JPH0325714A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0325714A JPH0325714A JP16041189A JP16041189A JPH0325714A JP H0325714 A JPH0325714 A JP H0325714A JP 16041189 A JP16041189 A JP 16041189A JP 16041189 A JP16041189 A JP 16041189A JP H0325714 A JPH0325714 A JP H0325714A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と呼ぶ）
を使用し、磁気記録媒体により発生される信号磁界を電
気抵抗の変化として検出するようにした磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲ″ｉｉｉｌ！ＶＡ気ヘッド
と呼ぶ）に関するものである。
を使用し、磁気記録媒体により発生される信号磁界を電
気抵抗の変化として検出するようにした磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲ″ｉｉｉｌ！ＶＡ気ヘッド
と呼ぶ）に関するものである。
〔従来の技術］
従来、ＭＲ薄膜磁気ヘッドとしては、大別すれば、両面
シールド型ＭＨＩ膜磁気ヘッドと呼ばれるものと、ヨー
ク型ＭＲＩ膜磁気ヘッドと呼ばれるものとが知られてい
る。その内、ヨーク型ＭＲ薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子
が磁気記録媒体との摺動面に露出していないので、摩耗
によるＭＲ素子の損傷及び腐蝕等が生しにくい点で両面
シールド型ＭＲ薄膜磁気ヘッドより有利なものとみなさ
れている。
シールド型ＭＨＩ膜磁気ヘッドと呼ばれるものと、ヨー
ク型ＭＲＩ膜磁気ヘッドと呼ばれるものとが知られてい
る。その内、ヨーク型ＭＲ薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子
が磁気記録媒体との摺動面に露出していないので、摩耗
によるＭＲ素子の損傷及び腐蝕等が生しにくい点で両面
シールド型ＭＲ薄膜磁気ヘッドより有利なものとみなさ
れている。
第２図及び第３図に示すように、ヨーク型Ｍ ｒ２薄膜
磁気ヘッドにおいては、下側ヨーク７上に上側フロント
ヨークｌ及び上側バックヨーク５が互いに対向して立ち
上がるように設けられている。
磁気ヘッドにおいては、下側ヨーク７上に上側フロント
ヨークｌ及び上側バックヨーク５が互いに対向して立ち
上がるように設けられている。
そして、両上側ヨークｌ・５の立ち上がり部分の下方に
ＭＲ素子２が配置され、更に、その下方にバイアス導体
６が配置されている。
ＭＲ素子２が配置され、更に、その下方にバイアス導体
６が配置されている。
ＭＲ素子２の長手力向両端部には、ＭＲ素子２を単磁区
状態とするための強磁性膜３・３が配置され、かつ、Ｍ
Ｒ素子２の両端部には、ＭＲ素子２にセンス電流を流す
とともに、ＭＲ素子２の両端間の電圧を検出する１対の
リード導体４・４が設けられている。
状態とするための強磁性膜３・３が配置され、かつ、Ｍ
Ｒ素子２の両端部には、ＭＲ素子２にセンス電流を流す
とともに、ＭＲ素子２の両端間の電圧を検出する１対の
リード導体４・４が設けられている。
上記の構戒で、リード導体４・４によりＭＲ素子２にセ
ンス電流を流しながら、下側ヨーク７の前面との間に所
定のスペーシング８を隔てて磁気記録媒体９を走行させ
ると、磁気記録媒体９から発生する信号磁界が上側フロ
ントヨーク１及び上側バックヨーク５を介してＭＲ素子
２に印加され、信号磁界の変化に応じてＭＲ素子２の磁
化が回転することによりＭＲ素子２の電気抵抗が変化し
、それに伴って、ＭＲ素子２の両端部間の電圧が変化す
る。そのため、上記の電圧を検出することにより、信号
磁界が検出できる。
ンス電流を流しながら、下側ヨーク７の前面との間に所
定のスペーシング８を隔てて磁気記録媒体９を走行させ
ると、磁気記録媒体９から発生する信号磁界が上側フロ
ントヨーク１及び上側バックヨーク５を介してＭＲ素子
２に印加され、信号磁界の変化に応じてＭＲ素子２の磁
化が回転することによりＭＲ素子２の電気抵抗が変化し
、それに伴って、ＭＲ素子２の両端部間の電圧が変化す
