はイオン
ミーリング法が用いられる。
具体例を上げて説明すると、ケミカルエンチング法の場
合、Cu膜は硝酸(HNO3)十過硫酸アンモニウム(
(NH3)25208 )生水(N20)、At−Cu
膜は水酸化カリウム(KOH)十過硫酸アンモニウム(
(NH3)2S208)生水(N20)又はリン酸(H
3PO4)+硝酸(HNOa)十酢酸(CH3COOH
)生水(N20)なるエツチング液を用いれば良い。ス
パッタエツチング法又はイオンミーリング法の場合には
M o +Cu、At−Cu等の膜1dArガスを導入
すれば公知の手法によって加工することができる。
合、Cu膜は硝酸(HNO3)十過硫酸アンモニウム(
(NH3)25208 )生水(N20)、At−Cu
膜は水酸化カリウム(KOH)十過硫酸アンモニウム(
(NH3)2S208)生水(N20)又はリン酸(H
3PO4)+硝酸(HNOa)十酢酸(CH3COOH
)生水(N20)なるエツチング液を用いれば良い。ス
パッタエツチング法又はイオンミーリング法の場合には
M o +Cu、At−Cu等の膜1dArガスを導入
すれば公知の手法によって加工することができる。
上述のようにして形成された導体層4上にP−CVD法
又はRFスパッタ法により5i02,5i3N4Az2
o3等からなる絶縁層5が形成される。次にSiO膜6
が絶縁層5の上に形成される。このSiO膜6は抵抗加
熱法又は電子ビーム蒸着法により形成される。該SiO
膜6はSiO2層と同様に表面平滑性、膜質が優れてい
るので、MR素子7を形成するパーマロイ(Ni−Fe
合金)蒸着膜は第2表に示すように良好な磁気特性をも
つようになる。
又はRFスパッタ法により5i02,5i3N4Az2
o3等からなる絶縁層5が形成される。次にSiO膜6
が絶縁層5の上に形成される。このSiO膜6は抵抗加
熱法又は電子ビーム蒸着法により形成される。該SiO
膜6はSiO2層と同様に表面平滑性、膜質が優れてい
るので、MR素子7を形成するパーマロイ(Ni−Fe
合金)蒸着膜は第2表に示すように良好な磁気特性をも
つようになる。
第2表
上記MR素子7は、その膜厚が200〜500Aであり
、ケミカルエツチング又はスパッタエンチング法等によ
り(5〜20)X(50〜100)μmのストライプ状
に加工される。その後、リード部8が第4図と同じ位置
に抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法あるいはRFスパッタ
法により形成される。次に、MR素子7及びリード部8
の上に抵抗加熱法又は電子ビーム蒸着法によりSiO膜
9を形成後、P−CVD法又はRFスパッタ法により絶
縁層S i02膜10が蒸着され、最後に高透磁率磁性
膜からなる上部ヨーク12が形成される。
、ケミカルエツチング又はスパッタエンチング法等によ
り(5〜20)X(50〜100)μmのストライプ状
に加工される。その後、リード部8が第4図と同じ位置
に抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法あるいはRFスパッタ
法により形成される。次に、MR素子7及びリード部8
の上に抵抗加熱法又は電子ビーム蒸着法によりSiO膜
9を形成後、P−CVD法又はRFスパッタ法により絶
縁層S i02膜10が蒸着され、最後に高透磁率磁性
膜からなる上部ヨーク12が形成される。
ここでパーマロイ蒸着膜の下地層及び上側保護層として
Si0層を用いた場合のパーマロイ蒸着膜の特性につい
て以下に述べる。
Si0層を用いた場合のパーマロイ蒸着膜の特性につい
て以下に述べる。
ガラス基板上に厚さ約400λのSi0層を抵抗加熱法
で形成した後厚さ約320λのN1−Fe(パーマロイ
)合金膜を磁場中にて抵抗加熱法で形成し、該Ni−F
e合金膜上に厚さ約400λのSiOを形成した試料を
磁場中で200℃、2時間真空中でアニールした時の磁
気特性の変化を第3表に示す。尚、比較のため、Ni−
Fe合金膜上に直接、SiO2層をRFスパッタ法で形
成した試料のアニールによる磁気特性の変化も同表に示
している。
で形成した後厚さ約320λのN1−Fe(パーマロイ
)合金膜を磁場中にて抵抗加熱法で形成し、該Ni−F
e合金膜上に厚さ約400λのSiOを形成した試料を
磁場中で200℃、2時間真空中でアニールした時の磁
気特性の変化を第3表に示す。尚、比較のため、Ni−
Fe合金膜上に直接、SiO2層をRFスパッタ法で形
成した試料のアニールによる磁気特性の変化も同表に示
している。
この表中の磁歪定数Xsは外部から応力によるNi−F
e合金膜の一軸異方性磁界の変化から容易に測定でき、
しかもNi−Fe合金膜の組成に著しく敏感であること
がらNi−Fe合金膜と下地との拡散による組成変化を
検出するのに適している。
e合金膜の一軸異方性磁界の変化から容易に測定でき、
しかもNi−Fe合金膜の組成に著しく敏感であること
がらNi−Fe合金膜と下地との拡散による組成変化を
検出するのに適している。
(以下余白)
第3表
第3表かられかるように、Ni−Fe合金膜上に直接絶
縁層となるSiO2層を形成した場合にはアニールによ
って磁歪定数は正から負に変化しており、このこ七はN
i−F e合金膜とSiO2層との拡散によりNi−
Fe合金膜中のFe成分が減少したことを示している。
縁層となるSiO2層を形成した場合にはアニールによ
って磁歪定数は正から負に変化しており、このこ七はN
i−F e合金膜とSiO2層との拡散によりNi−
Fe合金膜中のFe成分が減少したことを示している。
一方Ni−Fe合金膜上にSi0層を形成した場合には
磁歪定数の変化は非常に小さくなっている。このことは
薄膜MR素子となるNiFe合金膜の両側にSi0層を
設けることにより、NiFe合金膜との拡散を防止する
ことができることを示している。
磁歪定数の変化は非常に小さくなっている。このことは
薄膜MR素子となるNiFe合金膜の両側にSi0層を
設けることにより、NiFe合金膜との拡散を防止する
ことができることを示している。
上記の実験例で示したように、薄膜MR素子となるNi
−Fe合金膜の両側に拡散防止層となるSi0層を介在
せしめ、絶縁層を5i02とSiOの2層構造とするこ
とによりSiO2絶縁層とNi−Fe合金膜との間の拡
散を防止することができ、その結果加工プロセス中の昇
