JPS62132211A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS62132211A JPS62132211A JP27275785A JP27275785A JPS62132211A JP S62132211 A JPS62132211 A JP S62132211A JP 27275785 A JP27275785 A JP 27275785A JP 27275785 A JP27275785 A JP 27275785A JP S62132211 A JPS62132211 A JP S62132211A
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- Japan
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- film
- thin film
- layer
- sio
- sio2
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は一軸磁気異方性を有する磁性薄膜に信号磁界を
印加し、それを磁化容易軸方向の電気抵抗変化として検
出する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）を具
備して磁気記録媒体に記録される信号の検出を行なう薄
膜磁気ヘッド（以下、薄膜ＭＲヘッドという）に関する
。
印加し、それを磁化容易軸方向の電気抵抗変化として検
出する磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）を具
備して磁気記録媒体に記録される信号の検出を行なう薄
膜磁気ヘッド（以下、薄膜ＭＲヘッドという）に関する
。
〈従来技術〉
従来、薄膜ＭＲヘンノド巻線型の磁気ヘッドと比較して
多くの利点があることが知られている。
多くの利点があることが知られている。
この薄膜ＭＲヘッドは、磁気テープ等の磁気記録媒体に
書き込まれた信号磁界を受けることにより、Ｍ’Ｒ素子
内部の磁化方向が変化し、この磁化方向の変化に応じた
ＭＲ素子の内部抵抗の変化を外部出力として取り出すも
のである。従って、薄［ＭＲヘッドは磁束応答型のヘッ
ドであり、磁気記録媒体の移送速度に依存せずに信号磁
界を再生できる〇又、この薄膜ＭＲヘッドは半導体の微
細加工技術を適用することにより高集積化及び多素子化
が容易であるので、高密度記録が行なわれる固定ヘッド
弐ＰＣＭ録音機の再生用磁気ヘッドとして有望視されて
いる。
書き込まれた信号磁界を受けることにより、Ｍ’Ｒ素子
内部の磁化方向が変化し、この磁化方向の変化に応じた
ＭＲ素子の内部抵抗の変化を外部出力として取り出すも
のである。従って、薄［ＭＲヘッドは磁束応答型のヘッ
ドであり、磁気記録媒体の移送速度に依存せずに信号磁
界を再生できる〇又、この薄膜ＭＲヘッドは半導体の微
細加工技術を適用することにより高集積化及び多素子化
が容易であるので、高密度記録が行なわれる固定ヘッド
弐ＰＣＭ録音機の再生用磁気ヘッドとして有望視されて
いる。
この様なＭＲ素子は外部磁界に対して２乗変化を示す感
応特性をもつことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとして構
成する場合には、素子形状をストライプ状にするととも
に、線型応答特性を得るために所定のバイアス磁界を印
加する構成を備えることが必要である。このバイアス磁
界を印加する方法には、導体に直流電流を流すことによ
りバイアス磁界を誘起する方法及びＣｏ−Ｐ層等の高抗
磁力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方法等が知ら
れている。実際の使用に際しては、薄膜ＭＲヘッドでは
、上記導体または高抗磁力薄膜の上に絶縁層を介してＭ
Ｒ素子が形成される。
応特性をもつことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとして構
成する場合には、素子形状をストライプ状にするととも
に、線型応答特性を得るために所定のバイアス磁界を印
加する構成を備えることが必要である。このバイアス磁
界を印加する方法には、導体に直流電流を流すことによ
りバイアス磁界を誘起する方法及びＣｏ−Ｐ層等の高抗
磁力薄膜を用いてバイアス磁界を印加する方法等が知ら
れている。実際の使用に際しては、薄膜ＭＲヘッドでは
、上記導体または高抗磁力薄膜の上に絶縁層を介してＭ
Ｒ素子が形成される。
一方、ＭＲ素子単体で構成した薄膜ＭＲヘッドよりも、
ＭＲ素子をヘッド先端から離して磁気記録媒体に発生し
た磁束をＭ Ｒ素子まで導く磁束導入路（以下、ヨーク
という）を配置した第３図のような構造の通常ヨークタ
イプＭＲヘッド（以下、ＹＭＲヘッドという）と呼ばれ
る薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能の向上やＭＲ素子
の耐久性の向上に有効であることが知られている。尚、
第３図は従来のＹＭＲヘッドのトラック幅方向に垂直な
方向の断面構造を示し、第４図はこのＹＭＲヘッドの平
面構成を示す。但し、第３図は第４図のＹＭＲヘッドの
Ａ−Ｂ断面の構造を示す。
ＭＲ素子をヘッド先端から離して磁気記録媒体に発生し
た磁束をＭ Ｒ素子まで導く磁束導入路（以下、ヨーク
という）を配置した第３図のような構造の通常ヨークタ
イプＭＲヘッド（以下、ＹＭＲヘッドという）と呼ばれ
る薄膜磁気ヘッドの方が信号の分解能の向上やＭＲ素子
の耐久性の向上に有効であることが知られている。尚、
第３図は従来のＹＭＲヘッドのトラック幅方向に垂直な
方向の断面構造を示し、第４図はこのＹＭＲヘッドの平
面構成を示す。但し、第３図は第４図のＹＭＲヘッドの
Ａ−Ｂ断面の構造を示す。
同図で上部ヨーク！２は、通常膜厚が０．５〜１．０μ
ｍ８にのパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）膜で作製され、
磁気記録媒体２で発生した磁界をＭＲ素子７に導くため
の磁路となる。バイアス磁界を印加するためにｋｌ、Ｃ
ｕまたはＡｔ−Ｃｕ合金等の膜からなる導体４が配設さ
れる。ヘッドギャップ部１３ば実際に使用される記録波
長が０．５μｍ程度であるので、０２〜０．３μｍ程度
に設定される。下部ヨークを形成する基板！は高透磁率
磁性体からなり、Ｎｉ−Ｚｎフェライト又はＭｎ、−Ｚ
ｎフェライトが用いられる。ＭＲ素子７はパーマロイ（
Ｎｉ−Ｆｅ合金）蒸着膜で作製され、トラック幅は多ト
ランク構成となるため５０〜２００μｍ程度に設定され
る。上述の導体４．ＭＲ素子７及び上部ヨーク１２は基
板１上に絶縁層３，５．１０を介して形成される。
ｍ８にのパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）膜で作製され、
磁気記録媒体２で発生した磁界をＭＲ素子７に導くため
の磁路となる。バイアス磁界を印加するためにｋｌ、Ｃ
ｕまたはＡｔ−Ｃｕ合金等の膜からなる導体４が配設さ
れる。ヘッドギャップ部１３ば実際に使用される記録波
長が０．５μｍ程度であるので、０２〜０．３μｍ程度
に設定される。下部ヨークを形成する基板！は高透磁率
磁性体からなり、Ｎｉ−Ｚｎフェライト又はＭｎ、−Ｚ
ｎフェライトが用いられる。ＭＲ素子７はパーマロイ（
Ｎｉ−Ｆｅ合金）蒸着膜で作製され、トラック幅は多ト
ランク構成となるため５０〜２００μｍ程度に設定され
る。上述の導体４．ＭＲ素子７及び上部ヨーク１２は基
板１上に絶縁層３，５．１０を介して形成される。
ところで、薄膜ＭＲ素子として使用される金属強磁性薄
膜の膜厚は２００〜５００＾と非常に薄く、従って、こ
の金属強磁性薄膜と両側の絶縁層との間にわずかの拡散
等が生じても薄膜ＭＲ素子の特性に著しく大きな影響を
与えることになる。この拡散等による薄膜ＭＲ素子の特
性劣化について知る為に、膜厚３２０λのパーマロイ膜
を真空中で２００〜２５０℃、２時間アニールした時の
パーマロイ膜の磁気特性の変化を調べた結果を第１表に
示す。同表でＨｃｆｉパーマロイ膜の磁化容易軸方向の
保磁力、Ｈｃｈはパーマロイ膜の磁化困難軸方向の保磁
力、Ｈｋｆｉ異方性磁界、λＳは磁歪定数を示す。
膜の膜厚は２００〜５００＾と非常に薄く、従って、こ
の金属強磁性薄膜と両側の絶縁層との間にわずかの拡散
等が生じても薄膜ＭＲ素子の特性に著しく大きな影響を
与えることになる。この拡散等による薄膜ＭＲ素子の特
性劣化について知る為に、膜厚３２０λのパーマロイ膜
を真空中で２００〜２５０℃、２時間アニールした時の
パーマロイ膜の磁気特性の変化を調べた結果を第１表に
示す。同表でＨｃｆｉパーマロイ膜の磁化容易軸方向の
保磁力、Ｈｃｈはパーマロイ膜の磁化困難軸方向の保磁
力、Ｈｋｆｉ異方性磁界、λＳは磁歪定数を示す。
ここで３００℃、２時間以上のアニールでは著しく特性
が劣化し、特に飽和磁化も減少していることからこの特
性劣化はパーマロイ膜と下地の５ｉ０２との間の相互拡
散によるものと考えられる。
が劣化し、特に飽和磁化も減少していることからこの特
性劣化はパーマロイ膜と下地の５ｉ０２との間の相互拡
散によるものと考えられる。
一方アニール温度を２００℃に下げても特性の劣化が生
じることから薄膜磁気ヘッドの加工プロセス中の昇温に
よって、薄膜ＭＲ素子の特注劣化が生じる可能性があり
、さらに、製品そのものの耐熱性も悪いという問題があ
る。
じることから薄膜磁気ヘッドの加工プロセス中の昇温に
よって、薄膜ＭＲ素子の特注劣化が生じる可能性があり
、さらに、製品そのものの耐熱性も悪いという問題があ
る。
〈発明の目的〉
本発明は薄膜磁気ヘッドに使用される薄膜Ｍ Ｒ素子の
耐熱性を向上させることにより、加工プロセス中の昇温
あるいは高温雰囲気下での使用等の熱的要因による薄膜
ＭＲ素子の特性劣化を防止することを目的とする。
耐熱性を向上させることにより、加工プロセス中の昇温
あるいは高温雰囲気下での使用等の熱的要因による薄膜
ＭＲ素子の特性劣化を防止することを目的とする。
〈実施例〉
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例について
、図面を参照して詳細に説明する。
、図面を参照して詳細に説明する。
第１図はＹＭＲヘッドの磁気記録媒体のトラック幅方向
に垂直な方向の断面構造を示す。
に垂直な方向の断面構造を示す。
同図で上部ヨーク１２は膜厚が０．５〜１．０μｍ程度
のパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の高透磁率磁性膜か
らなり、この上部ヨーク１２ｉｊｉ気記録媒体２で発生
した磁界をＭＲ素子７へ導くための磁路となる。Ｍ Ｒ
素子７はパーマロイ蒸着膜からなリ、その膜厚は２００
〜５００Ａであり、トラック幅は多トラツク構成となる
ため５０〜２００μｍ程度に設定される。Ｍ Ｒ素子７
は絶縁層５上に形成された絶縁層ＳｉＯ膜６の上に形成
される。又、バイアス磁界をＭＲ素子７に印加するため
の導体層４はＭｏ 、 Ｃｕ 、 ＡＪａ又はＡＡ−Ｃ
ｕ合金等の膜からなる。
のパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）等の高透磁率磁性膜か
らなり、この上部ヨーク１２ｉｊｉ気記録媒体２で発生
した磁界をＭＲ素子７へ導くための磁路となる。Ｍ Ｒ
素子７はパーマロイ蒸着膜からなリ、その膜厚は２００
〜５００Ａであり、トラック幅は多トラツク構成となる
ため５０〜２００μｍ程度に設定される。Ｍ Ｒ素子７
は絶縁層５上に形成された絶縁層ＳｉＯ膜６の上に形成
される。又、バイアス磁界をＭＲ素子７に印加するため
の導体層４はＭｏ 、 Ｃｕ 、 ＡＪａ又はＡＡ−Ｃ
ｕ合金等の膜からなる。
下部ヨークを形成する基板１はＮｉ−Ｚｎフェライト又
はＭｎ−Ｚｎフェライトから成る。この基板１上に絶縁
層３を介して導体層４が形成され、該導線層１０を介し
て上部ヨーク１２が形成される。
はＭｎ−Ｚｎフェライトから成る。この基板１上に絶縁
層３を介して導体層４が形成され、該導線層１０を介し
て上部ヨーク１２が形成される。
以上のヘッドの製作手順としては、先ず基板Ｉの上に５
ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４．Ａｔ２０３等からなる絶縁層３が
ＲＦスパッタ法又はＰ−ＣＶＤ法等により形成される。
ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４．Ａｔ２０３等からなる絶縁層３が
ＲＦスパッタ法又はＰ−ＣＶＤ法等により形成される。
次にこの絶縁層３の上にＭｏ、Ｃｕ。
Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ合金等からなる導体層４が抵抗加熱法
、ＲＦスパッタ法又は電子ビーム蒸着法等により形成さ
れる。この導体層４を目的の形状に加工するために、ケ
ミカルエツチング法、スパッタエツチング法又はイオン
ミーリング法が用いられる。
、ＲＦスパッタ法又は電子ビーム蒸着法等により形成さ
れる。この導体層４を目的の形状に加工するために、ケ
ミカルエツチング法、スパッタエツチング法又はイオン
ミーリング法が用いられる。
具体例を上げて説明すると、ケミカルエンチング法の場
合、Ｃｕ膜は硝酸（ＨＮＯ３）十過硫酸アンモニウム（
（ＮＨ３）２５２０８ ）生水（Ｎ２０）、Ａｔ−Ｃｕ
膜は水酸化カリウム（ＫＯＨ）十過硫酸アンモニウム（
（ＮＨ３）２Ｓ２０８）生水（Ｎ２０）又はリン酸（Ｈ
３ＰＯ４）＋硝酸（ＨＮＯａ）十酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ
）生水（Ｎ２０）なるエツチング液を用いれば良い。ス
パッタエツチング法又はイオンミーリング法の場合には
Ｍ ｏ ＋Ｃｕ、Ａｔ−Ｃｕ等の膜１ｄＡｒガスを導入
すれば公知の手法によって加工することができる。
合、Ｃｕ膜は硝酸（ＨＮＯ３）十過硫酸アンモニウム（
（ＮＨ３）２５２０８ ）生水（Ｎ２０）、Ａｔ−Ｃｕ
膜は水酸化カリウム（ＫＯＨ）十過硫酸アンモニウム（
（ＮＨ３）２Ｓ２０８）生水（Ｎ２０）又はリン酸（Ｈ
３ＰＯ４）＋硝酸（ＨＮＯａ）十酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ
）生水（Ｎ２０）なるエツチング液を用いれば良い。ス
パッタエツチング法又はイオンミーリング法の場合には
Ｍ ｏ ＋Ｃｕ、Ａｔ−Ｃｕ等の膜１ｄＡｒガスを導入
すれば公知の手法によって加工することができる。
上述のようにして形成された導体層４上にＰ−ＣＶＤ法
又はＲＦスパッタ法により５ｉ０２，５ｉ３Ｎ４Ａｚ２
ｏ３等からなる絶縁層５が形成される。次にＳｉＯ膜６
が絶縁層５の上に形成される。このＳｉＯ膜６は抵抗加
熱法又は電子ビーム蒸着法により形成される。該ＳｉＯ
膜６はＳｉＯ２層と同様に表面平滑性、膜質が優れてい
るので、ＭＲ素子７を形成するパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ
合金）蒸着膜は第２表に示すように良好な磁気特性をも
つようになる。
又はＲＦスパッタ法により５ｉ０２，５ｉ３Ｎ４Ａｚ２
ｏ３等からなる絶縁層５が形成される。次にＳｉＯ膜６
が絶縁層５の上に形成される。このＳｉＯ膜６は抵抗加
熱法又は電子ビーム蒸着法により形成される。該ＳｉＯ
膜６はＳｉＯ２層と同様に表面平滑性、膜質が優れてい
るので、ＭＲ素子７を形成するパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ
合金）蒸着膜は第２表に示すように良好な磁気特性をも
つようになる。
第２表
上記ＭＲ素子７は、その膜厚が２００〜５００Ａであり
、ケミカルエツチング又はスパッタエンチング法等によ
り（５〜２０）Ｘ（５０〜１００）μｍのストライプ状
に加工される。その後、リード部８が第４図と同じ位置
に抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法あるいはＲＦスパッタ
法により形成される。次に、ＭＲ素子７及びリード部８
の上に抵抗加熱法又は電子ビーム蒸着法によりＳｉＯ膜
９を形成後、Ｐ−ＣＶＤ法又はＲＦスパッタ法により絶
縁層Ｓ ｉ０２膜１０が蒸着され、最後に高透磁率磁性
膜からなる上部ヨーク１２が形成される。
、ケミカルエツチング又はスパッタエンチング法等によ
り（５〜２０）Ｘ（５０〜１００）μｍのストライプ状
に加工される。その後、リード部８が第４図と同じ位置
に抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法あるいはＲＦスパッタ
法により形成される。次に、ＭＲ素子７及びリード部８
の上に抵抗加熱法又は電子ビーム蒸着法によりＳｉＯ膜
９を形成後、Ｐ−ＣＶＤ法又はＲＦスパッタ法により絶
縁層Ｓ ｉ０２膜１０が蒸着され、最後に高透磁率磁性
膜からなる上部ヨーク１２が形成される。
ここでパーマロイ蒸着膜の下地層及び上側保護層として
Ｓｉ０層を用いた場合のパーマロイ蒸着膜の特性につい
て以下に述べる。
Ｓｉ０層を用いた場合のパーマロイ蒸着膜の特性につい
て以下に述べる。
ガラス基板上に厚さ約４００λのＳｉ０層を抵抗加熱法
で形成した後厚さ約３２０λのＮ１−Ｆｅ（パーマロイ
）合金膜を磁場中にて抵抗加熱法で形成し、該Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金膜上に厚さ約４００λのＳｉＯを形成した試料を
磁場中で２００℃、２時間真空中でアニールした時の磁
気特性の変化を第３表に示す。尚、比較のため、Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜上に直接、ＳｉＯ２層をＲＦスパッタ法で形
成した試料のアニールによる磁気特性の変化も同表に示
している。
で形成した後厚さ約３２０λのＮ１−Ｆｅ（パーマロイ
）合金膜を磁場中にて抵抗加熱法で形成し、該Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金膜上に厚さ約４００λのＳｉＯを形成した試料を
磁場中で２００℃、２時間真空中でアニールした時の磁
気特性の変化を第３表に示す。尚、比較のため、Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜上に直接、ＳｉＯ２層をＲＦスパッタ法で形
成した試料のアニールによる磁気特性の変化も同表に示
している。
この表中の磁歪定数Ｘｓは外部から応力によるＮｉ−Ｆ
ｅ合金膜の一軸異方性磁界の変化から容易に測定でき、
しかもＮｉ−Ｆｅ合金膜の組成に著しく敏感であること
がらＮｉ−Ｆｅ合金膜と下地との拡散による組成変化を
検出するのに適している。
ｅ合金膜の一軸異方性磁界の変化から容易に測定でき、
しかもＮｉ−Ｆｅ合金膜の組成に著しく敏感であること
がらＮｉ−Ｆｅ合金膜と下地との拡散による組成変化を
検出するのに適している。
（以下余白）
第３表
第３表かられかるように、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜上に直接絶
縁層となるＳｉＯ２層を形成した場合にはアニールによ
って磁歪定数は正から負に変化しており、このこ七はＮ
ｉ−Ｆ ｅ合金膜とＳｉＯ２層との拡散によりＮｉ−
Ｆｅ合金膜中のＦｅ成分が減少したことを示している。
縁層となるＳｉＯ２層を形成した場合にはアニールによ
って磁歪定数は正から負に変化しており、このこ七はＮ
ｉ−Ｆ ｅ合金膜とＳｉＯ２層との拡散によりＮｉ−
Ｆｅ合金膜中のＦｅ成分が減少したことを示している。
一方Ｎｉ−Ｆｅ合金膜上にＳｉ０層を形成した場合には
磁歪定数の変化は非常に小さくなっている。このことは
薄膜ＭＲ素子となるＮｉＦｅ合金膜の両側にＳｉ０層を
設けることにより、ＮｉＦｅ合金膜との拡散を防止する
ことができることを示している。
磁歪定数の変化は非常に小さくなっている。このことは
薄膜ＭＲ素子となるＮｉＦｅ合金膜の両側にＳｉ０層を
設けることにより、ＮｉＦｅ合金膜との拡散を防止する
ことができることを示している。
上記の実験例で示したように、薄膜ＭＲ素子となるＮｉ
−Ｆｅ合金膜の両側に拡散防止層となるＳｉ０層を介在
せしめ、絶縁層を５ｉ０２とＳｉＯの２層構造とするこ
とによりＳｉＯ２絶縁層とＮｉ−Ｆｅ合金膜との間の拡
散を防止することができ、その結果加工プロセス中の昇
温あるいは製品使用時の温度履歴等の熱的要因による薄
膜ＭＲ素子の特性の劣化を防止することができる。
−Ｆｅ合金膜の両側に拡散防止層となるＳｉ０層を介在
せしめ、絶縁層を５ｉ０２とＳｉＯの２層構造とするこ
とによりＳｉＯ２絶縁層とＮｉ−Ｆｅ合金膜との間の拡
散を防止することができ、その結果加工プロセス中の昇
温あるいは製品使用時の温度履歴等の熱的要因による薄
膜ＭＲ素子の特性の劣化を防止することができる。
第２図は他の実施例におけるＹＭＲヘッドの磁気記録媒
体のトラック幅方向に垂直な方向の断面構成を示す。同
図に示す様にＭＲ素子７の上側保護層９がＧａＰ部を構
成する絶縁層を兼用した構造になっている。
体のトラック幅方向に垂直な方向の断面構成を示す。同
図に示す様にＭＲ素子７の上側保護層９がＧａＰ部を構
成する絶縁層を兼用した構造になっている。
以上の実施例ではＭＲ素子としてＮｉ−Ｆｅ合金膜を使
用した場合について示しているが、ＭＲ素子としてはＮ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｃｏ等の他の金属強磁性膜を使
用した場合にも同様な効果が得られる。
用した場合について示しているが、ＭＲ素子としてはＮ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｃｏ等の他の金属強磁性膜を使
用した場合にも同様な効果が得られる。
〈発明の効果〉
以上述べた本発明によれば、薄膜ＭＲ素子の耐熱性を向
上でき、加工プロセス中の昇温による特性劣化の防止を
図ることができる０また、本発明における拡散防止層で
あるＳｉＯは絶縁物なので、導電層と異なり、電流の分
流によるＭＲ素子の感度低下がないので、良好な特性（
例えば低動変化率の特性）が得られる。
上でき、加工プロセス中の昇温による特性劣化の防止を
図ることができる０また、本発明における拡散防止層で
あるＳｉＯは絶縁物なので、導電層と異なり、電流の分
流によるＭＲ素子の感度低下がないので、良好な特性（
例えば低動変化率の特性）が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る一実施例の断面図、第２図は本発
明に係る他の実施例の断面図、第３図は従来の薄膜ＭＲ
ヘッドの断面図、第４図はその平面図である。 図中、１：基板 ２：磁気記録媒体 ３，５，１０：絶
縁層５ｉ０２ ４：・□導電層 ６．９：拡散防止層Ｓ
ｉＯ７：ＭＲ素子 ８：リード層 １１：バックヨーク
部 １２：上部ヨーク １３：フロント・ギャップ部 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）宵！図 第２図
明に係る他の実施例の断面図、第３図は従来の薄膜ＭＲ
ヘッドの断面図、第４図はその平面図である。 図中、１：基板 ２：磁気記録媒体 ３，５，１０：絶
縁層５ｉ０２ ４：・□導電層 ６．９：拡散防止層Ｓ
ｉＯ７：ＭＲ素子 ８：リード層 １１：バックヨーク
部 １２：上部ヨーク １３：フロント・ギャップ部 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）宵！図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、印加される信号磁界の変化を一軸磁気異方性を有す
る強磁性薄膜の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効
果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、２層のＳｉＯ膜間に上
記強磁性薄膜を形成 してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27275785A JPS62132211A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27275785A JPS62132211A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132211A true JPS62132211A (ja) | 1987-06-15 |
| JPH0447890B2 JPH0447890B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=17518326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27275785A Granted JPS62132211A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62132211A (ja) |
Cited By (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447890B2 (ja) | 1992-08-05 |
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