JPS6168715A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6168715A JPS6168715A JP18953384A JP18953384A JPS6168715A JP S6168715 A JPS6168715 A JP S6168715A JP 18953384 A JP18953384 A JP 18953384A JP 18953384 A JP18953384 A JP 18953384A JP S6168715 A JPS6168715 A JP S6168715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- lower magnetic
- organic insulating
- magnetic body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕゛
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に耐クラ
ツシユ性に好適な層間絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
ツシユ性に好適な層間絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
磁気記録密度を高めるためには、記録媒体、磁気ヘッド
−媒体間隔等を改善する他、磁気ヘッドを薄膜化する必
要がある。しかし、磁気ヘッドだけに関して見ると、従
来のフェライト・コアを用いた磁気ヘッドでは、高記録
密度化はそろそろ限界である。フェライトの透磁率が１
０ＭＨｚを超えると急激に低下し、狭くなるトランク幅
に合わせて機械加工することが困難になる等のためであ
る。
−媒体間隔等を改善する他、磁気ヘッドを薄膜化する必
要がある。しかし、磁気ヘッドだけに関して見ると、従
来のフェライト・コアを用いた磁気ヘッドでは、高記録
密度化はそろそろ限界である。フェライトの透磁率が１
０ＭＨｚを超えると急激に低下し、狭くなるトランク幅
に合わせて機械加工することが困難になる等のためであ
る。
これに対し、薄膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイは
、高周波透磁率が高く、飽和磁束密度もフェライトに比
べて格段に大きいため、薄膜磁気ヘッドは本質的に高密
度記録に適している。
、高周波透磁率が高く、飽和磁束密度もフェライトに比
べて格段に大きいため、薄膜磁気ヘッドは本質的に高密
度記録に適している。
従来の薄膜磁気ヘッドは、本出願人が先に特許出願した
特開昭５ａ−ｔｔｌｔｔｓ号公報に示したように、無機
絶縁膜と有機絶縁膜を併用することにより、耐クラツシ
ユ性を改善している。
特開昭５ａ−ｔｔｌｔｔｓ号公報に示したように、無機
絶縁膜と有機絶縁膜を併用することにより、耐クラツシ
ユ性を改善している。
しかし、下部磁性体段差、無機絶縁膜の膜厚の点につい
ては配慮されていないため、ギャップ深さを減寸化して
いくと、下部磁性体近傍の媒体対向面側に有機絶縁膜が
露出する恐れがある。ヘッドを構成する他の材料に比べ
有機絶縁膜の硬度は小であり、また温湿度の変化による
膨張率も犬であるため、有機絶縁膜が露出すると有機絶
縁膜の表面が周囲の温湿度変化により突出し、そのため
磁気ヘットがディスク表面にクランシュして信号破壊を
起こすという欠点がある。
ては配慮されていないため、ギャップ深さを減寸化して
いくと、下部磁性体近傍の媒体対向面側に有機絶縁膜が
露出する恐れがある。ヘッドを構成する他の材料に比べ
有機絶縁膜の硬度は小であり、また温湿度の変化による
膨張率も犬であるため、有機絶縁膜が露出すると有機絶
縁膜の表面が周囲の温湿度変化により突出し、そのため
磁気ヘットがディスク表面にクランシュして信号破壊を
起こすという欠点がある。
また、特開昭５９−３０２２０号公報に示したように、
ギャップ深さゼロ位置よりマイナス方向の有機絶縁膜を
若干削る方法もあるが、この方法では、ギャップ深さゼ
ロ位置付近に急峻な段差が形成されるため、保護膜形成
時にクラック、フレバス等の欠陥が発生する。
ギャップ深さゼロ位置よりマイナス方向の有機絶縁膜を
若干削る方法もあるが、この方法では、ギャップ深さゼ
ロ位置付近に急峻な段差が形成されるため、保護膜形成
時にクラック、フレバス等の欠陥が発生する。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を改善し、耐クラ
ツシユ性の優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことにある。
ツシユ性の優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことにある。
上記目的を達成するため、本発明の薄膜磁気ヘットの製
造方法は、基板上に、下部磁性体、ギャップ材、無機絶
縁膜、導体コイル、有機絶縁膜、上部磁性体等を順次積
層する薄膜磁気ヘッドの製造過程において、前記無機絶
縁膜の膜厚を前記下部磁性体の段差と同一またはそれ以
上とすることにより、下部磁性体上の有機絶縁膜先端よ
り下部磁性体の両側の有機絶縁膜の方が下部磁性体段差
分前に露出することを回避したことに特徴がある。
造方法は、基板上に、下部磁性体、ギャップ材、無機絶
縁膜、導体コイル、有機絶縁膜、上部磁性体等を順次積
層する薄膜磁気ヘッドの製造過程において、前記無機絶
縁膜の膜厚を前記下部磁性体の段差と同一またはそれ以
上とすることにより、下部磁性体上の有機絶縁膜先端よ
り下部磁性体の両側の有機絶縁膜の方が下部磁性体段差
分前に露出することを回避したことに特徴がある。
以下１本発明の構成を一実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製造
過程を示す図である。
過程を示す図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、セラミック基板１上
にアルミナ等からなる下地絶縁膜２、パーマロイ等から
なる下部磁性体３を形成した後、アルミナ等からなるギ
ャップ材４、導体コイル５を順次形成する。
にアルミナ等からなる下地絶縁膜２、パーマロイ等から
なる下部磁性体３を形成した後、アルミナ等からなるギ
ャップ材４、導体コイル５を順次形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、無機絶縁膜６である
ＳｉＯ２をスパンタリングにより形成する。
ＳｉＯ２をスパンタリングにより形成する。
この無機絶＃膜６（ＳｉＯ２）の膜厚は、下部磁性体３
の段差以上の膜厚とする。さらに有機絶縁膜７をスピン
塗布、熱硬化、ホトエツチングにより形成し、第１図（
ｂ）に示すようなテーパを得る。
の段差以上の膜厚とする。さらに有機絶縁膜７をスピン
塗布、熱硬化、ホトエツチングにより形成し、第１図（
ｂ）に示すようなテーパを得る。
なお、無機絶縁膜６（ＳｉＯ２）の膜厚を下部磁性体３
の段差以上の膜厚としたのは、下部磁性体３上の有機絶
縁膜７の先端点より、下部磁性体３の両側の有機絶縁膜
７の方が下部磁性体３の段差分、前に露出するのを防止
するため、有機絶縁膜７をギャップ深さゼロ位置より充
分後退させることができるようにするためである。この
点については以下に説明する。
の段差以上の膜厚としたのは、下部磁性体３上の有機絶
縁膜７の先端点より、下部磁性体３の両側の有機絶縁膜
７の方が下部磁性体３の段差分、前に露出するのを防止
するため、有機絶縁膜７をギャップ深さゼロ位置より充
分後退させることができるようにするためである。この
点については以下に説明する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、無機絶縁膜６である
ＳｉＯ２を有機絶縁膜７をマスクとしてエツチングする
。エツチング方法は、ウェット式でもドライ式でも良い
が、無機絶縁膜６と有機絶縁膜７のテーパが直線的にな
るよう両者のエツチング速度が同程度になる手法が望ま
しい。例えば、アルゴンガスを用いたイオンミリングに
おいては、ガス圧１．６Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、 加速
度５００Ｖ、イオン入射角３０度の条件でエツチングす
れば良い。この場合、有機絶縁膜７のテーパ角はそのま
ま無機絶縁膜６に転写される。
ＳｉＯ２を有機絶縁膜７をマスクとしてエツチングする
。エツチング方法は、ウェット式でもドライ式でも良い
が、無機絶縁膜６と有機絶縁膜７のテーパが直線的にな
るよう両者のエツチング速度が同程度になる手法が望ま
しい。例えば、アルゴンガスを用いたイオンミリングに
おいては、ガス圧１．６Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、 加速
度５００Ｖ、イオン入射角３０度の条件でエツチングす
れば良い。この場合、有機絶縁膜７のテーパ角はそのま
ま無機絶縁膜６に転写される。
最後に、第１図（ｄ）に示すように、パーマロイによる
上部磁性体８．保護膜９を形成する。
上部磁性体８．保護膜９を形成する。
このようにして製造された薄ｌｌ！ｉＩＢ＆気ヘッドは
、第２図〜第４図に示す構造となる。第２図は上記製造
方法により製造した薄膜磁気ヘッドの素子先端部の平面
図、第３図は第２図のＡ−Ａ’線断面図、第４図は第２
図のＢ−Ｂ’線断面図である。
、第２図〜第４図に示す構造となる。第２図は上記製造
方法により製造した薄膜磁気ヘッドの素子先端部の平面
図、第３図は第２図のＡ−Ａ’線断面図、第４図は第２
図のＢ−Ｂ’線断面図である。
第２図に示すｄ点がギャップ深さゼロ位置、ｅ点が有機
絶縁膜７の先端である。このｄ点、０点は、第３図に示
す下部磁性体３上の位置より、第４図に示す平坦部（下
部磁性体３の両側）の方がヘッド先端部へ移動する。こ
れは、下部磁性体３の段差と有機絶縁＠７の膜厚との差
、エツチング進行状況により発生するものである。した
がって、媒体対向面に有機絶縁膜７が露出することを完
全に防止するためには、第４図に示す平坦部において、
ギャップ深さゼロ位置と有機絶縁膜７の先端点が同一に
なるか、ギャップ深さゼロ位置より有機絶縁Ｍ７の先端
点が後退する構造にしなければならない。
絶縁膜７の先端である。このｄ点、０点は、第３図に示
す下部磁性体３上の位置より、第４図に示す平坦部（下
部磁性体３の両側）の方がヘッド先端部へ移動する。こ
れは、下部磁性体３の段差と有機絶縁＠７の膜厚との差
、エツチング進行状況により発生するものである。した
がって、媒体対向面に有機絶縁膜７が露出することを完
全に防止するためには、第４図に示す平坦部において、
ギャップ深さゼロ位置と有機絶縁膜７の先端点が同一に
なるか、ギャップ深さゼロ位置より有機絶縁Ｍ７の先端
点が後退する構造にしなければならない。
この様にするためには、上記のように無機絶縁膜６の膜
厚を下部磁性体３の段差以上にすれば良ｕ′ＩＯ 第５図は、本発明の他の実施例を示す図である。
厚を下部磁性体３の段差以上にすれば良ｕ′ＩＯ 第５図は、本発明の他の実施例を示す図である。
本実施例は、導体コイル５と無機絶縁膜６の積層順序を
逆にしている。本実施例においても、上記実施例と同様
の効果があることは言うまでもなし＼。
逆にしている。本実施例においても、上記実施例と同様
の効果があることは言うまでもなし＼。
第６図は、上記各実施例における媒体対向面の形状を示
す図である。前述したように、有機絶縁膜７の先端点が
ギャップ深さゼロ位置より完全に後退しているため、第
６図に示したように、媒体対向面に有機絶縁膜７が露出
することはない。
す図である。前述したように、有機絶縁膜７の先端点が
ギャップ深さゼロ位置より完全に後退しているため、第
６図に示したように、媒体対向面に有機絶縁膜７が露出
することはない。
以上説明したように、本発明の薄膜磁気ヘットの製造方
法によれば、無機絶縁膜の膜厚を下部磁性体の段差と同
一またはそれ以上とすることにより、下部磁性体上の有
機絶縁膜先端より下部磁性体の両側の有機絶、ｓ：膜の
方が下部磁性体段差分前に露出することを回避すること
ができ、クラッシュ性の優れた薄膜磁気ヘットを実現す
ることができる。
法によれば、無機絶縁膜の膜厚を下部磁性体の段差と同
一またはそれ以上とすることにより、下部磁性体上の有
機絶縁膜先端より下部磁性体の両側の有機絶、ｓ：膜の
方が下部磁性体段差分前に露出することを回避すること
ができ、クラッシュ性の優れた薄膜磁気ヘットを実現す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの製造
過程を示す図、第２図は本発明の一実施例による薄膜磁
気ヘットの先端部をの平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ
’線断面図、第４図は第２図のＢ−Ｂ’線断面図、第５
図は本発明の他の実施例による薄膜磁気ヘッドの断面図
、第６回は各実施例における媒体対向面側の側面図であ
る。 ｌ：基板、２：下地絶縁膜、３：下部磁性体、４：ギャ
ップ材、５：導体コイル、６：無機絶縁膜、７：有機絶
縁膜、８：上部磁性体、９：保護膜。 第１図 第 ２ 図 ｃｄ （
過程を示す図、第２図は本発明の一実施例による薄膜磁
気ヘットの先端部をの平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ
’線断面図、第４図は第２図のＢ−Ｂ’線断面図、第５
図は本発明の他の実施例による薄膜磁気ヘッドの断面図
、第６回は各実施例における媒体対向面側の側面図であ
る。 ｌ：基板、２：下地絶縁膜、３：下部磁性体、４：ギャ
ップ材、５：導体コイル、６：無機絶縁膜、７：有機絶
縁膜、８：上部磁性体、９：保護膜。 第１図 第 ２ 図 ｃｄ （
Claims (1)
- （１）基板上に、下部磁性体、ギャップ材、無機絶縁膜
、導体コイル、有機絶縁膜、上部磁性体等を順次積層す
る薄膜磁気ヘッドの製造過程において、前記無機絶縁膜
の膜厚を前記下部磁性体の段差と同一またはそれ以上と
することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18953384A JPS6168715A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18953384A JPS6168715A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6168715A true JPS6168715A (ja) | 1986-04-09 |
Family
ID=16242890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18953384A Pending JPS6168715A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6168715A (ja) |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP18953384A patent/JPS6168715A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4195323A (en) | Thin film magnetic recording heads | |
| US4321641A (en) | Thin film magnetic recording heads | |
| JPS63173213A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0223924B2 (ja) | ||
| JPS61192011A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US5436781A (en) | Thin film magnetic head having upper magnetic core layer with layers separated by discontinuous non-magnetic stripes | |
| JPS60175208A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6168715A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2740698B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS6168717A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6045922A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS60258715A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0618056B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS60107714A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6168716A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0524563B2 (ja) | ||
| JPH0664712B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0320807B2 (ja) | ||
| JPS63257910A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH02247808A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH03147507A (ja) | 垂直磁気薄膜ヘッドとその製造方法 | |
| JPS5987613A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH02203410A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61177614A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0520639A (ja) | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |