JPS61192011A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61192011A JPS61192011A JP60032424A JP3242485A JPS61192011A JP S61192011 A JPS61192011 A JP S61192011A JP 60032424 A JP60032424 A JP 60032424A JP 3242485 A JP3242485 A JP 3242485A JP S61192011 A JPS61192011 A JP S61192011A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic core
- film
- thin film
- core
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドに関し、特に磁気コアの透磁
率を高くし、かつ磁気的安定性を増加させた誘導型薄膜
磁気ヘッドに関するものである。
率を高くし、かつ磁気的安定性を増加させた誘導型薄膜
磁気ヘッドに関するものである。
磁気ディスクの狭トラツク化に伴って、高密度用薄膜ヘ
ッドの製造は困難を極めている０例えば。
ッドの製造は困難を極めている０例えば。
トラック幅が１５μｍ程度の薄膜ヘッドを開発する場合
には、従来の２５〜３０μｍのトラック幅を持つヘッド
における磁気コアの磁歪定数制御範囲より厳しいものが
必要となる。しかし、Ｉｌ造プロセス上、これ以上厳し
い範囲内で制御すると、プロセスマージンが極めて狭く
なり、量産時に問題となる。
には、従来の２５〜３０μｍのトラック幅を持つヘッド
における磁気コアの磁歪定数制御範囲より厳しいものが
必要となる。しかし、Ｉｌ造プロセス上、これ以上厳し
い範囲内で制御すると、プロセスマージンが極めて狭く
なり、量産時に問題となる。
薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性は、磁気コアの磁気特性
に大きく依存している。誘導型薄膜磁気ヘッドは高周波
領域で使用されるために、磁気コアに単軸磁気異方性を
付与し、トラック幅方向に磁化容易軸を向け、励磁方向
を磁化困難軸とし、磁化回転による磁化反転を行わせて
、高周波領域での透磁率の大きいことを利用している。
に大きく依存している。誘導型薄膜磁気ヘッドは高周波
領域で使用されるために、磁気コアに単軸磁気異方性を
付与し、トラック幅方向に磁化容易軸を向け、励磁方向
を磁化困難軸とし、磁化回転による磁化反転を行わせて
、高周波領域での透磁率の大きいことを利用している。
このような薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気コアに加わ
る応力とコア材である磁性膜が有する磁歪定数による逆
磁歪効果によって、前述した磁化容易軸が回転するため
、所望の磁気異方性を維持できなくなり、磁気ヘッドと
しての電磁変換特性を劣化させることが知ら九でいる。
る応力とコア材である磁性膜が有する磁歪定数による逆
磁歪効果によって、前述した磁化容易軸が回転するため
、所望の磁気異方性を維持できなくなり、磁気ヘッドと
しての電磁変換特性を劣化させることが知ら九でいる。
特開昭５５−１０１１２４号公報では、この点に関して
、磁′気コアのトラック幅方向と直角方向に引張応力が
作用するので、負の磁歪定数を有する磁性膜を使用する
ことが望ましいと記載されている。また、特開昭５５−
８０１２０号公報では、磁気コアに加わる応力が複雑で
あることから、磁歪定数の絶対値が１×１０−Ｑ以内で
ある磁性膜を使用することが望ましいと記載されている
。しかし、上述のように。
、磁′気コアのトラック幅方向と直角方向に引張応力が
作用するので、負の磁歪定数を有する磁性膜を使用する
ことが望ましいと記載されている。また、特開昭５５−
８０１２０号公報では、磁気コアに加わる応力が複雑で
あることから、磁歪定数の絶対値が１×１０−Ｑ以内で
ある磁性膜を使用することが望ましいと記載されている
