JPS5987613A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5987613A JPS5987613A JP19728582A JP19728582A JPS5987613A JP S5987613 A JPS5987613 A JP S5987613A JP 19728582 A JP19728582 A JP 19728582A JP 19728582 A JP19728582 A JP 19728582A JP S5987613 A JPS5987613 A JP S5987613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- thin film
- magnetic
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は一軸磁気異方性を有する金属強磁性薄膜の磁化
困難軸方向に印加される信号磁界の変化を磁化容易軸方
向の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子（以
下ＭＲ素子と略す。）を具備して磁気記録媒体に記録さ
れる信号の検出を行う薄膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲヘ
ッドと略す。）に関する。
困難軸方向に印加される信号磁界の変化を磁化容易軸方
向の電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子（以
下ＭＲ素子と略す。）を具備して磁気記録媒体に記録さ
れる信号の検出を行う薄膜磁気ヘッド（以下薄膜ＭＲヘ
ッドと略す。）に関する。
〈従来技術〉
従来、薄膜ＭＲヘッドは巻線型の磁気ヘッドと比較して
多くの利点があることが知られている。
多くの利点があることが知られている。
即ち薄膜ＭＲヘッドは磁気ダープ等の磁気記録媒体に書
き込まれた信号磁界を受ける事によって磁気抵抗効果素
子内部の磁区方向（磁化方向）が変化すると内部抵抗が
それに応じて変り、この内部抵抗の変化を外部出力とし
て取シ出すものである。
き込まれた信号磁界を受ける事によって磁気抵抗効果素
子内部の磁区方向（磁化方向）が変化すると内部抵抗が
それに応じて変り、この内部抵抗の変化を外部出力とし
て取シ出すものである。
従って磁束応答型のヘッドであり磁気記録媒体の移送速
度に依存せずに信号磁界を再生できるものである。この
薄膜ＭＲヘッドは半導体の微細加工技術によシ高集積化
、多素子化が容易であるので、高密度記録が行なわれる
固定ヘッド弐ＰＣＭ録音機の再生用磁気ヘッドとして有
望視されている。
度に依存せずに信号磁界を再生できるものである。この
薄膜ＭＲヘッドは半導体の微細加工技術によシ高集積化
、多素子化が容易であるので、高密度記録が行なわれる
固定ヘッド弐ＰＣＭ録音機の再生用磁気ヘッドとして有
望視されている。
さて、元来ＭＲ素子は外部磁界に対して二乗曲線をもつ
感応特性を示すことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとして
構成する場合には素子形状をストライプ状（磁区の配向
を安定化する為）にすると共に線型応答特性を得る為に
は所定のバイアス磁界を印加する構成を備える事が必要
である。更にＭＲ素子に高分解機能を持たせる為には上
記ストライプのＭＲ素子の上側及び下側に絶縁層を介し
て軟磁性材料（パーマロイ、センダスト等）からなる薄
膜を磁気シールド層として形成する事が必要である。以
上の点から従来の薄膜ＭＲヘッドの構造は第１図に示さ
れる如きものとなっている。
感応特性を示すことから、ＭＲ素子を再生ヘッドとして
構成する場合には素子形状をストライプ状（磁区の配向
を安定化する為）にすると共に線型応答特性を得る為に
は所定のバイアス磁界を印加する構成を備える事が必要
である。更にＭＲ素子に高分解機能を持たせる為には上
記ストライプのＭＲ素子の上側及び下側に絶縁層を介し
て軟磁性材料（パーマロイ、センダスト等）からなる薄
膜を磁気シールド層として形成する事が必要である。以
上の点から従来の薄膜ＭＲヘッドの構造は第１図に示さ
れる如きものとなっている。
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
’切断面での正面断面図である。この第１図に示しだ従
来の薄膜ＭＲヘッドは大路次の様にして製造された。ま
ずＮ １−Ｚｎ等のフェライト基板１に５ｉ０２等の絶
縁膜２をスパッタにより形成する。
’切断面での正面断面図である。この第１図に示しだ従
来の薄膜ＭＲヘッドは大路次の様にして製造された。ま
ずＮ １−Ｚｎ等のフェライト基板１に５ｉ０２等の絶
縁膜２をスパッタにより形成する。
次に上記絶縁膜２上に磁気バイアス川のＣｏＰ等の高抗
磁力膜３をスパッタによシ形成し化学エツチングあるい
はスパッタエツチングにより１」的のパターンに加工す
る。次に上記高抵磁力膜３上に５ｉ０２等の絶縁膜４を
スパッタにより形成する。
磁力膜３をスパッタによシ形成し化学エツチングあるい
はスパッタエツチングにより１」的のパターンに加工す
る。次に上記高抵磁力膜３上に５ｉ０２等の絶縁膜４を
スパッタにより形成する。
次にＭＲ素子として一軸磁気異方性を有するＮｉ−Ｆｅ
膜（パーマロイ膜）５を真空蒸着し更に化学エツチング
あるいはスパッタエツチングによシ目的のパターンに加
工する。次にＡｇ−Ｃｕ膜６をスパッタによシ形成し更
にプラズマエツチングによシ目的のパターンに加工する
。このＡ６−Ｃｕ膜６は上記Ｎｉ−Ｆｅ膜５のリード線
となるものである。次に上記Ｎｉ−Ｆｅ膜５上に５ｉ０
２等の絶縁膜７をスパッタにより形成する。次に上記絶
縁膜７上にＮｉ−Ｆｅ等からなる磁気シールド層８を形
成する。
膜（パーマロイ膜）５を真空蒸着し更に化学エツチング
あるいはスパッタエツチングによシ目的のパターンに加
工する。次にＡｇ−Ｃｕ膜６をスパッタによシ形成し更
にプラズマエツチングによシ目的のパターンに加工する
。このＡ６−Ｃｕ膜６は上記Ｎｉ−Ｆｅ膜５のリード線
となるものである。次に上記Ｎｉ−Ｆｅ膜５上に５ｉ０
２等の絶縁膜７をスパッタにより形成する。次に上記絶
縁膜７上にＮｉ−Ｆｅ等からなる磁気シールド層８を形
成する。
ところで薄膜ＭＲヘッドを構成する場′合フェライト基
板１（下側磁気シールド層）と磁気シールド層８（上側
磁気シールド層）の間の距離即ちギャップ長は短くする
に従って高分解能特性を得る事ができるので、各絶縁層
２．４．７はできる限り薄くする事が必要になる。しか
し例えば絶縁層７の層厚をあ！シに薄くするとその下地
となる膜（Ｎｉ−Ｆｅ膜５．Ａｌ−Ｃｕ膜６）に形成さ
れている段差を充分に被覆することができず絶縁状態を
達成できない場合が生ずる。−カこの問題を改善する為
に下地となる膜であるＡ ｌ −Ｃｕ膜６の膜厚を極力
薄くする手法があるがＡ １１− Ｃｕ膜６の膜厚を極
端に薄くするとＡｌ−Ｃｕ膜６での抵抗値が大きくな、
ＤＭＲ素子の抵抗変化分が小さくなるので信号特性上問
題がある。又一方、Ａｌ−Ｃｕ膜６の端部をテーパ加工
し急峻な段差を無くす手法があるがＭＲ素子とＡ Ｉ
−Ｃｕ膜６のコンタクト部分が数μ程度しがない為加」
二精度上使 −用できなかった。
板１（下側磁気シールド層）と磁気シールド層８（上側
磁気シールド層）の間の距離即ちギャップ長は短くする
に従って高分解能特性を得る事ができるので、各絶縁層
２．４．７はできる限り薄くする事が必要になる。しか
し例えば絶縁層７の層厚をあ！シに薄くするとその下地
となる膜（Ｎｉ−Ｆｅ膜５．Ａｌ−Ｃｕ膜６）に形成さ
れている段差を充分に被覆することができず絶縁状態を
達成できない場合が生ずる。−カこの問題を改善する為
に下地となる膜であるＡ ｌ −Ｃｕ膜６の膜厚を極力
薄くする手法があるがＡ １１− Ｃｕ膜６の膜厚を極
端に薄くするとＡｌ−Ｃｕ膜６での抵抗値が大きくな、
ＤＭＲ素子の抵抗変化分が小さくなるので信号特性上問
題がある。又一方、Ａｌ−Ｃｕ膜６の端部をテーパ加工
し急峻な段差を無くす手法があるがＭＲ素子とＡ Ｉ
−Ｃｕ膜６のコンタクト部分が数μ程度しがない為加」
二精度上使 −用できなかった。
〈目 的〉
本発明は以上の従来問題点を解消する為になされたもの
であシ、ＭＲ素子のリード線の構造に改良を施す事によ
・て段差を軽−し、以９て薄膜型ヘッドの狭ギャップ化
を達成する事を目的とする。
であシ、ＭＲ素子のリード線の構造に改良を施す事によ
・て段差を軽−し、以９て薄膜型ヘッドの狭ギャップ化
を達成する事を目的とする。
〈実施例〉
以下、本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの一実施例について
図面を用いて詳細に説明を行なう。
図面を用いて詳細に説明を行なう。
第２図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）に示すものは本発明
に係る薄膜ＭＲヘッドの一実施例を製造工程順に示した
一部側面断面図である。以下、その構造工程順に説明を
行なう。
に係る薄膜ＭＲヘッドの一実施例を製造工程順に示した
一部側面断面図である。以下、その構造工程順に説明を
行なう。
第２図（ａ）の構造を作成する手順
まず、下側の磁気シールド層となるＮｉ−Ｚｎフェライ
ト（あるい゛はＭｎ−Ｚｎフェライト）からなるフェラ
イト基板９の上に電子ビーム蒸着、スパッタリング、プ
ラズマ−ＣＶＤ法等により、Ｓ ｉ ０２１ Ｓ ！３
Ｎ４＋ Ａｌｚ０３等の絶縁層１ｏを形成する。次にＭ
Ｒ素子部となるＮ ｉ −Ｆ ｅ膜■を磁界中で真空蒸
着し、更に硝酸（ＨＮＯ３）、過硫酸アンモニウム（（
ＮＨ３）２５２０８）からなるエツチング液、あるいは
リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）からなるエツ
チング液等によりケミカルエツチングするか、若しくは
アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを用いてスパッタエツ
チングする事によりＮ ｉ −Ｆ ｅ膜１１を微細加工
する。次に取素子のリード部としてＡｌ−Ｃｕ等の第１
の導電層（下側層）１２を真空蒸着、スパッタ等を用い
て厚く形成する。この第１の導電層１２は後述する上側
の磁気シールドの下にそのパターンが存在する事がない
ように配置すると共にその端部、にテーパ部を形成する
為に次の如き加］−処理を行なう。
ト（あるい゛はＭｎ−Ｚｎフェライト）からなるフェラ
イト基板９の上に電子ビーム蒸着、スパッタリング、プ
ラズマ−ＣＶＤ法等により、Ｓ ｉ ０２１ Ｓ ！３
Ｎ４＋ Ａｌｚ０３等の絶縁層１ｏを形成する。次にＭ
Ｒ素子部となるＮ ｉ −Ｆ ｅ膜■を磁界中で真空蒸
着し、更に硝酸（ＨＮＯ３）、過硫酸アンモニウム（（
ＮＨ３）２５２０８）からなるエツチング液、あるいは
リン酸（Ｈ３ＰＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）からなるエツ
チング液等によりケミカルエツチングするか、若しくは
アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを用いてスパッタエツ
チングする事によりＮ ｉ −Ｆ ｅ膜１１を微細加工
する。次に取素子のリード部としてＡｌ−Ｃｕ等の第１
の導電層（下側層）１２を真空蒸着、スパッタ等を用い
て厚く形成する。この第１の導電層１２は後述する上側
の磁気シールドの下にそのパターンが存在する事がない
ように配置すると共にその端部、にテーパ部を形成する
為に次の如き加］−処理を行なう。
即ち、Ａｌ−Ｃｕからなる第１の導電層１２を全面に形
成し、その後円筒型プラズマエツチング装置あるいは平
行平板型ドライエツチング装置を用いて上記第１の導電
層１２をフレオン１４ （ＣＦ４）ガスのプラズマに晒
す。次にこの第１の導電層１２の上に所定のパターンに
レジスト膜を形成し、次に水酸化カリウム（ＫＯＨ）あ
るいは水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）に、過硫酸アンモ
ニウム（（ＮＨ３）２５２０８）を加えたエツチング液
を用いて上記第１の導電層１２をエツチングする。この
時上記エツチング液はＮｉ−Ｆｅ膜１１に対して選択性
を有する為Ｎｉ−Ｆｅ膜１１はエツチングされない。
成し、その後円筒型プラズマエツチング装置あるいは平
行平板型ドライエツチング装置を用いて上記第１の導電
層１２をフレオン１４ （ＣＦ４）ガスのプラズマに晒
す。次にこの第１の導電層１２の上に所定のパターンに
レジスト膜を形成し、次に水酸化カリウム（ＫＯＨ）あ
るいは水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）に、過硫酸アンモ
ニウム（（ＮＨ３）２５２０８）を加えたエツチング液
を用いて上記第１の導電層１２をエツチングする。この
時上記エツチング液はＮｉ−Ｆｅ膜１１に対して選択性
を有する為Ｎｉ−Ｆｅ膜１１はエツチングされない。
又、上記第１の導電膜１２は上述の如く予めプラズマ中
に晒されている為上記第１の導電膜１２とレジスト膜と
の間の密着性が悪く、この為に同図（ａ）の如く第１の
導電膜１２の端部にはテーパが形成される。次にレジス
ト膜を除去する。
に晒されている為上記第１の導電膜１２とレジスト膜と
の間の密着性が悪く、この為に同図（ａ）の如く第１の
導電膜１２の端部にはテーパが形成される。次にレジス
ト膜を除去する。
第２図（ｂ）の構造を作成する手順
上記第１の導電膜１２の上にＡｌ−Ｃｕ等の第２の導電
層（゛上側層）１３を真空蒸着、スパッタ等を用いてで
きる限り薄く全面に形成し、次にこの第２の導電層１３
上に所定のパターンにレジスト膜を形成し、次に水酸化
カリウム（ＫＯＨ）あるいは水酸化ナトリウム（ＮａＯ
Ｈ）に過硫酸アンモニウム（（Ｎ Ｈ４） ２３２０
ｇ ）を加えたエツチング液を用いて精度良くエツチン
グする。次にレジスト膜を除去する。
層（゛上側層）１３を真空蒸着、スパッタ等を用いてで
きる限り薄く全面に形成し、次にこの第２の導電層１３
上に所定のパターンにレジスト膜を形成し、次に水酸化
カリウム（ＫＯＨ）あるいは水酸化ナトリウム（ＮａＯ
Ｈ）に過硫酸アンモニウム（（Ｎ Ｈ４） ２３２０
ｇ ）を加えたエツチング液を用いて精度良くエツチン
グする。次にレジスト膜を除去する。
上記Ｎｉ−Ｆｅ膜１１及び第２の導電層１３上にＰａ５
ｓｉｖａｔｉｏｎ層としｒｓ ｉ ０２ ＋ ５ｉ３Ｎ
ａ ＋Ａｌ＋Ｏｓ等の絶縁層１４をスパッタを用いて形
成する。次に上側の磁気シールド層１５のメッキベース
層としてＮｉ−Ｆｅ膜１６を蒸着し、次に該Ｎｉ−Ｆｅ
膜１６を一方の電極としてＮｉ−Ｆｅからなる磁気シー
ルド層１５をメッキする。次にこのメッキ層を目的のパ
ターンにエツチングするこの時磁気シールド層１５の形
状は上記Ｎ ｉ −Ｆｅ膜１１と同等若しくは若干大き
くなるように加工する。同図の如く上側の磁気シールド
層１５の下部においてリード部は第２の導電層１３のみ
が存在し、第１の導電層１２は存在しないので段差が小
さく、従って絶縁層１４の膜厚を薄くしても絶縁状態を
安定的に保つ事ができる。又、リード部の大部分は第１
の導電層１２上に第２の導電層１３が形成される二層膜
であシ膜厚は厚いのでリード部の抵抗値は小さい。又第
１の導電層１２の端部はテーパ状になっている為第２の
導電Ａ？＋１３が第１の導電層１２端部で段切れする事
は無い。
ｓｉｖａｔｉｏｎ層としｒｓ ｉ ０２ ＋ ５ｉ３Ｎ
ａ ＋Ａｌ＋Ｏｓ等の絶縁層１４をスパッタを用いて形
成する。次に上側の磁気シールド層１５のメッキベース
層としてＮｉ−Ｆｅ膜１６を蒸着し、次に該Ｎｉ−Ｆｅ
膜１６を一方の電極としてＮｉ−Ｆｅからなる磁気シー
ルド層１５をメッキする。次にこのメッキ層を目的のパ
ターンにエツチングするこの時磁気シールド層１５の形
状は上記Ｎ ｉ −Ｆｅ膜１１と同等若しくは若干大き
くなるように加工する。同図の如く上側の磁気シールド
層１５の下部においてリード部は第２の導電層１３のみ
が存在し、第１の導電層１２は存在しないので段差が小
さく、従って絶縁層１４の膜厚を薄くしても絶縁状態を
安定的に保つ事ができる。又、リード部の大部分は第１
の導電層１２上に第２の導電層１３が形成される二層膜
であシ膜厚は厚いのでリード部の抵抗値は小さい。又第
１の導電層１２の端部はテーパ状になっている為第２の
導電Ａ？＋１３が第１の導電層１２端部で段切れする事
は無い。
ここで、以上の構造の本発明に係る一実施例の薄膜ＭＲ
ヘッドには第１図にて示した従来構造の薄膜ＭＲヘッド
に比べて磁気バイアス用のＣ３−Ｐ等の高抗磁力膜３が
配設されない。これは第２図の薄膜ＭＲヘッドでは上側
の磁気シーｙｖｆ層１５に電流を流し−り側の磁気シー
ルド層１５にて発生する磁界をバイアス磁界としている
為である。この構造では絶縁層１４の絶縁性が非常に重
要にな−る。
ヘッドには第１図にて示した従来構造の薄膜ＭＲヘッド
に比べて磁気バイアス用のＣ３−Ｐ等の高抗磁力膜３が
配設されない。これは第２図の薄膜ＭＲヘッドでは上側
の磁気シーｙｖｆ層１５に電流を流し−り側の磁気シー
ルド層１５にて発生する磁界をバイアス磁界としている
為である。この構造では絶縁層１４の絶縁性が非常に重
要にな−る。
〈効 果〉
以上説明した本発明によればＭＲ素子の上部及び下部の
磁気シールド層間に存在する絶縁層の膜厚を薄くする事
ができるので狭ギャップ化を図る事ができ、高分解能の
薄膜ＭＲヘッドを得る事ができるものである。
磁気シールド層間に存在する絶縁層の膜厚を薄くする事
ができるので狭ギャップ化を図る事ができ、高分解能の
薄膜ＭＲヘッドを得る事ができるものである。
第１図は従来の薄膜ＭＲヘッドの構造を示し同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ −Ａ’切断面
での正面断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）は
本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの一実施例を製造工程順に
示しだ一部側面断面図である。 図中、１，９：フェライト基板 ２．４．７．１０．
１４：絶縁層 ３：高抗磁力膜 ５，１１：Ｎｉ−
Ｆｅ膜 ６：Ａ６−Ｃｕ膜 ＥＬ １５ ：磁気シールド層 １２：第１の導電層
１３：第２の導電層 １６：Ｎｉ−Ｆｅ膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｔσノ （ｂ） 第１Ｉ！２１ ｔσノ ｔ （Ｃ） 第２ 図
は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ −Ａ’切断面
での正面断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）は
本発明に係る薄膜ＭＲヘッドの一実施例を製造工程順に
示しだ一部側面断面図である。 図中、１，９：フェライト基板 ２．４．７．１０．
１４：絶縁層 ３：高抗磁力膜 ５，１１：Ｎｉ−
Ｆｅ膜 ６：Ａ６−Ｃｕ膜 ＥＬ １５ ：磁気シールド層 １２：第１の導電層
１３：第２の導電層 １６：Ｎｉ−Ｆｅ膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｔσノ （ｂ） 第１Ｉ！２１ ｔσノ ｔ （Ｃ） 第２ 図
Claims (1)
- １、−軸磁気異方性を有する金属強磁性薄膜の磁化困難
軸方向に印加される信号磁界の変化を磁化容易軸方向の
電気抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子の上部及
び下部に磁気シールド層を設けた薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気抵抗効果素子に電流を供給するリード線の
構造を、端部にテーパを形成した比較的膜厚の厚い下側
層と、該下側層上に形成した比較的膜厚の薄い上側層と
からなる略二層構造とし、少なくとも前記リード線の上
部及び下部の磁気シールド層に挾持される個所は上側層
のみからなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19728582A JPS5987613A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19728582A JPS5987613A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987613A true JPS5987613A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16371915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19728582A Pending JPS5987613A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987613A (ja) |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP19728582A patent/JPS5987613A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3723665A (en) | Integrated magnetic head having alternate conducting and insulating layers within an open loop of two magnetic films | |
| US5379172A (en) | Laminated leg for thin film magnetic transducer | |
| JPS6010410A (ja) | 薄膜磁気変換器 | |
| US4321641A (en) | Thin film magnetic recording heads | |
| JP2000105906A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0693289B2 (ja) | 垂直磁気記録用薄膜磁気ヘツド | |
| JPS59195311A (ja) | 垂直磁気ヘツド | |
| JPS61178710A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPS5987613A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP3089886B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS63138513A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPS6337811A (ja) | ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド | |
| JPS62114113A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS5856223A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS5821328B2 (ja) | タソシジキヘツド | |
| JPS61248212A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
| JPS5877017A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS61248214A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS58218024A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPS63113913A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH07153035A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0524563B2 (ja) | ||
| JP2000215411A (ja) | 薄膜磁気ヘッド、並びに、その製造方法 | |
| JPS6180513A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS619817A (ja) | 薄膜磁気ヘツド |