NL8102148A - Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. - Google Patents
Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8102148A NL8102148A NL8102148A NL8102148A NL8102148A NL 8102148 A NL8102148 A NL 8102148A NL 8102148 A NL8102148 A NL 8102148A NL 8102148 A NL8102148 A NL 8102148A NL 8102148 A NL8102148 A NL 8102148A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- magnetically permeable
- magnetically
- parts
- Prior art date
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 5
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
*- ί ΕΗΝ 10048 1
V
N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement.
De uitvinding heeft betrekking op een magnetische sensor bevattende een langwerpig magnetoweers tandselement, dat aan twee tegenover elkaar gelegen uiteinden voorzien is van contacten voor verbinding met een bron van meetstrocm, welk element een magnetische anisotropie ver-5 toont waarbij de gemakkelijke as voor de magnetisatie in het vlak van het element ligt, waarbij de sensor twee in één vlak liggende magnetisch permeabele onderdelen bevat tussen welke onderdelen zich een spleet bevindt die door het magnetoweerstanselement magnetisch overbrugd wordt en waarbij de sensor verder een evenwijdig aan de twee genoemde onderdelen ge-10 plaatst lichaam van magnetisch permeabel materiaal bevat waarvan één uiteinde magnetisch gekoppeld is met het van de spleet afgekeerde uiteinde van een eerste van de twee onderdelen, terwijl het van de spleet afgekeerde uiteinde van het tweede van de magnetisch permeabele onderdelen aangepast is om in flux koppelende relatie met een aangeboden magneetveld ge-15 bracht te worden.
De uitvinding heeft betrekking op magnetische sensoren die in het bijzonder, doch niet uitsluitend, bestemd zijn voor het detecteren van magneetvelden van magnetische registratiemedia, zoals magnetische banden of schijven.
20 Een geometrische opstelling van een magnetoweerstandselement als overbrugging van een spleet tussen twee magnetisch permeabele elementen is bekend uit het Amerikaans octrooi nr. 3.921.217. Een magneto-weerstandselement kan op zich van het magnetisch voorgespannen type zijn, waarbij het voor het lineariseren van de wsergavekarakteristiék van het 25 magnetoweerstandselement noodzakelijk is een statisch magneetveld aan te leggen teneinde het werkpunt te verplaatsen naar een lineair gebied van de weerstand/magnetisch veld curve, of het kan een stroom gebiassed magnetoweerstandselement zijn. Dit is een magnetoweerstandselement waarbij op êên van de oppervlakken één of meer schuine, elektrisch goed geleidende 30 strippen zijn aangebracht, ongeveer onder een hoek van 45° met de lengteas van het element. Deze strippen fungeren als eguipotentiaalstrippen, zodat de richting van de stroom in het element, die haaks is op de eguipotentiaalstrippen, een hoek van eveneens ongeveer 45° maakt met de 8102148 * * / PHN 10048 2 gemakkelijke as voor de magnetisatie. Op deze wijze wordt de overdrachts-karakteristiek gelineariseerd.
Bij een sensor van het hiervoor beschreven type met twee door een spleet gescheiden magnetisch permeabele onderdelen (z.g. flux-5 geleiders) die met een verder magnetisch permeabel element of terugvoer-poot een gedeeltelijk open magnetisch circuit vormen, "zuigt" het vrije (tweede) magnetisch permeabele onderdeel als het ware de flux van een aangeboden magneetveld op en koppelt deze naar het magnetoweerstandsele-ment, waarna de flux via het eerste magnetisch permeabele onderdeel en 10 het magnetisch permeabele element teruggevoerd wordt.
Voor een hoge gevoeligheid, dat wil zeggen voor een zo optimaal mogelijke koppeling van de aangeboden flux van de ene fluxgeleider naar het magnetoweerstandselement en vandaar naar de andere fluxgeleider, is het van belang dat de afstand tussen het magnetoweerstandselement en 15 de fluxgeleiders zo klein mogelijk gehouden wordt.
Naarmate deze afstand kleiner is blijkt de ruis in het uitgangssignaal van het magnetoweerstandselement echter toe te nemen, evenals hogere harmonische vervorming. Vergroot men de afstand, dan nemen ruis en vervorming af, maar ook de gevoeligheid.
20 Aan de uitvinding ligt de opgave ten grondslag een magnetische sensor van het in de aanhef besproken type te verschaffen die een hoge gevoeligheid paart aan een laag ruis- en vervormingsnivo.
De magnetische sensor volgens de uitvinding heeft daartoe als kenmerk, dat de magnetische permeabele onderdelen (de fluxgeleiders) elk 25 uit tenminste twee evenwijdige lagen van magnetisch permeabel materiaal met nagenoeg dezelfde samenstelling bestaan waartussen zich een laag met een afwijkende samenstelling bevindt.
Het blijkt dat met deze qpbouw van de fluxgeleiders ruis en vervorming sterk verminderd worden, ook als de afstand tussen het 30 magnetoweerstandselement en de fluxgeleiders zeer klein is.
Dit gunstige effect wordt toegeschreven aan het feit dat door de gelaagde opbouw van de fluxgeleiders daar minder domeinwanden in voorkomen dan in de uit één laag bestaande fluxgeleiders van de gebruikelijke magnetowserstandssensoren, waardoor er minder, of zelfs geen, dcmein-35 wanden in het overlappingsgebied van de fluxgeleiders met het magneto-wserstandselement een interactie hebben met het magnetoweerstandselement.
Cpdat de fluxgeleiders hun taak zo goed mogelijk kunnen vervullen, is hèt van belang dat de tussenlaag tussen elke twee magnetisch 8102148 t * EHN 10048 3 permeabele lagen (de fluxgeleiders kunnen bijvoorbeeld twee magnetisch permeabele lagen gescheiden door een tussenlaag, of vier magnetisch permeabele lagen waarbij elke twee opeenvolgende lagen door een tussenlaag gescheiden zijn, bevatten) zo dun mogelijk, en daardoor de magneto-5 statische koppeling tussen de magnetisch permeabele lagen zo groot mogelijk is.
Daartoe is het gunstig als de tussenlaag een dikte van 500 2, en bij voorkeur een dikte van 100 2, niet overschrijdt. De tussenlagen kunnen uit niet-magnetisch materiaal bestaan, bijvoorbeeld uit SiO^, Md 10 of Ti, maar ook uit magnetisch materiaal, mits dit een andere (verzadi-gings) magnetisatie, en dus een andere samenstelling, heeft. Wijzigt men bijvoorbeeld bij een Ni-Fe legering de Ni/Fe verhouding, dan verandert ook de magnetisatie.
Een zeer praktische wijze cm een tussenlaag met een aidere 15 samenstelling te realiseren blijkt te zijn cm de magnëisch permeabele lagen galvanisch neer te slaan en bij het neerslagproces de stroom door het bad halvervege gedurende een korte periode af te zetten, of door de strocmsterkte halverwege kortstondig te verhogen of te verlagen.
Deze werkwijze leidt niet alleen in het onderhavige geval, 20 maar ook in het algemeen tot magnetisch permeabele onderdelen die door hun opbouw uit tenminste twee magnetisch permeabele lagen met een eerste samenstelling gescheiden door een tussenlaag met een iets afwijkende samenstelling, bijzondere eigenschappen hebben. Magnetisch permeabele elementen vervaardigd net behulp van de bovenbeschreven werkwijze zijn 25 bijvoorbeeld ook goed toepasbaar als magneetkem in magnetische schrijfkoppen die bij hoge schrijf frequenties moeten werken.
De uitvinding zal bij wijze van voorbeeld aan de hand van de bijgaande tekening nader worden uiteengezet.
Figuur 1 toont een dwarsdoorsnede door een magnetische sensor 30 volgens de uitvinding.
Figuur 2 toont de hogere harmonische vervorming en het ruisnivo van een bekende magnetische sensor vergeleken met die van een magnetische sensor volgens de uitvinding, opgenomen met behulp van een spectrum-analyzer.
