JPH0950612A - 磁気抵抗効果膜，磁気抵抗効果素子，磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果膜，磁気抵抗効果素子，磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置Info
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- JPH0950612A JPH0950612A JP19941795A JP19941795A JPH0950612A JP H0950612 A JPH0950612 A JP H0950612A JP 19941795 A JP19941795 A JP 19941795A JP 19941795 A JP19941795 A JP 19941795A JP H0950612 A JPH0950612 A JP H0950612A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】磁性層と反強磁性層からなる磁気抵抗効果膜に
おいて、上記反強磁性層として、２層の異なる反強磁性
材料を用い、磁性層に接していない側に形成する反強磁
性層としてＭｎ−Ｉｒ系合金を用い、磁性層に接した側
に形成する反強磁性層としてＦｅ−Ｍｎ系合金，Ｎｉ−
Ｍｎ系合金などを用いる。 【効果】耐熱性，耐食性に優れ、磁性層と反強磁性層と
が強く交換結合する磁気抵抗効果膜を容易に作製でき
る。
おいて、上記反強磁性層として、２層の異なる反強磁性
材料を用い、磁性層に接していない側に形成する反強磁
性層としてＭｎ−Ｉｒ系合金を用い、磁性層に接した側
に形成する反強磁性層としてＦｅ−Ｍｎ系合金，Ｎｉ−
Ｍｎ系合金などを用いる。 【効果】耐熱性，耐食性に優れ、磁性層と反強磁性層と
が強く交換結合する磁気抵抗効果膜を容易に作製でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果膜及びこれ
を用いた磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気記録再生
装置に関する。
を用いた磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気記録再生
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】再生用磁気ヘッドに用いる磁気抵抗効果
素子には、多数の磁区の挙動により生じるバルクハウゼ
ンノイズが問題になる。バルクハウゼンノイズを抑制す
るには、磁気抵抗効果素子の磁区を単磁区化することが
有効である。アイイーイーイートランザクションズ オ
ン マグネティクス(IEEE Transactions on Magnetic
s)，第１４巻，第５号，５２１〜５２３ページに記載の
ように、磁性層と反強磁性層とを交換結合させることに
より、磁気抵抗効果素子の磁区を単磁区化し、バルクハ
ウゼンノイズを抑制している例がある。
素子には、多数の磁区の挙動により生じるバルクハウゼ
ンノイズが問題になる。バルクハウゼンノイズを抑制す
るには、磁気抵抗効果素子の磁区を単磁区化することが
有効である。アイイーイーイートランザクションズ オ
ン マグネティクス(IEEE Transactions on Magnetic
s)，第１４巻，第５号，５２１〜５２３ページに記載の
ように、磁性層と反強磁性層とを交換結合させることに
より、磁気抵抗効果素子の磁区を単磁区化し、バルクハ
ウゼンノイズを抑制している例がある。
【０００３】また、磁気記録の高密度化に伴い、現在使
われているＮｉ−Ｆｅ合金を用いた磁気抵抗効果素子よ
りも高い磁気抵抗効果を示す材料が求められている。フ
ィジカル・レビュー・Ｂ（Physical Review B），第４
３巻，第１号，1297〜1300ページに記載のように、２層
の磁性層を非磁性層で分離し、一方の磁性層と反強磁性
層とが交換結合しており、二つの磁性層の磁化の向きに
より磁気抵抗効果が生じる多層膜が考案されており、低
磁界で高い磁気抵抗変化が得られている。
われているＮｉ−Ｆｅ合金を用いた磁気抵抗効果素子よ
りも高い磁気抵抗効果を示す材料が求められている。フ
ィジカル・レビュー・Ｂ（Physical Review B），第４
３巻，第１号，1297〜1300ページに記載のように、２層
の磁性層を非磁性層で分離し、一方の磁性層と反強磁性
層とが交換結合しており、二つの磁性層の磁化の向きに
より磁気抵抗効果が生じる多層膜が考案されており、低
磁界で高い磁気抵抗変化が得られている。
【０００４】上述の文献に述べられているように、Ｎｉ
−Ｆｅ膜と交換結合する反強磁性膜は、Ｆｅ−Ｍｎ系合
金が知られている。しかし、Ｆｅ−Ｍｎ系反強磁性膜
は、耐食性が悪いという問題がある。
−Ｆｅ膜と交換結合する反強磁性膜は、Ｆｅ−Ｍｎ系合
金が知られている。しかし、Ｆｅ−Ｍｎ系反強磁性膜
は、耐食性が悪いという問題がある。
【０００５】また、第１５回応用磁気学会学術講演概要
集、４０ページには、反強磁性膜として、ＮｉＯを用い
ている。しかし、ＮｉＯ層厚を厚くしないとＮｉ−Ｆｅ
磁性層との交換結合が得られず、かつ、ＮｉＯが酸化物
であるので、電気伝導性がほとんどなく、磁気ヘッドに
用いるための電極形成が難しい。
集、４０ページには、反強磁性膜として、ＮｉＯを用い
ている。しかし、ＮｉＯ層厚を厚くしないとＮｉ−Ｆｅ
磁性層との交換結合が得られず、かつ、ＮｉＯが酸化物
であるので、電気伝導性がほとんどなく、磁気ヘッドに
用いるための電極形成が難しい。
【０００６】特開平6−76247号公報に記載の磁気抵抗セ
ンサでは、反強磁性層にＮｉ−Ｍｎ系合金を用いること
により、磁性層との交換結合が得られている。しかし、
Ｎｉ−Ｍｎ系合金が磁性層と交換結合するためには、Ｎ
ｉ−Ｍｎ系合金の膜厚を厚くし、成膜後２５０℃程度の
熱処理を長時間する必要がある。
ンサでは、反強磁性層にＮｉ−Ｍｎ系合金を用いること
により、磁性層との交換結合が得られている。しかし、
Ｎｉ−Ｍｎ系合金が磁性層と交換結合するためには、Ｎ
ｉ−Ｍｎ系合金の膜厚を厚くし、成膜後２５０℃程度の
熱処理を長時間する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】磁性層と反強磁性層と
を交換結合させた磁気抵抗効果膜を、磁気抵抗効果素
子，磁気ヘッド等の応用に用いる場合、反強磁性材料
は、耐熱性，耐食性に優れ、磁性層との高い結合磁界が
得られ、かつ容易に作製できることが重要である。しか
し、これまでに開示されている反強磁性材料において、
上記の条件を十分に満たす材料はほとんどない。
を交換結合させた磁気抵抗効果膜を、磁気抵抗効果素
子，磁気ヘッド等の応用に用いる場合、反強磁性材料
は、耐熱性，耐食性に優れ、磁性層との高い結合磁界が
得られ、かつ容易に作製できることが重要である。しか
し、これまでに開示されている反強磁性材料において、
上記の条件を十分に満たす材料はほとんどない。
【０００８】本発明の目的は、磁気抵抗効果膜の問題の
解決方法を提供することにある。
解決方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々の材
料及び膜厚を有する磁性層，反強磁性層を積層した多層
磁気抵抗効果膜について誠意研究を行った結果、磁性層
と反強磁性層からなる磁気抵抗効果膜において、上記反
強磁性層として２層の異なる反強磁性材料を用いること
により、耐熱性，耐食性に優れ、磁性層との交換結合が
容易に得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
料及び膜厚を有する磁性層，反強磁性層を積層した多層
磁気抵抗効果膜について誠意研究を行った結果、磁性層
と反強磁性層からなる磁気抵抗効果膜において、上記反
強磁性層として２層の異なる反強磁性材料を用いること
により、耐熱性，耐食性に優れ、磁性層との交換結合が
容易に得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１０】すなわち、磁性層と反強磁性層からなる磁
気抵抗効果膜において、上記反強磁性層として、２層の
異なる反強磁性材料を用い、磁性層に接していない側に
形成する反強磁性層としてＭｎ−Ｉｒ系合金を用い、磁
性層に接した側に形成する反強磁性層としてＦｅ−Ｍｎ
系合金，Ｎｉ−Ｍｎ系合金などを用いることにより、耐
熱性，耐食性に優れ、磁性層と反強磁性層とが強く交換
結合する磁気抵抗効果膜が容易に作製できる。また、こ
の磁気抵抗効果膜は、面心立方構造を示し、（１１１）
面が基板に対し平行に成長する時、反強磁性層と強磁性
層とが強く結合する。また、上記磁性層に接した側に形
成する反強磁性層として、Ｃｒ−Ｍｎ系合金を用いても
同様な効果が得られる。上記磁気抵抗効果膜を用いた磁
気抵抗効果素子は、バルクハウゼンノイズを示さない。
気抵抗効果膜において、上記反強磁性層として、２層の
異なる反強磁性材料を用い、磁性層に接していない側に
形成する反強磁性層としてＭｎ−Ｉｒ系合金を用い、磁
性層に接した側に形成する反強磁性層としてＦｅ−Ｍｎ
系合金，Ｎｉ−Ｍｎ系合金などを用いることにより、耐
熱性，耐食性に優れ、磁性層と反強磁性層とが強く交換
結合する磁気抵抗効果膜が容易に作製できる。また、こ
の磁気抵抗効果膜は、面心立方構造を示し、（１１１）
面が基板に対し平行に成長する時、反強磁性層と強磁性
層とが強く結合する。また、上記磁性層に接した側に形
成する反強磁性層として、Ｃｒ−Ｍｎ系合金を用いても
同様な効果が得られる。上記磁気抵抗効果膜を用いた磁
気抵抗効果素子は、バルクハウゼンノイズを示さない。
【００１１】また、二つの磁性層を非磁性層で分割し、
一方の磁性層と反強磁性層とが接している多層膜であ
り、非磁性層で分割された磁性層の磁化の相対的な向き
により磁気抵抗効果が生じる磁気抵抗効果膜において、
反強磁性層として２層の異なる反強磁性層を用いること
により、耐熱性，耐食性に優れた磁気抵抗効果膜が容易
に作製できる。上記磁気抵抗効果膜を用いることによ
り、低磁界で高い磁気抵抗変化を有する磁気抵抗効果素
子が得られる。
一方の磁性層と反強磁性層とが接している多層膜であ
り、非磁性層で分割された磁性層の磁化の相対的な向き
により磁気抵抗効果が生じる磁気抵抗効果膜において、
反強磁性層として２層の異なる反強磁性層を用いること
により、耐熱性，耐食性に優れた磁気抵抗効果膜が容易
に作製できる。上記磁気抵抗効果膜を用いることによ
り、低磁界で高い磁気抵抗変化を有する磁気抵抗効果素
子が得られる。
【００１２】また、上記磁気抵抗効果素子は、磁界セン
サ，磁気ヘッドなどに好適である。また、上記磁気ヘッ
ドを用いることにより、高性能磁気記録再生装置が得ら
れる。
サ，磁気ヘッドなどに好適である。また、上記磁気ヘッ
ドを用いることにより、高性能磁気記録再生装置が得ら
れる。
【００１３】
【作用】上述のように、磁性層と反強磁性層からなる磁
気抵抗効果膜において、上記反強磁性層として２種類の
異なる反強磁性材料を用いることにより、耐熱性，耐食
性に優れ、磁性層と反強磁性層とが強く交換結合した磁
気抵抗効果膜が容易に作製できる。この結果、磁気抵抗
効果素子のバルクハウゼンノイズを抑制することができ
る。また、この方法は、二つの磁性層を非磁性層で分割
し、一方の磁性層に反強磁性層が接しており、二つの磁
性層の磁化の向きにより磁気抵抗効果の生じる磁気抵抗
効果膜にも応用できる。さらに、磁気抵抗効果素子は、
磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適である。また、磁気
ヘッドを用いることにより、高性能磁気記録再生装置が
得られる。
気抵抗効果膜において、上記反強磁性層として２種類の
異なる反強磁性材料を用いることにより、耐熱性，耐食
性に優れ、磁性層と反強磁性層とが強く交換結合した磁
気抵抗効果膜が容易に作製できる。この結果、磁気抵抗
効果素子のバルクハウゼンノイズを抑制することができ
る。また、この方法は、二つの磁性層を非磁性層で分割
し、一方の磁性層に反強磁性層が接しており、二つの磁
性層の磁化の向きにより磁気抵抗効果の生じる磁気抵抗
効果膜にも応用できる。さらに、磁気抵抗効果素子は、
磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適である。また、磁気
ヘッドを用いることにより、高性能磁気記録再生装置が
得られる。
【００１４】
＜実施例１＞図１に本発明の一実施例の多層膜の断面構
造を示す。
造を示す。
【００１５】多層膜の作製にはイオンビームスパッタリ
ング法を用いた。到達真空度は、３／１０5Ｐａ、スパ
ッタリング時のＡｒ圧力は０.０２Ｐａである。また、
膜形成速度は、０.０８ｎｍ／ｓ 以下である。基板１１
にはＳｉ（１００）単結晶を用いた。また、バッファ層
１２として、厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。磁性層１３に
は、厚さ１０ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用い
た。また、反強磁性層１４には、厚さ２ｎｍのＦｅ−５
０ａｔ％Ｍｎを用いた。反強磁性層１５には、厚さ８ｎ
ｍのＭｎ−４０ａｔ％Ｉｒ合金を用いた。保護層１６に
は、厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。また、比較のために、
反強磁性層１４に反強磁性層１５と同じ組成のＭｎ−Ｉ
ｒを用いた（すなわち、反強磁性層がＭｎ−Ｉｒ合金単
層である）多層膜も作製した。なお、これらの試料は、
熱処理を行っていない。
ング法を用いた。到達真空度は、３／１０5Ｐａ、スパ
ッタリング時のＡｒ圧力は０.０２Ｐａである。また、
膜形成速度は、０.０８ｎｍ／ｓ 以下である。基板１１
にはＳｉ（１００）単結晶を用いた。また、バッファ層
１２として、厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。磁性層１３に
は、厚さ１０ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用い
た。また、反強磁性層１４には、厚さ２ｎｍのＦｅ−５
０ａｔ％Ｍｎを用いた。反強磁性層１５には、厚さ８ｎ
ｍのＭｎ−４０ａｔ％Ｉｒ合金を用いた。保護層１６に
は、厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。また、比較のために、
反強磁性層１４に反強磁性層１５と同じ組成のＭｎ−Ｉ
ｒを用いた（すなわち、反強磁性層がＭｎ−Ｉｒ合金単
層である）多層膜も作製した。なお、これらの試料は、
熱処理を行っていない。
【００１６】図２には二つの試料の容易軸方向に磁界を
印加したときの磁化曲線を示す。図のように、反強磁性
層として、Ｍｎ−Ｉｒ単層膜を用いた多層膜の結合磁界
（１００Ｏｅ）と比較して、反強磁性層にＭｎ−Ｉｒ／
Ｆｅ−Ｍｎ２層膜を用いた多層膜の結合磁界（１４０Ｏ
ｅ）は高い。
印加したときの磁化曲線を示す。図のように、反強磁性
層として、Ｍｎ−Ｉｒ単層膜を用いた多層膜の結合磁界
（１００Ｏｅ）と比較して、反強磁性層にＭｎ−Ｉｒ／
Ｆｅ−Ｍｎ２層膜を用いた多層膜の結合磁界（１４０Ｏ
ｅ）は高い。
【００１７】図３にはこの二つの試料のＸ線回折プロフ
ァイルを示す。図のように、Ｎｉ−ＦｅとＭｎ−Ｉｒの
結晶格子間隔は大きく異なる。Ｎｉ−Ｆｅ層とＭｎ−Ｉ
ｒ層との界面に、双方の中間の結晶格子間隔を持つＦｅ
−Ｍｎ反強磁性層を形成することにより、磁性層と反強
磁性層との格子のミスマッチが小さくなり、その結果、
結合磁界が増加したと考えられる。また、二つの試料の
ブロッキング温度（結合磁界がゼロになる温度）は、Ｍ
ｎ−Ｉｒ合金単層の場合、１５０℃であるが、Ｍｎ−Ｉ
ｒ／Ｆｅ−Ｍｎ２層膜を用いた場合、１８０℃と増加し
た。
ァイルを示す。図のように、Ｎｉ−ＦｅとＭｎ−Ｉｒの
結晶格子間隔は大きく異なる。Ｎｉ−Ｆｅ層とＭｎ−Ｉ
ｒ層との界面に、双方の中間の結晶格子間隔を持つＦｅ
−Ｍｎ反強磁性層を形成することにより、磁性層と反強
磁性層との格子のミスマッチが小さくなり、その結果、
結合磁界が増加したと考えられる。また、二つの試料の
ブロッキング温度（結合磁界がゼロになる温度）は、Ｍ
ｎ−Ｉｒ合金単層の場合、１５０℃であるが、Ｍｎ−Ｉ
ｒ／Ｆｅ−Ｍｎ２層膜を用いた場合、１８０℃と増加し
た。
【００１８】本実施例では、Ｆｅ−Ｍｎ層厚を２ｎｍと
したが、図４に示すように、それ以上厚くしても、磁性
層との結合磁界は高い。しかし、Ｆｅ−Ｍｎは耐食性が
悪いため、２ｎｍ以下が好ましい。
したが、図４に示すように、それ以上厚くしても、磁性
層との結合磁界は高い。しかし、Ｆｅ−Ｍｎは耐食性が
悪いため、２ｎｍ以下が好ましい。
【００１９】本実施例では、磁性層に接した側の反強磁
性層として、Ｆｅ−Ｍｎ合金を用いたが、Ｆｅ，Ｎｉ，
Ｃｏ，ＣｒとＭｎとの合金あるいは、これらを主成分と
する合金であれば、同様な結果が得られた。
性層として、Ｆｅ−Ｍｎ合金を用いたが、Ｆｅ，Ｎｉ，
Ｃｏ，ＣｒとＭｎとの合金あるいは、これらを主成分と
する合金であれば、同様な結果が得られた。
【００２０】また、本実施例では、Ｚｒバッファ層を用
いているが、他の周期率表上のIVａ族金属元素，Ｖａ族
金属元素（Ｔｉ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ）を用いてもよ
い。バッファ層を用いることにより、磁性層の膜厚が薄
くても磁性層が（１１１）配向し、反強磁性層と交換結
合する。磁性層の膜厚が十分厚く、磁性層が(１１１)配
向を示す場合には、バッファ層を用いる必要はない。
いているが、他の周期率表上のIVａ族金属元素，Ｖａ族
金属元素（Ｔｉ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ）を用いてもよ
い。バッファ層を用いることにより、磁性層の膜厚が薄
くても磁性層が（１１１）配向し、反強磁性層と交換結
合する。磁性層の膜厚が十分厚く、磁性層が(１１１)配
向を示す場合には、バッファ層を用いる必要はない。
【００２１】さらに、本実施例では、磁性層としてＮｉ
−Ｆｅ系合金を使用したが、他の面心立方構造を有する
磁性層を用いても、同様な結果が得られる。しかし、磁
気ヘッド等の応用を考えた場合、磁性層は軟磁性を示す
ことが必要であり、磁性層として、Ｎｉ−Ｆｅ系合金，
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いることが好ましい。
−Ｆｅ系合金を使用したが、他の面心立方構造を有する
磁性層を用いても、同様な結果が得られる。しかし、磁
気ヘッド等の応用を考えた場合、磁性層は軟磁性を示す
ことが必要であり、磁性層として、Ｎｉ−Ｆｅ系合金，
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いることが好ましい。
【００２２】＜実施例２＞実施例１と同様の方法で多層
膜を形成した。形成した多層膜の断面構造を図１に示
す。基板１１はＳｉ（１００）単結晶基板を用いた。バ
ッファ層１２として、厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。磁性
層１３には、厚さ１０ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金
を用いた。また、反強磁性層１４には、厚さ２ｎｍのＮ
ｉ−５０ａｔ％Ｍｎを用いた。反強磁性層１５には、厚
さ８ｎｍのＭｎ−４０ａｔ％Ｉｒ合金を用いた。保護層
１６には、厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。なお、この試料
は熱処理を行っていない。
膜を形成した。形成した多層膜の断面構造を図１に示
す。基板１１はＳｉ（１００）単結晶基板を用いた。バ
ッファ層１２として、厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。磁性
層１３には、厚さ１０ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金
を用いた。また、反強磁性層１４には、厚さ２ｎｍのＮ
ｉ−５０ａｔ％Ｍｎを用いた。反強磁性層１５には、厚
さ８ｎｍのＭｎ−４０ａｔ％Ｉｒ合金を用いた。保護層
１６には、厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。なお、この試料
は熱処理を行っていない。
【００２３】図５に試料の容易軸方向に磁界を印加した
ときの磁化曲線を示す。この試料の結合磁界は約１８０
Ｏｅと実施例１で示した磁性多層膜と比較して高くなっ
ている。また、この試料のブロッキング温度も約２００
℃と高い。
ときの磁化曲線を示す。この試料の結合磁界は約１８０
Ｏｅと実施例１で示した磁性多層膜と比較して高くなっ
ている。また、この試料のブロッキング温度も約２００
℃と高い。
【００２４】本来、特開平6−76247号公報に記載されて
いるように、２５ｎｍ程度の膜厚を有するＮｉ−Ｍｎ合
金を２４０℃，数時間の熱処理を数回行い、Ｎｉ−Ｍｎ
合金の結晶構造を面心立方構造から面心正方晶構造に変
化させることにより、Ｎｉ−Ｍｎ合金が反強磁性にな
る。しかし、Ｎｉ−Ｍｎ合金の膜厚が薄い場合、Ｎｉ−
Ｍｎ合金は反強磁性を示さない。このことから、磁性層
から離れたＮｉ−Ｍｎ層の領域では、Ｎｉ−Ｍｎ合金は
面心正方晶構造をとっているが、磁性層との界面付近の
Ｎｉ−Ｍｎ層の結晶構造は、面心立方構造になっている
と考えられる。本実験結果は、面心正方晶構造となって
いるＮｉ−Ｍｎ層の変わりに、熱処理を必要としないＭ
ｎ−Ｉｒ反強磁性層を用いた結果、結合磁界及びブロッ
キング温度が高くなったと考えられる。
いるように、２５ｎｍ程度の膜厚を有するＮｉ−Ｍｎ合
金を２４０℃，数時間の熱処理を数回行い、Ｎｉ−Ｍｎ
合金の結晶構造を面心立方構造から面心正方晶構造に変
化させることにより、Ｎｉ−Ｍｎ合金が反強磁性にな
る。しかし、Ｎｉ−Ｍｎ合金の膜厚が薄い場合、Ｎｉ−
Ｍｎ合金は反強磁性を示さない。このことから、磁性層
から離れたＮｉ−Ｍｎ層の領域では、Ｎｉ−Ｍｎ合金は
面心正方晶構造をとっているが、磁性層との界面付近の
Ｎｉ−Ｍｎ層の結晶構造は、面心立方構造になっている
と考えられる。本実験結果は、面心正方晶構造となって
いるＮｉ−Ｍｎ層の変わりに、熱処理を必要としないＭ
ｎ−Ｉｒ反強磁性層を用いた結果、結合磁界及びブロッ
キング温度が高くなったと考えられる。
【００２５】本実施例では、Ｎｉ−Ｍｎ層の膜厚を２ｎ
ｍとしたが、Ｎｉ−Ｍｎ層の膜厚が厚くなっても、同様
な結果が得られる。しかし、Ｎｉ−Ｍｎの耐食性が悪い
ため、膜厚は２ｎｍ以下が好ましい。
ｍとしたが、Ｎｉ−Ｍｎ層の膜厚が厚くなっても、同様
な結果が得られる。しかし、Ｎｉ−Ｍｎの耐食性が悪い
ため、膜厚は２ｎｍ以下が好ましい。
【００２６】また、本実施例では、磁性層に接した反強
磁性層にＮｉ−Ｍｎ合金を用いたが、他のＭｎを主成分
とする反強磁性材料、例えば、Ｍｎ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｐ
ｄ，Ｍｎ−Ｒｈ，Ｍｎ−Ｒｕ，Ｍｎ−Ｃｒ系合金を用い
ても同様な効果が得られる。
磁性層にＮｉ−Ｍｎ合金を用いたが、他のＭｎを主成分
とする反強磁性材料、例えば、Ｍｎ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｐ
ｄ，Ｍｎ−Ｒｈ，Ｍｎ−Ｒｕ，Ｍｎ−Ｃｒ系合金を用い
ても同様な効果が得られる。
【００２７】＜実施例３＞本発明のバルクハウゼンノイ
ズを抑制するための反強磁性材料を用いた磁気抵抗効果
素子を形成した。図６に本発明の磁気抵抗効果素子の膜
構造を示す。図６の基板２１には、ガラス基板を用い
た。バッファ層２２として、厚さ５ｎｍのＨｆを用い
た。磁性層２３には、厚さ１０ｎｍのＮｉ−１９ａｔ％
Ｆｅ合金を用いた。反強磁性層２４には、厚さ２ｎｍの
Ｎｉ−５０ａｔ％Ｍｎを用いた。反強磁性層２５には厚
さ８ｎｍのＭｎ−４０ａｔ％Ｉｒを用いた。電極２６に
は、厚さ３００ｎｍのＣｕを用いた。
ズを抑制するための反強磁性材料を用いた磁気抵抗効果
素子を形成した。図６に本発明の磁気抵抗効果素子の膜
構造を示す。図６の基板２１には、ガラス基板を用い
た。バッファ層２２として、厚さ５ｎｍのＨｆを用い
た。磁性層２３には、厚さ１０ｎｍのＮｉ−１９ａｔ％
Ｆｅ合金を用いた。反強磁性層２４には、厚さ２ｎｍの
Ｎｉ−５０ａｔ％Ｍｎを用いた。反強磁性層２５には厚
さ８ｎｍのＭｎ−４０ａｔ％Ｉｒを用いた。電極２６に
は、厚さ３００ｎｍのＣｕを用いた。
【００２８】図７に磁気抵抗効果素子の構造を示す。磁
気抵抗効果素子は、図５で示した磁気抵抗効果膜３１お
よび電極３２で構成されたものが、シールド層３３，３
４で挟まれた構造を有する。本発明の磁気抵抗効果素子
を用いた場合、バルクハウゼンノイズが発生せず、反強
磁性層にＦｅ−Ｍｎを用いた磁気抵抗効果素子と同様な
効果が得られた。
気抵抗効果素子は、図５で示した磁気抵抗効果膜３１お
よび電極３２で構成されたものが、シールド層３３，３
４で挟まれた構造を有する。本発明の磁気抵抗効果素子
を用いた場合、バルクハウゼンノイズが発生せず、反強
磁性層にＦｅ−Ｍｎを用いた磁気抵抗効果素子と同様な
効果が得られた。
【００２９】＜実施例４＞実施例３で述べた磁気抵抗効
果素子を用い、磁気ヘッドを作製した。磁気ヘッドの構
造を以下に示す。図８は、記録再生分離型ヘッドの一部
分を切断した場合の斜視図である。多層磁気抵抗効果膜
４１をシールド層４２，４３で挾んだ部分が再生ヘッド
として働き、コイル４４を挾む下部磁極４５，上部磁極
４６の部分記録ヘッドとして働く。多層磁気抵抗効果膜
４１は実施例３に記載の多層膜からなる。また、電極４
８には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を用い
た。
果素子を用い、磁気ヘッドを作製した。磁気ヘッドの構
造を以下に示す。図８は、記録再生分離型ヘッドの一部
分を切断した場合の斜視図である。多層磁気抵抗効果膜
４１をシールド層４２，４３で挾んだ部分が再生ヘッド
として働き、コイル４４を挾む下部磁極４５，上部磁極
４６の部分記録ヘッドとして働く。多層磁気抵抗効果膜
４１は実施例３に記載の多層膜からなる。また、電極４
８には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を用い
た。
【００３０】以下にこのヘッドの作製方法を示す。Ａｌ
2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体をスライダ用の基板
４７とした。シールド層，記録磁極にはスパッタリング
法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金を用いた。各磁性膜の膜厚
は、以下のようにした。上下のシールド層４２，４３は
１.０μｍ、下部磁極４５，上部磁極４６は３.０μｍ、
各層間のギャップ材としてはスパッタリングで形成した
Ａｌ2Ｏ3を用いた。ギャップ層の膜厚は、シールド層と
磁気抵抗効果素子間で０.２μｍ ，記録磁極間では０.
４μｍ とした。さらに再生ヘッドと記録ヘッドの間隔
は約４μｍとし、このギャップもＡｌ2Ｏ3で形成した。
コイル４４には膜厚３μｍのＣｕを使用した。
2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体をスライダ用の基板
４７とした。シールド層，記録磁極にはスパッタリング
法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金を用いた。各磁性膜の膜厚
は、以下のようにした。上下のシールド層４２，４３は
１.０μｍ、下部磁極４５，上部磁極４６は３.０μｍ、
各層間のギャップ材としてはスパッタリングで形成した
Ａｌ2Ｏ3を用いた。ギャップ層の膜厚は、シールド層と
磁気抵抗効果素子間で０.２μｍ ，記録磁極間では０.
４μｍ とした。さらに再生ヘッドと記録ヘッドの間隔
は約４μｍとし、このギャップもＡｌ2Ｏ3で形成した。
コイル４４には膜厚３μｍのＣｕを使用した。
【００３１】以上述べた構造の磁気ヘッドで記録再生を
行ったところ、バルクハウゼンノイイズを示さず、良好
な再生特性を示した。また、本発明の磁気抵抗効果素子
は、磁気ヘッド以外の磁界検出器にも用いることができ
る。
行ったところ、バルクハウゼンノイイズを示さず、良好
な再生特性を示した。また、本発明の磁気抵抗効果素子
は、磁気ヘッド以外の磁界検出器にも用いることができ
る。
【００３２】＜実施例５＞実施例４で述べた本発明の磁
気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図９に
磁気ディスク装置の構造の概略図を示す。
気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図９に
磁気ディスク装置の構造の概略図を示す。
【００３３】磁気記録媒体５１には、残留磁束密度０.
７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材料
を用いた。磁気ヘッド５３の記録ヘッドのトラック幅は
３μｍ，再生ヘッドのトラック幅は２μｍとした。磁気
ヘッド５３には、再生時にバルクハウゼンノイズを発生
しない実施例４で用いた磁気ヘッドを用いているため、
エラーレートの低い磁気ディスク装置が得られた。
７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材料
を用いた。磁気ヘッド５３の記録ヘッドのトラック幅は
３μｍ，再生ヘッドのトラック幅は２μｍとした。磁気
ヘッド５３には、再生時にバルクハウゼンノイズを発生
しない実施例４で用いた磁気ヘッドを用いているため、
エラーレートの低い磁気ディスク装置が得られた。
【００３４】＜実施例６＞実施例１と同様の方法で、多
層膜を形成した。形成した多層膜の断面構造を図１０に
示す。図１０の基板６１にはＳｉ（１００）単結晶基板
を用いた。バッファ層６２には厚さ５ｎｍのＺｒを用い
た。磁性層６３及び６５には厚さ５ｎｍのＮｉ−１６ａ
ｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏを用いた。非磁性層６４には
厚さ２.５ｎｍのＣｕを用いた。反強磁性層６６，６７
にはそれぞれ厚さ２ｎｍのＮｉ−５０ａｔ％Ｍｎおよび
厚さ８ｎｍのＭｎ−４０ａｔ％Ｉｒ合金を用いた。保護
膜６８には厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。
層膜を形成した。形成した多層膜の断面構造を図１０に
示す。図１０の基板６１にはＳｉ（１００）単結晶基板
を用いた。バッファ層６２には厚さ５ｎｍのＺｒを用い
た。磁性層６３及び６５には厚さ５ｎｍのＮｉ−１６ａ
ｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏを用いた。非磁性層６４には
厚さ２.５ｎｍのＣｕを用いた。反強磁性層６６，６７
にはそれぞれ厚さ２ｎｍのＮｉ−５０ａｔ％Ｍｎおよび
厚さ８ｎｍのＭｎ−４０ａｔ％Ｉｒ合金を用いた。保護
膜６８には厚さ５ｎｍのＺｒを用いた。
【００３５】図１１に多層膜の磁気抵抗効果曲線を示
す。図のように、約２.３％ 程度の磁気抵抗変化率が得
られた。また、多層膜の構造をＸ線回折法により調べた
ところ、多層膜はＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ層，Ｃｕ層の面心立
方構造の強い（１１１）回折ピークがおよび、Ｍｎ−Ｉ
ｒ層，Ｆｅ−Ｍｎ層の面心立方構造の（１１１）回折ピ
ークが観測された。
す。図のように、約２.３％ 程度の磁気抵抗変化率が得
られた。また、多層膜の構造をＸ線回折法により調べた
ところ、多層膜はＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ層，Ｃｕ層の面心立
方構造の強い（１１１）回折ピークがおよび、Ｍｎ−Ｉ
ｒ層，Ｆｅ−Ｍｎ層の面心立方構造の（１１１）回折ピ
ークが観測された。
【００３６】また、本実施例では、バッファ層６２とし
てＺｒを用いたが、周期律表上のIVａ族金属元素，Ｖａ
族金属元素、あるいはこれらを主成分とする合金からな
る非磁性金属であれば、実施例と同様の効果が得られ
る。
てＺｒを用いたが、周期律表上のIVａ族金属元素，Ｖａ
族金属元素、あるいはこれらを主成分とする合金からな
る非磁性金属であれば、実施例と同様の効果が得られ
る。
【００３７】また、本実施例では、非磁性層としてＣｕ
を用いたが、電気抵抗の低いＡｕ，Ａｇを用いても同様
な結果が得られる。しかし、磁性層として３ｄ遷移金属
元素を用いる場合には、磁性層とのフェルミ面のマッチ
ングの観点から、非磁性層はＣｕであることが好まし
い。
を用いたが、電気抵抗の低いＡｕ，Ａｇを用いても同様
な結果が得られる。しかし、磁性層として３ｄ遷移金属
元素を用いる場合には、磁性層とのフェルミ面のマッチ
ングの観点から、非磁性層はＣｕであることが好まし
い。
【００３８】さらに、本実施例では、磁性層としてＮｉ
−Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いたが、他の面心立方構造を有
する磁性層を用いても、実施例と同様な結果が得られ
る。しかし、反強磁性層に接していない磁性層は、軟磁
気特性を示すことが重要であり、磁性層としては、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いることが
好ましい。また、磁性層と非磁性層との界面に、磁性層
の軟磁気特性を劣化させない程度の薄いＣｏ層あるいは
Ｃｏを主成分とするＣｏ合金層を用いることにより、更
に高い磁気抵抗変化率が得られる。
−Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いたが、他の面心立方構造を有
する磁性層を用いても、実施例と同様な結果が得られ
る。しかし、反強磁性層に接していない磁性層は、軟磁
気特性を示すことが重要であり、磁性層としては、Ｎｉ
−Ｆｅ系合金，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いることが
好ましい。また、磁性層と非磁性層との界面に、磁性層
の軟磁気特性を劣化させない程度の薄いＣｏ層あるいは
Ｃｏを主成分とするＣｏ合金層を用いることにより、更
に高い磁気抵抗変化率が得られる。
【００３９】＜実施例７＞実施例６に述べた多層膜を用
い、磁気抵抗効果素子を形成した。構造を図７に示す。
磁気抵抗効果素子は、多層磁気抵抗効果膜３１及び電極
３２をシールド層３３，３４で挟んだ構造を有する。磁
気抵抗効果素子に磁界を印加し、電気抵抗率の変化を測
定したところ、本発明の多層磁気抵抗効果膜を用いた磁
気抵抗効果素子は、２０Ｏｅ程度の印加磁界で約２.３
％ の磁気抵抗変化率を示した。また、本発明の磁気抵
抗効果素子の再生出力は、Ｎｉ−Ｆｅ単層膜を用いた磁
気抵抗効果素子と比較して、２.６ 倍であった。
い、磁気抵抗効果素子を形成した。構造を図７に示す。
磁気抵抗効果素子は、多層磁気抵抗効果膜３１及び電極
３２をシールド層３３，３４で挟んだ構造を有する。磁
気抵抗効果素子に磁界を印加し、電気抵抗率の変化を測
定したところ、本発明の多層磁気抵抗効果膜を用いた磁
気抵抗効果素子は、２０Ｏｅ程度の印加磁界で約２.３
％ の磁気抵抗変化率を示した。また、本発明の磁気抵
抗効果素子の再生出力は、Ｎｉ−Ｆｅ単層膜を用いた磁
気抵抗効果素子と比較して、２.６ 倍であった。
【００４０】＜実施例８＞実施例７で述べた磁気抵抗効
果素子を用い、磁気ヘッドを作製した。磁気ヘッドの構
造を図８に示す。記録再生分離型ヘッドの一部分を切断
した場合の斜視図である。多層磁気抵抗効果膜４１をシ
ールド層４２，４３で挾んだ部分が再生ヘッドとして働
き、コイル４４を挾む下部磁極４５，上部磁極４６の部
分が記録ヘッドとして働く。多層磁気抵抗効果膜４１は
実施例６に記載の多層膜からなる。また、電極４８に
は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を用いた。
ヘッドの作製方法については、実施例４で述べた方法と
同じである。
果素子を用い、磁気ヘッドを作製した。磁気ヘッドの構
造を図８に示す。記録再生分離型ヘッドの一部分を切断
した場合の斜視図である。多層磁気抵抗効果膜４１をシ
ールド層４２，４３で挾んだ部分が再生ヘッドとして働
き、コイル４４を挾む下部磁極４５，上部磁極４６の部
分が記録ヘッドとして働く。多層磁気抵抗効果膜４１は
実施例６に記載の多層膜からなる。また、電極４８に
は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を用いた。
ヘッドの作製方法については、実施例４で述べた方法と
同じである。
【００４１】以上述べた構造の磁気ヘッドで記録再生を
行ったところ、Ｎｉ−Ｆｅの単層膜を用いた磁気ヘッド
と比較して、２.６ 倍高い再生出力を得た。これは、本
発明の磁気ヘッドに、高い磁気抵抗効果を示す多層膜を
用いたためであると考えられる。
行ったところ、Ｎｉ−Ｆｅの単層膜を用いた磁気ヘッド
と比較して、２.６ 倍高い再生出力を得た。これは、本
発明の磁気ヘッドに、高い磁気抵抗効果を示す多層膜を
用いたためであると考えられる。
【００４２】また、本発明の磁気抵抗効果素子は、磁気
ヘッド以外の磁界検出器にも用いることができる。
ヘッド以外の磁界検出器にも用いることができる。
【００４３】＜実施例９＞実施例８で述べた本発明の磁
気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図９に
磁気ディスク装置の構造の概略図を示す。
気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図９に
磁気ディスク装置の構造の概略図を示す。
【００４４】磁気記録媒体５１には、残留磁束密度０.
７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材料
を用いた。磁気ヘッド５３の記録ヘッドのトラック幅は
３μｍ、再生ヘッドのトラック幅は２μｍとした。磁気
ヘッド５３における磁気抵抗効果素子は、従来のパーマ
ロイ単層膜を用いた磁気抵抗効果素子の約２.６ 倍の出
力を示すため、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高
い磁気ディスク装置を作製することができる。本発明の
磁気ヘッドは、特に１Ｇｂ／ｉｎ2 以上の記録密度を有
する磁気記録再生装置に有効である。また、１０Ｇｂ／
ｉｎ2 以上の記録密度を有する磁気記録再生装置には、
必須であると考えられる。
７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材料
を用いた。磁気ヘッド５３の記録ヘッドのトラック幅は
３μｍ、再生ヘッドのトラック幅は２μｍとした。磁気
ヘッド５３における磁気抵抗効果素子は、従来のパーマ
ロイ単層膜を用いた磁気抵抗効果素子の約２.６ 倍の出
力を示すため、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高
い磁気ディスク装置を作製することができる。本発明の
磁気ヘッドは、特に１Ｇｂ／ｉｎ2 以上の記録密度を有
する磁気記録再生装置に有効である。また、１０Ｇｂ／
ｉｎ2 以上の記録密度を有する磁気記録再生装置には、
必須であると考えられる。
【００４５】
【発明の効果】磁性層に反強磁性層が接した磁気抵抗効
果膜において、反強磁性層として、２層の異なる反強磁
性材料を用いることにより、耐熱性，耐食性に優れ、磁
性層と反強磁性層とが強く交換結合する磁気抵抗効果膜
を容易に作製できる。磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗
効果素子は、バルクハウゼンノイズを示さない。また、
二つの磁性層を非磁性層で分割し、一方の磁性層と反強
磁性層とが接しており、非磁性層で分割された磁性層の
磁化の相対的な向きにより磁気抵抗効果が生じる磁気抵
抗効果膜にも、この方法を応用することができる。磁気
抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果素子は、低磁界で高い
磁気抵抗変化を有する。さらに、磁気抵抗効果素子は、
磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適である。磁気ヘッド
を用いることにより、高性能磁気記録再生装置を得るこ
とができる。
果膜において、反強磁性層として、２層の異なる反強磁
性材料を用いることにより、耐熱性，耐食性に優れ、磁
性層と反強磁性層とが強く交換結合する磁気抵抗効果膜
を容易に作製できる。磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗
効果素子は、バルクハウゼンノイズを示さない。また、
二つの磁性層を非磁性層で分割し、一方の磁性層と反強
磁性層とが接しており、非磁性層で分割された磁性層の
磁化の相対的な向きにより磁気抵抗効果が生じる磁気抵
抗効果膜にも、この方法を応用することができる。磁気
抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果素子は、低磁界で高い
磁気抵抗変化を有する。さらに、磁気抵抗効果素子は、
磁界センサ，磁気ヘッドなどに好適である。磁気ヘッド
を用いることにより、高性能磁気記録再生装置を得るこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例の磁気抵抗効果膜の構造を示
す断面図。
す断面図。
【図２】Ｍｎ−Ｉｒ／Ｆｅ−Ｍｎ／Ｎｉ−Ｆｅ３層膜の
磁化特性図。
磁化特性図。
【図３】Ｍｎ−Ｉｒ／Ｆｅ−Ｍｎ／Ｎｉ−Ｆｅ３層膜の
Ｘ線回折特性図。
Ｘ線回折特性図。
【図４】Ｍｎ−Ｉｒ／Ｆｅ−Ｍｎ／Ｎｉ−Ｆｅ３層膜に
おける、Ｆｅ−Ｍｎ層厚に対する結合磁界の変化の説明
図。
おける、Ｆｅ−Ｍｎ層厚に対する結合磁界の変化の説明
図。
【図５】Ｍｎ−Ｉｒ／Ｎｉ−Ｍｎ／Ｎｉ−Ｆｅ３層膜の
磁化特性図。
磁化特性図。
【図６】本発明の一実施例の磁気抵抗効果素子の膜の断
面図。
面図。
【図７】本発明の一実施例の磁気抵抗効果素子の斜視
図。
図。
【図８】本発明の一実施例の磁気ヘッドの斜視図。
【図９】本発明の一実施例の磁気ディスク装置の断面
図。
図。
【図１０】本発明の一実施例の多層磁気抵抗効果膜の断
面図。
面図。
【図１１】本発明の一実施例の多層磁気抵抗効果膜の磁
気抵抗効果特性図。
気抵抗効果特性図。
１１…基板、１２…バッファ層、１３…磁性層、１４，
１５…反強磁性層、１６…保護層。
１５…反強磁性層、１６…保護層。
Claims (13)
- 【請求項１】磁性層に反強磁性層が接し、上記磁性層の
磁化の向きと膜に流れる電流方向との相対的な向きによ
り磁気抵抗効果が生じる磁気抵抗効果膜において、上記
反強磁性層が２層の異なる反強磁性材料からなることを
特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項２】複数層の磁性層を非磁性層で分割し、少な
くとも１層の磁性層が反強磁性層に接しており、少なく
とも１層の磁性層が反強磁性層に接していない多層膜を
用いた磁気抵抗効果膜であり、上記非磁性層で分割され
た上記磁性層の磁化の相対的な向きにより、磁気抵抗効
果が生じる磁気抵抗効果膜において、上記反強磁性層が
２層の異なる反強磁性材料からなることを特徴とする磁
気抵抗効果膜。 - 【請求項３】請求項１または２において、上記２層の異
なる反強磁性材料のうち、磁性層に接していない側の反
強磁性層が、Ｍｎ−Ｉｒを主成分とする合金からなる磁
気抵抗効果膜。 - 【請求項４】請求項３において、上記２層の異なる反強
磁性材料のうち、磁性層に接している側の反強磁性層
は、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒから選ばれる金属とＭｎと
の合金を主成分とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４に記載の上記磁
気抵抗効果膜が面心立方構造を有し、（１１１）配向し
ている磁気抵抗効果膜。 - 【請求項６】請求項５において、上記磁性層に接した上
記反強磁性層の格子定数が、磁性層の格子定数と、磁性
層に接していない反強磁性層の格子定数の中間の値であ
る磁気抵抗効果膜。 - 【請求項７】請求項４または５において、上記２層の異
なる反強磁性材料のうち、磁性層に接している側の反強
磁性層の膜厚が２ｎｍ以下である磁気抵抗効果膜。 - 【請求項８】請求項３において、上記２層の異なる反強
磁性材料のうち、磁性層に接している側の反強磁性層
が、Ｎｉ−Ｍｎ，Ｃｒ−Ｍｎを主成分とする合金からな
る磁気抵抗効果膜。 - 【請求項９】請求項１，２，３，４，５，６，７または
８において、上記磁性層の少なくとも一部がＮｉ−Ｆｅ
系合金あるいはＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金である磁気抵抗
効果膜。 - 【請求項１０】請求項１，２，３，４，５，６，７，８
または９に記載の上記磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗
効果素子。 - 【請求項１１】請求項１０に記載の上記磁気抵抗効果素
子を少なくとも一部に用いた磁気ヘッド。 - 【請求項１２】請求項１０に記載の上記磁気抵抗効果素
子と上記誘導型磁気ヘッドとを組み合わせた磁気ヘッ
ド。 - 【請求項１３】請求項１２または１３に記載の上記磁気
ヘッドを用いた磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19941795A JPH0950612A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気抵抗効果膜，磁気抵抗効果素子，磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19941795A JPH0950612A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気抵抗効果膜，磁気抵抗効果素子，磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950612A true JPH0950612A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16407463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19941795A Pending JPH0950612A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 磁気抵抗効果膜，磁気抵抗効果素子，磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950612A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980042427A (ko) * | 1996-11-18 | 1998-08-17 | 다까노야스아끼 | 자기 저항 효과막 |
| US6083632A (en) * | 1997-01-08 | 2000-07-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof |
| US6178073B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-01-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element with a fixing layer formed from a superlattice of at least two different materials and production method of the same |
| US6597547B1 (en) | 1997-09-29 | 2003-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device with an α-Fe2O3 antiferromagnetic film and indirect exchange coupling film layers of differing thickness |
| US6896975B2 (en) | 2002-01-04 | 2005-05-24 | International Business Machines Corporation | Spin-valve sensor with pinning layers comprising multiple antiferromagnetic films |
| US7119998B2 (en) | 2000-07-11 | 2006-10-10 | Alps Electric Co., Ltd. | Exchange coupling film and magnetoresistive element using the same |
| CN100369121C (zh) * | 2005-03-28 | 2008-02-13 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法 |
| CN100380448C (zh) * | 1997-04-03 | 2008-04-09 | 株式会社东芝 | 磁阻效应元件、磁头和磁存储装置 |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP19941795A patent/JPH0950612A/ja active Pending
Cited By (10)
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| US7218487B2 (en) | 2000-07-11 | 2007-05-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Exchange coupling film and magnetoresistive element using the same |
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| CN100369121C (zh) * | 2005-03-28 | 2008-02-13 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法 |
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