。しかし、上述のように。
磁性膜を負の磁歪定数とするだけでは、大きな負の磁歪
定数の場合、磁気コアに引張応力が加わったときには、
透磁率が低下して、磁気ヘッドの電磁変換特性が低下す
ることが実験により確認された。また、上述のように、
磁歪定数の絶対値が１×１０′″６以内の磁性膜では、
高密度記録化して狭トラツクにした場合、正の磁歪定数
のときには。
定数の場合、磁気コアに引張応力が加わったときには、
透磁率が低下して、磁気ヘッドの電磁変換特性が低下す
ることが実験により確認された。また、上述のように、
磁歪定数の絶対値が１×１０′″６以内の磁性膜では、
高密度記録化して狭トラツクにした場合、正の磁歪定数
のときには。
絶対値が上記範囲内の磁性膜においても磁気的に不安定
が生じ、再生信号の雑音が増加することが実験により確
認された。また、上記問題点を解決する方法として、磁
性膜の磁歪定数をより小さな範囲内で制御することや、
応力を制御することが考えられているが、これらは形成
上極めて困難であり、形成マージンが狭く、特に量産用
プロセス技術としては問題が多い。
が生じ、再生信号の雑音が増加することが実験により確
認された。また、上記問題点を解決する方法として、磁
性膜の磁歪定数をより小さな範囲内で制御することや、
応力を制御することが考えられているが、これらは形成
上極めて困難であり、形成マージンが狭く、特に量産用
プロセス技術としては問題が多い。
本発明の目的は、このような問題点を改善し、磁気コア
の形状、製法、保！！！膜等により影響を受けず、安定
で良好な電磁変換特性を与える薄膜磁気ヘッドを提供す
ることにある。
の形状、製法、保！！！膜等により影響を受けず、安定
で良好な電磁変換特性を与える薄膜磁気ヘッドを提供す
ることにある。
上記目的を達成するため１本発明の薄膜磁気ヘッドは、
下部薄膜磁性体と、該磁性体上に積層され、一端が該下
部磁性体の一端に接合されるとともに、他端が該磁性体
の他端とギャップ絶縁体を介して対向する上部薄膜磁性
体と、該上部および下部薄膜磁性体の間に貫通して配置
された薄膜コイル導体とで磁気コアを形成する薄膜磁気
ヘッドにおいて、同一磁気コア面内で中心領域と端部領
域とが正負逆の磁歪特性を持つように形成された上部お
よび下部薄膜磁性体を有することに特徴がある。
下部薄膜磁性体と、該磁性体上に積層され、一端が該下
部磁性体の一端に接合されるとともに、他端が該磁性体
の他端とギャップ絶縁体を介して対向する上部薄膜磁性
体と、該上部および下部薄膜磁性体の間に貫通して配置
された薄膜コイル導体とで磁気コアを形成する薄膜磁気
ヘッドにおいて、同一磁気コア面内で中心領域と端部領
域とが正負逆の磁歪特性を持つように形成された上部お
よび下部薄膜磁性体を有することに特徴がある。
以下、本発明の実施例を、図面により詳細に説明する。
ｉ１図は、本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッドの構
造斜視図である。
造斜視図である。
第１図において、１３は絶縁基板、１２はその絶縁基板
１３の上に形成された下地膜、１は下地膜１３の上に形
成された下部磁気コア、２は下部磁気コア１上に積層さ
れ、一端が下部磁気コアｌの一端に結合され、他端が下
部磁気コアｌの他端に所定の磁気ギャップ４を介して対
向している上部磁気コア、３は下部磁気コア１と上部磁
気コア２の間に貫通するように配置されたコイル導体。
１３の上に形成された下地膜、１は下地膜１３の上に形
成された下部磁気コア、２は下部磁気コア１上に積層さ
れ、一端が下部磁気コアｌの一端に結合され、他端が下
部磁気コアｌの他端に所定の磁気ギャップ４を介して対
向している上部磁気コア、３は下部磁気コア１と上部磁
気コア２の間に貫通するように配置されたコイル導体。
４は磁気ギャップを形成する絶縁層、５は上部磁気コア
２とコイル導体３を被覆する保護膜である。
２とコイル導体３を被覆する保護膜である。
第１図では、下部磁気コア１と上部磁気コア２が破線に
より２分割されており、破線からコア中心側を正の磁歪
定数、破線からコア端部側を負の磁歪定数になる組成に
より磁性膜を形成している。
より２分割されており、破線からコア中心側を正の磁歪
定数、破線からコア端部側を負の磁歪定数になる組成に
より磁性膜を形成している。
平面図を几ると明らかになるが、正の磁歪特性の領域は
中央部の殆んどを占め、負の磁歪特性の領域は縁部のわ
ずかな面積のみを占めている。
中央部の殆んどを占め、負の磁歪特性の領域は縁部のわ
ずかな面積のみを占めている。
本発明においては、従来の薄膜磁気ヘッドで問題となっ
ていた点、すなわち、磁性膜の磁歪定数と応力により生
じる磁歪効果に着目し、磁気コアの透磁率を高くシ、か
つ磁気的不安定さを解消するため、上部および下部磁気
コアを、同一コア平面内で正負逆の磁歪特性を持つ中央
領域と端部領域とに分割する。
ていた点、すなわち、磁性膜の磁歪定数と応力により生
じる磁歪効果に着目し、磁気コアの透磁率を高くシ、か
つ磁気的不安定さを解消するため、上部および下部磁気
コアを、同一コア平面内で正負逆の磁歪特性を持つ中央
領域と端部領域とに分割する。
絶縁基板１３としては、 Ａｇ３０３−Ｔ ｉ Ｃセラ
ミックス、Ａ！２０３−Ｔ ｔ ０２セラミツクス、Ｓ
ｉＣ，Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト。
ミックス、Ａ！２０３−Ｔ ｔ ０２セラミツクス、Ｓ
ｉＣ，Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト。
Ｍ ｎ Ｚ ｎフェライト等がある。これで形成され
た基板１３の上に、下地膜１２としてスパッタＡｎ２０
３膜を形成する０次に、下部磁気コア１として、Ｎ１−
Ｆａ金合金スパッタ法形成する６例えば、破線から中心
部側を正の磁歪定数０．６×１０−８となる膜を形成し
、また破線から端部側を負の磁歪定数−〇、６ Ｘ １
０″′Ｂとなる膜を形成する。 Ｎ ｔ −Ｆ ａ系合
金膜は多結晶であり、多結晶の磁歪定数は単結晶と同じ
く結晶の配向の度合により決まる。そして、膜面と平行
な面に（１１１）面が多い場合には約８０．２重量％Ｎ
ｉで磁歪定数がＯとなり、また膜面と平行な面に（１０
０）面が多い場合には約８１．７重量％Ｎｉで磁歪定数
がＯとなる。したがって、膜の組成と膜の配向の度合を
制御することにより０．６ Ｘ Ｉ Ｏ”Ｂ。
た基板１３の上に、下地膜１２としてスパッタＡｎ２０
３膜を形成する０次に、下部磁気コア１として、Ｎ１−
Ｆａ金合金スパッタ法形成する６例えば、破線から中心
部側を正の磁歪定数０．６×１０−８となる膜を形成し
、また破線から端部側を負の磁歪定数−〇、６ Ｘ １
０″′Ｂとなる膜を形成する。 Ｎ ｔ −Ｆ ａ系合
金膜は多結晶であり、多結晶の磁歪定数は単結晶と同じ
く結晶の配向の度合により決まる。そして、膜面と平行
な面に（１１１）面が多い場合には約８０．２重量％Ｎ
ｉで磁歪定数がＯとなり、また膜面と平行な面に（１０
０）面が多い場合には約８１．７重量％Ｎｉで磁歪定数
がＯとなる。したがって、膜の組成と膜の配向の度合を
制御することにより０．６ Ｘ Ｉ Ｏ”Ｂ。
−０，６Ｘ１０″″Ｂの各値の磁歪定数を実現する。
次に、磁気ギャップ４をＡＱ２０３をスパッタ法で形成
する。コイル導体の絶縁物としては、ポリイミド系樹脂
を用いる。また、コイル導体３には、Ｃｕを用いてスパ
ッタ法で形成する１次に、上部磁気コア２は、下部磁気
コア１と同じようにして、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金をスパ
ッタ法で形成するが、破線から中心部側は磁歪定数が正
の０．６ＸＩＯ−”＃破線から端部側は磁歪定数が一〇
、６ Ｘ １０、−Ｂとなるように、それぞれ形成する
６上部磁気コア１、磁気ギャップ４、コイル導体３．上
部磁気コア２、のパターニングは、イオンミリング法に
より行う、そして、端子部分をめっき法により形成した
後、保護［５のＡｆｉ２０ａをスパッタで形成する。な
お、薄膜磁気ヘッドの具体的な製造方法については後述
する。
する。コイル導体の絶縁物としては、ポリイミド系樹脂
を用いる。また、コイル導体３には、Ｃｕを用いてスパ
ッタ法で形成する１次に、上部磁気コア２は、下部磁気
コア１と同じようにして、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ合金をスパ
ッタ法で形成するが、破線から中心部側は磁歪定数が正
の０．６ＸＩＯ−”＃破線から端部側は磁歪定数が一〇
、６ Ｘ １０、−Ｂとなるように、それぞれ形成する
６上部磁気コア１、磁気ギャップ４、コイル導体３．上
部磁気コア２、のパターニングは、イオンミリング法に
より行う、そして、端子部分をめっき法により形成した
後、保護［５のＡｆｉ２０ａをスパッタで形成する。な
お、薄膜磁気ヘッドの具体的な製造方法については後述
する。
第２図は、第１図の下部磁気コアと上部磁気コアに作用
する応力を示す図および先願の磁気コアに作用する応力
を示す比較図である。
する応力を示す図および先願の磁気コアに作用する応力
を示す比較図である。
第２図では、薄膜磁気ヘッドの平面と、それに加わる矢
印で応力を示しており、（ａ）と（ｂ）が先願の磁気コ
アであり、（ｃ）が本発明の磁気コアである。
印で応力を示しており、（ａ）と（ｂ）が先願の磁気コ
アであり、（ｃ）が本発明の磁気コアである。
下部と上部の磁気コア１．２に作用する応力は、第２図
（ａ）、（ｅ）に示すように、磁気コアにパターニング
することにより、図中に矢印で示されている方向に引張
力が作用する。すなわち、パターンの端部近傍において
パターン端部に沿った方向に引張り応力が作用する。
（ａ）、（ｅ）に示すように、磁気コアにパターニング
することにより、図中に矢印で示されている方向に引張
力が作用する。すなわち、パターンの端部近傍において
パターン端部に沿った方向に引張り応力が作用する。
第２図（ａ）は、＋０．６Ｘ１０−’の磁歪定数の磁性
膜を、磁気コア形状にパターニングした時の磁区構造で
ある。（、）では、磁性膜の磁歪定数が正であるため、
前述した応力によりコア端部では磁化容易軸が回転し、
９０′磁区領域が大きく、かつ１８０°磁区の面積も大
きな磁区構造となっている。このような磁区構造を示す
磁気コアが有する透磁率は、４１ね２０００程度と計算
される。
膜を、磁気コア形状にパターニングした時の磁区構造で
ある。（、）では、磁性膜の磁歪定数が正であるため、
前述した応力によりコア端部では磁化容易軸が回転し、
９０′磁区領域が大きく、かつ１８０°磁区の面積も大
きな磁区構造となっている。このような磁区構造を示す
磁気コアが有する透磁率は、４１ね２０００程度と計算
される。
（ｂ）は、−ｏ、５ｘｔｏ−ａの磁歪定数の磁性膜を磁
気コアにパターニングした時の磁区構造である。負の磁
歪定数では、前述の応力との関係から。
気コアにパターニングした時の磁区構造である。負の磁
歪定数では、前述の応力との関係から。
（ｂ）に示すように、９０″磁区領域が極めて少なく、
かつ１８０°磁区領域の面積も小さくなっている。この
上うな磁区構造を示す磁気コアの透磁率は、概ね５００
程度と計算されている。また、第２図（ａ）、（ｂ）に
示すような磁区構造となる磁歪定数の磁性膜で形成した
薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性を測定した結果、負の磁
歪定数の磁気コアを用いたヘッドの再生出力は、正の磁
歪定数の磁気コアを用いたヘッドに比べて、２０％程度
少なかった。また、正の磁歪定数の磁気コアを用いたヘ
ッドでは、９０”磁区領域が多いため、磁気コアの磁気
安定性が負の磁気コアに比べ乏しく。
かつ１８０°磁区領域の面積も小さくなっている。この
上うな磁区構造を示す磁気コアの透磁率は、概ね５００
程度と計算されている。また、第２図（ａ）、（ｂ）に
示すような磁区構造となる磁歪定数の磁性膜で形成した
薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性を測定した結果、負の磁
歪定数の磁気コアを用いたヘッドの再生出力は、正の磁
歪定数の磁気コアを用いたヘッドに比べて、２０％程度
少なかった。また、正の磁歪定数の磁気コアを用いたヘ
ッドでは、９０”磁区領域が多いため、磁気コアの磁気
安定性が負の磁気コアに比べ乏しく。
再生信号に雑音が多く見られた。
第２図（ｅ）は、本発明を用いた磁気コアの磁区構造図
である。コア中心領域では正の磁歪定数、コア端部では
負の磁歪定数としているため、図に示すように、透磁率
が高く、かつコア縁部の９０”磁区領域が少なくなって
いる。このような磁気コアを有する磁気ヘッドの再生出
力は、正の磁歪定数の磁気コアを用いたヘッドの出力に
ほぼ等しく。
である。コア中心領域では正の磁歪定数、コア端部では
負の磁歪定数としているため、図に示すように、透磁率
が高く、かつコア縁部の９０”磁区領域が少なくなって
いる。このような磁気コアを有する磁気ヘッドの再生出
力は、正の磁歪定数の磁気コアを用いたヘッドの出力に
ほぼ等しく。
かつ再生出力の雑音成分も負の磁歪定数の磁気コアを用
いたヘッドに近い電磁変換特性が得られた。
いたヘッドに近い電磁変換特性が得られた。
第３図（、）〜（ｆ）は、本発明の製造プロセスの具体
例を示す図である。
例を示す図である。
磁性膜の形成法として、ここではめつき法を泪いている
。先ず、（ａ）では絶縁基板６上にめっき下地７を形成
し、その上全面に正の磁歪定数となる条件により磁性膜
８をめっきする０次に、（ｂ）に示すように、ネガレジ
スト９を用いて所望の磁気コア形状によりも少し小さい
形状に磁性膜をエツチングする６次に、ポジレジスト１
０を全面にコーティングしくＣ参照）、その後所望の磁
気コア形状となるように、コア端部に相当する部分のみ
レジストを除去する（ｄ参照）０次に、（ｅ）に示すよ
うに、負の磁歪定数となる条件により、磁気コア端部に
相当する部分１１をマスクめっきにより形成する。この
時、負の磁歪定数となる領域は。
。先ず、（ａ）では絶縁基板６上にめっき下地７を形成
し、その上全面に正の磁歪定数となる条件により磁性膜
８をめっきする０次に、（ｂ）に示すように、ネガレジ
スト９を用いて所望の磁気コア形状によりも少し小さい
形状に磁性膜をエツチングする６次に、ポジレジスト１
０を全面にコーティングしくＣ参照）、その後所望の磁
気コア形状となるように、コア端部に相当する部分のみ
レジストを除去する（ｄ参照）０次に、（ｅ）に示すよ
うに、負の磁歪定数となる条件により、磁気コア端部に
相当する部分１１をマスクめっきにより形成する。この
時、負の磁歪定数となる領域は。
トラック幅方向の全コア幅の３０％程度でよい。
最後に（ｆ）に示すように、ネガレジスト、ポジレジス
ト、めっき下地を順次除去することによって。
ト、めっき下地を順次除去することによって。
本発明による磁気コアを得ることができる。なお。
本実施例では、めっき法により磁性膜を形成したが、他
のスパッタリング法、蒸着法によっても同じようにして
形成することが可能である。
のスパッタリング法、蒸着法によっても同じようにして
形成することが可能である。
以上説明したように、薄膜磁気ヘッドに応力が加わるこ
とにより磁気コアの磁気特性は変化するが、本発明によ
れば、この磁気特性の変化による再生出力の低下、ある
いは再□生信号の雑音増加等の電磁変換特性の劣化を少
なくすることができ、また磁気コアの磁歪定数の制御範
囲も大きくできるので、プロセスマージンが拡大される
。
とにより磁気コアの磁気特性は変化するが、本発明によ
れば、この磁気特性の変化による再生出力の低下、ある
いは再□生信号の雑音増加等の電磁変換特性の劣化を少
なくすることができ、また磁気コアの磁歪定数の制御範
囲も大きくできるので、プロセスマージンが拡大される
。
第ｔｔｍは本発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッドの斜
視図、第２図は本発明の磁気コアの磁区構造を従来のも
のと比較して示す図、第３図番土本発明の一実施例を示
す製造プロセスの概略図である。 １−下部磁気コア、２：上部磁気コア、３：導体コイル
、４：磁気ギャップ、５：保護膜、６：絶縁基板、７：
めっき下地膜、８：正磁歪定数の磁性膜、９：ネガレジ
スト、１０：ポジレジスト、１１：負磁歪定数の磁性膜
、１２：下地膜、１３：絶縁基板。 第１図 第２図 （ａ）
視図、第２図は本発明の磁気コアの磁区構造を従来のも
のと比較して示す図、第３図番土本発明の一実施例を示
す製造プロセスの概略図である。 １−下部磁気コア、２：上部磁気コア、３：導体コイル
、４：磁気ギャップ、５：保護膜、６：絶縁基板、７：
めっき下地膜、８：正磁歪定数の磁性膜、９：ネガレジ
スト、１０：ポジレジスト、１１：負磁歪定数の磁性膜
、１２：下地膜、１３：絶縁基板。 第１図 第２図 （ａ）
Claims (1)
- （１）下部薄膜磁性体と、該磁性体上に積層され、一端
が該下部磁性体の一端に接合されるとともに、他端が該
磁性体の他端とギャップ絶縁体を介して対向する上部薄
膜磁性体と、該上部および下部薄膜磁性体の間に貫通し
て配置された薄膜コイル導体とで磁気コアを形成する薄
膜磁気ヘッドにおいて、同一磁気コア面内で中心領域と
端部領域とが正負逆の磁歪特性を持つように形成された
上部および下部薄膜磁性体を有することを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032424A JPS61192011A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 薄膜磁気ヘツド |
| US06/828,348 US4750072A (en) | 1985-02-20 | 1986-02-11 | Thin-film magnetic head provided with a magnetic film having regions of different magnetostriction constants and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032424A JPS61192011A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61192011A true JPS61192011A (ja) | 1986-08-26 |
| JPH0576682B2 JPH0576682B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=12358568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60032424A Granted JPS61192011A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4750072A (ja) |
| JP (1) | JPS61192011A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008088697A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Takiya Kk | 壁面架設パネル |
| US7576950B2 (en) | 2004-08-06 | 2009-08-18 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Perpendicular magnetic recording head utilizing tensile stress to optimize magnetic pole layer domain structure |
| US7808743B2 (en) | 2007-03-05 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Perpendicular magnetic write head having a structure that suppresses unintended erasure of information on a write medium at a non-writing time |
Families Citing this family (17)
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