35 Figuur 1 toont een magnetische sensor 1 die dient voor het detecteren van magneetvelden afkomstig van een magnetisch registratiemedium 2, dat langs de sensor 1 wordt bewogen in de richting van de pijl 14. De detectie van deze velden geschiedt door meten van de relatieve 8102 148
♦ V
/ ΕΉΝ 10048 4 weerstandsverandering van een magnetoweerstandselement 3, dat magnetische flux krijgt toegevoerd via een magnetisch permeabel onderdeel 6 (z.g. fluxgeleider) waar het met één rand tegenover ligt, terwijl de magnetische flux naar het registratiemedium wordt teruggevoerd via een magnetisch 5 permeabel onderdeel 7 waar het met de andere rand tegenover ligt en een daarmee gekoppeld magnetisch permeabel element 4.
De sensor volgens de uitvinding kan desgewenst een electrische winding 5 bevatten waarmee bij stroomdoorgang een magnetisch (gelijk-spannings)veld kan worden opgewekt cm de overdrachtskarakteristiék van het 10 magnetoweerstandselement 3 te lineariseren. De onderdelen 6 en 7 zijn van een materiaal met hoge magnetische permeabiliteit, bijvoorbeeld een nikkel-ijzer legering met ongeveer 80 at% Ni en 20 at% Fe en zijn zo geplaatst dat het onderdeel 6 naar het registratiemedium 2 is gekeerd en het onderdeel 7 is gekoppeld met de terugvoerpoot 4.
15 Bijkomende voordelen voortkomende uit het gebruik van de magne tische fluxgeleiders 6 en 7 zijn dat het magnetoweerstandselement omdat het niet rechtstreeks in kontakt is geplaatst met het bewegende magnetische registratiemedium, geen mechanische slijtage ondervindt terwijl de electrische veerstand beïnvloedende en derhalve ruis veroorzakende temperatuur-20 fluctuaties minder optreden.
Bovendien is de breedte van het spoor dat uitgelezen wordt beter gedefinieerd tengevolge van het gebruik van de magnetische fluxgeleider 6 met een breedte gelijk aan de spoorbreedte.
De sensor volgens de uitvinding leent zich goed voor een dunne 25 lagen uitvoering via geschikte maskers hetgeen leidt tot de volgende meer-lagenstructuur, welke een substraat omvat waarop achtervolgens aangebracht zijn : - een eerste laag magnétisch permeabel materiaal; - een eerste isolatielaag van kwarts; 30 - een magnetoweerstandslaag; - een tweede isolatielaag van kwarts; - een tweede laag van magnetisch permeabel materiaal in twee gedeelten gescheiden door een tussenruimte, die gelegen is tegenover het middengedeelte van de magnetoweerstandslaag, 35 waarbij één van de twee gedeelten verbonden is met de eerste laag via een doorverbindingsgat. in de kwartslagen, en waarbij de tweede laag zelf‘bestaat uit twee door een tussenlaag gescheiden sublagen.
8102 148 ΓΗΝ 10048 5
Het is duidelijk, dat voor de vakman talrijke varianten te bedenken zijn zonder hierdoor luiten het kaler van de uitvinding te treden.
Ben dergelijke magnetische sensor kan op de volgende wijze 5 gemaakt worden. Op een geoxideerd silicium substraat 8 wordt een nikkel- 2 igzer laag gesputterd (sputtervermogen : 1,25 W/cm , 10% bias, argondruk : 8 millibar) tot een dikte van 3,5 ^um. Deze stap kan worden weggelaten als als substraat een plak Ni-Zn ferriet met een dikte van bijvoorbeeld 2 mm wordt gebruikt. Met behulp van fotolithografische technieken wordt 10 in de laag 4 een gewenst patroon geëtst, dit in verband met het feit dat qp het substraat 8 een groot aantal sensoren in één keer wordt aangebracht. De randen van het nikkel-ijzer patroon vertonen een hellingshoek van ongeveer 30° teneinde te voorkanen dat er insnoeringen ontstaan tijdens het neerslaan van volgende lagen. In de ter visie gelegde Nederlandse octrooi-15 aanvrage nr. 73 17 143 is beschreven hoe het gebruik van een dunne toplaag dit etsen van hellingshoek mogelijk maakt.
Over de laag 4 wordt eerst een 340 nm dikke kwartslaag 9 ge- 2 sputterd (sputtervermogen : 1 W/απ , 10% bias, argondruk : 10 millibar) en vervolgens een geleiderlaag 10 die uit verschillende sublagen (niet 20 getekend) kan zijn opgebouwd. Voor de laag 10 wordt bijvoorbeeld eerst 20 nm Mo, dan 300 nm Au en tenslotte 100 nm Mo opgesputterd (sputter-2 vermogen : 0,5 W/cm , argondruk : 10 millibar).
