JPS619817A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS619817A JPS619817A JP13142184A JP13142184A JPS619817A JP S619817 A JPS619817 A JP S619817A JP 13142184 A JP13142184 A JP 13142184A JP 13142184 A JP13142184 A JP 13142184A JP S619817 A JPS619817 A JP S619817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- forming
- head
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用技術分野
この発明は、磁束応答型である磁気抵抗効果素子を備え
る薄膜磁気ヘッドの成膜構造改良に関する技術である。
る薄膜磁気ヘッドの成膜構造改良に関する技術である。
従来技術
ＰＣＭ磁気記録再生等に好適な、薄膜磁気へ。
ドは、バルク型のリングヘッドと同様な誘導型ヘッドと
、磁束応答型の磁気抵抗効果へリドとに分類される。磁
気抵抗効果へ、ドは、金属強磁性体を素子とすると、そ
の比抵抗ρが、外部磁場に応じて変化する自らの磁化Ｍ
と、それに流す電流■とのなす角度０によって変化する
磁気抵抗効果（Ｍａｇｎｅｔｏ’ −Ｒｅ５ｉｓｔａｎ
ｃｅＥｆｆｅｃｔ ）を利用したもので、一般にＭＲヘ
ッドと呼ばれているので、以降はＭＲヘッドと記すこと
にする。さて、ＭＲヘッドは、第７図に示すように、金
属強磁性体片ｌを素子とし、その両端部２．３を外部よ
り通電するり一ド４，５と接続しておき、素子１に流す
電流工と直交方向に、磁界の強さＨの外部磁場を印加す
ると、素子１の磁化Ｍが電流■となす角度をθとし、リ
ード４とリード５の両端間の抵抗を比抵抗ρとすると、
先述の磁気抵抗効果によ〜て、次のように示される。
、磁束応答型の磁気抵抗効果へリドとに分類される。磁
気抵抗効果へ、ドは、金属強磁性体を素子とすると、そ
の比抵抗ρが、外部磁場に応じて変化する自らの磁化Ｍ
と、それに流す電流■とのなす角度０によって変化する
磁気抵抗効果（Ｍａｇｎｅｔｏ’ −Ｒｅ５ｉｓｔａｎ
ｃｅＥｆｆｅｃｔ ）を利用したもので、一般にＭＲヘ
ッドと呼ばれているので、以降はＭＲヘッドと記すこと
にする。さて、ＭＲヘッドは、第７図に示すように、金
属強磁性体片ｌを素子とし、その両端部２．３を外部よ
り通電するり一ド４，５と接続しておき、素子１に流す
電流工と直交方向に、磁界の強さＨの外部磁場を印加す
ると、素子１の磁化Ｍが電流■となす角度をθとし、リ
ード４とリード５の両端間の抵抗を比抵抗ρとすると、
先述の磁気抵抗効果によ〜て、次のように示される。
すなわち、ρ（の−ρ７ ｃｏｓ ’θ十ρ□Ｓ石′θ
＝ρ７−ΔｐＳｌｎ’θ −パ・（Ｉ）但し ρｌは電
流■に平行な比抵抗成分ρ上は電流工に垂直な比抵抗成
分でありΔρ−ρ７−ρ□と表わしたものである。
＝ρ７−ΔｐＳｌｎ’θ −パ・（Ｉ）但し ρｌは電
流■に平行な比抵抗成分ρ上は電流工に垂直な比抵抗成
分でありΔρ−ρ７−ρ□と表わしたものである。
そして式（Ｉ）で示される比抵抗ρ（ののパラメータで
ある角度０は磁界Ｈの影響を受けるので、磁界Ｈと比抵
抗ρの関係を表す、第８図の曲線６で示される。この曲
線６から判るように、ρ−Ｈ関係は、線形的変化をする
範囲７は狭いので、一般に外部磁場には、強さＨＢのバ
イアス磁界を常時印加している。したかって、記録媒体
より、強さがＨｌで、曲線８で示す信号磁界を加えると
、忠実に曲線９で示す比抵抗ρの変化として再生される
。
ある角度０は磁界Ｈの影響を受けるので、磁界Ｈと比抵
抗ρの関係を表す、第８図の曲線６で示される。この曲
線６から判るように、ρ−Ｈ関係は、線形的変化をする
範囲７は狭いので、一般に外部磁場には、強さＨＢのバ
イアス磁界を常時印加している。したかって、記録媒体
より、強さがＨｌで、曲線８で示す信号磁界を加えると
、忠実に曲線９で示す比抵抗ρの変化として再生される
。
発明が解決しようとする問題点
ところで上述したＭＲへ・ノドを実際に形成するには、
記録波長を短波長指向とするだめに、素子１を第７図に
関しては、紙面手前側と向側から強磁性体層にて挾み磁
気的にシールドしている。そこでＭＲへノドは、第９図
のように、強磁性体である導体基板１０を下部シールド
板とし、さらに非磁性体絶縁膜１１を厚膜被覆しておき
、その非磁性体絶縁膜１１上に、第２図を参照して動作
説明を行ったＭＲヘリド１２，１２．・・・・・・を形
成し、さらにその上に、鎖線で示すように、非磁性体絶
縁膜１３及び上部シールド板１４を形成する場合がある
。ところでこの種のＭＲへノドは、それらのリード４，
４．・・・・・ 及び５，５．・・・ が、比較的大き
な電流が流れ、よって横断面積を大きく、しだがってリ
ード４，４．・・・・、５，５． ・・・の幅寸法を
大とするので絶縁処理が問題となる。そこで、リード４
．４．・・・・・、５，５．・・・ と導体基板１０と
の間に介在させる非磁性体絶縁膜１１ば、十分絶縁性を
備える必要があり、一般的に少くともμｍ以上の厚膜に
設定していた。しかしながら、非磁性体絶縁膜１１が厚
膜であると、ＭＲヘッド１２．１’２．・・・・・を動
作させる場合の記録波長が、要求される短波長となり得
す、高記録密度化が図れない欠点があった。
記録波長を短波長指向とするだめに、素子１を第７図に
関しては、紙面手前側と向側から強磁性体層にて挾み磁
気的にシールドしている。そこでＭＲへノドは、第９図
のように、強磁性体である導体基板１０を下部シールド
板とし、さらに非磁性体絶縁膜１１を厚膜被覆しておき
、その非磁性体絶縁膜１１上に、第２図を参照して動作
説明を行ったＭＲヘリド１２，１２．・・・・・・を形
成し、さらにその上に、鎖線で示すように、非磁性体絶
縁膜１３及び上部シールド板１４を形成する場合がある
。ところでこの種のＭＲへノドは、それらのリード４，
４．・・・・・ 及び５，５．・・・ が、比較的大き
な電流が流れ、よって横断面積を大きく、しだがってリ
ード４，４．・・・・、５，５． ・・・の幅寸法を
大とするので絶縁処理が問題となる。そこで、リード４
．４．・・・・・、５，５．・・・ と導体基板１０と
の間に介在させる非磁性体絶縁膜１１ば、十分絶縁性を
備える必要があり、一般的に少くともμｍ以上の厚膜に
設定していた。しかしながら、非磁性体絶縁膜１１が厚
膜であると、ＭＲヘッド１２．１’２．・・・・・を動
作させる場合の記録波長が、要求される短波長となり得
す、高記録密度化が図れない欠点があった。
この発明は、以上の技術的背景があり、ＭＲへ、ノドの
短記録波長設定を容易にし、高記録密度化を図ることを
目的としている。
短記録波長設定を容易にし、高記録密度化を図ることを
目的としている。
問題、妹を解決するだめの手段
この発明は、その目的完遂のために、基板上に絶縁層を
介して磁電抵抗効果素子及び他の磁極、接続導体を形成
するものにおいて、磁気抵抗効果素子形成部の絶縁層を
薄膜層とし、他の部分の絶縁層は、厚膜層とすることを
特徴としている。すなわち、この発明は、従来基板全面
に亘って揃った膜厚としていた絶縁層を、選択的に薄膜
化して、問題解決の手段とするものである。
介して磁電抵抗効果素子及び他の磁極、接続導体を形成
するものにおいて、磁気抵抗効果素子形成部の絶縁層を
薄膜層とし、他の部分の絶縁層は、厚膜層とすることを
特徴としている。すなわち、この発明は、従来基板全面
に亘って揃った膜厚としていた絶縁層を、選択的に薄膜
化して、問題解決の手段とするものである。
作用
この発明は、ＭＲへノド形成部の絶縁層を薄膜化するこ
とにより、ＭＲヘッドの磁気シールドギャップが十分短
縮され、高記録密度化が図れることとなる。しかもこの
発明は、他の接続導体等は、厚膜の絶縁層上に形成でき
るから、製造上絶縁処理を困難とする危険性がない。そ
の上、ＭＲヘッドの素子を形成する場合に、予め絶縁層
の形成部表面が精密に作れ素子形成が極めて良好に行え
る。
とにより、ＭＲヘッドの磁気シールドギャップが十分短
縮され、高記録密度化が図れることとなる。しかもこの
発明は、他の接続導体等は、厚膜の絶縁層上に形成でき
るから、製造上絶縁処理を困難とする危険性がない。そ
の上、ＭＲヘッドの素子を形成する場合に、予め絶縁層
の形成部表面が精密に作れ素子形成が極めて良好に行え
る。
尚、この発明の具体的な作用は、後述の実施例により明
白となろう。
白となろう。
実施例
第１図〜第６図は、この発明の一実施例を示すＭＲヘッ
ドの断面図又は斜視図である。捷ず第３図に示すように
、強磁性体かつ導体の基板２０を用意し、その表面に５
０００Ａ〜数μｍの厚さに８１０２の絶縁膜２１を全面
、スパッタリングして被着させる。つぎに第４図の通り
、ＭＲ素子を数十個程度横列に形成する帯域２２のみを
除き、絶縁膜２１上にフォトレジメト２３を被着させる
。そして第５図の通り公知のフォ） ＩＪソグヲフィ技
術によって、帯域２２のＳ１０．膜２１’を除去する。
ドの断面図又は斜視図である。捷ず第３図に示すように
、強磁性体かつ導体の基板２０を用意し、その表面に５
０００Ａ〜数μｍの厚さに８１０２の絶縁膜２１を全面
、スパッタリングして被着させる。つぎに第４図の通り
、ＭＲ素子を数十個程度横列に形成する帯域２２のみを
除き、絶縁膜２１上にフォトレジメト２３を被着させる
。そして第５図の通り公知のフォ） ＩＪソグヲフィ技
術によって、帯域２２のＳ１０．膜２１’を除去する。
この場合５１０２膜２１′の除去には、バッフアート弗
酸等をエツチング処理液として使用すればよい。
酸等をエツチング処理液として使用すればよい。
それから、第６図のように、再び全面に、数百〜５５０
０Ａ５５００膜程Ｓｉｎ、の絶縁膜２４をスパッタリン
グして被着させる。しだがって、この時点で帯域２２十
の絶縁膜２４′の厚さは上限が５５００膜程度に設定さ
れるが、その根拠は、後述するＭＲ素子を形成した場合
に、絶縁膜２４′の厚さ寸法が、磁気シールドギャップ
寸法Ｖとなり、ＭＲヘッドの最短記録ビ・７ト長よりも
小さくなければならないからである。
０Ａ５５００膜程Ｓｉｎ、の絶縁膜２４をスパッタリン
グして被着させる。しだがって、この時点で帯域２２十
の絶縁膜２４′の厚さは上限が５５００膜程度に設定さ
れるが、その根拠は、後述するＭＲ素子を形成した場合
に、絶縁膜２４′の厚さ寸法が、磁気シールドギャップ
寸法Ｖとなり、ＭＲヘッドの最短記録ビ・７ト長よりも
小さくなければならないからである。
以上の製作工程を経た後、従来と同様に、第１図及びそ
の■−■線に切断した断面を示す第２図に示すように、
ＭＲ素子２５，２５． ・・・・、接続導体２６，２
７，２６，２７．・・・・・を形成して、ＭＲヘリド２
８，２８． ・・を形成し、一点鎖線で示すように絶
縁保護層２９を設けて、ＭＲ素子２６．２５．・・・を
形成した側の側面８０を所望量研磨すると、数十個のヘ
ッドを有するＭＲへノドが得られる。
の■−■線に切断した断面を示す第２図に示すように、
ＭＲ素子２５，２５． ・・・・、接続導体２６，２
７，２６，２７．・・・・・を形成して、ＭＲヘリド２
８，２８． ・・を形成し、一点鎖線で示すように絶
縁保護層２９を設けて、ＭＲ素子２６．２５．・・・を
形成した側の側面８０を所望量研磨すると、数十個のヘ
ッドを有するＭＲへノドが得られる。
上記ＭＲヘッドは、ＭＲ素子２５．．２５． ・・・
・・を形成する際に、形成帯域２２上の厚い絶縁膜２１
を一担除去し、薄い絶縁膜２４を被着させるので、ＭＲ
素子２５，２５． ・・・と基板２０との間の磁電シ
ールドギヤ、プ２が、十分小さくかつ正確に設定できる
。まだ、絶縁膜２４′は、エツチング除去等により清浄
化した露出基板の帯域２２に形成できるから、極めて精
密に作れ、しだがって、ＭＲ素子２５，２５． ・・
・・ も好適に形成できる。
・・を形成する際に、形成帯域２２上の厚い絶縁膜２１
を一担除去し、薄い絶縁膜２４を被着させるので、ＭＲ
素子２５，２５． ・・・と基板２０との間の磁電シ
ールドギヤ、プ２が、十分小さくかつ正確に設定できる
。まだ、絶縁膜２４′は、エツチング除去等により清浄
化した露出基板の帯域２２に形成できるから、極めて精
密に作れ、しだがって、ＭＲ素子２５，２５． ・・
・・ も好適に形成できる。
尚、上記実施例では、絶縁膜２１．２４を８１０゜とし
たがその他にＡｔ、Ｏ，やＺｎＯ等でもよく、同様な作
用効果がある。
たがその他にＡｔ、Ｏ，やＺｎＯ等でもよく、同様な作
用効果がある。
発明の効果
この発明によれば、ＭＲヘッドの磁気シールドや絶縁処
理を損うことなく高記録密度化力玉図れ、著しく信頼性
向上が図れる。またこの発明は、ＭＲ素子は従来のまま
で、絶縁層の加工を行うだけで特性改善が因れるので、
ＭＲへ、ノド設計が容易となる。
理を損うことなく高記録密度化力玉図れ、著しく信頼性
向上が図れる。またこの発明は、ＭＲ素子は従来のまま
で、絶縁層の加工を行うだけで特性改善が因れるので、
ＭＲへ、ノド設計が容易となる。
第１図は、この発明の一実施例を示す薄膜磁気ヘッドの
要部斜視図、第２図は、そのＩ−ＩＭＮＣで切断した断
面図、第３図〜第６図は、その薄膜磁気ヘッドを製作す
る前工程を説明するだめのＭＲへノドの断面図、第７図
は従来よりの磁気抵抗効果素子を示す平面図、第８図は
そのρ−Ｈ特性曲琲図、第９図は、その要部斜視図であ
る。 ２０・・・・・基板、 ２１．２４ ・・絶縁膜（厚
膜）、２２・・・・形成帯域、２４′・ 絶縁膜（薄膜
）、２５．２５．・・・・・ 磁気抵抗効果素子、２６
．２６．−．２７，２７． ・・・接続導体。 Ｒ 乎 続 補 正 書 昭和５９年９ 月７２日
要部斜視図、第２図は、そのＩ−ＩＭＮＣで切断した断
面図、第３図〜第６図は、その薄膜磁気ヘッドを製作す
る前工程を説明するだめのＭＲへノドの断面図、第７図
は従来よりの磁気抵抗効果素子を示す平面図、第８図は
そのρ−Ｈ特性曲琲図、第９図は、その要部斜視図であ
る。 ２０・・・・・基板、 ２１．２４ ・・絶縁膜（厚
膜）、２２・・・・形成帯域、２４′・ 絶縁膜（薄膜
）、２５．２５．・・・・・ 磁気抵抗効果素子、２６
．２６．−．２７，２７． ・・・接続導体。 Ｒ 乎 続 補 正 書 昭和５９年９ 月７２日
Claims (1)
- 基板上に絶縁層を介して磁気抵抗効果素子及びの磁極、
接続導体を形成したものにおいて、磁気抵抗効果素子形
成部の上記絶縁層を薄膜層とし、他の部分は厚膜層とす
ることを特徴とした薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13142184A JPS619817A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13142184A JPS619817A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619817A true JPS619817A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15057566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13142184A Pending JPS619817A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619817A (ja) |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP13142184A patent/JPS619817A/ja active Pending
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