る。そのため、上記の電圧を検出することにより、信号
磁界が検出できる。
その際、バイアス導体６に直流電流が流されることによ
り、ＭＲ素子２の幅方向のバイアス磁界が発生されてＭ
Ｒ素子２に印加され、ＭＲ素子２の動作範囲が線型性の
良好な範囲に設定される。
り、ＭＲ素子２の幅方向のバイアス磁界が発生されてＭ
Ｒ素子２に印加され、ＭＲ素子２の動作範囲が線型性の
良好な範囲に設定される。
又、第４図に示すように、ＭＲ素子２の長平方向である
矢印Ａ′方向に飽和磁化された強磁性膜３・３がＭＲ素
子２に強磁性交換結合されることによりＭＲ素子２が上
記の如く単磁区状態とされる。それにより、ＭＲ素子２
の内部の磁化が磁壁の移動により不連続に変化すること
が防止されて、いわゆるバルクハウゼンノイズの発生が
抑制される。
矢印Ａ′方向に飽和磁化された強磁性膜３・３がＭＲ素
子２に強磁性交換結合されることによりＭＲ素子２が上
記の如く単磁区状態とされる。それにより、ＭＲ素子２
の内部の磁化が磁壁の移動により不連続に変化すること
が防止されて、いわゆるバルクハウゼンノイズの発生が
抑制される。
なお、従来、ヨーク型ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子
２の磁化容易軸Ｌの向きをＭＲ素子２の長手方向に対し
て所定角度θ，だけ傾斜した方向に設定することにより
、ＭＲ素子２の磁化の向きの分散に起因する磁化回転に
おけるスイッチングによるバルクハウゼンノイズの発生
領域を動作範囲外の磁界領域に限定させるように構或さ
れている． 〔発明が解決しようとする課題〕 上記の構或において、ＭＲ素子２の内部の各点での磁化
の向きは矢印Ｂ−Ｂ・・・の如く、長手方向中間部付近
ではほぼ一定になる。ところが、強磁性膜３・３の近傍
では強磁性膜３・３の飽和磁化の影響で磁化の向きが矢
印Ｂ′ ・Ｂ′の如く、ほぼＭＲ素子２の長手方向を向
くことになるので、ＭＲ素子２の内部で磁化の向きにば
らつきが生し、ＭＲ素子２の磁化容易軸を傾斜させたに
も拘わらず、磁化のスイッチングによりバルクハウゼン
ノイズが生じるものである。
２の磁化容易軸Ｌの向きをＭＲ素子２の長手方向に対し
て所定角度θ，だけ傾斜した方向に設定することにより
、ＭＲ素子２の磁化の向きの分散に起因する磁化回転に
おけるスイッチングによるバルクハウゼンノイズの発生
領域を動作範囲外の磁界領域に限定させるように構或さ
れている． 〔発明が解決しようとする課題〕 上記の構或において、ＭＲ素子２の内部の各点での磁化
の向きは矢印Ｂ−Ｂ・・・の如く、長手方向中間部付近
ではほぼ一定になる。ところが、強磁性膜３・３の近傍
では強磁性膜３・３の飽和磁化の影響で磁化の向きが矢
印Ｂ′ ・Ｂ′の如く、ほぼＭＲ素子２の長手方向を向
くことになるので、ＭＲ素子２の内部で磁化の向きにば
らつきが生し、ＭＲ素子２の磁化容易軸を傾斜させたに
も拘わらず、磁化のスイッチングによりバルクハウゼン
ノイズが生じるものである。
本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、上記の
課題を解決するために、磁気記録媒体から発生する信号
磁界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、磁
気記録媒体から磁気抵抗効果素子に磁束を導くヨークと
、磁気抵抗効果素子を単磁区状態とする強磁性膜と、磁
気抵抗効果素子の幅方向にバイアス磁界を印加するバイ
アス導体とを備え、上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸
が磁気抵抗効果素子の長手力向に対し傾斜するように設
定されている磁気抵抗効果型薄膜磁気へ・冫ドにおいて
、上記強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ
同一方向に飽和磁化されていることを特徴としている。
課題を解決するために、磁気記録媒体から発生する信号
磁界を抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子と、磁
気記録媒体から磁気抵抗効果素子に磁束を導くヨークと
、磁気抵抗効果素子を単磁区状態とする強磁性膜と、磁
気抵抗効果素子の幅方向にバイアス磁界を印加するバイ
アス導体とを備え、上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸
が磁気抵抗効果素子の長手力向に対し傾斜するように設
定されている磁気抵抗効果型薄膜磁気へ・冫ドにおいて
、上記強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ
同一方向に飽和磁化されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が
磁気抵抗効果素子の長手方向に対し傾斜されるとともに
、強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一
の向きに飽和磁化されているので、磁気抵抗効果素子の
内部の各点の磁化の向きがほぼ一定に揃うようになる。
磁気抵抗効果素子の長手方向に対し傾斜されるとともに
、強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一
の向きに飽和磁化されているので、磁気抵抗効果素子の
内部の各点の磁化の向きがほぼ一定に揃うようになる。
その結果、磁気抵抗効果素子による信号磁界の検出時に
、磁化のスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズ
は生じにくくなる。
、磁化のスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズ
は生じにくくなる。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第１図乃至第３図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
第２図及び第３図に示すように、本実施例に係るヨーク
型ＭＲ薄膜磁気ヘッドは、基本的には従来と同様の構戒
であり、例えば、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライ｝Ｍ板、単
結晶又は多結晶のＭｎ−Ｚｎフエライト基板等の高透磁
率磁性体からなる下側ヨーク７を備えている。
型ＭＲ薄膜磁気ヘッドは、基本的には従来と同様の構戒
であり、例えば、多結晶Ｎｉ−Ｚｎフェライ｝Ｍ板、単
結晶又は多結晶のＭｎ−Ｚｎフエライト基板等の高透磁
率磁性体からなる下側ヨーク７を備えている。
下側ヨーク７上には、下側ヨーク７の前端部の上面との
間に所定のへッドギャップ１０を隔てて上側フロントヨ
ーク１の前端部が対向し配置されている。上側フロント
ヨークｌの後端部は斜め上方に段上がり状に形成されて
いる。
間に所定のへッドギャップ１０を隔てて上側フロントヨ
ーク１の前端部が対向し配置されている。上側フロント
ヨークｌの後端部は斜め上方に段上がり状に形成されて
いる。
上側フロントヨーク１の後方には、その前端面と上側フ
ロントヨークｌの後端面との間に所定のＹ方向の間隙を
隔てて上側バックヨーク５が配置されている。上側バッ
クヨーク５の後端部は段下がり状に形威されて下側ヨー
ク７に接続されている。上側フロントヨーク１及び上側
バックヨーク５は、例えば、膜厚が０．５〜１，Ｏμｍ
程度のパーマロイにて形成されている。
ロントヨークｌの後端面との間に所定のＹ方向の間隙を
隔てて上側バックヨーク５が配置されている。上側バッ
クヨーク５の後端部は段下がり状に形威されて下側ヨー
ク７に接続されている。上側フロントヨーク１及び上側
バックヨーク５は、例えば、膜厚が０．５〜１，Ｏμｍ
程度のパーマロイにて形成されている。
上側フロントヨーク１及び上側バックヨーク５の段上が
り部の下方には、ＭＲ素子２が設けられている。ＭＲ素
子２は、例えば、膜厚が２００〜４００人程度のパーマ
ロイにて形或されている．又、ＭＲ素子２の幅方向（Ｙ
方向）両端部は、それぞれ上側フロントヨーク１の後端
部及び上側バックヨーク５の前端部と０．５〜１．５μ
ｍ程度オーバラップさせている。なお、第１図に示すよ
うに、ＭＲ素子２の磁化容易軸Ｌの向きはＭＲ素子２の
長手方向（Ｘ方向）に対し所定角度θ，だけ傾斜するよ
うに設定されている。傾斜角度θ１は好ましくはＩＯ〜
４０”程度の範囲に設定される。
り部の下方には、ＭＲ素子２が設けられている。ＭＲ素
子２は、例えば、膜厚が２００〜４００人程度のパーマ
ロイにて形或されている．又、ＭＲ素子２の幅方向（Ｙ
方向）両端部は、それぞれ上側フロントヨーク１の後端
部及び上側バックヨーク５の前端部と０．５〜１．５μ
ｍ程度オーバラップさせている。なお、第１図に示すよ
うに、ＭＲ素子２の磁化容易軸Ｌの向きはＭＲ素子２の
長手方向（Ｘ方向）に対し所定角度θ，だけ傾斜するよ
うに設定されている。傾斜角度θ１は好ましくはＩＯ〜
４０”程度の範囲に設定される。
ＭＲ素子２の長手方向両端部における上面には、膜厚が
例えば１０００〜２０００人程度の強磁性膜３・３が形
威されている。強磁性ＩＩｌ！３・３は良好な導電性と
大きな保磁力とを有する材料、例えば、Ｃｏ−Ｐ，Ｎｉ
−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ等の強磁性体により形威される
。強磁性膜３・３はＭＲ素子２における磁化容易軸Ｌの
向きと同一の向きＡ−Ａに飽和磁化されている，すなわ
ち、ＭＲ素子２の長手方向に対する各強磁性膜３の飽和
磁化の傾斜角度θ，はＭＲ素子２の磁化容易軸Ｌの傾斜
角度θ１と同一の値となるように設定されている。そし
て、強磁性膜３・３とＭＲ素子２とが強磁性交換結合さ
れることにより、ＭＲ素子２が単磁区化されている。
例えば１０００〜２０００人程度の強磁性膜３・３が形
威されている。強磁性ＩＩｌ！３・３は良好な導電性と
大きな保磁力とを有する材料、例えば、Ｃｏ−Ｐ，Ｎｉ
−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ等の強磁性体により形威される
。強磁性膜３・３はＭＲ素子２における磁化容易軸Ｌの
向きと同一の向きＡ−Ａに飽和磁化されている，すなわ
ち、ＭＲ素子２の長手方向に対する各強磁性膜３の飽和
磁化の傾斜角度θ，はＭＲ素子２の磁化容易軸Ｌの傾斜
角度θ１と同一の値となるように設定されている。そし
て、強磁性膜３・３とＭＲ素子２とが強磁性交換結合さ
れることにより、ＭＲ素子２が単磁区化されている。
強磁性膜３・３の上側において、ＭＲ素子２の長手方向
両端部には、ＭＲ素子２にセンス電流を流すとともに、
ＭＲ素子２の両端部間の電圧を検出するためのリード導
体４・４が接続されているリード導体４・４は、Ａ Ｉ
Ｃ ｕ膜等の導電性の良好な薄膜から形戒される． ＭＲ素子２と下側ヨーク７との間には、バイアス導体６
が配設されている。バイアス導体６は、例えば、ＡｆＣ
ｕ膜にて形威され、このバイアス導体６に直流電流を流
すことにより、ＭＲ素子２の幅方向（Ｙ方向）に所望の
強度のバイアス磁界が印加されるようになっている。
両端部には、ＭＲ素子２にセンス電流を流すとともに、
ＭＲ素子２の両端部間の電圧を検出するためのリード導
体４・４が接続されているリード導体４・４は、Ａ Ｉ
Ｃ ｕ膜等の導電性の良好な薄膜から形戒される． ＭＲ素子２と下側ヨーク７との間には、バイアス導体６
が配設されている。バイアス導体６は、例えば、ＡｆＣ
ｕ膜にて形威され、このバイアス導体６に直流電流を流
すことにより、ＭＲ素子２の幅方向（Ｙ方向）に所望の
強度のバイアス磁界が印加されるようになっている。
なお、具体的に図示しないが、上側フロントヨークｌ及
び上側バンクヨーク５、ＭＲ素子２、バイアス導体６並
びに下側ヨーク７の間には、それぞれ磁気的及び電気的
な絶縁を行う絶縁層が設けられ、更に、これらを保護す
るために図示しない保護層及び保護板が設けられる． 磁気記録媒体９は下側ヨーク７の前端面との間に所定の
Ｙ方向のスペーシング８を隔てて走行するように構戒さ
れている。又、ヘッドギャップ１０の大きさは、磁気記
録媒体９に記録される最小波長が、例えば０．５μｍの
場合、それより小さい０．２〜０．３μｍ程度に設定さ
れる，上記の構戒において、磁気記録媒体９からの信号
磁界が上側フロントヨーク１及び上側バックヨーク５を
介してＭＲ素子２に伝達されると、信号磁界に応してＭ
Ｒ素子２の電気抵抗が変化し、この電気抵抗の変化がＭ
Ｒ素子２の両端間の電圧の変化としてリード導体４・４
により検出され、それにより、信号磁界が検出される。
び上側バンクヨーク５、ＭＲ素子２、バイアス導体６並
びに下側ヨーク７の間には、それぞれ磁気的及び電気的
な絶縁を行う絶縁層が設けられ、更に、これらを保護す
るために図示しない保護層及び保護板が設けられる． 磁気記録媒体９は下側ヨーク７の前端面との間に所定の
Ｙ方向のスペーシング８を隔てて走行するように構戒さ
れている。又、ヘッドギャップ１０の大きさは、磁気記
録媒体９に記録される最小波長が、例えば０．５μｍの
場合、それより小さい０．２〜０．３μｍ程度に設定さ
れる，上記の構戒において、磁気記録媒体９からの信号
磁界が上側フロントヨーク１及び上側バックヨーク５を
介してＭＲ素子２に伝達されると、信号磁界に応してＭ
Ｒ素子２の電気抵抗が変化し、この電気抵抗の変化がＭ
Ｒ素子２の両端間の電圧の変化としてリード導体４・４
により検出され、それにより、信号磁界が検出される。
その際、バイアス導体６により、ＭＲ素子２の線型性の
良好な範囲に動作範囲が設定される。
良好な範囲に動作範囲が設定される。
その場合、第１図に示すように、ＭＲ素子２の磁化容易
軸Ｌの向きが強磁性ＩＩ！３・３の飽和磁化の向きＡ−
Ａと一致しているため、ＭＲ素子２内の磁化の向きＢ−
Ｂ・・・は大きなばらつきが生しることはなく、ＭＲ素
子２内で磁化の向きＢ−Ｂ・・・はほぼ一定方向となる
。従って、ＭＲ素子２の全領域において磁化容易軸Ｌを
長手方向に対し傾斜させている本来の機能に基づき、磁
化のスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズが抑
制されるようになる。又、ＭＲ素子２の長手方向の磁化
の向きがほぼ一様となるので、再生出力における波形歪
みが改善される。
軸Ｌの向きが強磁性ＩＩ！３・３の飽和磁化の向きＡ−
Ａと一致しているため、ＭＲ素子２内の磁化の向きＢ−
Ｂ・・・は大きなばらつきが生しることはなく、ＭＲ素
子２内で磁化の向きＢ−Ｂ・・・はほぼ一定方向となる
。従って、ＭＲ素子２の全領域において磁化容易軸Ｌを
長手方向に対し傾斜させている本来の機能に基づき、磁
化のスイッチングに起因するバルクハウゼンノイズが抑
制されるようになる。又、ＭＲ素子２の長手方向の磁化
の向きがほぼ一様となるので、再生出力における波形歪
みが改善される。
本発明に係る磁気抵抗効果型３膜磁気ヘッドは、以上の
ように、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化
として検出する磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体から
磁気抵抗効果素子に磁束を導くヨークと、磁気抵抗効果
素子を単磁区状態とする強磁性膜と、磁気抵抗効果素子
の幅方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体とを備
え、上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が磁気抵抗効果
素子の長手方向に対し傾斜するように設定されている磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記強磁性膜が
磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一方向に飽和磁
化されている構成である。
ように、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化
として検出する磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体から
磁気抵抗効果素子に磁束を導くヨークと、磁気抵抗効果
素子を単磁区状態とする強磁性膜と、磁気抵抗効果素子
の幅方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体とを備
え、上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が磁気抵抗効果
素子の長手方向に対し傾斜するように設定されている磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記強磁性膜が
磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一方向に飽和磁
化されている構成である。
これにより、磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が磁気抵抗
効果素子の長手方向に対し傾斜されるとともに、強磁性
膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一の向きに
飽和磁化されているので、磁気抵抗効果素子の内部の各
点の磁化の向きがほぼ一定に揃うようになる。その結果
、磁気抵抗効果素子による信号磁界の検出時に、磁化の
スイッチングに起因するバルクハウゼンノイズが生しに
くくなるという効果を奏する。
効果素子の長手方向に対し傾斜されるとともに、強磁性
膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同一の向きに
飽和磁化されているので、磁気抵抗効果素子の内部の各
点の磁化の向きがほぼ一定に揃うようになる。その結果
、磁気抵抗効果素子による信号磁界の検出時に、磁化の
スイッチングに起因するバルクハウゼンノイズが生しに
くくなるという効果を奏する。
第１図は本発明の実施例におけるＭＲ素子の磁化容易軸
及び強磁性膜の飽和磁化の向きを示す説明図である。 第２図は磁気抵抗効果型薄ＩＩ！：！磁気ヘッドの斜視
図である。 第３図は同平面図である。 第４図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおける
ＭＲ素子の磁化容易軸及び強磁性膜の飽和磁化の向きを
示す説明図である。 １は上側フロントヨーク、２はＭＲ素子、３は強磁性膜
、５は上側バックヨーク、６はバイアス導体、７は下側
ヨークである。 第 １ 図
及び強磁性膜の飽和磁化の向きを示す説明図である。 第２図は磁気抵抗効果型薄ＩＩ！：！磁気ヘッドの斜視
図である。 第３図は同平面図である。 第４図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおける
ＭＲ素子の磁化容易軸及び強磁性膜の飽和磁化の向きを
示す説明図である。 １は上側フロントヨーク、２はＭＲ素子、３は強磁性膜
、５は上側バックヨーク、６はバイアス導体、７は下側
ヨークである。 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化とし
て検出する磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体から磁気
抵抗効果素子に磁束を導くヨークと、磁気抵抗効果素子
を単磁区状態とする強磁性膜と、磁気抵抗効果素子の幅
方向にバイアス磁界を印加するバイアス導体とを備え、
上記磁気抵抗効果素子の磁化容易軸が磁気抵抗効果素子
の長手方向に対し傾斜するように設定されている磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記強磁性膜が磁気抵抗効果素子の磁化容易軸とほぼ同
一方向に飽和磁化されていることを特徴とする磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16041189A JPH0325714A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16041189A JPH0325714A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325714A true JPH0325714A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15714356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16041189A Pending JPH0325714A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325714A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164018A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Hitachi Ltd | 真空開閉装置及びその真空圧力診断方法 |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP16041189A patent/JPH0325714A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164018A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Hitachi Ltd | 真空開閉装置及びその真空圧力診断方法 |
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