Over de laag 10 wordt onder dezelfde omstandigheden als bij laag 9 een laag kwarts 11 met een dikte van 500 nm gesputterd. Vervolgens 25 wordt in een magneetveld magnetoweerstandsmateriaal qpgesputterd met een dikte tussen 500 8. en 1000 8. Aan het magnetoweerstandsmateriaal wordt door etsen de gewenste vorm gegeven (stripvormige laag 3) en er wordt een laag aluminium (niet getekend) met een dikte van 2000 £ op opgesputterd. Met behulp van deze laag, die ook in de gewenste vorm wordt 30 geëtst, worden de noodzakelijke aansluitingen met een electrisch circuit tot stand gebracht. Daarna wordt een 500 nm dikke laag kwarts 12 opgesputterd, en vervolgens een doorverbindingsgat 13 door de aangebrachte kwartslagen heen geëtst. Fluxgeleiders 6 en 7 worden neergeslagen, waarbij fluxgeleider 7 ter plaatse van doorverbindingsgat 13 kontakt 35 maakt met laag 4, zodat de lagen 6, 7 en 4 een magnetisch circuit vormen. Aan de fluxgeleiders 6 en 7 is met behulp van fotolithografische technieken een gewenste vorm gegeven. Deze wordt gekenmerkt door een spleet 15 tegenover het midden van de magnetoweerstandslaag 3. Om een maximale 8102148 PHN 10048 6 fluxoverdracht van en naar de strip 3 te bewerkstelligen, vertonen de randen van de spleet een zekere helling. Zowel de aansluitingen van de magnetoweerstandsstrip 3, als de aansluitingen van de geleider 10, die dient on een magnetisch voorspanningsveld op te wekken, kunnen waar nodig 5 met behulp van sputter of galvanische technieken worden verdikt teneinde hun ohmse weerstand te verkleinen en verbindingen met een.uitwendige elektrische schakeling gemakkelijker tot stand te brengen.
Kenmerkend voor de uitvinding is de gelaagde structuur van de fluxgeleiders 6 en 7, die kunnen zijn opgesputterd, of galvanisch neerge- 10 slagen. Bij het sputteren wordt dezelfde procedure gébruikt als bij het o neerslaan van de magnetoweerstandslaag (sputtervermogen: 1,2 W/cm , 10 millibar argondruk). De verkregen structuur wordt bijvoorbeeld gekenmerkt door 150 nm NiFe - 5nm Mo - 150 nm NiFe, of door vier lagen van NiFe met een dikte van 80 nm, gescheiden door drie lagen Mo (of Ti) met 15 een dikte van 5 nm.
Opgemerkt wordt nog dat de magnetoweerstandsstrip 3 niet alleen binnen de fluxgeleiders 6, 7, zoals getoond in fig. 1, maar ook buiten de fluxgeleiders 6, 7 kan worden geplaatst. Dit maakt het mogelijk cm de spleetlengte, dit is de afstand tussen de lagen 4 en 6 in de nabijheid 20 van het registratiemedium, klein te maken, in het bijzonder kleiner dan 1 yUm.
Bij de bepaling van de eigenschappen van de magnetische sensor volgens de uitvinding werd de sensor onderworpen aan een gesimuleerd veld van een magnetisch registratiemedium (frequentie 1 kHz, nivo - 18 dB). 25 Het uitgangssignaal van de sensor werd geanalyseerd met behulp van een spectrum analyzer en vergeleken met dat van een conventionele sensor met enkellaags fluxgeleiders, In beide gevallen was de afstand s tussen de magnet oweerstandsstrip 3 en de fluxgeleiders 6, 7 ongeveer 400 nm. Het resultaat wordt getoond in figuur 2 die het uitgangssignaal VQ toont als 30 functie van de meetfrequentie. Het bovenste spectrum behoort bij de conventionele sensor, het onderste bij de sensor volgens de uitvinding. Duidelijk is te zien dat in het laatste geval zowel het nivo van de hogere harmonischen als het ruisnivo aanzienlijk lager ligt.
8102 148 35
Claims (8)
1. Magnetische sensor bevattende een langwerpig magnetoweerstands-element, dat aan twee tegenover elkaar gelegen uiteinden voorzien is van contacten voor verbinding met een bron van meets troon welk element een magnetische anisotropie vertoont waarbij de gemakkelijke as voor de mag- 5 netisatie in het vlak van het element ligt, waarbij de sensor twee in één vlak liggende magnetisch permeabele onderdelen bevat tussen welke onderdelen zich een spleet bevindt die door het magnetowaerstandselement magnetisch overbrugd wordt en waarbij de sensor verder een evenwijdig aan de twee genoemde onderdelen geplaatst lichaam van magnetisch permeabel materi-10 aal bevat waarvan één uiteinde magnetisch gekoppeld is met het van de spleet af gekeerde uiteinde van een eerste van de twee onderdelen, terwijl het van de spleet afgekeerde uiteinde van het tweede magnetisch permeabele onderdeel aangepast is on in flux koppelende relatie met een aangeboden magneetveld gebracht te worden, met het kenmerk, dat de magnetisch per-15 me abele onderdelen elk uit tenminste twee evenwijdige lagen van magnetisch permeabel materiaal met in wezen dezelfde samenstelling bestaan waar tussen zich een laag met een afwijkende samenstelling bevindt.
2. Sensor volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de dikte van de tussenlaag een waarde van 500 S, en bij voorkeur een waarde van 20 100 S, niet overschrijdt.
3. Sensor volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat zich tussen elke twee lagen van magnetisch permeabel materiaal een laag niet-magnetisch materiaal bevindt.
4. Sensor volgens conclusie 3, met bet kenmerk, dat de laag niet-25 magnetisch materiaal uit SiO^, MO of Ti bestaat.
5. Sensor volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de lagen van magnetisch permeabel materiaal uit een Ni-Fe legering met een eerste Ni/Fe verhouding bestaan en dat de tussenlaag uit een Ni-Fe legering met een tweede Ni-Fe verhouding bestaat.
6. Vferkwijze voor het vervaardigen van een magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselerrent met het kenmerk, dat op een in een galvanisch bad geplaatste ondergrond gedurende een tijdsduur t1 een eerste laag van een magnetisch permeabele legering wordt neergeslagen, dat de neerslagcondities gedurende een tijdsduur t2 gewijzigd 35 worden, en dat gedurende een tijdsduur t3 een tweede laag van de magnetische permeabele legering wordt neergeslagen.
7. Werkwijze volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de wijziging van de neerslagcondities een verhoging, verlaging, of onderbreking van de 8102 148 PHN 10048 8 stroom door het galvanisch bad inhoudt.
8. Magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachts- element, bestaande uit tenminste twae evenwijdige lagen van magnetisch permeabel materiaal met een eerste samenstelling, waar tussen zich een 5 laag materiaal met een tweede, iets van de eerste sanenstelling afwijkende samenstelling bevindt. 10 15 20 25 . 30 8102148 35
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8102148A NL8102148A (nl) | 1981-05-01 | 1981-05-01 | Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. |
| EP82200488A EP0064786A3 (en) | 1981-05-01 | 1982-04-23 | Magnetic sensor and magnetically permeable component for a magnetic sensor |
| US06/371,039 US4489357A (en) | 1981-05-01 | 1982-04-23 | Magnetic sensor having multilayered flux conductors |
| JP57072523A JPS57203979A (en) | 1981-05-01 | 1982-04-28 | Magnetic sensor and its manufacture |
| KR1019820001887A KR840000018A (ko) | 1981-05-01 | 1982-04-29 | 자기 감지기 및 자기 감지기용 자기 투입 부품 |
| KR2019880012276U KR890001845Y1 (ko) | 1981-05-01 | 1988-07-28 | 자기 감지기 및 자기 감지기용 자기투과 부품 |
| JP037183U JPH0590381U (ja) | 1981-05-01 | 1992-06-02 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8102148A NL8102148A (nl) | 1981-05-01 | 1981-05-01 | Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. |
| NL8102148 | 1981-05-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8102148A true NL8102148A (nl) | 1982-12-01 |
Family
ID=19837428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8102148A NL8102148A (nl) | 1981-05-01 | 1981-05-01 | Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4489357A (nl) |
| EP (1) | EP0064786A3 (nl) |
| JP (2) | JPS57203979A (nl) |
| KR (1) | KR840000018A (nl) |
| NL (1) | NL8102148A (nl) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108019A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-28 | Trio Kenwood Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS6087417A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| DE3613619A1 (de) * | 1985-04-26 | 1986-10-30 | Sharp K.K., Osaka | Duennfilm-magnetkopf |
| US4783711A (en) * | 1985-07-12 | 1988-11-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive sensor having magnetic shields of ferrite |
| JPS62128015A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| DE3644388A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Sharp Kk | Duennfilm-joch-magnetkopf |
| US4754354A (en) * | 1986-05-05 | 1988-06-28 | Eastman Kodak Company | Ferrite film insulating layer in a yoke-type magneto-resistive head |
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| US4907113A (en) * | 1987-07-29 | 1990-03-06 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic recording head |
| US5103553A (en) * | 1987-07-29 | 1992-04-14 | Digital Equipment Corporation | Method of making a magnetic recording head |
| US5111352A (en) * | 1987-07-29 | 1992-05-05 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic head with reduced flux leakage |
| GB8900398D0 (en) * | 1989-01-09 | 1989-03-08 | Scient Generics Ltd | Magnetic materials |
| DE69019416T2 (de) * | 1989-05-01 | 1996-02-29 | Quantum Corp | Magnetische Vorrichtungen mit verbesserten Polen. |
| US5142426A (en) * | 1990-06-21 | 1992-08-25 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic head having interspersed resistance layers to provide a desired cut-off frequency |
| DE69109295T2 (de) * | 1990-07-26 | 1995-12-14 | Eastman Kodak Co | Miniatur hoch-sensitiver magnetoresistiver magnetometer. |
| US5119025A (en) * | 1990-07-26 | 1992-06-02 | Eastman Kodak Company | High-sensitivity magnetorresistive magnetometer having laminated flux collectors defining an open-loop flux-conducting path |
| US5379172A (en) * | 1990-09-19 | 1995-01-03 | Seagate Technology, Inc. | Laminated leg for thin film magnetic transducer |
| JPH04351706A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| US5668523A (en) * | 1993-12-29 | 1997-09-16 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor employing an exchange-bias enhancing layer |
| US5491600A (en) * | 1994-05-04 | 1996-02-13 | International Business Machines Corporation | Multi-layer conductor leads in a magnetoresistive head |
| JPH0817020A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| WO1997016823A1 (en) * | 1995-10-30 | 1997-05-09 | Philips Electronics N.V. | Magnetic head having a laminated flux guide, and device provided with the magnetic head |
| JPH09185813A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-07-15 | Eastman Kodak Co | 磁束誘導式の対型磁気抵抗ヘッド組立体 |
| JP3188232B2 (ja) | 1997-12-09 | 2001-07-16 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6223420B1 (en) | 1998-12-04 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of making a read head with high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
| US6721139B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-04-13 | International Business Machines Corporation | Tunnel valve sensor with narrow gap flux guide employing a lamination of FeN and NiFeMo |
| CN103650075A (zh) * | 2011-06-30 | 2014-03-19 | 美国亚德诺半导体公司 | 芯片上的具有磁性的隔离型功率转换器 |
| US8558344B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Analog Devices, Inc. | Small size and fully integrated power converter with magnetics on chip |
| US8786393B1 (en) | 2013-02-05 | 2014-07-22 | Analog Devices, Inc. | Step up or step down micro-transformer with tight magnetic coupling |
| US9293997B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Analog Devices Global | Isolated error amplifier for isolated power supplies |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1157085A (en) * | 1965-07-10 | 1969-07-02 | Plessey Co Ltd | Improvements in or relating to Magnetic Alloy Components |
| US3480522A (en) * | 1966-08-18 | 1969-11-25 | Ibm | Method of making magnetic thin film device |
| FR1540853A (fr) * | 1966-12-15 | 1968-09-27 | Ibm | Procédé de revêtement de films magnétiques |
| US3512946A (en) * | 1967-04-17 | 1970-05-19 | Lash Mfg Inc | Composite material for shielding electrical and magnetic energy |
| DE1758787B2 (de) * | 1968-08-07 | 1976-10-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Weichmagnetisches eisenblech und verfahren zu seiner herstellung |
| US3813766A (en) * | 1971-12-20 | 1974-06-04 | Ibm | Process for manufacture of a magnetic transducer using a pre-existing unitary foil |
| US3945038A (en) * | 1971-12-22 | 1976-03-16 | Compagnie Internationale Pour L'informatique | Read-write magnetoresistive transducer having a plurality of MR elements |
| US3921217A (en) * | 1971-12-27 | 1975-11-18 | Ibm | Three-legged magnetic recording head using a magnetorestive element |
| JPS4977198A (nl) * | 1972-12-01 | 1974-07-25 | ||
| JPS529413A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| US4150408A (en) * | 1975-07-17 | 1979-04-17 | U.S. Philips Corporation | Thin-film magnetic head for reading and writing information |
| US4103315A (en) * | 1977-06-24 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films |
| GB2003647B (en) * | 1977-09-02 | 1982-05-06 | Magnex Corp | Thin film magnetic recording heads |
| DE2833249C2 (de) * | 1978-07-28 | 1985-05-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung eines lamellierten Dünnschicht-Magnetkopfes mit mehreren Schichten aus abwechelnd magnetischem und unmagnetischem Material |
-
1981
- 1981-05-01 NL NL8102148A patent/NL8102148A/nl not_active Application Discontinuation
-
1982
- 1982-04-23 US US06/371,039 patent/US4489357A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-04-23 EP EP82200488A patent/EP0064786A3/en not_active Ceased
- 1982-04-28 JP JP57072523A patent/JPS57203979A/ja active Pending
- 1982-04-29 KR KR1019820001887A patent/KR840000018A/ko unknown
-
1992
- 1992-06-02 JP JP037183U patent/JPH0590381U/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4489357A (en) | 1984-12-18 |
| JPS57203979A (en) | 1982-12-14 |
| EP0064786A3 (en) | 1983-01-19 |
| KR840000018A (ko) | 1984-01-30 |
| EP0064786A2 (en) | 1982-11-17 |
| JPH0590381U (ja) | 1993-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8102148A (nl) | Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. | |
| US7145331B2 (en) | Magnetic sensor having a closed magnetic path formed by soft magnetic films | |
| JPH0845037A (ja) | 薄膜磁気抵抗トランスジューサ | |
| CA1182905A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US6120920A (en) | Magneto-resistive effect magnetic head | |
| US5905610A (en) | Combined read/write magnetic head having MRE positioned between broken flux guide and non-magnetic substrate | |
| EP0279537B1 (en) | Magnetoresistive sensor and process for its manufacture | |
| JPS6227449B2 (nl) | ||
| US6028749A (en) | Magnetic head having a multilayer structure and method of manufacturing the magnetic head | |
| US6716537B1 (en) | Magnetoresistive element having multilayered film capable of effectively conducting a detecting current for detecting external magnetic field and method for making the same | |
| US6238731B1 (en) | Method of manufacturing a magnetic head | |
| KR890001845Y1 (ko) | 자기 감지기 및 자기 감지기용 자기투과 부품 | |
| EP0582342B1 (en) | Magnetic head having a multilayer structure and method of manufacturing the magnetic head | |
| EP0600549B1 (en) | Method of manufacturing a thin-film magnetic head and head obtained by the method | |
| JPH0346884B2 (nl) | ||
| US6205007B1 (en) | Thin-film magnetic head and method of manufacturing the magnetic head | |
| KR100433202B1 (ko) | 실드형 자기 헤드 및 자기 재생 장치 | |
| JPH08285930A (ja) | 磁気検出素子及び磁気ヘッド | |
| JPS6154012A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JPS63138515A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS62141619A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH08330645A (ja) | 磁気検出素子 | |
| JPH08321013A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH07110921A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| NL8105878A (nl) | Inrichting voor het schrijven en lezen van informatie op een registratiemedium van het vertikale magnetisatie type. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| A1Y | An additional search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |