JPS62128015A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

磁気抵抗効果型磁気ヘツド

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JPS62128015A
JPS62128015A JP60267111A JP26711185A JPS62128015A JP S62128015 A JPS62128015 A JP S62128015A JP 60267111 A JP60267111 A JP 60267111A JP 26711185 A JP26711185 A JP 26711185A JP S62128015 A JPS62128015 A JP S62128015A
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JP
Japan
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film
permalloy
shunt
magnetic head
pure
Prior art date
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Pending
Application number
JP60267111A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Kitada
北田　正弘
Noboru Shimizu
昇 清水
Hideo Tanabe
英男 田辺
Hitoshi Nakamura
斉 中村
Tetsuo Kobayashi
哲夫 小林
Susumu Takeura
竹浦　享
Kazuhiro Shigemata
茂俣　和弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to US06/936,617 priority patent/US4841399A/en
Publication of JPS62128015A publication Critical patent/JPS62128015A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
    • G—PHYSICS
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係り、特に高密度
磁気記録に最適な磁気抵抗効果型磁気へラドに関する。
〔従来の技術〕
従来のシャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッドのシャ
ント膜には米国特許第３９４０７９７号明細書に記載の
ように、ＴｉあるいはＴａが用いられていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術でＴｉを用いたシャント型ヘッドでは、１
７５℃以上になると基板上に形成したパーマロイ膜とＴ
ｉの反応が起こり、磁気抵抗効果膜であるパーマロイ膜
の特性劣化が生ずる。ヘッドを作製するには種々のプロ
セスが必要であり、ヘッド特性劣化を抑えるためには１
７５℃以上のプロセスは使用することができないという
問題があった。また、公知であるＴａのシャント膜はパ
ーマロイとの反応開始温度が３５０℃以上と高いが、Ｔ
ａｙｓ膜き耐食性が悪くまた、電気抵抗率が９０〜２０
０μΩ国と極めて高く、シャント膜としては不適当であ
った。同様に、従来公知のＭｏ膜も４００”Ｃ以上まで
パーマロイ膜と反応しないが、極めて耐食性が要い。
本発明の目的は、シャント型磁気抵抗効果型ヘッドに最
適な耐熱性が良好なシャント膜を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、パーマロイ膜との反応開始温度が高く、か
つ電気抵抗がシャント構造に適した値の金属膜を用いる
ことにより達成される。どのような金属膜が組み合せ膜
として適しているかは、実際に種々の薄膜を用いて素子
に作製して評価しなければならない。反応の而からみれ
ば、反応は原子の熱活性化に支配されるので、融点の高
い金属が望ましい。これと同時に耐食性の優れているこ
とも必要である。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を説明する。
実施例１ ガラス基板上にＮｉ−１９％Ｆｅ組成をもつパーマロイ
薄膜を電子ビーム蒸着法で形成する。パーマロイの厚さ
は４００人である。このパーマロイ薄膜の上に真空を破
ることなく引き続きＺｒ薄膜を電子ビーム蒸着法で約１
５００人形成した（Ｚｒ／パーマロイ膜とよぶ）。この
試料と比較するために同種のガラス基板上に同組成、同
寸法のパーマロイ膜形成後上記Ｚｒ／パーマロイ膜と同
様にしてＺｒ膜と同寸法のＴｉ膜を形成した（Ｔｉ／パ
ーマロイ膜とよぶ）、これらの試料を同一条件で比較す
るため、１０””Ｔｏｒｒの真空炉中で一緒に並べて熱
処理を行った。第１図は熱処理温度とパーマロイ膜の保
磁力の変化を示したものである。
第１図から明らかなように、Ｔｉ／パーマロイ２層膜に
おけるパーマロイの保磁力は熱処理温度が２２５℃以上
になると増大し始める。これは。
Ｔｉとパーマロイ膜の相互拡散等により、パーマロイ膜
の磁気特性が劣化していることを示している。これに対
して、Ｚｒ／パーマロイ層膜におけるパーマロイ膜の保
磁力は、３００℃まで変化を示さず、３２５℃以上にな
ると若干増大し、Ｚｒ膜その反応によりパーマロイ膜の
劣化の起こることが分かる。
以上の実施例から明らかなように、ＺｒはＴｉに比較し
て約１００℃反応温度が高く、パーマロイと金属とから
なる２層Ｉ１％のパーマロイの耐熱性向上に顕著な効果
を示す。
実施例２ Ｔｉ／パーマロイおよびＺｒ／パーマロイのそれぞれの
２層膜を使用して作製したシャント型磁気抵抗効果型ベ
ッドに於ける磁気再生特性を比較した。作製したヘッド
を２２５℃で熱処理したのちの再生波形では、Ｔ　ｉ　
／パーマロイを用いたものではバルクハウゼンノイズが
著しく、一方Ｚｒ／パーマロイを使用したものでは同様
のノイズはみられなかったａ　Ｔ　＞　／パーマロイを
用いたものでは熱処理温度が２７５℃以上になると再生
波形が得られなくなる。Ｚｒを用いた場合には３２５℃
まで正常な再生波形が得られる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、シャントバイアス型パーマロイ磁気抵
抗素子の耐熱温度を従来のＴｉ／パーマロイ系に比較し
て約１００℃高めることができるので、当該材料を用い
た磁気ヘッドを作製するプロセスが従来より１００℃高
められる。このため、ヘッド作製プロセス温度を従来よ
りｔｏｏ”ｃ高くできるため、パーマロイ膜と下地との
密着性、Ｚｒ／パーマロイ膜上の酸化物絶縁膜との密着
性、などを含むヘッド構成膜間の密着方向上等が著しく
よくなり、この結果として素子の歩留向上、不良率低減
に著しい効果があった。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来および本発明のパーマロイ膜とシャント金
属膜間の反応を示すパーマロイ膜の保磁０発　明　者　
　竹　　浦　　　　　享＠発明者茂俣　和弘

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｆｅを７〜２７％含有するＮｉ−Ｆｅ合金 膜と不可避の不純物を含む純Ｚｒ 膜との２層膜からなり、純Ｚｒ膜がバイアス磁界印加用
    のシャント膜となつていることを特徴とする磁気抵抗効
    果型磁気ヘッド。
JP60267111A 1985-11-29 1985-11-29 磁気抵抗効果型磁気ヘツド Pending JPS62128015A (ja)

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JP60267111A JPS62128015A (ja) 1985-11-29 1985-11-29 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
US06/936,617 US4841399A (en) 1985-11-29 1986-12-01 Magnetoresistive magnetic head including zirconium sheet film

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JP60267111A JPS62128015A (ja) 1985-11-29 1985-11-29 磁気抵抗効果型磁気ヘツド

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JPS62128015A true JPS62128015A (ja) 1987-06-10

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JP (1) JPS62128015A (ja)

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US4841399A (en) 1989-06-20

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