温あるいは製品使用時の温度履歴等の熱的要因による薄
膜MR素子の特性の劣化を防止することができる。
−Fe合金膜の両側に拡散防止層となるSi0層を介在
せしめ、絶縁層を5i02とSiOの2層構造とするこ
とによりSiO2絶縁層とNi−Fe合金膜との間の拡
散を防止することができ、その結果加工プロセス中の昇
温あるいは製品使用時の温度履歴等の熱的要因による薄
膜MR素子の特性の劣化を防止することができる。
第2図は他の実施例におけるYMRヘッドの磁気記録媒
体のトラック幅方向に垂直な方向の断面構成を示す。同
図に示す様にMR素子7の上側保護層9がGaP部を構
成する絶縁層を兼用した構造になっている。
体のトラック幅方向に垂直な方向の断面構成を示す。同
図に示す様にMR素子7の上側保護層9がGaP部を構
成する絶縁層を兼用した構造になっている。
以上の実施例ではMR素子としてNi−Fe合金膜を使
用した場合について示しているが、MR素子としてはN
i−Fe−Co、Ni−Co等の他の金属強磁性膜を使
用した場合にも同様な効果が得られる。
用した場合について示しているが、MR素子としてはN
i−Fe−Co、Ni−Co等の他の金属強磁性膜を使
用した場合にも同様な効果が得られる。
〈発明の効果〉
以上述べた本発明によれば、薄膜MR素子の耐熱性を向
上でき、加工プロセス中の昇温による特性劣化の防止を
図ることができる0また、本発明における拡散防止層で
あるSiOは絶縁物なので、導電層と異なり、電流の分
流によるMR素子の感度低下がないので、良好な特性(
例えば低動変化率の特性)が得られる。
上でき、加工プロセス中の昇温による特性劣化の防止を
図ることができる0また、本発明における拡散防止層で
あるSiOは絶縁物なので、導電層と異なり、電流の分
流によるMR素子の感度低下がないので、良好な特性(
例えば低動変化率の特性)が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る一実施例の断面図、第2図は本発
明に係る他の実施例の断面図、第3図は従来の薄膜MR
ヘッドの断面図、第4図はその平面図である。 図中、1:基板 2:磁気記録媒体 3,5,10:絶
縁層5i02 4:・□導電層 6.9:拡散防止層S
iO7:MR素子 8:リード層 11:バックヨーク
部 12:上部ヨーク 13:フロント・ギャップ部 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)宵!図 第2図
明に係る他の実施例の断面図、第3図は従来の薄膜MR
ヘッドの断面図、第4図はその平面図である。 図中、1:基板 2:磁気記録媒体 3,5,10:絶
縁層5i02 4:・□導電層 6.9:拡散防止層S
iO7:MR素子 8:リード層 11:バックヨーク
部 12:上部ヨーク 13:フロント・ギャップ部 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)宵!図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、印加される信号磁界の変化を一軸磁気異方性を有す
る強磁性薄膜の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効
果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、2層のSiO膜間に上
記強磁性薄膜を形成 してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27275785A JPS62132211A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27275785A JPS62132211A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62132211A true JPS62132211A (ja) | 1987-06-15 |
JPH0447890B2 JPH0447890B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=17518326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27275785A Granted JPS62132211A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62132211A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01189016A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘッド |
JPH01269218A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Sharp Corp | ヨーク型薄膜磁気ヘッド |
US5792546A (en) * | 1993-11-22 | 1998-08-11 | Fujitsu Limited | Magneto-resistive head and method of producing the same |
US7379280B2 (en) | 2002-12-16 | 2008-05-27 | Nec Corporation | Magnetic tunnel magneto-resistance device and magnetic memory using the same |
US7394626B2 (en) | 2002-11-01 | 2008-07-01 | Nec Corporation | Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6045922A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP27275785A patent/JPS62132211A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6045922A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01189016A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Hitachi Ltd | 複合型磁気ヘッド |
JP2816150B2 (ja) * | 1988-01-22 | 1998-10-27 | 株式会社日立製作所 | 複合型磁気ヘッド |
JPH01269218A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Sharp Corp | ヨーク型薄膜磁気ヘッド |
US5792546A (en) * | 1993-11-22 | 1998-08-11 | Fujitsu Limited | Magneto-resistive head and method of producing the same |
US7394626B2 (en) | 2002-11-01 | 2008-07-01 | Nec Corporation | Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same |
US7742263B2 (en) | 2002-11-01 | 2010-06-22 | Nec Corporation | Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same |
US7379280B2 (en) | 2002-12-16 | 2008-05-27 | Nec Corporation | Magnetic tunnel magneto-resistance device and magnetic memory using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0447890B2 (ja) | 1992-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6449131B2 (en) | Canted longitudinal patterned exchange biased dual-stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element and method for fabrication thereof | |
JP3022023B2 (ja) | 磁気記録再生装置 | |
EP0851411B1 (en) | Thin film magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
JPH06259729A (ja) | 磁気ヘッド | |
US5776537A (en) | Method of characterizing exchange coupling for magnetoresistive sensor | |
JPS62132211A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
US6310751B1 (en) | Anti-parallel longitudinal patterned exchange biased dual stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element and method for fabrication thereof | |
JP2000113427A (ja) | 薄膜デバイス、薄膜磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果素子並びにそれらの製造方法 | |
JP2546875B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH0329104A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JP2927285B1 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JP2718242B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
JPS61248214A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JP2618380B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 | |
JP2510625B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
JPS5987616A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JP3120012B2 (ja) | 磁気センサとそれを用いた磁気記録再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
JP3036587B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH1097706A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JP2800497B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
JPS61248213A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPH011113A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS5987615A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JP2871055B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JPH011114A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |