JPH03268216A - 複合バイアス磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
複合バイアス磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH03268216A JPH03268216A JP6419190A JP6419190A JPH03268216A JP H03268216 A JPH03268216 A JP H03268216A JP 6419190 A JP6419190 A JP 6419190A JP 6419190 A JP6419190 A JP 6419190A JP H03268216 A JPH03268216 A JP H03268216A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録装置の磁気ヘッド及びその製造方法に
関する。
関する。
従来の磁気抵抗効果を示さない軟磁性膜を用いたバイア
ス効果とシャン１−電流によるバイアス効果を複合した
磁気抵抗効果素子については、例えば特開昭６２−４０
６１０号公報、特開昭６３−１１７３０９号公報等にお
いて論じられている。
ス効果とシャン１−電流によるバイアス効果を複合した
磁気抵抗効果素子については、例えば特開昭６２−４０
６１０号公報、特開昭６３−１１７３０９号公報等にお
いて論じられている。
」二記従来技術は、例えばアモルファス軟磁性膜／ Ｔ
ｉ ／パーマロイ膜のような構成の多層膜からなって
いる。上記構成の多層膜で複合バイアス効果は十分に発
揮されるが、ＴｉとパーマロイおよびＴｉとアモルファ
ス磁性膜の反応開始温度は１７５〜２３０℃と極めて低
く、素子形成に必要なプロセスも、この温度以下に保持
しなければならない。また、１０’Ａ／ｃｍ”以上の高
電流密度で使用するため、使用中の発熱やエレクトロマ
イグレーションによる素子の劣化等についても問題があ
った。
ｉ ／パーマロイ膜のような構成の多層膜からなって
いる。上記構成の多層膜で複合バイアス効果は十分に発
揮されるが、ＴｉとパーマロイおよびＴｉとアモルファ
ス磁性膜の反応開始温度は１７５〜２３０℃と極めて低
く、素子形成に必要なプロセスも、この温度以下に保持
しなければならない。また、１０’Ａ／ｃｍ”以上の高
電流密度で使用するため、使用中の発熱やエレクトロマ
イグレーションによる素子の劣化等についても問題があ
った。
７−
本発明の目的は、従来の複合素子において問題のあった
耐熱性の向上した複合素子を提供することにある。
耐熱性の向上した複合素子を提供することにある。
」−記目的を達成するために、本発明においてはバイア
ス用軟磁性膜とパーマロイ膜の間に設置して使用するシ
ャントバイアス膜にパーマロイおよび軟磁性膜との反応
性が低いＮｂを使用し、耐熱性を高めたものである。
ス用軟磁性膜とパーマロイ膜の間に設置して使用するシ
ャントバイアス膜にパーマロイおよび軟磁性膜との反応
性が低いＮｂを使用し、耐熱性を高めたものである。
軟磁性膜とシャント膜を用いた複合磁気抵抗効果素子の
素子部における断面構造を第１図に示す。
素子部における断面構造を第１図に示す。
１は基板上あるいは磁気シールドの作用をする適当な軟
磁性体上の絶縁膜であり、２は磁気抵抗効果を有する合
金膜で典型的にはパーマロイ膜、３はＮｂ、４はバイア
ス用軟磁性である。パーマロイ膜２とバイアス用軟磁性
膜４との間にあるＮｂ膜は、シャントバイアス用電流線
となる他，パーマロイとバイアス用軟磁性膜間のスペー
サとなり、かつパーマロイ、Ｎｂ、バイアス用軟磁性膜
間の反応開始温度を約４００℃にまで高める役割を果し
ている。５は引き出し電極線で、これは軟磁性膜と反応
し難いＮｂよりなる。構造および素子性能的には、３，
４．５を一体にすることもできる。
磁性体上の絶縁膜であり、２は磁気抵抗効果を有する合
金膜で典型的にはパーマロイ膜、３はＮｂ、４はバイア
ス用軟磁性である。パーマロイ膜２とバイアス用軟磁性
膜４との間にあるＮｂ膜は、シャントバイアス用電流線
となる他，パーマロイとバイアス用軟磁性膜間のスペー
サとなり、かつパーマロイ、Ｎｂ、バイアス用軟磁性膜
間の反応開始温度を約４００℃にまで高める役割を果し
ている。５は引き出し電極線で、これは軟磁性膜と反応
し難いＮｂよりなる。構造および素子性能的には、３，
４．５を一体にすることもできる。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例１
第１図で示したように、絶縁体基板１上に、先ず磁気抵
抗効果型材料であるパーマロイ（組成Ｎｉ−１９ｗｔ％
Ｆｅ）２を約４０ｎｍ蒸着法で形成し，引き続き蒸着法
でＮｂ３を２０ｎｍ形成した。次にこのトにスパッタ法
で軟磁性体であるＦｅ−Ｓｉ合金膜４を３０ｎｍ形成し
、Ｎｂによるシャン１−バイアスとＦｅ−Ｓｉ合金膜に
よる軟磁性体バイアスの印加される複合バイアス型磁気
抵抗効果型素子を作製した。また、電極５としてＡｕあ
るいはＡρを蒸着した。これを１ ０’Ｐ ａの真空中
で１００〜５００℃まで加熱し、パーマロイ、Ｎｂ．Ｆ
ｅ−Ｓｉ合金膜間の反応を当該多層膜の電気抵抗および
パーマロイとＦｅ−Ｓｉ合金膜の磁気特性測定により評
価した。第２図６にその結果を示す。当該多層膜の電気
抵抗は３００℃以上でやや低下するが、これはパーマロ
イ膜の結晶粒成長などに起因するものであり、４５０℃
までは当該多層膜の構成膜間の反応による電気抵抗の増
大はなく、４５０℃超えると膜間の反応に基づく電気抵
抗の増大がみられる。カー効果を用いたパーマロイ膜お
よびＦｅ−８一合金膜の磁気特性（保磁力）測定したと
ころ、両者とも４５０℃以」―になると保磁力の著しい
増大が認められ、また、オージェ分析による深さ方向組
成分析では当該多層膜の構成膜間に元素の混合状態が確
認された。したがって、電気抵抗、保磁力の増大は膜間
の反応によるものであることは明らかである。
抗効果型材料であるパーマロイ（組成Ｎｉ−１９ｗｔ％
Ｆｅ）２を約４０ｎｍ蒸着法で形成し，引き続き蒸着法
でＮｂ３を２０ｎｍ形成した。次にこのトにスパッタ法
で軟磁性体であるＦｅ−Ｓｉ合金膜４を３０ｎｍ形成し
、Ｎｂによるシャン１−バイアスとＦｅ−Ｓｉ合金膜に
よる軟磁性体バイアスの印加される複合バイアス型磁気
抵抗効果型素子を作製した。また、電極５としてＡｕあ
るいはＡρを蒸着した。これを１ ０’Ｐ ａの真空中
で１００〜５００℃まで加熱し、パーマロイ、Ｎｂ．Ｆ
ｅ−Ｓｉ合金膜間の反応を当該多層膜の電気抵抗および
パーマロイとＦｅ−Ｓｉ合金膜の磁気特性測定により評
価した。第２図６にその結果を示す。当該多層膜の電気
抵抗は３００℃以上でやや低下するが、これはパーマロ
イ膜の結晶粒成長などに起因するものであり、４５０℃
までは当該多層膜の構成膜間の反応による電気抵抗の増
大はなく、４５０℃超えると膜間の反応に基づく電気抵
抗の増大がみられる。カー効果を用いたパーマロイ膜お
よびＦｅ−８一合金膜の磁気特性（保磁力）測定したと
ころ、両者とも４５０℃以」―になると保磁力の著しい
増大が認められ、また、オージェ分析による深さ方向組
成分析では当該多層膜の構成膜間に元素の混合状態が確
認された。したがって、電気抵抗、保磁力の増大は膜間
の反応によるものであることは明らかである。
従来はＮｂの部分にＴｉを用いていたが、Ｔｉを用いた
場合には第２図で示すように膜間の反応により２３０℃
以上で電気抵抗変化が生じ、磁性膜の反応劣化が生じる
。以上の実施例から明らかなように、本発明の材料と構
造をもつ複合バイアス型磁気抵抗素子は従来に比較して
２００℃以上の高温まで熱的に安定であり、磁気ヘッド
を作製する際の磁気シールド膜、コイル、磁気コア、絶
縁膜、電極・リード線等々の形成プロセス温度を十分高
くできる利点があり、プロセス選択性の幅が拡大される
とともに、磁気抵抗効果型素子には１０’〜１０’Ａ／
Ｃｍ”の通電による低温熱劣化に対しても寿命および信
頼性が向上する。
場合には第２図で示すように膜間の反応により２３０℃
以上で電気抵抗変化が生じ、磁性膜の反応劣化が生じる
。以上の実施例から明らかなように、本発明の材料と構
造をもつ複合バイアス型磁気抵抗素子は従来に比較して
２００℃以上の高温まで熱的に安定であり、磁気ヘッド
を作製する際の磁気シールド膜、コイル、磁気コア、絶
縁膜、電極・リード線等々の形成プロセス温度を十分高
くできる利点があり、プロセス選択性の幅が拡大される
とともに、磁気抵抗効果型素子には１０’〜１０’Ａ／
Ｃｍ”の通電による低温熱劣化に対しても寿命および信
頼性が向上する。
実施例２
実施例１と同様に絶縁基板」二にパーマロイ膜とＮｂ膜
を形成し、引き続いてＧｏ−Ｔａ−Ｚｒ系アモルファス
磁性膜を５０ｎｍ形成した多層膜の熱劣化特性について
、実施例１と同様に電気特性および磁気特性から評価し
た。その結果、当該３層膜の電気抵抗、磁気特性などは
４２５℃まで殆んど変化せず、これ以上の温度になると
膜間の反応による特性劣化の生ずることが明らかになっ
た。
を形成し、引き続いてＧｏ−Ｔａ−Ｚｒ系アモルファス
磁性膜を５０ｎｍ形成した多層膜の熱劣化特性について
、実施例１と同様に電気特性および磁気特性から評価し
た。その結果、当該３層膜の電気抵抗、磁気特性などは
４２５℃まで殆んど変化せず、これ以上の温度になると
膜間の反応による特性劣化の生ずることが明らかになっ
た。
実施域２の場合は実施例１より熱劣化開始温度が若干低
いが、従来のＴｉを用いたものに比較して十分に高い。
いが、従来のＴｉを用いたものに比較して十分に高い。
実施例３
１一
実施例１．２と同様にパーマロイ膜とＮｂ膜を形成し、
引き続いてＦｅ−Ｇｏ系軟磁性膜を５０ｎｍ形成した多
層膜の熱劣化特性について調べた結果、３層膜の電気特
性および磁気特性は実施例１と同様に４５０℃まで熱劣
化はなかった。
引き続いてＦｅ−Ｇｏ系軟磁性膜を５０ｎｍ形成した多
層膜の熱劣化特性について調べた結果、３層膜の電気特
性および磁気特性は実施例１と同様に４５０℃まで熱劣
化はなかった。
実施例４
絶縁基板」−に磁気抵抗効果膜としてパーマロイの代り
にＧ ｏ −Ｎ ｊ、 −Ｆ ｅ系薄膜を形成した後に
引き続きＮｂとＣｏ−Ｔａ−Ｎｂ系アモルファス膜を蒸
着した３層膜の反応による熱劣化を調入たところ、この
実施例の場合も４５０℃まで熱劣化を示さなかった。
にＧ ｏ −Ｎ ｊ、 −Ｆ ｅ系薄膜を形成した後に
引き続きＮｂとＣｏ−Ｔａ−Ｎｂ系アモルファス膜を蒸
着した３層膜の反応による熱劣化を調入たところ、この
実施例の場合も４５０℃まで熱劣化を示さなかった。
以１−の実施例から明らかなように、パーマロイ等の磁
気抵抗効果膜にバイアスを印加するためのＮｂシャント
膜およびバイアスを強化するための軟磁性膜の３層膜に
おける耐熱特性は、従来のＴｉシャンｌ−膜構造の多層
膜に比較して、著しく勝れている。
気抵抗効果膜にバイアスを印加するためのＮｂシャント
膜およびバイアスを強化するための軟磁性膜の３層膜に
おける耐熱特性は、従来のＴｉシャンｌ−膜構造の多層
膜に比較して、著しく勝れている。
実施例３
実施例１〜２と同様な素子で、バイアス磁界印１２、−
加用軟磁性膜に＋５ Ｘ １０−’から＋５ Ｘ １０
−’の磁歪定数を有するＧｏ−Ｔａ−Ｚｒアモルファス
合金を使用した場合、＋３Ｘ１０−’〜−３×１０４の
範囲では再生出力のノイズは非常に低かったが、この範
囲以外ではノイズが高く、当該軟磁性膜としては＋３
Ｘ １０””〜−３Ｘ １０−’の範囲が良い。
−’の磁歪定数を有するＧｏ−Ｔａ−Ｚｒアモルファス
合金を使用した場合、＋３Ｘ１０−’〜−３×１０４の
範囲では再生出力のノイズは非常に低かったが、この範
囲以外ではノイズが高く、当該軟磁性膜としては＋３
Ｘ １０””〜−３Ｘ １０−’の範囲が良い。
実施例４
実施例１と同様に磁気抵抗効果およびＮｂを形成した後
、第３図５で示すように電極を形成し、次にＮｂおよび
電極の表面を熱酸化あるいはスパッタによる５ｉ０２等
の蒸着で絶縁膜７を形成したのちバイアス用軟磁性膜で
あるＦｅ−８一合金膜を形成した素子に施でも、同様の
特性が得られた。但し、軟磁性膜４とＮｂ膜３は電気的
に絶縁されているので、膜厚の較差による素子の電気抵
抗変化量が小さくなる利点を示した。
、第３図５で示すように電極を形成し、次にＮｂおよび
電極の表面を熱酸化あるいはスパッタによる５ｉ０２等
の蒸着で絶縁膜７を形成したのちバイアス用軟磁性膜で
あるＦｅ−８一合金膜を形成した素子に施でも、同様の
特性が得られた。但し、軟磁性膜４とＮｂ膜３は電気的
に絶縁されているので、膜厚の較差による素子の電気抵
抗変化量が小さくなる利点を示した。
実施例５
実施例１において、磁気抵抗膜２およびＮｂ膜３の長軸
寸法を第４図で示すように電極間寸法およびバイアス用
軟磁性体膜の長軸寸法より長くすることによって、電極
部段差が少なくなり、また磁気抵抗膜の形状異方性によ
る効果で磁気抵抗膜の磁化状態が安定し、ノイズの低減
ができた。
寸法を第４図で示すように電極間寸法およびバイアス用
軟磁性体膜の長軸寸法より長くすることによって、電極
部段差が少なくなり、また磁気抵抗膜の形状異方性によ
る効果で磁気抵抗膜の磁化状態が安定し、ノイズの低減
ができた。
実施例６
実施例１では磁気抵抗効果膜およびバイアス用軟磁性膜
の磁区制御に関しては何らの方法もとっていないので媒
体からの交番磁界等で磁化状態が変化するが、磁気抵抗
効果膜の一部に第５図７で示すように反強磁性体あるい
は永久磁石膜を形成して磁気抵抗効果膜の一部に接触さ
せて磁気抵抗効果膜の誘導磁気異方性および形状異方性
の方向に磁気的カプリングをさせ、磁区制御をするとノ
イズの低減に顕著な効果があった。本実施例では、反強
磁性体としてＦ ｅ Ｍ ｎ合金膜、Ｆｅ−Ｎｄ膜、永
久磁石膜としてはＧｏ−Ｐｔ合金膜を用いた。
の磁区制御に関しては何らの方法もとっていないので媒
体からの交番磁界等で磁化状態が変化するが、磁気抵抗
効果膜の一部に第５図７で示すように反強磁性体あるい
は永久磁石膜を形成して磁気抵抗効果膜の一部に接触さ
せて磁気抵抗効果膜の誘導磁気異方性および形状異方性
の方向に磁気的カプリングをさせ、磁区制御をするとノ
イズの低減に顕著な効果があった。本実施例では、反強
磁性体としてＦ ｅ Ｍ ｎ合金膜、Ｆｅ−Ｎｄ膜、永
久磁石膜としてはＧｏ−Ｐｔ合金膜を用いた。
本発明は、以上の実施例で説明したように、従来のシャ
ン１〜膜およびバイアス強化用軟磁性膜からなる磁気抵
抗素子に比較して、熱劣化温度が１００〜１５０℃高く
、磁気ヘッド製造のための高温プロセスの採用幅が拡大
でき、ヘッドとして高電流密度で稼働したときの寿命、
信頼性が飛費的に向」ニする。
ン１〜膜およびバイアス強化用軟磁性膜からなる磁気抵
抗素子に比較して、熱劣化温度が１００〜１５０℃高く
、磁気ヘッド製造のための高温プロセスの採用幅が拡大
でき、ヘッドとして高電流密度で稼働したときの寿命、
信頼性が飛費的に向」ニする。
第１図は本発明の実施例である磁気抵抗効果膜、シャン
ト膜、バイアス用軟磁性膜からなる磁気抵抗素子の断面
を示す図である。第２図は本発明の一実施例における磁
気抵抗素子の熱劣化特性と従来の素子の熱劣化特性を示
すグラフ図である。第３図ｇ第５図は本発明の実施例で
ある磁気抵抗効果素子の断面図である。 １・・・基板、２・・・磁気抵抗効果膜、３・・・シャ
ント膜、４・・・軟磁性膜、５・・・電極
ト膜、バイアス用軟磁性膜からなる磁気抵抗素子の断面
を示す図である。第２図は本発明の一実施例における磁
気抵抗素子の熱劣化特性と従来の素子の熱劣化特性を示
すグラフ図である。第３図ｇ第５図は本発明の実施例で
ある磁気抵抗効果素子の断面図である。 １・・・基板、２・・・磁気抵抗効果膜、３・・・シャ
ント膜、４・・・軟磁性膜、５・・・電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に磁気抵抗効果膜であるパーマロイ薄膜、シ
ャントバイアス用Ｎｂ薄膜、軟磁性体バイアス膜からな
る３層膜を有する複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ２、前記パーマロイ薄膜の磁歪が＋２×１０＾−＾６か
ら−２×１０＾−＾６であることを特徴とする請求項１
記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ３、前記軟磁性体バイアス膜がアモルファス合金でこの
合金の磁歪が＋３×１０＾−＾６〜−３×１０＾−＾６
であり、これに概当する合金組成を有するアモルファス
膜を使用したことを特徴とする、請求項１又は２記載の
複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ４、パーマロイ、Ｎｂ、軟磁性体合金の順に連続的に蒸
着あるいはスパッタリングなどを用いて製膜した構造を
もつことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに
記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ５、軟磁性体合金、Ｎｂ、パーマロイの順に連続的に蒸
着あるいはスパッタリングなどを用いて製膜した構造を
もつことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに
記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ６、前記軟磁性体バイアス膜が結晶性合金膜で、その磁
歪が＋３×１０＾−＾６〜−３×１０＾−＾６の範囲内
にあることを特徴とする請求項１記載の複合バイアス型
磁気抵抗効果ヘッド。 ７、請求項１、３、又は６に記載の複合バイアス型磁気
抵抗効果ヘッドの製造方法において、パーマロイとＮｂ
膜を連続的に形成して両者の電気的導通性を与えた後、
Ｎｂの表面を酸化せしめて電気的絶縁層を形成し、しか
る後に軟磁性体膜を形成したことを特徴とする複合バイ
アス型磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。 ８、請求項１、３又は６に記載の複合バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドの製造方法において、基板上に軟磁性体膜
を形成し、しかるのちその表面を酸化せしめて電気的絶
縁層を形成し、この上にＮｂ、次にパーマロイ膜を形成
し、Ｎｂとパーマロイ膜は電気的に導通を保っているこ
とを特徴とする複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法。 ９、前記パーマロイ、Ｎｂ、軟磁性体膜の平面形状が、
磁気抵抗センサ部、センサ電極部、リード線部、外部配
線用電極部を含めて、全て同一の形状で、かつ基板上に
重畳していることを特徴とする請求項１、４、５又は６
に記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 １０、前記パーマロイとＮｂとは磁気抵抗センサ部、電
極・リード部も含めて同一平面形状を有し、軟磁性体膜
の形状がパーマロイ／Ｎｂ２層膜の形状と異なることを
特徴とする請求項１、４、５又は６記載の複合バスアス
型磁気抵抗効果ヘッド。 １１、前記パーマロイ、Ｎｂ、軟磁性体膜の磁気抵抗セ
ンサ部の平面形状において短軸寸法が同一であり、他の
部分における形状・寸法が異なることを特徴とした請求
項１、４、５又は６に記載の複合バイアス型磁気抵抗効
果ヘッド。 １２、請求項１、３、４、５、６、９、１０又は１１記
載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、磁気
抵抗センサの実効的感磁部の寸法が記録媒体の記録トラ
ック幅寸法とが同一であることを特徴とする複合バイア
ス型磁気抵抗効果ヘッド。 １３、請求項１、３、４、５、６、９、１０又は１１記
載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、磁気
抵抗センサの実効的感磁部の寸法が記録媒体の記録トラ
ック幅寸法より短かいことを特徴とする複合バイアス型
磁気抵抗効果ヘッド。 １４、請求項１２又は１３記載の複合バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドにおいて、磁気抵抗センサの実効的感磁部
の寸法が、電極・リード線部によって決められているこ
とを特徴とする複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 １５、請求項１４記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘ
ッドにおいて、磁気抵抗センサの実効的感磁部を決める
ために、感磁部の両端における素子の電気伝導度が急激
に高くなっていることを特徴とする複合バイアス型磁気
抵抗効果ヘッド。 １６、請求項１５記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘ
ッドにおいて、感磁部の両端における素子の電気伝導度
を急激に高くするために、電極・リード部の膜厚を増大
させたことを特徴とする複合バイアス型磁気抵抗効果ヘ
ッド。 １７、請求項１５又は１６記載の複合バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドにおいて、感磁部の両端における電気伝導
度を急激に高めるために、電極部にパーマロイ、Ｎｂ、
軟磁性膜より高電気伝導度の金属薄膜が設置されている
ことを特徴とする複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 １８、前記電極・リード部がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌよ
りなることを特徴とする請求項１７記載の複合バイアス
型磁気抵抗効果ヘッド。 １９、請求項１、１３又は１４記載の複合バイアス型磁
気抵抗効果ヘッドにおいて、パーマロイ薄膜の長軸寸法
が実効感磁部および電極部の和である寸法より大きいこ
とを特徴とする複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ２０、前記パーマロイ膜の一部にパーマロイ膜の磁区制
御用磁性体膜が設けられていることを特徴とする請求項
１記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ２１、前記パーマロイ膜と磁区制御用磁性薄膜が接触し
ていることを特徴とする請求項２０記載の複合バイアス
型磁気抵抗効果ヘッド。 ２２、請求項２０又は２１記載の複合バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドにおいて、磁気制御用磁性膜が反強磁性体
であることを特徴とする複合バイアス型磁気抵抗効果ヘ
ッド。 ２３、前記パーマロイ膜と磁区制御用磁性膜とが絶縁膜
を介して設置されていることを特徴とする請求項２０記
載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ２４、請求項２０又は２３記載の複合バイアス型磁気抵
抗効果ヘッドにおいて、磁区制御用磁性膜が永久磁石膜
であることを特徴とする複合バイアス型磁気抵抗効果ヘ
ッド。 ２５、請求項１記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッ
ドにおける３種の薄膜よりなる感磁部が、２個の軟磁性
体の中間に絶縁物を介して存在することを特徴とする複
合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ２６、前記磁気抵抗素子の感磁部の長軸寸法より、２個
の軟磁性体の寸法のほうが長いことを特徴とする請求項
２５記載の複合バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。 ２７、請求項１、２０、２１、２５又は２６記載の複合
バイアス型磁気抵抗効果ヘッドに於て、バイアス印加用
軟磁性膜の一部あるいは全部に反強磁性体が接合してい
ることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6419190A JPH03268216A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 複合バイアス磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6419190A JPH03268216A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 複合バイアス磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268216A true JPH03268216A (ja) | 1991-11-28 |
Family
ID=13250929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6419190A Pending JPH03268216A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 複合バイアス磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268216A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
| US7379280B2 (en) | 2002-12-16 | 2008-05-27 | Nec Corporation | Magnetic tunnel magneto-resistance device and magnetic memory using the same |
| US7394626B2 (en) | 2002-11-01 | 2008-07-01 | Nec Corporation | Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6419190A patent/JPH03268216A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909344A (en) * | 1995-11-30 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with high resistivity flux guide |
| US7394626B2 (en) | 2002-11-01 | 2008-07-01 | Nec Corporation | Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same |
| US7742263B2 (en) | 2002-11-01 | 2010-06-22 | Nec Corporation | Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same |
| US7379280B2 (en) | 2002-12-16 | 2008-05-27 | Nec Corporation | Magnetic tunnel magneto-resistance device and magnetic memory using the same |
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