JPH08138215A - 磁気抵抗型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生ヘッド - Google Patents
磁気抵抗型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生ヘッドInfo
- Publication number
- JPH08138215A JPH08138215A JP23639095A JP23639095A JPH08138215A JP H08138215 A JPH08138215 A JP H08138215A JP 23639095 A JP23639095 A JP 23639095A JP 23639095 A JP23639095 A JP 23639095A JP H08138215 A JPH08138215 A JP H08138215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- magnetoresistive
- head
- yoke
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 奥行きやヨークとＭＲ膜とのオーバーラップ
量の変動による再生出力の変動を抑制することができる
と共に、良好な出力が得られ、且つ低コスト化が可能な
磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生
ヘッドを提供する。 【解決手段】 第１の磁気ヨーク部材と第２の磁気ヨー
ク部材からなる磁気ヨークと磁気抵抗効果型膜からなる
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記第１と第２の磁気
ヨーク部材は、前記磁気ヨークの媒体対向面において磁
気ギャップを介して配置されており、前記磁気抵抗効果
型膜は、一対のリードが接続され且つ前記磁気ヨークの
一主面に前記媒体対向面から所定距離後退した位置に配
置されており、および前記主面は、記記録媒体から前記
第１の磁気ヨーク部材、磁気抵抗効果型膜、および前記
第２の磁気ヨーク部材へと順番に流れる磁束と実質的に
平行であることを特徴とする磁気抵抗型ヘッド。
量の変動による再生出力の変動を抑制することができる
と共に、良好な出力が得られ、且つ低コスト化が可能な
磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生
ヘッドを提供する。 【解決手段】 第１の磁気ヨーク部材と第２の磁気ヨー
ク部材からなる磁気ヨークと磁気抵抗効果型膜からなる
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記第１と第２の磁気
ヨーク部材は、前記磁気ヨークの媒体対向面において磁
気ギャップを介して配置されており、前記磁気抵抗効果
型膜は、一対のリードが接続され且つ前記磁気ヨークの
一主面に前記媒体対向面から所定距離後退した位置に配
置されており、および前記主面は、記記録媒体から前記
第１の磁気ヨーク部材、磁気抵抗効果型膜、および前記
第２の磁気ヨーク部材へと順番に流れる磁束と実質的に
平行であることを特徴とする磁気抵抗型ヘッド。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録再生装置
の再生ヘッド等として使用される磁気抵抗効果型ヘッド
とそれを用いた磁気記録再生ヘッドに関する。
の再生ヘッド等として使用される磁気抵抗効果型ヘッド
とそれを用いた磁気記録再生ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化が進み、ＶＴ
Ｒでは500Mb/inch2 、ＨＤＤでは 200Mb/inch 2 という
高記録密度のシステムが実用化されており、さらなる高
密度化が要求されている。このような高記録密度システ
ムにおける再生ヘッドとしては、ある種の磁性薄膜や磁
性多層薄膜等の電気抵抗が外部磁界によって変化すると
いう、磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果型ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと記す）が注目されている。
Ｒでは500Mb/inch2 、ＨＤＤでは 200Mb/inch 2 という
高記録密度のシステムが実用化されており、さらなる高
密度化が要求されている。このような高記録密度システ
ムにおける再生ヘッドとしては、ある種の磁性薄膜や磁
性多層薄膜等の電気抵抗が外部磁界によって変化すると
いう、磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果型ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと記す）が注目されている。
【０００３】図２２は、従来の一般的なシールド型ＭＲ
ヘッドの一構成例を示す図である。同図において、１は
Al2 O 3 ・TiC 等からなる基板であり、この基板１上に
はAl2 O 3 等からなる絶縁層２を介して、パーマロイ等
からなる下側のシールド層３が形成されている。下側シ
ールド層３上には、再生磁気ギャップを構成する絶縁膜
４を介して、磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と記す）５
が配置されており、このＭＲ膜５の両端に一対のリード
６が接続されて、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と
記す）７が構成されている。ＭＲ素子７上には、再生磁
気ギャップを構成する絶縁膜８を介して、上側のシール
ド層９が配置されている。このようなシールド型ＭＲヘ
ッドにおける信号磁界の検出は、例えば一対のリード６
にセンス電流を流し、ＭＲ膜５の平均磁化方向の変化に
伴う素子抵抗の変化を測定することにより行われる。
ヘッドの一構成例を示す図である。同図において、１は
Al2 O 3 ・TiC 等からなる基板であり、この基板１上に
はAl2 O 3 等からなる絶縁層２を介して、パーマロイ等
からなる下側のシールド層３が形成されている。下側シ
ールド層３上には、再生磁気ギャップを構成する絶縁膜
４を介して、磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と記す）５
が配置されており、このＭＲ膜５の両端に一対のリード
６が接続されて、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と
記す）７が構成されている。ＭＲ素子７上には、再生磁
気ギャップを構成する絶縁膜８を介して、上側のシール
ド層９が配置されている。このようなシールド型ＭＲヘ
ッドにおける信号磁界の検出は、例えば一対のリード６
にセンス電流を流し、ＭＲ膜５の平均磁化方向の変化に
伴う素子抵抗の変化を測定することにより行われる。
【０００４】ところで、上述したようなシールド型ＭＲ
ヘッドを用いて、例えば金属系記録媒体から信号磁界を
検出する場合、ＭＲヘッドと金属媒体とがショートし、
ＭＲ素子７に過大な電流が流れてＭＲヘッドが破損する
等の問題を招くおそれがあった。また、デプス加工の際
にＭＲ膜５が研磨液等に直接接するため、工程中にＭＲ
膜５が腐食するという重大な問題を有していた。
ヘッドを用いて、例えば金属系記録媒体から信号磁界を
検出する場合、ＭＲヘッドと金属媒体とがショートし、
ＭＲ素子７に過大な電流が流れてＭＲヘッドが破損する
等の問題を招くおそれがあった。また、デプス加工の際
にＭＲ膜５が研磨液等に直接接するため、工程中にＭＲ
膜５が腐食するという重大な問題を有していた。
【０００５】一方、上述したシールド型ＭＲヘッドと金
属媒体とのショートを防止するために、ＭＲヘッドの媒
体対向面や媒体表面に絶縁性の保護膜を形成する等の対
策が採られてきたが、このような方法は線記録密度の向
上に不可欠な低浮上化には不向きである。さらに、将来
の高密度化技術として期待されている接触記録では、特
に媒体対向面が磨耗して保護膜が消滅するおそれがある
ため、何等かの対策が求められている。またさらには、
ＭＲ素子７が磨耗すると、奥行き（デプス）方向の幅が
変動してヘッド出力が変動するだけでなく、ＭＲ膜５自
体が磨耗して消滅する可能性がある。
属媒体とのショートを防止するために、ＭＲヘッドの媒
体対向面や媒体表面に絶縁性の保護膜を形成する等の対
策が採られてきたが、このような方法は線記録密度の向
上に不可欠な低浮上化には不向きである。さらに、将来
の高密度化技術として期待されている接触記録では、特
に媒体対向面が磨耗して保護膜が消滅するおそれがある
ため、何等かの対策が求められている。またさらには、
ＭＲ素子７が磨耗すると、奥行き（デプス）方向の幅が
変動してヘッド出力が変動するだけでなく、ＭＲ膜５自
体が磨耗して消滅する可能性がある。
【０００６】上述したようなシールド型ＭＲヘッドの問
題点を回避するヘッド構造としては、図２３に示すよう
なヘッド内部に配置されたＭＲ素子７に磁気ヨーク１０
により信号磁界を導く、いわゆるヨーク型のＭＲヘッド
が知られている。このヨーク型のＭＲヘッドにおいて
は、磁気ヨーク１０の一部となる軟磁性体層１１上に磁
気ギャップとなる絶縁膜１２を介してＭＲ素子７が配置
されていると共に、媒体対向面からＭＲ膜５を介してヘ
ッド内部の軟磁性体層１１に接続するように、磁気ヨー
クの一部となる軟磁性体１３、１４が配置されている。
しかし、このようなヨーク型ＭＲヘッドでは、ＭＲ素子
７の位置および磁気ヨーク１０への接続状態により再生
出力自体が低下するだけでなく、磁気ヨークの一部とな
る軟磁性体１３、１４とＭＲ膜５とのアライメント誤差
により、これらのオーバーラップ量Ｌovが変動して再生
出力が変動しやすいため、特性の揃ったＭＲヘッドを歩
留りよく製造することが困難であるという問題を有して
いた。
題点を回避するヘッド構造としては、図２３に示すよう
なヘッド内部に配置されたＭＲ素子７に磁気ヨーク１０
により信号磁界を導く、いわゆるヨーク型のＭＲヘッド
が知られている。このヨーク型のＭＲヘッドにおいて
は、磁気ヨーク１０の一部となる軟磁性体層１１上に磁
気ギャップとなる絶縁膜１２を介してＭＲ素子７が配置
されていると共に、媒体対向面からＭＲ膜５を介してヘ
ッド内部の軟磁性体層１１に接続するように、磁気ヨー
クの一部となる軟磁性体１３、１４が配置されている。
しかし、このようなヨーク型ＭＲヘッドでは、ＭＲ素子
７の位置および磁気ヨーク１０への接続状態により再生
出力自体が低下するだけでなく、磁気ヨークの一部とな
る軟磁性体１３、１４とＭＲ膜５とのアライメント誤差
により、これらのオーバーラップ量Ｌovが変動して再生
出力が変動しやすいため、特性の揃ったＭＲヘッドを歩
留りよく製造することが困難であるという問題を有して
いた。
【０００７】一方、図２４に示すように、基板１上に積
層方向に磁気コア１５を設け、その内部にＭＲ素子７を
配置した構造も提案されているが、磁気コア１５の膜厚
方向の透磁率はほとんど零であると共に、磁気コア１５
の膜厚分だけはＭＲ素子７が媒体対向面から後退するた
め、やはり再生出力が低下するという問題を有してい
た。さらに、上述したようなヨーク型のＭＲヘッドは、
いずれも磁気ヨークの作製工程が複雑になるため、低コ
スト化しずらいという難点を有していた。
層方向に磁気コア１５を設け、その内部にＭＲ素子７を
配置した構造も提案されているが、磁気コア１５の膜厚
方向の透磁率はほとんど零であると共に、磁気コア１５
の膜厚分だけはＭＲ素子７が媒体対向面から後退するた
め、やはり再生出力が低下するという問題を有してい
た。さらに、上述したようなヨーク型のＭＲヘッドは、
いずれも磁気ヨークの作製工程が複雑になるため、低コ
スト化しずらいという難点を有していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のシールド型ＭＲヘッドは、金属媒体とのショートによ
るヘッド破損や製造工程中におけるＭＲ膜の腐食が生じ
やすいという問題や、ＭＲ素子の磨耗による奥行き変動
により、ヘッド出力が変動するだけでなく、ＭＲ膜自体
が消滅するおそれがあるという問題を有していた。一
方、従来のヨーク型のＭＲヘッドは、再生出力が小さい
と共に、出力にばらつきが生じやすいという問題を有
し、さらには製造工程が複雑で低コスト化しずらいとい
う問題を有していた。
のシールド型ＭＲヘッドは、金属媒体とのショートによ
るヘッド破損や製造工程中におけるＭＲ膜の腐食が生じ
やすいという問題や、ＭＲ素子の磨耗による奥行き変動
により、ヘッド出力が変動するだけでなく、ＭＲ膜自体
が消滅するおそれがあるという問題を有していた。一
方、従来のヨーク型のＭＲヘッドは、再生出力が小さい
と共に、出力にばらつきが生じやすいという問題を有
し、さらには製造工程が複雑で低コスト化しずらいとい
う問題を有していた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題に対処するためになされたもので、奥行きやヨークと
ＭＲ膜とのオーバーラップ量の変動による再生出力の変
動を抑制することができると共に、良好な再生出力が得
られ、かつ低コスト化が可能な磁気抵抗効果型ヘッドお
よびそれを用いた磁気記録再性ヘッドを提供することを
目的とする。本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、第１の
磁気ヨーク部材と第２の磁気ヨーク部材からなる磁気ヨ
ーク、前記第１と第２の磁気ヨーク部材は、前記磁気ヨ
ークの媒体対向面において磁気ギャップを介して配置さ
れている、および一対のリードが接続され且つ前記磁気
ヨークの一主面に前記媒体対向面から所定距離後退した
位置に配置されている磁気抵抗効果型膜、前記磁気ヨー
ク主面は、記記録媒体から前記第１の磁気ヨーク部材、
磁気抵抗効果型膜、および前記第２の磁気ヨーク部材へ
と順番に流れる磁束と実質的に平行であることを特徴と
するものである。
題に対処するためになされたもので、奥行きやヨークと
ＭＲ膜とのオーバーラップ量の変動による再生出力の変
動を抑制することができると共に、良好な再生出力が得
られ、かつ低コスト化が可能な磁気抵抗効果型ヘッドお
よびそれを用いた磁気記録再性ヘッドを提供することを
目的とする。本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、第１の
磁気ヨーク部材と第２の磁気ヨーク部材からなる磁気ヨ
ーク、前記第１と第２の磁気ヨーク部材は、前記磁気ヨ
ークの媒体対向面において磁気ギャップを介して配置さ
れている、および一対のリードが接続され且つ前記磁気
ヨークの一主面に前記媒体対向面から所定距離後退した
位置に配置されている磁気抵抗効果型膜、前記磁気ヨー
ク主面は、記記録媒体から前記第１の磁気ヨーク部材、
磁気抵抗効果型膜、および前記第２の磁気ヨーク部材へ
と順番に流れる磁束と実質的に平行であることを特徴と
するものである。
【００１０】また、本発明の磁気記録再生ヘッドは、上
記本発明の磁気抵抗効果型ヘッドからなる再生ヘッド
と、磁気ギャップを介して配置された磁気コアと記録コ
イルとを有し、前記磁気抵抗効果型ヘッドの磁気ヨーク
および磁気ギャップを前記磁気コアおよび磁気ギャップ
として共用させた誘導型磁気ヘッドからなる記録ヘッド
とを具備することを特徴としている。
記本発明の磁気抵抗効果型ヘッドからなる再生ヘッド
と、磁気ギャップを介して配置された磁気コアと記録コ
イルとを有し、前記磁気抵抗効果型ヘッドの磁気ヨーク
および磁気ギャップを前記磁気コアおよび磁気ギャップ
として共用させた誘導型磁気ヘッドからなる記録ヘッド
とを具備することを特徴としている。
【００１１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
は、一対の磁性体からなる磁気ヨークの一平面、例えば
積層方向上面に沿って磁気抵抗効果膜を配置しているた
め、最低限媒体対向面から後退させた位置、すなわち媒
体対向面に近接した位置に磁気抵抗効果膜を配置するこ
とができる。従って、ヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドの
利点を損うことなく、より多くの磁束を磁気抵抗効果膜
に導いて高再生出力を得ることができる。また、媒体と
ヘッドとが接触してヘッドが磨耗しても、後述のように
磁束流入量が大きくは変化しないので、出力変動を小さ
く抑えることができる。また、磁気ヨークとなる一対の
磁性体と磁気抵抗効果膜とのオーバーラップ量を、磁気
抵抗効果膜の媒体対向面からの後退位置とは関係なく、
十分に大きく設定することができるため、再生出力のば
らつきを小さくすることが可能となる。
は、一対の磁性体からなる磁気ヨークの一平面、例えば
積層方向上面に沿って磁気抵抗効果膜を配置しているた
め、最低限媒体対向面から後退させた位置、すなわち媒
体対向面に近接した位置に磁気抵抗効果膜を配置するこ
とができる。従って、ヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドの
利点を損うことなく、より多くの磁束を磁気抵抗効果膜
に導いて高再生出力を得ることができる。また、媒体と
ヘッドとが接触してヘッドが磨耗しても、後述のように
磁束流入量が大きくは変化しないので、出力変動を小さ
く抑えることができる。また、磁気ヨークとなる一対の
磁性体と磁気抵抗効果膜とのオーバーラップ量を、磁気
抵抗効果膜の媒体対向面からの後退位置とは関係なく、
十分に大きく設定することができるため、再生出力のば
らつきを小さくすることが可能となる。
【００１２】また、本発明の磁気記録再生ヘッドにおい
ては、再生ヘッドと記録ヘッドとが磁気ギャップを共用
できると共に、磁気抵抗効果型ヘッドの磁気ヨークと誘
導型磁気ヘッドの磁気コアの少なくとも一部を共用させ
ることが出来るため、トラック幅とギャップ長が記録と
再生で同一となる。従って、録再アライメント誤差を零
とすることができるため、例えば高記録密度システムに
おいても優れた記録・再生特性が得られる。
ては、再生ヘッドと記録ヘッドとが磁気ギャップを共用
できると共に、磁気抵抗効果型ヘッドの磁気ヨークと誘
導型磁気ヘッドの磁気コアの少なくとも一部を共用させ
ることが出来るため、トラック幅とギャップ長が記録と
再生で同一となる。従って、録再アライメント誤差を零
とすることができるため、例えば高記録密度システムに
おいても優れた記録・再生特性が得られる。
【００１３】
【００１４】
【実施例】次に、本発明を実施例によってさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００１５】図１および図２は、本発明の一実施例によ
る磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）の構成を示す図
であり、図１はその媒体対向面方向からの斜視図、図２
（ａ）は記録媒体４０との位置関係を示す平面図、図２
（ｂ）はその断面図である。
る磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）の構成を示す図
であり、図１はその媒体対向面方向からの斜視図、図２
（ａ）は記録媒体４０との位置関係を示す平面図、図２
（ｂ）はその断面図である。
【００１６】これらの図において、２１はAl2 O 3 ・Ti
C 等からなる基板であり、この基板２１上にはAl2 O 3
等からなる絶縁層２２が設けられている。この絶縁層２
２上には、磁気ヨーク２３となる一対の磁性体２４が同
一平面を構成するように、Al2 O 3 等からなる磁気ギャ
ップ２５を介して配置されている。すなわち、磁気ヨー
ク２３となる一対の磁性体２４と磁気ギャップ２５と
は、基板面に対してほぼ平行に配置されている。一対の
磁性体２４は、例えばNiFe合金やCoZrNbのようなアモル
ファス合金等の軟磁性材料からなるものである。また、
磁気ギャップ２５となるAl2 O 3 等は、一対の磁性体２
４の少なくとも媒体対向面間に配置されていればよい。
C 等からなる基板であり、この基板２１上にはAl2 O 3
等からなる絶縁層２２が設けられている。この絶縁層２
２上には、磁気ヨーク２３となる一対の磁性体２４が同
一平面を構成するように、Al2 O 3 等からなる磁気ギャ
ップ２５を介して配置されている。すなわち、磁気ヨー
ク２３となる一対の磁性体２４と磁気ギャップ２５と
は、基板面に対してほぼ平行に配置されている。一対の
磁性体２４は、例えばNiFe合金やCoZrNbのようなアモル
ファス合金等の軟磁性材料からなるものである。また、
磁気ギャップ２５となるAl2 O 3 等は、一対の磁性体２
４の少なくとも媒体対向面間に配置されていればよい。
【００１７】上述した一対の磁性体２４からなる磁気ヨ
ーク２３中を通る磁束、すなわち磁気ヨーク２３の磁気
回路（図２（ａ）中に矢印ｘで示す）と略平行な面上に
は、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）２６が媒体対向面から所
定距離後退した位置に配置されている。すなわち、ＭＲ
膜２６は、一対の磁性体２４により構成された積層方向
上面に相当する平面上に、磁気ギャップ２５を跨いで一
対の磁性体２４の双方と磁気的に結合し得るように配置
されており、その長手方向は磁気ヨーク２３の磁気回路
により導かれた信号磁界方向と略平行とされている。
ーク２３中を通る磁束、すなわち磁気ヨーク２３の磁気
回路（図２（ａ）中に矢印ｘで示す）と略平行な面上に
は、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）２６が媒体対向面から所
定距離後退した位置に配置されている。すなわち、ＭＲ
膜２６は、一対の磁性体２４により構成された積層方向
上面に相当する平面上に、磁気ギャップ２５を跨いで一
対の磁性体２４の双方と磁気的に結合し得るように配置
されており、その長手方向は磁気ヨーク２３の磁気回路
により導かれた信号磁界方向と略平行とされている。
【００１８】ＭＲ膜２６の奥行き方向の配置位置は、記
録媒体４０との接触によるショートや磨耗等を考慮した
上で、媒体対向面に近接した位置とすることが好まし
い。上記磁気ヨーク２３とＭＲ膜２６との配置関係によ
れば、ＭＲ膜２６を媒体対向面から最低限後退させた上
で、すなわちヨーク型ＭＲヘッドとしての利点を損わな
い範囲で、媒体対向面に近接した位置に精度よく配置形
成することができる。ＭＲ膜２６の媒体対向面から後退
距離ｄは、信号磁界の設定導入量にもよるが、 0.2〜10
μm 程度とすることが好ましい。
録媒体４０との接触によるショートや磨耗等を考慮した
上で、媒体対向面に近接した位置とすることが好まし
い。上記磁気ヨーク２３とＭＲ膜２６との配置関係によ
れば、ＭＲ膜２６を媒体対向面から最低限後退させた上
で、すなわちヨーク型ＭＲヘッドとしての利点を損わな
い範囲で、媒体対向面に近接した位置に精度よく配置形
成することができる。ＭＲ膜２６の媒体対向面から後退
距離ｄは、信号磁界の設定導入量にもよるが、 0.2〜10
μm 程度とすることが好ましい。
【００１９】上述したＭＲ膜２６としては、例えば電流
の方向と磁性層の磁化モーメントの成す角度に依存して
電気抵抗が変化するNi80Fe20等からなる異方性磁気抵抗
効果膜、磁性膜と非磁性膜との積層構造を有し、各磁性
層の磁化の成す角度に依存して電気抵抗が変化する、い
わゆるスピンバルブ効果を示すCo90Fe10／Cu／Co90Fe10
積層膜等からなるスピンバルブ膜、あるいは巨大磁気抵
抗効果を示す人工格子膜が例示される。
の方向と磁性層の磁化モーメントの成す角度に依存して
電気抵抗が変化するNi80Fe20等からなる異方性磁気抵抗
効果膜、磁性膜と非磁性膜との積層構造を有し、各磁性
層の磁化の成す角度に依存して電気抵抗が変化する、い
わゆるスピンバルブ効果を示すCo90Fe10／Cu／Co90Fe10
積層膜等からなるスピンバルブ膜、あるいは巨大磁気抵
抗効果を示す人工格子膜が例示される。
【００２０】ＭＲ膜２６上には、その両端に電気的に接
続されたCu等からなる一対のリード２７が形成されてお
り、これらによりＭＲ素子２８が構成されている。この
一対のリード２７は、磁気ヨーク２３による磁気回路と
略平行なＭＲ膜２６の長手方向にセンス電流が流れるよ
うに配置されている。なお、図１では図示を省略した
が、一対の磁性体２４とＭＲ膜２６との間には、図２
（ｂ）に示すように、絶縁膜２９が配置されており、Ｍ
Ｒ素子２８は磁気ヨーク２３とは絶縁されている。以下
の他の実施例においても同様である。
続されたCu等からなる一対のリード２７が形成されてお
り、これらによりＭＲ素子２８が構成されている。この
一対のリード２７は、磁気ヨーク２３による磁気回路と
略平行なＭＲ膜２６の長手方向にセンス電流が流れるよ
うに配置されている。なお、図１では図示を省略した
が、一対の磁性体２４とＭＲ膜２６との間には、図２
（ｂ）に示すように、絶縁膜２９が配置されており、Ｍ
Ｒ素子２８は磁気ヨーク２３とは絶縁されている。以下
の他の実施例においても同様である。
【００２１】上述の磁気抵抗効果型ヘッドは例えば図３
（ａ）、３（ｂ）、３（ｃ）、３（ｄ）、３（ｅ）、３
（ｆ）に示すような方法により製造される。
（ａ）、３（ｂ）、３（ｃ）、３（ｄ）、３（ｅ）、３
（ｆ）に示すような方法により製造される。
【００２２】先ずAlO x / AlO x ・TiC 等からなる基板
２１上にNiFe、CoZrNbのような軟磁性材料膜を製膜
後、、レジストマスクによりイオンビームでヨーク半体
２４ａを形成する（図３（ａ））、つぎにAlO x あるい
はSiO x 等の非磁性膜２５とNiFe、CoZrNbのような軟磁
性材料膜２４を連続製膜（図３（ｂ））、分子量の小さ
いレジスト４５をコートし、ベークにより表面平坦化す
る（図３（ｃ））。次にレジスト５とヨークし材２４が
同一のエッチングレートでエッチングされるように、例
えばイオン入射角を設定し、イオンビームにてエッチン
グバックしてヨーク半体２４ｂを形成する（図３
（ｄ））。表面にAlO x 等の絶縁膜２９を形成し、その
上にＭＲ膜あるいはスピンバルブ膜２６を形成する（図
３（ｅ））。最後にTi/Cu/Ti等からなるリード２７を、
リフトオフ等により形成する（図３（ｆ））。 上述し
たＭＲ素子２８は、例えば図４に示すように、絶縁膜３
０を介して磁気シールド層３１により覆うことが好まし
く、これにより外乱磁界によるノイズの発生を防止する
ことができる。また、磁気シールド層３１自体も媒体対
向面から例えば 0.5μm 程度後退させることによって、
隣接トラックからの信号磁界を拾うこともなくなるた
め、より一層ノイズの発生等を防止することが可能とな
る。 上記構成のＭＲヘッドにおいては、上述したよう
に、ＭＲ膜２６を最低限媒体対向面から後退させた位
置、すなわち媒体対向面に近接した位置に精度よく配置
形成することができるため、多くの信号磁界をＭＲ素子
２８に導くことができる。従って、従来のヨーク型ＭＲ
ヘッドの欠点の一つであった出力低下を回避することが
可能となる。また、磁気ヨーク２３となる一対の磁性体
２４とＭＲ膜２６とのオーバーラップ量Ｌov′（図１）
を、ＭＲ膜２６の媒体対向面からの距離に関係なく大き
く設定することができるため、再生出力のばらつきを小
さくすることが可能となる。以下、その効果を定量的に
説明する。
２１上にNiFe、CoZrNbのような軟磁性材料膜を製膜
後、、レジストマスクによりイオンビームでヨーク半体
２４ａを形成する（図３（ａ））、つぎにAlO x あるい
はSiO x 等の非磁性膜２５とNiFe、CoZrNbのような軟磁
性材料膜２４を連続製膜（図３（ｂ））、分子量の小さ
いレジスト４５をコートし、ベークにより表面平坦化す
る（図３（ｃ））。次にレジスト５とヨークし材２４が
同一のエッチングレートでエッチングされるように、例
えばイオン入射角を設定し、イオンビームにてエッチン
グバックしてヨーク半体２４ｂを形成する（図３
（ｄ））。表面にAlO x 等の絶縁膜２９を形成し、その
上にＭＲ膜あるいはスピンバルブ膜２６を形成する（図
３（ｅ））。最後にTi/Cu/Ti等からなるリード２７を、
リフトオフ等により形成する（図３（ｆ））。 上述し
たＭＲ素子２８は、例えば図４に示すように、絶縁膜３
０を介して磁気シールド層３１により覆うことが好まし
く、これにより外乱磁界によるノイズの発生を防止する
ことができる。また、磁気シールド層３１自体も媒体対
向面から例えば 0.5μm 程度後退させることによって、
隣接トラックからの信号磁界を拾うこともなくなるた
め、より一層ノイズの発生等を防止することが可能とな
る。 上記構成のＭＲヘッドにおいては、上述したよう
に、ＭＲ膜２６を最低限媒体対向面から後退させた位
置、すなわち媒体対向面に近接した位置に精度よく配置
形成することができるため、多くの信号磁界をＭＲ素子
２８に導くことができる。従って、従来のヨーク型ＭＲ
ヘッドの欠点の一つであった出力低下を回避することが
可能となる。また、磁気ヨーク２３となる一対の磁性体
２４とＭＲ膜２６とのオーバーラップ量Ｌov′（図１）
を、ＭＲ膜２６の媒体対向面からの距離に関係なく大き
く設定することができるため、再生出力のばらつきを小
さくすることが可能となる。以下、その効果を定量的に
説明する。
【００２３】すなわち、磁気ギャップ２５（幅:g) を挟
んで対向する一対の磁性体２４（厚さ:t1 ,t2 、透磁
率：μ1 ，μ2 ）により媒体磁束を吸い上げる場合に、
磁性体を通る磁束密度は媒体対向面から遠ざかるにつれ
て減衰する。磁性体を通る磁束密度が磁性体先端におけ
る値より 1/eに減衰する距離λは特性長と呼ばれ、以下
の式により与えられる。
んで対向する一対の磁性体２４（厚さ:t1 ,t2 、透磁
率：μ1 ，μ2 ）により媒体磁束を吸い上げる場合に、
磁性体を通る磁束密度は媒体対向面から遠ざかるにつれ
て減衰する。磁性体を通る磁束密度が磁性体先端におけ
る値より 1/eに減衰する距離λは特性長と呼ばれ、以下
の式により与えられる。
【００２４】 1/λ〜（1/g μ1 t1 ＋1/g μ2 t2 ）0.5 例えば、記録密度が1Gb/inch2 の場合、図１に示すヨー
ク型ＭＲヘッドではg=0.25μm 、 t1 =t2 =2μm 、μ1
= μ2 =1000 程度であるため、特性長λは16μm 前後と
なる。よって、上記構成のＭＲヘッドにおいて、ＭＲ膜
２６を媒体対向面から 1.0μm 程度後退させても、ヘッ
ドに流入する磁束の大部分をＭＲ素子２８に導くことが
できるため、基本的に出力低下はない。また、ヘッドが
0.5μm程度磨耗したとしても、その影響は小さく、ヘ
ッドに流入する磁束は若干増えるにすぎないため、出力
変動はほとんど無視することができる。さらに、磁気ヨ
ーク２３となる一対の磁性体２４とＭＲ膜２６とのオー
バーラップ量Ｌov′を、ＭＲ膜２６の媒体対向面からの
距離に関係なく、十分に大きく設定することができるた
め、再生出力のばらつきは小さい。
ク型ＭＲヘッドではg=0.25μm 、 t1 =t2 =2μm 、μ1
= μ2 =1000 程度であるため、特性長λは16μm 前後と
なる。よって、上記構成のＭＲヘッドにおいて、ＭＲ膜
２６を媒体対向面から 1.0μm 程度後退させても、ヘッ
ドに流入する磁束の大部分をＭＲ素子２８に導くことが
できるため、基本的に出力低下はない。また、ヘッドが
0.5μm程度磨耗したとしても、その影響は小さく、ヘ
ッドに流入する磁束は若干増えるにすぎないため、出力
変動はほとんど無視することができる。さらに、磁気ヨ
ーク２３となる一対の磁性体２４とＭＲ膜２６とのオー
バーラップ量Ｌov′を、ＭＲ膜２６の媒体対向面からの
距離に関係なく、十分に大きく設定することができるた
め、再生出力のばらつきは小さい。
【００２５】上述した実施例のヨーク型ＭＲヘッドにお
いては、逆に多くの磁束がＭＲ素子２８に流入するた
め、ＭＲ素子２８の大部分が小さな磁界で飽和する可能
性があり、これにより抵抗変化がすぐに飽和するといっ
た弊害が生じる場合がある。このような場合には、例え
ば図５に示すように、ＭＲ膜２６の中央付近を上方に屈
曲させて、ＭＲ膜２６と磁気ヨーク２３との間隙を広く
することによって、ＭＲ膜に入る磁束量を調整し抵抗変
化の飽和を抑制することができる。
いては、逆に多くの磁束がＭＲ素子２８に流入するた
め、ＭＲ素子２８の大部分が小さな磁界で飽和する可能
性があり、これにより抵抗変化がすぐに飽和するといっ
た弊害が生じる場合がある。このような場合には、例え
ば図５に示すように、ＭＲ膜２６の中央付近を上方に屈
曲させて、ＭＲ膜２６と磁気ヨーク２３との間隙を広く
することによって、ＭＲ膜に入る磁束量を調整し抵抗変
化の飽和を抑制することができる。
【００２６】また、図６に示すように、一対の磁性体２
４間の間隙を、実質的な磁気ギャップとなる媒体対向面
間は狭ギャップを維持し得るような間隔ｇとした上で、
ＭＲ膜２６の配置位置となる部分の幅Ｄを広く設定する
ことも効果的である。このような構造のヨーク型ＭＲヘ
ッドにおいては、ＭＲ素子２８の抵抗を大きくすること
ができると共に、狭ギャップｇ（例えば0.05〜 0.2μm
）を維持した上で一対の磁性体間距離Ｄを 0.5〜 1.0
μm 程度と広くすることにより、媒体磁界で飽和しない
部分を増大させることができる。従って、抵抗変化の飽
和を抑制することができ、さらには線形性のよいＭＲヘ
ッドが実現できる。
４間の間隙を、実質的な磁気ギャップとなる媒体対向面
間は狭ギャップを維持し得るような間隔ｇとした上で、
ＭＲ膜２６の配置位置となる部分の幅Ｄを広く設定する
ことも効果的である。このような構造のヨーク型ＭＲヘ
ッドにおいては、ＭＲ素子２８の抵抗を大きくすること
ができると共に、狭ギャップｇ（例えば0.05〜 0.2μm
）を維持した上で一対の磁性体間距離Ｄを 0.5〜 1.0
μm 程度と広くすることにより、媒体磁界で飽和しない
部分を増大させることができる。従って、抵抗変化の飽
和を抑制することができ、さらには線形性のよいＭＲヘ
ッドが実現できる。
【００２７】次に、図６に構造を示したヨーク型ＭＲヘ
ッドを例として、本発明のヨーク型ＭＲヘッドへの磁束
流入量をより定量的に評価した結果について述べる。図
６に示したヨーク型ＭＲヘッドにおいて、媒体対向面間
のギャップ距離ｇを 0.1μm、その幅ｄ（奥行き）を 5
μm （ｄ０も近似的に5 μm とした）、ＭＲ膜２６の厚
さを0.02μm 、ＭＲ素子２８の配置位置における一対の
磁性体２４間隔Ｄを 1μm とした場合、素子磁気抵抗Ｒ
MRおよびギャップ磁気抵抗Ｒ1 は下記の式から算出され
る。ＭＲの透磁率は500 とした。
ッドを例として、本発明のヨーク型ＭＲヘッドへの磁束
流入量をより定量的に評価した結果について述べる。図
６に示したヨーク型ＭＲヘッドにおいて、媒体対向面間
のギャップ距離ｇを 0.1μm、その幅ｄ（奥行き）を 5
μm （ｄ０も近似的に5 μm とした）、ＭＲ膜２６の厚
さを0.02μm 、ＭＲ素子２８の配置位置における一対の
磁性体２４間隔Ｄを 1μm とした場合、素子磁気抵抗Ｒ
MRおよびギャップ磁気抵抗Ｒ1 は下記の式から算出され
る。ＭＲの透磁率は500 とした。
【００２８】ＲMR x 10 -4 = 1/(500 X 0.02 X 1) = 1/
10 （Ｒ＝ｌ／μｓ、ｌは磁気回路の長さ、ｓは面積、
μは透磁率） Ｒ1 x 10 -4 = 0.1/(1 X 5 X 1) = 1/50 よって、ＭＲ素子２８に流入する平均磁束量φMRは、磁
気ギャップ間の起磁力Ｖ＝1 とすると下記の式から算出
される。
10 （Ｒ＝ｌ／μｓ、ｌは磁気回路の長さ、ｓは面積、
μは透磁率） Ｒ1 x 10 -4 = 0.1/(1 X 5 X 1) = 1/50 よって、ＭＲ素子２８に流入する平均磁束量φMRは、磁
気ギャップ間の起磁力Ｖ＝1 とすると下記の式から算出
される。
【００２９】φMR x 10 4 〜 {1/(1/50)} x {(1/50)/
[(1/50) + (1/10)]}〜 8 φMR 〜 8 x 10 -4 一方、図２３に示したような従来のヨーク型ＭＲヘッド
において、ヨークとＭＲ膜とのオバーラップ量Ｌovを
0.1μm 、磁気ギャップ部の奥行きを 5μm とすると、
ｒovは 1×10-4、Ｒg ×10-4は1/50となり、よってＭＲ
素子に流入する平均磁束量φYMR は約 0.5×10-4とな
る。なお、この従来のヨーク型ＭＲヘッドにおいて、ヨ
ークとＭＲ膜とのオバーラップ量Ｌovが 0.2μm と大き
くなった場合には、平均磁束量φYMR は、起磁力を1 と
した場合、約 1×10-4となり、僅かなアライメント誤差
により再生出力が大きく変動することが分かる。
[(1/50) + (1/10)]}〜 8 φMR 〜 8 x 10 -4 一方、図２３に示したような従来のヨーク型ＭＲヘッド
において、ヨークとＭＲ膜とのオバーラップ量Ｌovを
0.1μm 、磁気ギャップ部の奥行きを 5μm とすると、
ｒovは 1×10-4、Ｒg ×10-4は1/50となり、よってＭＲ
素子に流入する平均磁束量φYMR は約 0.5×10-4とな
る。なお、この従来のヨーク型ＭＲヘッドにおいて、ヨ
ークとＭＲ膜とのオバーラップ量Ｌovが 0.2μm と大き
くなった場合には、平均磁束量φYMR は、起磁力を1 と
した場合、約 1×10-4となり、僅かなアライメント誤差
により再生出力が大きく変動することが分かる。
【００３０】上述したように、本発明のヨーク型ＭＲヘ
ッドによれば、従来のヨーク型ＭＲヘッドはもちろんの
こと、従来のシールド型ＭＲヘッドに匹敵する程、多く
の磁束をＭＲ素子に導入できることが分かる。この結果
は、図５に示したヨーク型ＭＲヘッドに限られるもので
はなく、本発明の他の構造を有するヨーク型ＭＲヘッド
においても同様な結果が得られる。例えば、図１に示し
たヨーク型ＭＲヘッドにおいて、媒体対向面間のギャッ
プ距離ｇを 0.1μm 、ＭＲ素子２８の媒体対向面からの
距離ｄを 5μm 、ＭＲ素子２８の幅ｗを 1μm とする
と、ＭＲ素子２８に流入する平均磁束量φMRは、ギャッ
プ間の起磁力を1 とした場合、 φMR x 10 4 〜 {1/(1/60)} x {(1/60)/[(1/60) + (1/1
0)]}〜 8 φMR 〜 8 x 10 -4 となる。
ッドによれば、従来のヨーク型ＭＲヘッドはもちろんの
こと、従来のシールド型ＭＲヘッドに匹敵する程、多く
の磁束をＭＲ素子に導入できることが分かる。この結果
は、図５に示したヨーク型ＭＲヘッドに限られるもので
はなく、本発明の他の構造を有するヨーク型ＭＲヘッド
においても同様な結果が得られる。例えば、図１に示し
たヨーク型ＭＲヘッドにおいて、媒体対向面間のギャッ
プ距離ｇを 0.1μm 、ＭＲ素子２８の媒体対向面からの
距離ｄを 5μm 、ＭＲ素子２８の幅ｗを 1μm とする
と、ＭＲ素子２８に流入する平均磁束量φMRは、ギャッ
プ間の起磁力を1 とした場合、 φMR x 10 4 〜 {1/(1/60)} x {(1/60)/[(1/60) + (1/1
0)]}〜 8 φMR 〜 8 x 10 -4 となる。
【００３１】上述した実施例では、ＭＲ素子２８を磁気
ヨーク２３、すなわち一対の磁性体２４上に配置した例
について説明したが、本発明はこれに限られるものでは
なく、磁気ヨーク２３をＭＲ素子２８上に設けた場合に
も同様な効果が得られる。例えば図６に示すように、基
板２１の絶縁層２２上にＭＲ素子２８（ＭＲ膜２６およ
び一対のリード２７）を媒体対向面から所定距離後退さ
せて配置し、このＭＲ素子２８上に膜厚方向に一部屈曲
させた一対の磁性体２４および磁気ギャップ２５からな
る磁気ヨーク２３を設けることによっても、前述した各
実施例と同様な効果が得られる。また、このような構造
の場合、ＭＲ素子２８を段差のない下地上に形成するこ
とができるため、ＭＲ素子２８の磁壁発生を抑制するこ
とができると共に、段差部での膜切れ等を防止すること
ができる。
ヨーク２３、すなわち一対の磁性体２４上に配置した例
について説明したが、本発明はこれに限られるものでは
なく、磁気ヨーク２３をＭＲ素子２８上に設けた場合に
も同様な効果が得られる。例えば図６に示すように、基
板２１の絶縁層２２上にＭＲ素子２８（ＭＲ膜２６およ
び一対のリード２７）を媒体対向面から所定距離後退さ
せて配置し、このＭＲ素子２８上に膜厚方向に一部屈曲
させた一対の磁性体２４および磁気ギャップ２５からな
る磁気ヨーク２３を設けることによっても、前述した各
実施例と同様な効果が得られる。また、このような構造
の場合、ＭＲ素子２８を段差のない下地上に形成するこ
とができるため、ＭＲ素子２８の磁壁発生を抑制するこ
とができると共に、段差部での膜切れ等を防止すること
ができる。
【００３２】ただし，ヨーク膜に等方性（異方性のな
い）磁性膜を用いた場合や、逆に異方性磁界が10 Oe を
越えるように大きい場合は、ヨークの透磁率が前者の場
合高周波で、後者の場合全域で低下し、500 以下になる
ことがある。
い）磁性膜を用いた場合や、逆に異方性磁界が10 Oe を
越えるように大きい場合は、ヨークの透磁率が前者の場
合高周波で、後者の場合全域で低下し、500 以下になる
ことがある。
【００３３】また、ＮｉＦｅのように比抵抗があまり大
きくない材料を用いた場合は、うず電流損により、高周
波の透磁率が300 程度以下になることもある。極端な場
合は100 以下になる。このような場合は、たとえ本発明
の基本構成をとってもλは数μｍのオーダーとなる。
きくない材料を用いた場合は、うず電流損により、高周
波の透磁率が300 程度以下になることもある。極端な場
合は100 以下になる。このような場合は、たとえ本発明
の基本構成をとってもλは数μｍのオーダーとなる。
【００３４】よって、このような場合は、図１に示す
（Ｇ）ＭＲ素子のリセス量ｄをより小さくすることが望
ましい。実質的には、（Ｇ）ＭＲ全域に磁束を導きたい
ので、ｄ＋ｗを小さくすることが望ましい。（ｄ＋ｗ）
＜λであれば、必要且つ十分に磁束を（Ｇ）ＭＲに導く
ことができる。
（Ｇ）ＭＲ素子のリセス量ｄをより小さくすることが望
ましい。実質的には、（Ｇ）ＭＲ全域に磁束を導きたい
ので、ｄ＋ｗを小さくすることが望ましい。（ｄ＋ｗ）
＜λであれば、必要且つ十分に磁束を（Ｇ）ＭＲに導く
ことができる。
【００３５】次に、本発明の他の実施例について、図８
および図９を参照して説明する。
および図９を参照して説明する。
【００３６】図８に示すヨーク型ＭＲヘッドにおいて
は、一対の磁性膜３２間に非磁性膜３３を介在させた 3
層積層構造のＭＲ膜３４を用いると共に、ＭＲ膜３４の
センス電流方向と磁気回路による磁束方向とが略平行と
なるようにＭＲ膜３４が配置されている。
は、一対の磁性膜３２間に非磁性膜３３を介在させた 3
層積層構造のＭＲ膜３４を用いると共に、ＭＲ膜３４の
センス電流方向と磁気回路による磁束方向とが略平行と
なるようにＭＲ膜３４が配置されている。
【００３７】ここで、ＭＲ膜３４の幅ｗは、小さい方が
単位幅当りより多くの磁束（信号磁界）をＭＲ素子２８
に導くことができるため、より良好な再生出力が得られ
る。また、ＭＲ素子２８の磁化は、ＭＲ膜３４の幅方向
に平行な状態から長手方向（磁気回路による磁束方向）
まで動くことが望ましい。単磁性層からなるＭＲ素子で
は、幅方向のエッジにおいて磁化がカーリングを起こす
ため、ＭＲ膜の幅を小さくするとＭＲ素子の磁化が幅方
向と平行になりにくくなる。これに対して、図８に示し
たような一対の磁性膜３２間に非磁性膜３３を介在させ
た 3層積層構造のＭＲ膜３４を用いた場合には、センス
電流方向と磁束方向とが概ね平行となるようにＭＲ素子
２８を配置すればＭＲ膜３４の幅ｗを 3μm 程度と狭く
しても、幅方向のエッジで磁化のカーリングが起きにく
いため、媒体磁束により一対の磁性膜３２の磁化を幅方
向平行から長手方向まで動かすことができる。よって、
ＭＲ膜３４における磁化方向の変化を良好に保った上
で、ＭＲ膜３４の幅を小さくして単位幅当りより多くの
磁束をＭＲ素子２８に導くことができ、ひいては大きな
再生出力を得ることが可能となる。この際、上記 3層積
層構造のＭＲ膜３４としてスピンバルブ膜を用いれば、
ＭＲ膜３４の磁化を幅方向平行から長手方向まで動かす
ことができる利点をより有効に活用することができる。
単位幅当りより多くの磁束（信号磁界）をＭＲ素子２８
に導くことができるため、より良好な再生出力が得られ
る。また、ＭＲ素子２８の磁化は、ＭＲ膜３４の幅方向
に平行な状態から長手方向（磁気回路による磁束方向）
まで動くことが望ましい。単磁性層からなるＭＲ素子で
は、幅方向のエッジにおいて磁化がカーリングを起こす
ため、ＭＲ膜の幅を小さくするとＭＲ素子の磁化が幅方
向と平行になりにくくなる。これに対して、図８に示し
たような一対の磁性膜３２間に非磁性膜３３を介在させ
た 3層積層構造のＭＲ膜３４を用いた場合には、センス
電流方向と磁束方向とが概ね平行となるようにＭＲ素子
２８を配置すればＭＲ膜３４の幅ｗを 3μm 程度と狭く
しても、幅方向のエッジで磁化のカーリングが起きにく
いため、媒体磁束により一対の磁性膜３２の磁化を幅方
向平行から長手方向まで動かすことができる。よって、
ＭＲ膜３４における磁化方向の変化を良好に保った上
で、ＭＲ膜３４の幅を小さくして単位幅当りより多くの
磁束をＭＲ素子２８に導くことができ、ひいては大きな
再生出力を得ることが可能となる。この際、上記 3層積
層構造のＭＲ膜３４としてスピンバルブ膜を用いれば、
ＭＲ膜３４の磁化を幅方向平行から長手方向まで動かす
ことができる利点をより有効に活用することができる。
【００３８】また、図９に示すように、 3層積層構造の
ＭＲ膜３４の一方の磁性膜３２に接して磁化固着層３５
を配置すると共に、磁化固着層３５による磁化の固着方
向を概ね磁気回路による磁束方向と平行となるようし、
他方の磁性層の磁化が幅方向を向くように異方性を付与
したり、バイアスを加えることにより、媒体磁界に対す
る応答の線形性を高めることができると共に、透磁率が
大きくなるために、高周波出力を増大させることが可能
となる。
ＭＲ膜３４の一方の磁性膜３２に接して磁化固着層３５
を配置すると共に、磁化固着層３５による磁化の固着方
向を概ね磁気回路による磁束方向と平行となるようし、
他方の磁性層の磁化が幅方向を向くように異方性を付与
したり、バイアスを加えることにより、媒体磁界に対す
る応答の線形性を高めることができると共に、透磁率が
大きくなるために、高周波出力を増大させることが可能
となる。
【００３９】通常ＭＲヘッドでは、線形性出力を保つた
めＭＲ層の磁気モーメントは磁束のベクトルに対して４
５度でバイアスする。しかし本発明では、磁束はいろい
ろな角度でＭＲ層に入るので、出力の線形性は悪くな
る。例えば、図１０に示すＭＲ素子の左側領域では、磁
束はＭＲ層の磁気モーメントと平行になり、透磁率はほ
とんど０になる。
めＭＲ層の磁気モーメントは磁束のベクトルに対して４
５度でバイアスする。しかし本発明では、磁束はいろい
ろな角度でＭＲ層に入るので、出力の線形性は悪くな
る。例えば、図１０に示すＭＲ素子の左側領域では、磁
束はＭＲ層の磁気モーメントと平行になり、透磁率はほ
とんど０になる。
【００４０】一方、スピンバルブを用いれば、磁界に対
応する磁化回転層（フリー層）の磁気モーメントが図１
１に示すｙ軸と平行にセットすることができる。図１１
では固着層の固着層の磁気モーメントはｘ軸に平行にセ
ットされている。この構成では、磁束はフリー層の磁気
モーメントとほとんど直交し、それゆえ、出力の線形性
はほとんど維持される。
応する磁化回転層（フリー層）の磁気モーメントが図１
１に示すｙ軸と平行にセットすることができる。図１１
では固着層の固着層の磁気モーメントはｘ軸に平行にセ
ットされている。この構成では、磁束はフリー層の磁気
モーメントとほとんど直交し、それゆえ、出力の線形性
はほとんど維持される。
【００４１】さらに、図１２に示すようにスピンバルブ
素子の下にフリー層と比抵抗の大きな軟磁性層を交換結
合させた下地層を挿入すれば、磁束がオーバーラップ領
域において過剰に高い時に、フリー層の磁気飽和を回避
することができる。この下地層はヘッドの設計を容易に
し、また下地層の厚さを最適化することにより各種ＨＤ
Ｄシステム用に数種の型のヘッドの供給が可能となり、
生産上非常に有利となる。特に、ヨークとスピンバルブ
のオーバーラップ部で飽和が起こりがちな本発明で有効
である。
素子の下にフリー層と比抵抗の大きな軟磁性層を交換結
合させた下地層を挿入すれば、磁束がオーバーラップ領
域において過剰に高い時に、フリー層の磁気飽和を回避
することができる。この下地層はヘッドの設計を容易に
し、また下地層の厚さを最適化することにより各種ＨＤ
Ｄシステム用に数種の型のヘッドの供給が可能となり、
生産上非常に有利となる。特に、ヨークとスピンバルブ
のオーバーラップ部で飽和が起こりがちな本発明で有効
である。
【００４２】次に、本発明の磁気記録再生ヘッドの実施
例について、図１３を参照して説明する。図１３に示す
磁気記録再生ヘッドは、図１と同一構造のヨーク型ＭＲ
ヘッド３６を再生ヘッドとして有している。なお、図１
と同一部分については同一符号を付して説明を省略す
る。一方、記録ヘッドは、上記ヨーク型ＭＲヘッド３６
の磁気ヨーク２３となる一対の磁性体２４を磁気コア３
７の一部として共用していると同時に、磁気ギャップ２
５も共用した誘導型磁気ヘッド３８からなり、磁気コア
３７部分に記録コイル３９が設けられている。
例について、図１３を参照して説明する。図１３に示す
磁気記録再生ヘッドは、図１と同一構造のヨーク型ＭＲ
ヘッド３６を再生ヘッドとして有している。なお、図１
と同一部分については同一符号を付して説明を省略す
る。一方、記録ヘッドは、上記ヨーク型ＭＲヘッド３６
の磁気ヨーク２３となる一対の磁性体２４を磁気コア３
７の一部として共用していると同時に、磁気ギャップ２
５も共用した誘導型磁気ヘッド３８からなり、磁気コア
３７部分に記録コイル３９が設けられている。
【００４３】上記構成の磁気記録再生ヘッドにおいて
は、トラック幅およびギャップ長が記録と再生で同一と
なるため、録再アライメント誤差を零とすることがで
き、さらに製造コストの低減を図ることが可能となる。
また、記録ヘッドと再生ヘッドが離れている場合に生じ
るディスクローディングにより、特に内周側で問題とな
る記録・再生トラックのずれや、アジマスロスをなくす
ことができる。これらによって、線記録密度を高めた高
記録密度システムにおいても、優れた記録・再生特性を
得ることができる。
は、トラック幅およびギャップ長が記録と再生で同一と
なるため、録再アライメント誤差を零とすることがで
き、さらに製造コストの低減を図ることが可能となる。
また、記録ヘッドと再生ヘッドが離れている場合に生じ
るディスクローディングにより、特に内周側で問題とな
る記録・再生トラックのずれや、アジマスロスをなくす
ことができる。これらによって、線記録密度を高めた高
記録密度システムにおいても、優れた記録・再生特性を
得ることができる。
【００４４】さらに、上記構成の磁気記録再生ヘッドに
おいては、再生時に記録コイル３９に電流を流すことに
よって、ヨーク型ＭＲヘッド３６にバイアス磁界を印加
することができる。このように、余分なバイアス磁界印
加手段を用いることなく、ヨーク型ＭＲヘッド３６にバ
イアス磁界を印加して、再生特性の向上を図ることがで
きる。
おいては、再生時に記録コイル３９に電流を流すことに
よって、ヨーク型ＭＲヘッド３６にバイアス磁界を印加
することができる。このように、余分なバイアス磁界印
加手段を用いることなく、ヨーク型ＭＲヘッド３６にバ
イアス磁界を印加して、再生特性の向上を図ることがで
きる。
【００４５】図１４から図１６は、本発明の磁気効果型
素子を使用した磁気記録再生一体型ヘッドの例を示すも
のである。
素子を使用した磁気記録再生一体型ヘッドの例を示すも
のである。
【００４６】図１４は、記録再生用に共通の磁気ギャッ
プを有する磁気記録再生一体型ヘッドを示すものであ
る。
プを有する磁気記録再生一体型ヘッドを示すものであ
る。
【００４７】図１５は、記録再生用に共通の磁気ギャッ
プと、ヨーク領域上ではヨーク間の磁気ギャップが媒体
対向面の磁気ギャップ長より大きく設定されており、そ
れにより高い出力を得るようにスピンバルブ素子が１Ω
程度より大きい抵抗を持つのに十分な長さとしている、
スピンバルブ素子を有している磁気記録再生用ヘッドで
ある。
プと、ヨーク領域上ではヨーク間の磁気ギャップが媒体
対向面の磁気ギャップ長より大きく設定されており、そ
れにより高い出力を得るようにスピンバルブ素子が１Ω
程度より大きい抵抗を持つのに十分な長さとしている、
スピンバルブ素子を有している磁気記録再生用ヘッドで
ある。
【００４８】図１６は、同じく記録再生用ヘッドで、再
生ヘッドが記録ヘッドに隣り合って配置されており、記
録後ノイズが最低とするため再生ヘッドと記録ヘッドの
間の磁気的相互作用が少なくなるように、再生ヘッドは
記録ヘッドから絶縁されている構成となっている。
生ヘッドが記録ヘッドに隣り合って配置されており、記
録後ノイズが最低とするため再生ヘッドと記録ヘッドの
間の磁気的相互作用が少なくなるように、再生ヘッドは
記録ヘッドから絶縁されている構成となっている。
【００４９】図１７および図１８は、高効率の記録用ヘ
ッドで、ヨークがコイルをまたいでいるヨーク領域が磁
気ギャップに近接させた構成となっている。
ッドで、ヨークがコイルをまたいでいるヨーク領域が磁
気ギャップに近接させた構成となっている。
【００５０】図１９は、本発明の磁気ヘッドを有するス
ライダーの例を示している。この図では２個のエアベア
リング面を有するスライダーの右側に磁気ヘッドが配置
されている。左のエアベアリング面の幅Ｗ１は右のエア
ベアリング面の幅Ｗ２より大きく設定されており、ヘッ
ドの磁気ギャップ領域が媒体に接触する構成となってい
る。なお、左のエアベアリングの浮上高さｈ２は右のエ
アベアリングの浮上高さｈ１より大きく電磁変換部がい
つもニアコンタクトするよう構成されている。
ライダーの例を示している。この図では２個のエアベア
リング面を有するスライダーの右側に磁気ヘッドが配置
されている。左のエアベアリング面の幅Ｗ１は右のエア
ベアリング面の幅Ｗ２より大きく設定されており、ヘッ
ドの磁気ギャップ領域が媒体に接触する構成となってい
る。なお、左のエアベアリングの浮上高さｈ２は右のエ
アベアリングの浮上高さｈ１より大きく電磁変換部がい
つもニアコンタクトするよう構成されている。
【００５１】図２０は、同じく本発明の磁気ヘッドを有
するスライダーの例を示している。この図では本発明の
磁気ヘッドは右側に配置され、さらにヘッドー媒体接触
を確保するように突出した構成をとっている。この場合
も左のエアベアリング面の幅Ｗ１は右のエアベアリング
面の幅Ｗ２より大きく設定されている。
するスライダーの例を示している。この図では本発明の
磁気ヘッドは右側に配置され、さらにヘッドー媒体接触
を確保するように突出した構成をとっている。この場合
も左のエアベアリング面の幅Ｗ１は右のエアベアリング
面の幅Ｗ２より大きく設定されている。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
効果型ヘッドによれば、再生出力の変動を抑制すること
ができると共に、良好な再生出力が得られる。従って、
例えば低浮上化ヘッド等においても、信頼性と高再生出
力を確保することができ、さらには再生出力のばらつき
や製造コストの低減等によって、量産化への対応を図る
ことが可能となる。また、本発明の磁気記録再生ヘッド
によれば、録再アライメント誤差を零とすることができ
るため、低コストで高記録密度システムにおいても優れ
た記録・再生特性を得ることが可能となる。
効果型ヘッドによれば、再生出力の変動を抑制すること
ができると共に、良好な再生出力が得られる。従って、
例えば低浮上化ヘッド等においても、信頼性と高再生出
力を確保することができ、さらには再生出力のばらつき
や製造コストの低減等によって、量産化への対応を図る
ことが可能となる。また、本発明の磁気記録再生ヘッド
によれば、録再アライメント誤差を零とすることができ
るため、低コストで高記録密度システムにおいても優れ
た記録・再生特性を得ることが可能となる。
【００５３】また本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、特
有の構成を有するので、下記のようなマルチヘッドとし
て使用することも可能となった。
有の構成を有するので、下記のようなマルチヘッドとし
て使用することも可能となった。
【００５４】ＨＤＤ等の転送レートが、数100 Mb/secを
越える程、非常に大きくなるなる場合には、一個のヘッ
ドでは対応出来ない。この場合には、図２１に示される
ように、本発明のＭＲ磁気ヘッドを複数個基板上に階段
状に形成することにより、極めて隣接して（ピッチ
ｓ）、再生トラックを配置することが可能となるので、
従来の磁気ヘッドと比較して大きなメリットを有する。
越える程、非常に大きくなるなる場合には、一個のヘッ
ドでは対応出来ない。この場合には、図２１に示される
ように、本発明のＭＲ磁気ヘッドを複数個基板上に階段
状に形成することにより、極めて隣接して（ピッチ
ｓ）、再生トラックを配置することが可能となるので、
従来の磁気ヘッドと比較して大きなメリットを有する。
【図１】本発明の一実施例によるヨーク型磁気抵抗効果
型ヘッドの概略構造を示す斜視図である。
型ヘッドの概略構造を示す斜視図である。
【図２】図１に示すヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドの記
録媒体との位置関係を示す図であって、（ａ）はその正
面図、（ｂ）は横断面図である。
録媒体との位置関係を示す図であって、（ａ）はその正
面図、（ｂ）は横断面図である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、
（ｅ）、および（ｆ）は、本発明の磁気抵抗効果型ヘッ
ドの製造法の一例を示す説明図である。
（ｅ）、および（ｆ）は、本発明の磁気抵抗効果型ヘッ
ドの製造法の一例を示す説明図である。
【図４】図１に示すヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドに磁
気シールド層を設けた状態を示す断面図である。
気シールド層を設けた状態を示す断面図である。
【図５】図１に示すヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドの変
形例を示す斜視図である。
形例を示す斜視図である。
【図６】図１に示すヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドの他
の変形例を示す斜視図である。
の変形例を示す斜視図である。
【図７】本発明の他の実施例による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの概略構造を示す斜視図である。
ドの概略構造を示す斜視図である。
【図８】本発明の他の実施例による磁気抵抗効果型ヘッ
ドの概略構造を示す斜視図である。
ドの概略構造を示す斜視図である。
【図９】図８に示す磁気抵抗効果型ヘッドの変形例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１０】本発明の他の磁気抵抗効果型ヘッドの概略構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
【図１１】本発明の他の磁気抵抗効果型ヘッドの概略構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
【図１２】本発明の他の磁気抵抗効果型ヘッドの概略構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
【図１３】本発明の実施例による磁気記録再生ヘッドの
概略構造を示す斜視図である。
概略構造を示す斜視図である。
【図１４】本発明の他の磁気記録再生ヘッドの概略構造
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１５】本発明の他の磁気記録再生ヘッドの概略構造
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１６】本発明の他の磁気記録再生ヘッドの概略構造
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１７】本発明の他の磁気記録ヘッドの概略構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１８】本発明の他の磁気記録ヘッドの概略構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１９】本発明の磁気ヘッドを有するスライダーの一
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図２０】 本発明の磁気ヘッドの有するスライダーの
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
【図２１】本発明の複数の磁気抵抗効果型ヘッドをマル
チヘッドに応用した一例を示す斜視図である。
チヘッドに応用した一例を示す斜視図である。
【図２２】従来のシールド型磁気抵抗効果型ヘッドの概
略構造を示す斜視図である。
略構造を示す斜視図である。
【図２３】従来のヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドの概略
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図２４】従来の他のヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドの
概略構造を示す斜視図である。
概略構造を示す斜視図である。
２１………基板、２２………絶縁層、２３………磁気ヨ
ーク、２４………磁性体、２５………磁気ギャップ、２
６、３４………ＭＲ膜、２７………リード、２８………
ＭＲ素子、２９、３０………絶縁膜、３１………シール
ド層、３２………磁性膜、３３………非磁性膜、４０…
……媒体。
ーク、２４………磁性体、２５………磁気ギャップ、２
６、３４………ＭＲ膜、２７………リード、２８………
ＭＲ素子、２９、３０………絶縁膜、３１………シール
ド層、３２………磁性膜、３３………非磁性膜、４０…
……媒体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大沢 裕一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 佐橋 政司 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 澤邊 厚仁 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内
Claims (11)
- 【請求項１】 第１の磁気ヨーク部材と第２の磁気ヨー
ク部材からなる磁気ヨークと磁気抵抗効果型膜からなる
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記第１と第２の磁気
ヨーク部材は、前記磁気ヨークの媒体対向面において磁
気ギャップを介して配置されており、前記磁気抵抗効果
型膜は、一対のリードが接続され且つ前記磁気ヨークの
一主面に前記媒体対向面から所定距離後退した位置に配
置されており、および前記主面は、記記録媒体から前記
第１の磁気ヨーク部材、磁気抵抗効果型膜、および前記
第２の磁気ヨーク部材へと順番に流れる磁束と実質的に
平行であることを特徴とする磁気抵抗型ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、 前記第１と第２の磁気ヨーク部材と前記磁気抵抗効果型
膜は、基板上に配置されていることを特徴とする磁気抵
抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、 さらに、前記磁気抵抗効果膜上に非磁性絶縁体膜を介し
て積層されたシールド層を有し、前記シールド層は、前
記媒体対向面から所定距離後退した位置に配置されてい
ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、 前記磁気抵抗効果膜の媒体対向面からの後退距離ｄと前
記磁気抵抗効果膜の幅ｗの和が特性長λより少ないこと
を特徴とする、ここで特性長λは前記磁性体を通る磁束
密度が磁性体先端における値より１／ｅに減衰する距離
である。 - 【請求項５】 請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、前記磁気抵抗効果膜は、前記基板上に形成され
た前記ヨークの上に形成されている。 - 【請求項６】 請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、磁気抵抗効果膜は、前記基板上に形成されてお
り、前記ヨークは前記磁気抵抗効果膜の上に形成されて
いる。 - 【請求項７】 請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、前記磁気抵抗効果膜は一対の磁性膜の間に非磁
性膜を介在させた積層膜である。 - 【請求項８】 請求項７記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、前記積層膜の一方の磁性膜に接して磁化固着膜
が形成されている。 - 【請求項９】 第１の磁気ヨーク部材と第２の磁気ヨー
ク部材からなる磁気ヨークと磁気抵抗効果型膜から構成
された磁気抵抗効果型ヘッドからなる再生ヘッドと記録
コイルからなる磁気記録再生ヘッドにおいて、前記磁気
抵抗効果型ヘッドの前記第１と第２の磁気ヨーク部材
は、前記磁気ヨークの媒体対向面において磁気ギャップ
を介して配置されており、前記磁気抵抗効果型膜は、一
対のリードが接続され且つ前記磁気ヨークの一主面に前
記媒体対向面から所定距離後退した位置に配置されてお
り、および前記主面は、記記録媒体から前記第１の磁気
ヨーク部材、磁気抵抗効果型膜、および前記第２の磁気
ヨーク部材へと順番に流れる磁束と実質的に平行である
磁気抵抗効果型ヘッド、および前記磁気ヨークに記録磁
束を供給するように配置された記録コイルとを具備する
ことを特徴とする磁気記録再生ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項９記載の磁気記録再生ヘッドに
おいて、 前記記録コイルが前記再生ヘッドにおける磁気抵抗効果
膜にバイアスを印加する手段を兼ねることを特徴とする
磁気記録再生ヘッド。 - 【請求項１１】 一対のリードが接続された磁気抵抗効
果膜と、前記磁気抵抗効果膜に記録媒体からの信号磁界
を導く磁気ヨークとを具備する磁気抵抗効果型ヘッド
が、複数個、階段状に形成された基板上に、形成されて
いることを特徴とするマルチ磁気ヘッド、ここで各々の
磁気抵抗効果型ヘッドは前記磁気ヨークは、少なくとも
媒体対向面が磁気ギャップを介して対向配置され、同一
平面を構成する一対の磁性体からなり、かつ前記磁気抵
抗効果膜は、前記磁気ヨーク中を通る磁束と略平行な前
記一対の磁性体面に沿って、前記媒体対向面から所定距
離後退した位置に配置されていることを特徴とするマル
チ磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23639095A JPH08138215A (ja) | 1994-09-16 | 1995-09-14 | 磁気抵抗型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生ヘッド |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22071294 | 1994-09-16 | ||
| JP6-220712 | 1994-09-16 | ||
| JP23639095A JPH08138215A (ja) | 1994-09-16 | 1995-09-14 | 磁気抵抗型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138215A true JPH08138215A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=26523875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23639095A Pending JPH08138215A (ja) | 1994-09-16 | 1995-09-14 | 磁気抵抗型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08138215A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5920447A (en) * | 1996-03-14 | 1999-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic disk unit having laminated magnetic heads |
| US6064552A (en) * | 1997-03-18 | 2000-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive head having magnetic yoke and giant magnetoresistive element such that a first electrode is formed on the giant magnetoresistive element which in turn is formed on the magnetic yoke which acts as a second electrode |
| US6256171B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-07-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film magnetic head having an improved heat dispersion and magnetic recording apparatus using the same |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP23639095A patent/JPH08138215A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5920447A (en) * | 1996-03-14 | 1999-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic disk unit having laminated magnetic heads |
| US6256171B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-07-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin film magnetic head having an improved heat dispersion and magnetic recording apparatus using the same |
| US6064552A (en) * | 1997-03-18 | 2000-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive head having magnetic yoke and giant magnetoresistive element such that a first electrode is formed on the giant magnetoresistive element which in turn is formed on the magnetic yoke which acts as a second electrode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7061732B2 (en) | Magnetoresistive head and perpendicular magnetic recording-reproducing apparatus | |
| US6636391B2 (en) | Magnetoresistive sensor, magnetic head and magnetic disk apparatus | |
| US5434826A (en) | Multilayer hard bias films for longitudinal biasing in magnetoresistive transducer | |
| JP3999469B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| US7813085B2 (en) | Thin-film magnetic head having laminate shields for tolerating external magnetic field | |
| US7573675B2 (en) | Thin film magnetic head | |
| US7525773B2 (en) | Thin film magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive having a dual spin-valve magneto-resistive element | |
| JP3943337B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US6369992B1 (en) | Yoke-type head with magneto-resistance effect film recessed from medium facing surface and extending across magnetic gap | |
| JPH10334418A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製法ならびに該磁気ヘッドを用いた磁気記録装置 | |
| JP2001331909A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH08138215A (ja) | 磁気抵抗型ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生ヘッド | |
| JP3611801B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3640916B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH08235542A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2000293816A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3981856B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP3431265B2 (ja) | 磁気ディスク装置 | |
| JP2003016608A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP4010702B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3986292B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2001084531A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP3083090B2 (ja) | 磁気抵抗センサ | |
| JPH09153652A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH07307502A (ja) | 磁気センサとそれを用いた磁気記録再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011023 |