JPH09185813A - 磁束誘導式の対型磁気抵抗ヘッド組立体 - Google Patents
磁束誘導式の対型磁気抵抗ヘッド組立体Info
- Publication number
- JPH09185813A JPH09185813A JP30324996A JP30324996A JPH09185813A JP H09185813 A JPH09185813 A JP H09185813A JP 30324996 A JP30324996 A JP 30324996A JP 30324996 A JP30324996 A JP 30324996A JP H09185813 A JPH09185813 A JP H09185813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetoresistive head
- magnetic flux
- head
- paired
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 対型磁気抵抗ヘッドの使用時における電気短
絡の発生および磁気抵抗フィルムの長期腐食を防止した
対型磁気抵抗ヘッドの提供が必要である。 【解決手段】 磁気抵抗ヘッド組立体であって、第１お
よび第２磁気抵抗素子３０、３２ならびに両磁気抵抗素
子間に配置される第１電気絶縁スペーサ３４を備える対
型磁気抵抗ヘッドと、高透磁性材料よりなる磁束誘導部
材であって、磁性媒体に非常に近く配置される第１端
と、第１端および磁性媒体から間隔を置かれる第２端と
を有する磁束誘導部材３８、４０と、磁束誘導部材の第
２端と対型磁気抵抗ヘッドとの間に配置される第２電気
絶縁スペーサ３６と、を具備し、対型磁気抵抗ヘッドは
磁性媒体から間隔を置かれ、また磁束誘導部材は磁束を
磁性媒体から対型磁気抵抗ヘッドに導き、磁気抵抗ヘッ
ドを通過させる。
絡の発生および磁気抵抗フィルムの長期腐食を防止した
対型磁気抵抗ヘッドの提供が必要である。 【解決手段】 磁気抵抗ヘッド組立体であって、第１お
よび第２磁気抵抗素子３０、３２ならびに両磁気抵抗素
子間に配置される第１電気絶縁スペーサ３４を備える対
型磁気抵抗ヘッドと、高透磁性材料よりなる磁束誘導部
材であって、磁性媒体に非常に近く配置される第１端
と、第１端および磁性媒体から間隔を置かれる第２端と
を有する磁束誘導部材３８、４０と、磁束誘導部材の第
２端と対型磁気抵抗ヘッドとの間に配置される第２電気
絶縁スペーサ３６と、を具備し、対型磁気抵抗ヘッドは
磁性媒体から間隔を置かれ、また磁束誘導部材は磁束を
磁性媒体から対型磁気抵抗ヘッドに導き、磁気抵抗ヘッ
ドを通過させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広くは、磁界を感
知するためのヘッドに関し、特に、ヘッド媒体インタフ
ェースより間隔を置いて配置され、また高透磁性磁束誘
導部材を有する対型磁気抵抗素子（ＰＭＲ）ヘッドに関
する。高透磁性磁束誘導部材は磁束をヘッド媒体境界面
から対型磁気抵抗素子ヘッドに導き対型磁気抵抗素子ヘ
ッドを通過させる。
知するためのヘッドに関し、特に、ヘッド媒体インタフ
ェースより間隔を置いて配置され、また高透磁性磁束誘
導部材を有する対型磁気抵抗素子（ＰＭＲ）ヘッドに関
する。高透磁性磁束誘導部材は磁束をヘッド媒体境界面
から対型磁気抵抗素子ヘッドに導き対型磁気抵抗素子ヘ
ッドを通過させる。
【０００２】
【従来の技術】図１および図２に示すように、従来の対
型磁気抵抗素子（ＰＭＲ）ヘッド（たとえば、米国特許
第３，８６０，９６５号に開示）は、整合された（マッ
チングのとられた）対の磁気抵抗（ＭＲ）素子１０、１
２（たとえばＮｉＦｅ）を備え、磁気抵抗素子１０、１
２は、基板１３上に互いに隣接して並んで形成され、薄
い絶縁ギャップスペーサ材１４によって分離される。Ｐ
ＭＲヘッドは磁性媒体１５と連係する。各ＭＲ素子１
０、１２の一端を、他方の素子に電気的に短絡させ（図
２）、３個の端子を有するデバイスを形成することがで
きる。この３端子デバイスにおいては、ひとつの端子１
６は両方のＭＲ素子１０、１２に共通であり、他の二つ
の端子１８、２０は素子１０、１２の他端にあり電流Ｉ
／２を供給される。このＰＭＲセンサの場合は、センス
電流は素子１０、１２中を平行に、共通端子１６に向か
って、または共通端子１６から流れる。このようなＰＭ
Ｒセンサは自己バイアスされ、それは各ＭＲ素子１０、
１２中の電流から生じる磁界が他方の素子に横のバイア
スをかける磁界を提供するためである。電界は、大きさ
が等しく方向が反対であるので、磁気バイアスの極性は
二つのＭＲ素子１０、１２では反対である。したがっ
て、コモンモード（均一）信号界に応じて、これらの抵
抗は反対に変化する。ＰＭＲセンサの二つの非接続端子
１８、２０における電圧が、差分として感知されると、
素子１０、１２の温度の変動に起因する個々の電圧変化
が差分検出によって相殺される。（二つのＭＲ素子１
０、１２はこのように互いに極めて近接しているので、
温度もほとんど等しいはずである。）このような温度変
動は、非接触記録アプリケーション（たとえば、テー
プ、カードの少なくとも一方の読み取り装置ヘッド）に
おいて特に大きい。この温度変動は、断続的なヘッドと
媒体との接触から発生する不連続なＭＲ素子から媒体へ
の熱流、および媒体吸引物がヘッド表面を擦ることによ
り生じる摩擦熱に由来する。また、偶数次の非線形ひず
み信号も、各素子１０、１２について大きさおよび極性
が等しいので、差分検出方式を使用する場合は相殺され
る。したがって、自己バイアスされるだけでなく、ＰＭ
Ｒヘッドは、ただひとつの磁界検出に対してただひとつ
のＭＲ素子を使用するＭＲ素子ヘッドに比較して、熱誘
導ノイズが大幅に減少されるので、より大きい線形ダイ
ナミックレンジを有する。
型磁気抵抗素子（ＰＭＲ）ヘッド（たとえば、米国特許
第３，８６０，９６５号に開示）は、整合された（マッ
チングのとられた）対の磁気抵抗（ＭＲ）素子１０、１
２（たとえばＮｉＦｅ）を備え、磁気抵抗素子１０、１
２は、基板１３上に互いに隣接して並んで形成され、薄
い絶縁ギャップスペーサ材１４によって分離される。Ｐ
ＭＲヘッドは磁性媒体１５と連係する。各ＭＲ素子１
０、１２の一端を、他方の素子に電気的に短絡させ（図
２）、３個の端子を有するデバイスを形成することがで
きる。この３端子デバイスにおいては、ひとつの端子１
６は両方のＭＲ素子１０、１２に共通であり、他の二つ
の端子１８、２０は素子１０、１２の他端にあり電流Ｉ
／２を供給される。このＰＭＲセンサの場合は、センス
電流は素子１０、１２中を平行に、共通端子１６に向か
って、または共通端子１６から流れる。このようなＰＭ
Ｒセンサは自己バイアスされ、それは各ＭＲ素子１０、
１２中の電流から生じる磁界が他方の素子に横のバイア
スをかける磁界を提供するためである。電界は、大きさ
が等しく方向が反対であるので、磁気バイアスの極性は
二つのＭＲ素子１０、１２では反対である。したがっ
て、コモンモード（均一）信号界に応じて、これらの抵
抗は反対に変化する。ＰＭＲセンサの二つの非接続端子
１８、２０における電圧が、差分として感知されると、
素子１０、１２の温度の変動に起因する個々の電圧変化
が差分検出によって相殺される。（二つのＭＲ素子１
０、１２はこのように互いに極めて近接しているので、
温度もほとんど等しいはずである。）このような温度変
動は、非接触記録アプリケーション（たとえば、テー
プ、カードの少なくとも一方の読み取り装置ヘッド）に
おいて特に大きい。この温度変動は、断続的なヘッドと
媒体との接触から発生する不連続なＭＲ素子から媒体へ
の熱流、および媒体吸引物がヘッド表面を擦ることによ
り生じる摩擦熱に由来する。また、偶数次の非線形ひず
み信号も、各素子１０、１２について大きさおよび極性
が等しいので、差分検出方式を使用する場合は相殺され
る。したがって、自己バイアスされるだけでなく、ＰＭ
Ｒヘッドは、ただひとつの磁界検出に対してただひとつ
のＭＲ素子を使用するＭＲ素子ヘッドに比較して、熱誘
導ノイズが大幅に減少されるので、より大きい線形ダイ
ナミックレンジを有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＰＭＲヘッド
が機能するためには、二つのＭＲ素子が、共通端子から
離れたＭＲ素子のトラック幅に沿っていずれの箇所にお
いても互いに電気的に絶縁されて保持されることが必要
である。非接触記録アプリケーション（たとえば、テー
プヘッド）の場合、ＰＭＲヘッドと媒体との摩擦によっ
て、比較的柔軟な磁気抵抗材料（たとえば、ＮｉＦｅ）
のスミヤリングが薄い絶縁ギャップの全域で発生し、Ｐ
ＭＲ全域に短絡回路が生成し、このような差分検出装置
が機能不能となる。同様に、ヘッド−媒体境界面におけ
る水分、異物、電気化学的過程のいずれかひとつによっ
て、ＰＭＲの作動中のトラック幅の全域または一部に最
後には電気短絡が形成される。また、ＰＭＲの物理端を
ヘッド−媒体境界面において外部環境に曝すと、ＰＭＲ
ヘッドを構成する非常に薄い磁気抵抗フィルムの長期腐
食の可能性の危険を冒すことになる。したがって、公知
の対型磁気抵抗素子ヘッドに関するこれらの問題を解決
する必要がある。
が機能するためには、二つのＭＲ素子が、共通端子から
離れたＭＲ素子のトラック幅に沿っていずれの箇所にお
いても互いに電気的に絶縁されて保持されることが必要
である。非接触記録アプリケーション（たとえば、テー
プヘッド）の場合、ＰＭＲヘッドと媒体との摩擦によっ
て、比較的柔軟な磁気抵抗材料（たとえば、ＮｉＦｅ）
のスミヤリングが薄い絶縁ギャップの全域で発生し、Ｐ
ＭＲ全域に短絡回路が生成し、このような差分検出装置
が機能不能となる。同様に、ヘッド−媒体境界面におけ
る水分、異物、電気化学的過程のいずれかひとつによっ
て、ＰＭＲの作動中のトラック幅の全域または一部に最
後には電気短絡が形成される。また、ＰＭＲの物理端を
ヘッド−媒体境界面において外部環境に曝すと、ＰＭＲ
ヘッドを構成する非常に薄い磁気抵抗フィルムの長期腐
食の可能性の危険を冒すことになる。したがって、公知
の対型磁気抵抗素子ヘッドに関するこれらの問題を解決
する必要がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によって、先行技
術のＰＭＲヘッドに関する前述の問題が解決される。本
発明のひとつの実施態様によって、ヘッド−磁性媒体境
界面から間隔を置いて配置され、またいかなるときでも
外部環境に曝露されないように絶縁材料被膜で取り囲ん
で不活性化されるＰＭＲヘッドが提供される。過剰の間
隔損失および間隔を置いて配置されるＰＭＲ素子ヘッド
の線形再生解像度の劣化を防止するために、高透磁性磁
束誘導部材を使用して磁束をヘッド−媒体境界面からＰ
ＭＲに導き、次いでＰＭＲを通過させる。ＰＭＲヘッド
の利点は、線形性の増大および熱誘導ノイズの排除を含
めて、本発明に基づく磁束誘導式ＰＭＲヘッドよって完
全に実現される。
術のＰＭＲヘッドに関する前述の問題が解決される。本
発明のひとつの実施態様によって、ヘッド−磁性媒体境
界面から間隔を置いて配置され、またいかなるときでも
外部環境に曝露されないように絶縁材料被膜で取り囲ん
で不活性化されるＰＭＲヘッドが提供される。過剰の間
隔損失および間隔を置いて配置されるＰＭＲ素子ヘッド
の線形再生解像度の劣化を防止するために、高透磁性磁
束誘導部材を使用して磁束をヘッド−媒体境界面からＰ
ＭＲに導き、次いでＰＭＲを通過させる。ＰＭＲヘッド
の利点は、線形性の増大および熱誘導ノイズの排除を含
めて、本発明に基づく磁束誘導式ＰＭＲヘッドよって完
全に実現される。
【０００５】
【発明の実施の形態】図５および図６に、本発明による
一実施形態を示す。図に示すように、ＰＭＲヘッド２８
は、絶縁スペーサ３４で分離されるＭＲ素子３０および
３２を備える。ＭＲ素子３２は、絶縁スペーサ３６によ
って、高透磁性磁束誘導部材３８および４０から分離さ
れる。組立体全体が、非磁性基板４２上に形成される。
不活性化層４３は、全構成素子を被覆し、外部環境から
保護する。したがって、水分および腐食に起因するフィ
ルムＭＲ素子３０、３２の劣化が防止される。ＰＭＲヘ
ッド２８は、磁性媒体１５から間隔ｈだけ間隔を置いて
配置される。ＭＲ素子３０、３２の厚さはｔ、高さはＬ
である。スペーサ３４は厚さｇであり、また素子３２と
磁束誘導部材３８、４０との間のスペーサ３６の厚さは
Ｇである。磁束誘導部材３８、４０の厚さはＴである。
ＰＭＲ２８は、間隔ｄだけ磁束誘導部材３８、４０と部
分的に重なり合う。
一実施形態を示す。図に示すように、ＰＭＲヘッド２８
は、絶縁スペーサ３４で分離されるＭＲ素子３０および
３２を備える。ＭＲ素子３２は、絶縁スペーサ３６によ
って、高透磁性磁束誘導部材３８および４０から分離さ
れる。組立体全体が、非磁性基板４２上に形成される。
不活性化層４３は、全構成素子を被覆し、外部環境から
保護する。したがって、水分および腐食に起因するフィ
ルムＭＲ素子３０、３２の劣化が防止される。ＰＭＲヘ
ッド２８は、磁性媒体１５から間隔ｈだけ間隔を置いて
配置される。ＭＲ素子３０、３２の厚さはｔ、高さはＬ
である。スペーサ３４は厚さｇであり、また素子３２と
磁束誘導部材３８、４０との間のスペーサ３６の厚さは
Ｇである。磁束誘導部材３８、４０の厚さはＴである。
ＰＭＲ２８は、間隔ｄだけ磁束誘導部材３８、４０と部
分的に重なり合う。
【０００６】Ｇ＞ｇおよびｄ≦（ＢSＧｔ／４Ｈk）1/2
（前式において、ＢSはＭＲ素子３０、３２の飽和磁束
密度、Ｈkは誘導一軸異方性フィールドである）の場合
は、磁束誘導式ＰＭＲのバイアス磁化分布は、従来のＰ
ＭＲのバイアス磁化分布から、有意に摂動されない。こ
れに反して、ｄ≧（ＢSＧｔ／４Ｈk）1/2が成立する場
合は、磁束誘導部材３８、４０とＰＭＲ２８との間でか
なり良好な磁束結合が確実になり、ヘッド効率が維持さ
れる。したがって、簡単な基準Ｇ＞ｇおよびｄ＝（ＢS
Ｇｔ／４Ｈk）1/2がＰＭＲ−磁束誘導部材ギャップＧ、
および部分的重なり合い長さｄに対する合理的なデザイ
ンルールである。ギャップ間隔Ｇおよびｇの値は、通
常、制約内で実用的な限り小さく選択する必要があり、
その場合の制約条件は組立工程によってＭＲ素子３０、
３２間およびＰＭＲ２８と磁束誘導部材３８、４０との
間の電気絶縁維持が確実に維持されることである。ま
た、磁束誘導部材３８、４０によるＰＭＲの過剰な磁束
分路を避けるために、ｄ／Ｌ≦１／４となるように、重
なり合いの長さｄを制約することが通常は最善である。
最後に、磁束誘導部材３８、４０の全体の磁気厚さＴは
（特に、下側磁束誘導部材３８の場合は）、Ｔが再生を
希望する最小記録波長の２分の１以下であるように選択
する必要がある。
（前式において、ＢSはＭＲ素子３０、３２の飽和磁束
密度、Ｈkは誘導一軸異方性フィールドである）の場合
は、磁束誘導式ＰＭＲのバイアス磁化分布は、従来のＰ
ＭＲのバイアス磁化分布から、有意に摂動されない。こ
れに反して、ｄ≧（ＢSＧｔ／４Ｈk）1/2が成立する場
合は、磁束誘導部材３８、４０とＰＭＲ２８との間でか
なり良好な磁束結合が確実になり、ヘッド効率が維持さ
れる。したがって、簡単な基準Ｇ＞ｇおよびｄ＝（ＢS
Ｇｔ／４Ｈk）1/2がＰＭＲ−磁束誘導部材ギャップＧ、
および部分的重なり合い長さｄに対する合理的なデザイ
ンルールである。ギャップ間隔Ｇおよびｇの値は、通
常、制約内で実用的な限り小さく選択する必要があり、
その場合の制約条件は組立工程によってＭＲ素子３０、
３２間およびＰＭＲ２８と磁束誘導部材３８、４０との
間の電気絶縁維持が確実に維持されることである。ま
た、磁束誘導部材３８、４０によるＰＭＲの過剰な磁束
分路を避けるために、ｄ／Ｌ≦１／４となるように、重
なり合いの長さｄを制約することが通常は最善である。
最後に、磁束誘導部材３８、４０の全体の磁気厚さＴは
（特に、下側磁束誘導部材３８の場合は）、Ｔが再生を
希望する最小記録波長の２分の１以下であるように選択
する必要がある。
【０００７】図７に示すように、磁束誘導部材３８、４
０に由来するバルクハウゼンノイズの可能性を減少また
は排除するために、磁束誘導部材を非常に薄い非磁性層
５２によって分離される複数の磁性材料層５０より構成
される積層フィルムとして配置することができる。
０に由来するバルクハウゼンノイズの可能性を減少また
は排除するために、磁束誘導部材を非常に薄い非磁性層
５２によって分離される複数の磁性材料層５０より構成
される積層フィルムとして配置することができる。
【０００８】図３および図４に、ＰＭＲ２８に関する二
つの基本的検出機構の簡略化した電気回路図を示す。図
３においては、ＭＲ素子３０、３２は電源６０、６２を
有する整合された電源回路中にあり、これらの電源によ
って電流Ｉ／２がＭＲ素子３０、３２にそれぞれ供給さ
れる。素子３０、３２の一端は接地６６に接続され、一
方、素子３０、３２の他端は出力端子Ｖout６４に接続
される。ＭＲ素子３０、３２が完全に整合されている場
合は、この回路は（原理的に）熱誘導ノイズおよび偶数
次の非線形ひずみ（ＭＲ素子の磁気飽和が全くないと仮
定して）を完全に相殺できる。
つの基本的検出機構の簡略化した電気回路図を示す。図
３においては、ＭＲ素子３０、３２は電源６０、６２を
有する整合された電源回路中にあり、これらの電源によ
って電流Ｉ／２がＭＲ素子３０、３２にそれぞれ供給さ
れる。素子３０、３２の一端は接地６６に接続され、一
方、素子３０、３２の他端は出力端子Ｖout６４に接続
される。ＭＲ素子３０、３２が完全に整合されている場
合は、この回路は（原理的に）熱誘導ノイズおよび偶数
次の非線形ひずみ（ＭＲ素子の磁気飽和が全くないと仮
定して）を完全に相殺できる。
【０００９】図４においては、ＭＲ素子３０、３２は、
整合された抵抗７０、７２を含むブリッジ回路中にあ
る。ブリッジ回路は、直流電源（Ｖs）７４および接地
７８に接続される。ブリッジ回路の出力Ｖoutは端子７
６である。この回路は、一次までの抵抗変化ΔＲ／Ｒを
相殺できる。しかし、変化が小さくΔＲ／Ｒ＜２％であ
り、実際の装置では不可避な不整合である場合は、全部
でないとしても、ほとんどすべてのアプリケーションに
関して、ブリッジ検出は十分可能である。
整合された抵抗７０、７２を含むブリッジ回路中にあ
る。ブリッジ回路は、直流電源（Ｖs）７４および接地
７８に接続される。ブリッジ回路の出力Ｖoutは端子７
６である。この回路は、一次までの抵抗変化ΔＲ／Ｒを
相殺できる。しかし、変化が小さくΔＲ／Ｒ＜２％であ
り、実際の装置では不可避な不整合である場合は、全部
でないとしても、ほとんどすべてのアプリケーションに
関して、ブリッジ検出は十分可能である。
【００１０】図５および図６に示す本発明の実施形態
は、低ないし中記録密度（たとえば、≦１０ｋＦＣＩ）
に関係する非接触アプリケーションに対して最も良く適
用できる。この実施形態は、低モーメント磁性媒体に特
に適合し、それはＭＲ再生ヘッドの高固有感度（ヘッド
媒体速度と無関係な）およびＰＭＲの設計に固有の前記
の熱誘導ノイズに対する感度欠如のためである。前記の
設計基準を組立に実際に有用な結合構造に適合させるた
めに、ＰＭＲの高さＬは、大体においてＬ≧４Δの条件
を満足することとなり、この場合Δ＝（ＢSｇｔ／４
Ｈk）1/2である。下側磁束誘導部材の喉部の高さｈは、
ヘッドの寿命（磨損を考慮して）、または所定のゼロで
ない喉部の高さの実現のための組立公差に関するヘッド
の性能および製作の両面の強靭性のいずれかによって決
定される。本発明による磁束誘導式ＰＭＲヘッドの直線
解像度は、磁性媒体中のただ１個の記録磁気移行（ビッ
ト）に由来する再生信号のパルス幅によって測定され、
主として、ｈ＋Ｌの合計値によって制約される。すなわ
ち、ｈ＋Ｌが減少するほど、直線解像度が増加する。僅
かではあるが、解像度は上側磁束誘導部材の高さが増大
するほど低下し、上側磁束誘導部材もヘッドの再生感度
の増加において下側磁束誘導部材より小さいが類似の役
割を果たす。したがって、再生感度を過度に損なうこと
なく、直線解像度を増加させるために、上側磁束誘導部
材４０を除去して、図５および６に示す本発明の実施形
態の代案とすることができる。
は、低ないし中記録密度（たとえば、≦１０ｋＦＣＩ）
に関係する非接触アプリケーションに対して最も良く適
用できる。この実施形態は、低モーメント磁性媒体に特
に適合し、それはＭＲ再生ヘッドの高固有感度（ヘッド
媒体速度と無関係な）およびＰＭＲの設計に固有の前記
の熱誘導ノイズに対する感度欠如のためである。前記の
設計基準を組立に実際に有用な結合構造に適合させるた
めに、ＰＭＲの高さＬは、大体においてＬ≧４Δの条件
を満足することとなり、この場合Δ＝（ＢSｇｔ／４
Ｈk）1/2である。下側磁束誘導部材の喉部の高さｈは、
ヘッドの寿命（磨損を考慮して）、または所定のゼロで
ない喉部の高さの実現のための組立公差に関するヘッド
の性能および製作の両面の強靭性のいずれかによって決
定される。本発明による磁束誘導式ＰＭＲヘッドの直線
解像度は、磁性媒体中のただ１個の記録磁気移行（ビッ
ト）に由来する再生信号のパルス幅によって測定され、
主として、ｈ＋Ｌの合計値によって制約される。すなわ
ち、ｈ＋Ｌが減少するほど、直線解像度が増加する。僅
かではあるが、解像度は上側磁束誘導部材の高さが増大
するほど低下し、上側磁束誘導部材もヘッドの再生感度
の増加において下側磁束誘導部材より小さいが類似の役
割を果たす。したがって、再生感度を過度に損なうこと
なく、直線解像度を増加させるために、上側磁束誘導部
材４０を除去して、図５および６に示す本発明の実施形
態の代案とすることができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によって、磁気抵抗材料のスミヤ
リング発生による短絡回路形成、ヘッド−媒体境界面に
おける水分、異物、電気化学的過程による電気短絡回路
の形成、および外部環境による磁気抵抗フィルムの長期
腐食の問題を解決したＰＭＲヘッドが提供される。
リング発生による短絡回路形成、ヘッド−媒体境界面に
おける水分、異物、電気化学的過程による電気短絡回路
の形成、および外部環境による磁気抵抗フィルムの長期
腐食の問題を解決したＰＭＲヘッドが提供される。
【図１】 従来のＰＭＲヘッドの部分側面図である。
【図２】 従来のＰＭＲヘッドの部分正面図である。
【図３】 従来のＰＭＲヘッドの検出機構の概略図であ
る。
る。
【図４】 従来のＰＭＲヘッドの検出機構の概略図であ
る。
る。
【図５】 本発明による一実施形態の部分側面図であ
る。
る。
【図６】 本発明による一実施形態の部分正面図であ
る。
る。
【図７】 本発明による磁束誘導部材の構造を示す部分
斜視図である。
斜視図である。
１０，１２，３０，３２ 磁気抵抗素子（ＭＲ）、１３
基板、１４ 絶縁ギャップスペーサ、１５ 磁性媒
体、１６ ＭＲ共通端子、１８，２０ ＭＲ端子、２８
対型磁気抵抗素子（ＰＭＲ）、３４，３６ 絶縁スペ
ーサ、３８，４０高透磁性磁束誘導部材、４２ 非磁性
基板、４３ 不活性化層、５０ 磁性材料層、５２ 非
磁性層、６０，６２ 電源、６４，７６ 出力端子、６
６，７８接地、７０，７２ 抵抗、７４ 直流電源。
基板、１４ 絶縁ギャップスペーサ、１５ 磁性媒
体、１６ ＭＲ共通端子、１８，２０ ＭＲ端子、２８
対型磁気抵抗素子（ＰＭＲ）、３４，３６ 絶縁スペ
ーサ、３８，４０高透磁性磁束誘導部材、４２ 非磁性
基板、４３ 不活性化層、５０ 磁性材料層、５２ 非
磁性層、６０，６２ 電源、６４，７６ 出力端子、６
６，７８接地、７０，７２ 抵抗、７４ 直流電源。
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗ヘッド組立体であって、 第１および第２磁気抵抗素子を備え、これら両素子間に
第１電気絶縁スペーサが配置される構造を有する対型磁
気抵抗ヘッドと、 高透磁性材料よりなる磁束誘導部材であって、磁性媒体
に非常に近く配置される第１端と、その第１端から間隔
を置かれる第２端と、前記磁性媒体とを有する磁束誘導
部材と、 磁気誘導部材の第２端と対型磁気抵抗ヘッドとの間に配
置される第２電気絶縁スペーサと、 を具備し、 前記対型磁気抵抗ヘッドは前記磁性媒体から間隔を置か
れ、前記磁束誘導部材は磁束を前記磁性媒体から前記対
型磁気抵抗ヘッドに導き、前記対型磁気抵抗ヘッドを通
過させることを特徴とする磁気抵抗ヘッド組立体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗ヘッド組立体
であって、高透磁性材料よりなるもう一つの磁束誘導部
材を備え、この磁束誘導部材は前記磁束誘導部材と一直
線上に並べられ前記磁束誘導部材から間隔を置かれ、ま
た前記第２スペーサによって前記対型磁気抵抗ヘッドか
ら分離されることを特徴とする磁気抵抗ヘッド組立体。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気抵抗ヘッド組立体
であって、前記磁気誘導部材が磁性材料よりなる複数の
代替層と非磁性材料よりなる複数の代替層とを備え、前
記磁束誘導部材のバルクハウゼンノイズを最小化するこ
とを特徴とする磁気抵抗ヘッド組立体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56475195A | 1995-11-29 | 1995-11-29 | |
| US08/564,751 | 1995-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185813A true JPH09185813A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=24255731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30324996A Pending JPH09185813A (ja) | 1995-11-29 | 1996-11-14 | 磁束誘導式の対型磁気抵抗ヘッド組立体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0777213A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09185813A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5706151A (en) * | 1996-12-12 | 1998-01-06 | Eastman Kodak Company | Low bias current paired magnetoresistive head with misaligned anisotropy axes |
| US20030002225A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Storage Technology Corporation | Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a flux injection efficiency is reduced |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3860965A (en) | 1973-10-04 | 1975-01-14 | Ibm | Magnetoresistive read head assembly having matched elements for common mode rejection |
| US4356523A (en) * | 1980-06-09 | 1982-10-26 | Ampex Corporation | Narrow track magnetoresistive transducer assembly |
| NL8101962A (nl) * | 1981-04-22 | 1982-11-16 | Philips Nv | Magnetische sensor. |
| NL8102148A (nl) * | 1981-05-01 | 1982-12-01 | Philips Nv | Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. |
| JPS59180819A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Nec Home Electronics Ltd | 磁気記録ヘツド |
| JPH07101483B2 (ja) * | 1983-08-29 | 1995-11-01 | ソニー株式会社 | 薄膜型磁気ヘッド |
| JPS6069808A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS6087417A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6173220A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗型ヘツド |
| JPS61104413A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61134912A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61177616A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-09 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS61182620A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| EP0600549B1 (en) * | 1992-12-01 | 1999-05-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head and head obtained by the method |
| JPH07121835A (ja) * | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-14 EP EP96203182A patent/EP0777213A1/en not_active Withdrawn
- 1996-11-14 JP JP30324996A patent/JPH09185813A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0777213A1 (en) | 1997-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0484474B1 (en) | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification | |
| US4663685A (en) | Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias | |
| US6078479A (en) | Magnetic tape head with flux sensing element | |
| KR940010138B1 (ko) | 박막자기헤드 | |
| KR0145034B1 (ko) | 자기 트랜스듀서와, 자기 트랜스듀서를 포함하는 매체 드라이브 | |
| JPH07192227A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH10334418A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製法ならびに該磁気ヘッドを用いた磁気記録装置 | |
| JPH09185813A (ja) | 磁束誘導式の対型磁気抵抗ヘッド組立体 | |
| CA1042548A (en) | Head assembly for recording and reading, employing inductive and magnetoresistive elements | |
| US5768065A (en) | Thin film magnetic head | |
| JPS6227449B2 (ja) | ||
| US6287709B1 (en) | Spin-valve film, magnetoresistance-effect device and magnetoresistance-effect magnetic head | |
| US4821012A (en) | Magnetoresistive element | |
| JPH06251339A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びバイアス特性測定方法 | |
| JP3285094B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの研磨方法 | |
| JPH0441415B2 (ja) | ||
| JPH05266435A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH07210826A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH05266439A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| CA1253962A (en) | Magnetoresistive read transducer | |
| JPS58166526A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0554340A (ja) | 複合型磁気ヘツド | |
| JP3606988B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0572642B2 (ja) | ||
| JPH0325714A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |