JPH03290812A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録に用いる磁気ヘッドに関し、特に高記
録密度化に適した磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するも
のである。

〔従来の技術〕

磁気記録の高記録密度化を図るため、再生に磁気抵抗効
果素子を用いたヘッド（以下ＭＲヘッドと記す）の狭ト
ラツク化の検討が進められている。

このヘッドでは、磁気抵抗効果を持つ軟磁性膜パターン
（以下ＭＲ素子と記す）を記録媒体面に対抗させ、パタ
ーン両端に接続した電極に電流を流して素子の抵抗変化
に基づく電圧変化を用いて信号を検出する。このＭＲ素
子は、両側を軟磁性膜で挾んで磁気シールドされ、信号
検出の空間的な分解能の向上を図っている。

ところで、ＭＲ素子とその両端に設けた導体パターンは
シールド層で挾まれて記録媒体面に対抗する。このため
、シールド層を介して導体を記録媒体からの磁束が鎖交
し、この変化によって電磁誘導により導体に電圧が発生
する。媒体対抗面に露出する導体パターンは読みだしト
ラック幅よりも広いため、読みだしトラック以外の部分
からの磁束も拾い、この部分の信号は雑音になる。

このようなＭＲヘッノド隣接トラックによる雑音特性、
いわゆるオフトラック特性に関しては、例えば電子通信
学会磁気記録研究会報告　ＭＲ８０−３４に記載されて
いる。ここでは、オフトラック特性の向上に関して、シ
ールド層の形状が重要であることが指摘されており１例
えば一方のシールド層の幅を狭めＭＲ素子感磁部の幅を
一致させることによって、改善されることが示されてい
る。

また、上下のシールド層の幅をＭＲ素子のトラック幅に
揃えたＭＲヘッノドついて、特開昭５４−４９１０９に
開示されている。

〔発明が解決しようとする課題〕 上記のようにトラック幅とシールドパターン幅を一致さ
て狭トラック化を進めていくためには、シールドパター
ンの幅も狭めていく必要がある。

シールドパターンを形成する軟磁性膜は一般的にパター
ン寸法の減少に伴って比透磁率は急激に低下する。パタ
ーン幅が５μｍ以下になると、シールド層として十分な
比透磁率を確保することが困難になる。このため、分解
能が低下し、高線記録密度を維持することが困難になる
。このためシールド層とトラック幅とを一致させて良好
なオフトラック特性を持つ狭トラツクヘッドを形成する
ことは極めて難しい。

本発明の目的は、狭トラックＭＲヘッドにおいても、優
れたオフトラック特性及びシールド特性を持つヘッド構
造を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明では、トラック幅よりもシールドパターンを広く
したままにして比透磁率の低下を防止し。

このシールド層を介して電極パターンに鎖交する磁束を
低減するように電極パターンを配置することによって、
オフトラック特性の劣化を防止した。

〔作用〕

鎖作する磁束を少なくするために、少なくともシールド
層に挾まれた領域において、感磁層の両端から引き出し
た電極パターンの方向が媒体面に対して垂直になるよう
に配置した。これにより、少なくとも隣接トラックから
の磁束は鎖交しないため誘導起電力によるオフトラック
特性の劣化は防止できる。また、少なくともシールド層
に挾まれた領域において感磁部の両端から引き出した電
極パターンと感磁部で作るループの面積をできるたけ小
さくなるように電極パターンを配置した。

これにより、このループに鎖交する磁束の量を低減する
ことができるので、誘導起電力を減少することができ、
雑音特性を向上することができる。

〔実施例〕

第１図を用いて本発明の第１の実施例を説明する。同図
は、ＭＲヘッノド斜視図を示す。ＭＲ素素子部二つのシ
ールドパターン２，３の間に挾まれて形成されている。

ＭＲＲ子両端には電極パターン４．５が形成されており
、シールド層に挾まれた範囲では媒体７の表面にほぼ垂
直になるように形成されている。ここで、シールドパタ
ーンに膜厚１μｍのＮｉＦｅ合金のパーマロイを用い、
形状はトラック幅方向の寸法が３０μｍで、高さは２０
μｍである。膜の比透磁率は２０００である。ＭＲ素子
は膜厚４０ｎｍのパーマロイ（組成：　８２　Ｎ　ｉ　
−１８Ｆ　ｅ　）で、形状はトラック幅方向の寸法が２
５μｍで、高さは８μｍである。導体パターンには膜厚
０．３μｍのＣｕを使用し、ＭＲ素子と接触する部分の
幅は２μｍである。導体間隔は４μｍで、この間隔がト
ラック幅に相当する。なお同図では省略したが、ＭＲ素
子を動作させるためには、素子に適切なバイアス磁界を
印加する手段が必要であり、この手段としては従来知ら
れているように、ＭＲ素子に隣接して軟磁性膜や永久磁
石膜を設けるバイアス方法など１種々のバイアス法を用
いることができる。ＭＲ素子とシールド層の間隔は両側
とも０．４μｍとなるように形成した。

本実施例では、シールド層の幅がトラック幅よりも広く
できるため、トラック幅の減少にともなうシールド層の
比誘磁率の減少がなく１分解能の低下がなかった。また
、隣接トラックから生した磁束は直上のシールド層に吸
い込まれるが、導体パターンが媒体面に垂直なため記録
トラックからの磁束以外の磁束はほとんど電極パターン
を鎖交しない。このためオフトラック雑音を増加させる
ことなく、狭トラツク化を図ることができた。

第２図に第２の実施例を示す。ＭＲ素子１はシールドパ
ターン２，３で挾まれ、ＭＲ素子両端には電極パターン
４，５が形成されている。電極パターン４は素子から直
線的に延び、電極パターン５はＭＲ素子との接続部で９
０度曲がった後、電極パターン４に平行に形成されてい
る。各パターンの材料、膜厚、形状は第１の実施例と同
じである。本実施例の場合、電極パターン４，５は媒体
面に平約で隣接トラック上でもシールドパターンの間に
挟まれているため、隣接トラックからの磁束が鎖交する
。しかしながら、二つの電極パターンが近接して形成さ
れているため、感磁部と電極パターンで形成されるルー
プの面積が小さい。このため、ループ内を通る磁束少な
く、隣接トラックからの磁束の変化による雑音はほんど
検出されなかった。

第３図に第３の実施例を示す。ＭＲ素子ｌはシールドパ
ターン２，３で挾まれ、ＭＲ素子両端には電極パターン
４，５が形成されている。これら二つの電極は絶縁層６
を介して積層されている。

各パターンの材料、膜厚、形状は第１の実施例と同じで
ある。電極間の絶縁層６にはスパッタ法により形成した
膜厚０．２μｍの二酸化珪素を使用した。本実施例の場
合も第２の実施例と同様に、隣接トラックからの磁束は
電極パターン４，５に鎖交する。しかしながら、電極４
，５と感磁部で形成するループの面積は極めて小さいた
め、この部分で発生する誘導起電力は検出できず、良好
なオフトラック特性が得られた。

なお、上記の第２．第３の実施例では第１に実施例と異
なり、記録トラックからの磁束でＭＲ素子に生じた誘導
電圧も相殺することができる。

般に磁気抵抗による電圧変化と誘導による電圧変化は位
相が異なる。このため、狭トラック化によって信号電圧
が減少すると誘導電圧による信号波形の変化が顕著にな
り、波形歪の一因となる。第２、第３の実施例では信号
トラックによる誘導電圧も相殺できるため波形歪を低減
することもできる。

なお、先に述尺た第１の実施例において、電極パターン
と感磁部で形成する面積が小さくなるように、Ｍ　Ｒ素
子の感磁部に接続後電極パターン４゜５を互いに近づく
ように折り曲げて互いに平行になるように配置すること
もできる。この場合、媒体面の記録トラック上の磁束の
変化を含めて誘導起電力の低減を図ることができる。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明によればトラックＭＲヘ
ッドにおいても、優れたシールド特性およびオフトラッ
ク特性を持つヘッド構造を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１の実施例を示すＭＲヘッノド斜視図。第２
図は第２の実施例を示すＭＲヘッノド斜視図。第３図は
第３の実施例を示すＭＲヘッノド斜視図。 １・・Ｍ　Ｒ素子、２，３・・シールドパターン、４゜
５・・−電極パターン、６・・・絶縁層。　　　　　　
　γ−へ“　、′）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも磁気抵抗効果素子の磁気シールドを行う
   軟磁性層に両側から挾まれた部分において、磁気シール
   ドパターンの境界，磁気抵抗効果素子、および素子の両
   端に接続された出力検出用の二つの導体で囲まれる部分
   の面積を、最小になるように二つの導体パターンを配置
   したことを特徴とする磁気ヘッド。 ２、少なくとも磁気抵抗効果素子の磁気シールドを行う
   軟磁性層に両側から挾まれた部分において、出力検出用
   の二つの導体の間隙がトラック幅以下になるように形成
   されていることを特徴とする磁気ヘッド。 ３、少なくとも磁気抵抗効果素子の磁気シールドを行う
   軟磁性層に両側から挾まれた範囲において、出力検出用
   の二つの導体の少なくとも一部分が、平行でかつ電気的
   絶縁に必要な空隙を残して隣接して形成されていること
   を特徴とする磁気ヘッド。