JPH05266439A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05266439A JPH05266439A JP9385892A JP9385892A JPH05266439A JP H05266439 A JPH05266439 A JP H05266439A JP 9385892 A JP9385892 A JP 9385892A JP 9385892 A JP9385892 A JP 9385892A JP H05266439 A JPH05266439 A JP H05266439A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＭＲ素子に一軸磁気異方性を付与でき、バルク
ハウゼン．ノイズ防止に有効な薄膜磁気ヘッドを提供す
る。 【構成】スライダ１と、読み出し用磁気変換素子２とを
有する。磁気変換素子２は磁性膜２１、２２と、ＭＲ素
子２３とを含み、スライダ１に設けられている。磁性膜
２１、２２は空気ベアリング面１１の側にスペース２０
を有して平面状に配置されると共に、一軸磁気異方性Ｙ
１が付与されている。ＭＲ素子２３はスペース２０内に
配置され、少なくともトラック幅方向の両端２３１、２
３２が磁性膜２１、２２の端縁２１１、２２１と間隔ｄ
１、ｄ２を介して対向する。
ハウゼン．ノイズ防止に有効な薄膜磁気ヘッドを提供す
る。 【構成】スライダ１と、読み出し用磁気変換素子２とを
有する。磁気変換素子２は磁性膜２１、２２と、ＭＲ素
子２３とを含み、スライダ１に設けられている。磁性膜
２１、２２は空気ベアリング面１１の側にスペース２０
を有して平面状に配置されると共に、一軸磁気異方性Ｙ
１が付与されている。ＭＲ素子２３はスペース２０内に
配置され、少なくともトラック幅方向の両端２３１、２
３２が磁性膜２１、２２の端縁２１１、２２１と間隔ｄ
１、ｄ２を介して対向する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関
し、更に詳しくは、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と
称する）を読み出し用磁気変換素子として用いた薄膜磁
気ヘッドの改良に係わる。
し、更に詳しくは、磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と
称する）を読み出し用磁気変換素子として用いた薄膜磁
気ヘッドの改良に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドとしては、誘導型
薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用したものが
最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換素子を用い
た薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出力を得るに
は、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対速度を上げ
るか、または、コイルのターン数を増大させる必要があ
る。しかし、磁気ディスクが小型化される傾向にあるた
め、相対速度の高速化による読み出し出力の増大は実情
に合わない。また、コイルのターン数増大による読み出
し出力は、コイルのインダクタンス及び直流抵抗値の増
大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み出しに適応
できなくなる。かかる問題点を解決する手段として、読
み出し素子をＭＲ素子によって構成し、誘導型薄膜磁気
変換素子は書込み専用として用いるようにした技術が提
案されている。公知技術文献としては、例えば特公昭５
９−３５０８８号公報、特公昭６４ー１８４６号公報等
がある。
薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用したものが
最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換素子を用い
た薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出力を得るに
は、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対速度を上げ
るか、または、コイルのターン数を増大させる必要があ
る。しかし、磁気ディスクが小型化される傾向にあるた
め、相対速度の高速化による読み出し出力の増大は実情
に合わない。また、コイルのターン数増大による読み出
し出力は、コイルのインダクタンス及び直流抵抗値の増
大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み出しに適応
できなくなる。かかる問題点を解決する手段として、読
み出し素子をＭＲ素子によって構成し、誘導型薄膜磁気
変換素子は書込み専用として用いるようにした技術が提
案されている。公知技術文献としては、例えば特公昭５
９−３５０８８号公報、特公昭６４ー１８４６号公報等
がある。
【０００３】これらの公知文献で知られた磁気変換素子
は、通常、導体膜と、ＭＲ素子と、磁気シールド膜とを
含んでいる。導体膜は２つ備えられ、それぞれが互いに
間隔を隔てて横並びに配置され、一端側がスライダの媒
体対向面側に位置し、他端側が後方に導かれている。Ｍ
Ｒ素子は、導体膜の一端側において導体膜間に接続され
ている。磁気シールド膜は、下部磁気シールド膜及び上
部磁気シールド膜を含み、これらが非磁性の電気絶縁膜
を介して導体膜及びＭＲ素子を上下方向の両側から挟む
ように配置されている。
は、通常、導体膜と、ＭＲ素子と、磁気シールド膜とを
含んでいる。導体膜は２つ備えられ、それぞれが互いに
間隔を隔てて横並びに配置され、一端側がスライダの媒
体対向面側に位置し、他端側が後方に導かれている。Ｍ
Ｒ素子は、導体膜の一端側において導体膜間に接続され
ている。磁気シールド膜は、下部磁気シールド膜及び上
部磁気シールド膜を含み、これらが非磁性の電気絶縁膜
を介して導体膜及びＭＲ素子を上下方向の両側から挟む
ように配置されている。
【０００４】読み出し動作において、導体膜を通してＭ
Ｒ素子に一定の直流電流（以下センス電流と称する）を
流しておき、磁気ディスクの磁界の変化を、ＭＲ素子の
電気抵抗値の変化として検出する。磁気シールド膜はこ
の読み出し動作時にＭＲ素子が外部磁界の影響、特に、
他の磁化反転遷移領域から生じる磁界の影響を遮断す
る。
Ｒ素子に一定の直流電流（以下センス電流と称する）を
流しておき、磁気ディスクの磁界の変化を、ＭＲ素子の
電気抵抗値の変化として検出する。磁気シールド膜はこ
の読み出し動作時にＭＲ素子が外部磁界の影響、特に、
他の磁化反転遷移領域から生じる磁界の影響を遮断す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この種の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、読み出し用として用いられているＭＲ素子
が、読み出し動作時にバルクハウゼン．ノイズを発生す
ることはよく知られている。ＭＲ素子は、他の一般磁性
体と同様に、多数の磁区よりなっており、読み出し動作
時に磁気ディスクの記録磁界が加わると、各磁区の磁壁
が移動する。バルクハウゼン．ノイズは上述の磁壁移動
に伴って発生するもので、データ．エラーの原因となる
ものであるから、防止しなければならない。上記公知文
献にはバルクハウゼン．ノイズを防止する手段が開示さ
れていない。
ドにおいて、読み出し用として用いられているＭＲ素子
が、読み出し動作時にバルクハウゼン．ノイズを発生す
ることはよく知られている。ＭＲ素子は、他の一般磁性
体と同様に、多数の磁区よりなっており、読み出し動作
時に磁気ディスクの記録磁界が加わると、各磁区の磁壁
が移動する。バルクハウゼン．ノイズは上述の磁壁移動
に伴って発生するもので、データ．エラーの原因となる
ものであるから、防止しなければならない。上記公知文
献にはバルクハウゼン．ノイズを防止する手段が開示さ
れていない。
【０００６】ＭＲ素子に強制的に一軸磁気異方性を与
え、単軸化することができれば、バルクハウゼン．ノイ
ズは防止できる。従来より知られた利用可能な技術とし
ては、ＭＲ素子を構成するＮｉーＦｅ膜の上にＦｅーＭ
ｎ膜を連続的に付着（ＢＣＳ膜と称されている）させ、
ＮｉーＦｅ膜に一軸磁気異方性を付与して単軸化する技
術がある。しかしながら、ＢＣＳ膜の製造は極めて難し
い。
え、単軸化することができれば、バルクハウゼン．ノイ
ズは防止できる。従来より知られた利用可能な技術とし
ては、ＭＲ素子を構成するＮｉーＦｅ膜の上にＦｅーＭ
ｎ膜を連続的に付着（ＢＣＳ膜と称されている）させ、
ＮｉーＦｅ膜に一軸磁気異方性を付与して単軸化する技
術がある。しかしながら、ＢＣＳ膜の製造は極めて難し
い。
【０００７】そこで、本発明の課題は上述する問題点を
解決し、簡単な構造で、ＭＲ素子に一軸磁気異方性を付
与でき、バルクハウゼン．ノイズ防止に有効な薄膜磁気
ヘッドを提供することである。
解決し、簡単な構造で、ＭＲ素子に一軸磁気異方性を付
与でき、バルクハウゼン．ノイズ防止に有効な薄膜磁気
ヘッドを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、スライダと、読み出し用磁気変換素子と
を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、空
気ベアリング面を有しており、前記磁気変換素子は、磁
性膜と、ＭＲ素子とを含み、前記スライダ上に設けられ
ており、前記磁性膜は、前記空気ベアリング面側にスペ
ースを有して平面状に配置されると共に、一軸磁気異方
性が付与されており、前記ＭＲ素子は、前記スペース内
に配置され、少なくともトラック幅方向の両端が前記磁
性膜の端縁と間隔を介して対向する。
め、本発明は、スライダと、読み出し用磁気変換素子と
を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、空
気ベアリング面を有しており、前記磁気変換素子は、磁
性膜と、ＭＲ素子とを含み、前記スライダ上に設けられ
ており、前記磁性膜は、前記空気ベアリング面側にスペ
ースを有して平面状に配置されると共に、一軸磁気異方
性が付与されており、前記ＭＲ素子は、前記スペース内
に配置され、少なくともトラック幅方向の両端が前記磁
性膜の端縁と間隔を介して対向する。
【０００９】
【作用】磁性膜は、スペースを有して平面状に配置され
ると共に、一軸磁気異方性が付与されており、ＭＲ素子
はスペース内に配置され、少なくともトラック幅方向の
両端が磁性膜の端縁と間隔を介して対向するから、磁性
膜の一軸磁気異方性によって、ＭＲ素子にトラック幅方
向の一軸磁気異方性が誘導される。これによりＭＲ素子
が単軸化され、バルクハウゼン．ノイズが防止される。
ると共に、一軸磁気異方性が付与されており、ＭＲ素子
はスペース内に配置され、少なくともトラック幅方向の
両端が磁性膜の端縁と間隔を介して対向するから、磁性
膜の一軸磁気異方性によって、ＭＲ素子にトラック幅方
向の一軸磁気異方性が誘導される。これによりＭＲ素子
が単軸化され、バルクハウゼン．ノイズが防止される。
【００１０】しかも、磁性膜の一軸磁気異方性によっ
て、ＭＲ素子にトラック幅方向の一軸磁気異方性を誘導
する構造であるため、製造上の困難性もなく、実現が容
易である。
て、ＭＲ素子にトラック幅方向の一軸磁気異方性を誘導
する構造であるため、製造上の困難性もなく、実現が容
易である。
【００１１】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの構成を
モデル化して示す斜視図、図２は同じくその側面断面図
である。１はスライダと、２は磁気変換素子、矢印ａは
磁気ディスクの走行方向を示している。スライダ１は媒
体対向面側に表面性の高い空気ベアリング面１１を有す
る。
モデル化して示す斜視図、図２は同じくその側面断面図
である。１はスライダと、２は磁気変換素子、矢印ａは
磁気ディスクの走行方向を示している。スライダ１は媒
体対向面側に表面性の高い空気ベアリング面１１を有す
る。
【００１２】磁気変換素子２は、磁性膜２１、２２と、
ＭＲ素子２３とを含み、スライダ１の上に設けられてい
る。磁気変換素子２のある側面側は、通常、磁気ディス
クなどの磁気記録媒体との組み合わせにおいて矢印ａで
示す空気流出方向（媒体走行方向）側となる。
ＭＲ素子２３とを含み、スライダ１の上に設けられてい
る。磁気変換素子２のある側面側は、通常、磁気ディス
クなどの磁気記録媒体との組み合わせにおいて矢印ａで
示す空気流出方向（媒体走行方向）側となる。
【００１３】磁性膜２１、２２は空気ベアリング面１１
の方向にスペース２０を有して平面状に配置されると共
に、矢印Ｙ１の方向で示す一軸磁気異方性が付与されて
いる。磁性膜２１、２２は例えばＮｉーＦｅ系またはＦ
ｅーＭｎ系の磁性膜として形成し通常の異方性付与手段
によって上述の一軸磁気異方性を付与する。
の方向にスペース２０を有して平面状に配置されると共
に、矢印Ｙ１の方向で示す一軸磁気異方性が付与されて
いる。磁性膜２１、２２は例えばＮｉーＦｅ系またはＦ
ｅーＭｎ系の磁性膜として形成し通常の異方性付与手段
によって上述の一軸磁気異方性を付与する。
【００１４】ＭＲ素子２３は、スペース２０の面内に配
置され、少なくともトラック幅方向の両端２１３、２３
２が磁性膜２１、２２の端縁２１１、２２１と間隔ｄ
１、ｄ２を介して対向する。ＭＲ素子２３はＮｉ−Ｆ
ｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性薄膜材料を用いて形成されて
いる。ＭＲ素子２３にはセンス電流Ｉを流す他、入力磁
界に対して直線性のよい検出信号を得るためバイアス磁
界が加えられる。バイアス磁界を発生する手段として、
ＭＲ素子２３に直接バイアス導体膜を成膜し、バイアス
導体膜に流す電流による発生磁界を利用してバイアスを
加えるシャントバイアス方式、ＭＲ素子２３に近接して
薄膜永久磁石を配置し、薄膜永久磁石の発生磁界を利用
するマグネットバイアス方式等が採用される。
置され、少なくともトラック幅方向の両端２１３、２３
２が磁性膜２１、２２の端縁２１１、２２１と間隔ｄ
１、ｄ２を介して対向する。ＭＲ素子２３はＮｉ−Ｆ
ｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性薄膜材料を用いて形成されて
いる。ＭＲ素子２３にはセンス電流Ｉを流す他、入力磁
界に対して直線性のよい検出信号を得るためバイアス磁
界が加えられる。バイアス磁界を発生する手段として、
ＭＲ素子２３に直接バイアス導体膜を成膜し、バイアス
導体膜に流す電流による発生磁界を利用してバイアスを
加えるシャントバイアス方式、ＭＲ素子２３に近接して
薄膜永久磁石を配置し、薄膜永久磁石の発生磁界を利用
するマグネットバイアス方式等が採用される。
【００１５】上述のように、磁性膜２１、２１はスペー
ス２０を有して平面状に配置されると共に、矢印Ｙ１の
方向で示す一軸磁気異方性が付与されており、ＭＲ素子
２３はスペース２０の面内に配置され少なくともトラッ
ク幅方向の両端２３１、２３２が磁性膜２１、２２の端
縁２１１、２２１と間隔ｄ１、ｄ２を介して対向するか
ら、磁性膜２１、２２の一軸磁気異方性によって、ＭＲ
素子２３にトラック幅方向Ｙ２の一軸磁気異方性が誘導
される。このため、バルクハウゼン．ノイズが防止され
る。ＭＲ素子２３の一軸磁気異方性は、磁性膜２１、２
２の端縁２１１、２２１と対向するＭＲ素子２３の両端
２３１、２３２に発生する反磁界に基づいて誘導され
る。
ス２０を有して平面状に配置されると共に、矢印Ｙ１の
方向で示す一軸磁気異方性が付与されており、ＭＲ素子
２３はスペース２０の面内に配置され少なくともトラッ
ク幅方向の両端２３１、２３２が磁性膜２１、２２の端
縁２１１、２２１と間隔ｄ１、ｄ２を介して対向するか
ら、磁性膜２１、２２の一軸磁気異方性によって、ＭＲ
素子２３にトラック幅方向Ｙ２の一軸磁気異方性が誘導
される。このため、バルクハウゼン．ノイズが防止され
る。ＭＲ素子２３の一軸磁気異方性は、磁性膜２１、２
２の端縁２１１、２２１と対向するＭＲ素子２３の両端
２３１、２３２に発生する反磁界に基づいて誘導され
る。
【００１６】しかも、磁性膜２１、２２の一軸磁気異方
性によって、ＭＲ素子２３に一軸磁気異方性を誘導する
構造であるため、磁性膜２１、２２及びＭＲ素子２３
を、この種の薄膜磁気ヘッドで多用されている薄膜積層
技術によって付着させることができ、製造上の困難性も
なく、容易に実現できる。
性によって、ＭＲ素子２３に一軸磁気異方性を誘導する
構造であるため、磁性膜２１、２２及びＭＲ素子２３
を、この種の薄膜磁気ヘッドで多用されている薄膜積層
技術によって付着させることができ、製造上の困難性も
なく、容易に実現できる。
【００１７】図示では、磁気変換素子２は、２つの導体
膜２４、２５を含み、導体膜２４、２５が互いに間隔を
隔てて横並びに配置されている。ＭＲ素子２３は導体膜
２４ー２５間に接続され、磁性膜２１、２２は導体膜２
４、２５の上に分割して配置されている。導体膜２４、
２５は間隔ｄ３が１０μｍ以下となるように配置するの
が望ましい。間隔ｄ３が１０μｍ以下であると、間隔ｄ
３に起因して、下部磁気シールド膜２６及び上部磁性膜
膜２５の間に位置する導体膜２４ー２５間に発生する面
積が小さくなり、磁気ディスク（図示しない）の記録磁
界に基づいて発生した磁束の通過する鎖交面積が小さく
なる。このため、導体膜２４、２５及びＭＲ素子２３に
よって構成される１ターンコイルと鎖交する磁束数が最
小になり、１ターンコイルの起電力が無視できるほど小
さくなり、ＭＲ素子２３で得られる本来の読み出し信号
電圧のみとなる。
膜２４、２５を含み、導体膜２４、２５が互いに間隔を
隔てて横並びに配置されている。ＭＲ素子２３は導体膜
２４ー２５間に接続され、磁性膜２１、２２は導体膜２
４、２５の上に分割して配置されている。導体膜２４、
２５は間隔ｄ３が１０μｍ以下となるように配置するの
が望ましい。間隔ｄ３が１０μｍ以下であると、間隔ｄ
３に起因して、下部磁気シールド膜２６及び上部磁性膜
膜２５の間に位置する導体膜２４ー２５間に発生する面
積が小さくなり、磁気ディスク（図示しない）の記録磁
界に基づいて発生した磁束の通過する鎖交面積が小さく
なる。このため、導体膜２４、２５及びＭＲ素子２３に
よって構成される１ターンコイルと鎖交する磁束数が最
小になり、１ターンコイルの起電力が無視できるほど小
さくなり、ＭＲ素子２３で得られる本来の読み出し信号
電圧のみとなる。
【００１８】更に、図２を参照すると、本発明にかかる
薄膜磁気ヘッドは、通常、下部磁気シールド膜２６と、
上部磁気シールド膜２７とを含む。下部磁気シールド膜
２６は、スライダ１の１部である電気絶縁膜１２を介し
て導体膜２１、２２及びＭＲ素子２３の下側に配置さ
れ、上部磁気シールド膜２７は電気絶縁膜１２を介して
導体膜２１、２２及びＭＲ素子２３の上側に配置されて
いる。下部磁気シールド膜２６及び上部磁気シールド膜
２７は読み出し動作時に、磁気ディスクの他の磁化反転
遷移領域から生じる磁界の影響を遮断する。
薄膜磁気ヘッドは、通常、下部磁気シールド膜２６と、
上部磁気シールド膜２７とを含む。下部磁気シールド膜
２６は、スライダ１の１部である電気絶縁膜１２を介し
て導体膜２１、２２及びＭＲ素子２３の下側に配置さ
れ、上部磁気シールド膜２７は電気絶縁膜１２を介して
導体膜２１、２２及びＭＲ素子２３の上側に配置されて
いる。下部磁気シールド膜２６及び上部磁気シールド膜
２７は読み出し動作時に、磁気ディスクの他の磁化反転
遷移領域から生じる磁界の影響を遮断する。
【００１９】図３は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの具体
的な構造例を示す断面図である。図において、図１及び
図２と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。３は書き込み用磁気変換素子である。スライダ１
は、セラミック構造体である基体部分１０の上にアルミ
ナ等でなる絶縁膜１２を有している。
的な構造例を示す断面図である。図において、図１及び
図２と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。３は書き込み用磁気変換素子である。スライダ１
は、セラミック構造体である基体部分１０の上にアルミ
ナ等でなる絶縁膜１２を有している。
【００２０】磁気変換素子２は、磁性膜２１、２２、Ｍ
Ｒ素子２３及び導体膜２４、２５を絶縁膜１２の内部に
層状に埋設して構成されている。
Ｒ素子２３及び導体膜２４、２５を絶縁膜１２の内部に
層状に埋設して構成されている。
【００２１】下部磁気シールド膜２６は、スライダ１の
基体部分１０と絶縁膜１２との間に設けられ、パーマロ
イなどの磁性膜によって構成されている。上部磁気シー
ルド膜２７は、次に説明するように書き込み用磁気変換
素子３の下部磁性膜３１を兼用して構成される。また、
下部磁性膜３１と分離してもよい。
基体部分１０と絶縁膜１２との間に設けられ、パーマロ
イなどの磁性膜によって構成されている。上部磁気シー
ルド膜２７は、次に説明するように書き込み用磁気変換
素子３の下部磁性膜３１を兼用して構成される。また、
下部磁性膜３１と分離してもよい。
【００２２】書き込み素子３３は、下部磁性膜３１、上
部磁性膜３２、コイル膜３３、アルミナ等でなるギャッ
プ膜３４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成された絶
縁膜３５及び保護膜３６などを有して、絶縁膜１２の上
に積層されている。下部磁性膜３１及び上部磁性膜３２
の先端部は微小厚みのギャップ膜３４を隔てて対向する
ポール部Ｐ１、Ｐ２となっており、ポール部Ｐ１、Ｐ２
において書き込みを行なう。下部磁性膜３１及び上部磁
性膜３２のヨーク部であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反
対側にあるバックギャップ部において、磁気回路を完成
するように互いに結合されている。絶縁膜３５の上に、
ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるように、コ
イル膜３３を形成してある。図示は、面内記録再生用磁
気ヘッドであるが、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等で
あってもよい。
部磁性膜３２、コイル膜３３、アルミナ等でなるギャッ
プ膜３４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成された絶
縁膜３５及び保護膜３６などを有して、絶縁膜１２の上
に積層されている。下部磁性膜３１及び上部磁性膜３２
の先端部は微小厚みのギャップ膜３４を隔てて対向する
ポール部Ｐ１、Ｐ２となっており、ポール部Ｐ１、Ｐ２
において書き込みを行なう。下部磁性膜３１及び上部磁
性膜３２のヨーク部であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反
対側にあるバックギャップ部において、磁気回路を完成
するように互いに結合されている。絶縁膜３５の上に、
ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるように、コ
イル膜３３を形成してある。図示は、面内記録再生用磁
気ヘッドであるが、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等で
あってもよい。
【００２３】そして、下部磁性膜３１が磁気変換素子の
上部磁気シールド膜２７として兼用されている。
上部磁気シールド膜２７として兼用されている。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る薄膜磁
気ヘッドにおいて、読み出し用磁気変換素子は磁性膜と
ＭＲ素子とを含んでおり、磁性膜は空気ベアリング面側
にスペースを有して平面状に配置されると共に、一軸磁
気異方性が付与されており、ＭＲ素子はスペース内に配
置され、少なくともトラック幅方向の両端が前記磁性膜
の端縁と間隔を介して対向するから、簡単な構造で、Ｍ
Ｒ素子に一軸磁気異方性を付与して単軸化でき、バルク
ハウゼン．ノイズ防止に有効な薄膜磁気ヘッドを提供す
ることができる。
気ヘッドにおいて、読み出し用磁気変換素子は磁性膜と
ＭＲ素子とを含んでおり、磁性膜は空気ベアリング面側
にスペースを有して平面状に配置されると共に、一軸磁
気異方性が付与されており、ＭＲ素子はスペース内に配
置され、少なくともトラック幅方向の両端が前記磁性膜
の端縁と間隔を介して対向するから、簡単な構造で、Ｍ
Ｒ素子に一軸磁気異方性を付与して単軸化でき、バルク
ハウゼン．ノイズ防止に有効な薄膜磁気ヘッドを提供す
ることができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの読み出し用磁気
変換素子部分の構成をモデル化して示す斜視図である。
変換素子部分の構成をモデル化して示す斜視図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの読み出し用磁気
変換素子部分の構成をモデル化して示す側面断面図であ
る。
変換素子部分の構成をモデル化して示す側面断面図であ
る。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
１ スライダ ２ 読み出し用磁気変換素子 ２１、２２ 磁性膜 ２３ ＭＲ素子 ２４、２５ 導体膜 ２６、２７ 磁気シールド膜 ３ 書き込み用磁気変換素子
Claims (3)
- 【請求項１】 スライダと、読み出し用磁気変換素子と
を有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、空気ベアリング面を有しており、 前記磁気変換素子は、磁性膜と、磁気抵抗効果素子とを
含み、前記スライダ上に設けられており、 前記磁性膜は、前記空気ベアリング面側にスペースを有
して平面状に配置されると共に、一軸磁気異方性が付与
されており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記スペース内に配置され、
少なくともトラック幅方向の両端が前記磁性膜の端縁と
間隔を介して対向する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁気変換素子は、２つの導体膜を含
み、前記導体膜が互いに間隔を隔てて横並びに配置さ
れ、前記磁気抵抗効果素子が前記導体膜間に接続され、
前記磁性膜が前記導体膜の上に分割して配置されている
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記磁気変換素子は、下部磁気シールド
膜と、上部磁気シールド膜とを含み、前記下部磁気シー
ルド膜が前記磁性膜、前記導体膜及び前記磁気抵抗効果
素子の下側に配置され、前記上部磁気シールド膜が前記
磁性膜、前記導体膜及び前記磁気抵抗効果素子の上側に
配置されている請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9385892A JPH05266439A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9385892A JPH05266439A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05266439A true JPH05266439A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=14094136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9385892A Withdrawn JPH05266439A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05266439A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2744554A1 (fr) * | 1996-02-02 | 1997-08-08 | Silmag Sa | Tete magnetique a element magnetoresistant enterre dans l'entrefer et procede de realisation |
| EP0801381A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-15 | Silmag | Tête magnétique horizontale à magnétorésistance perfectionnée |
| WO2001091116A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-10 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP9385892A patent/JPH05266439A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2744554A1 (fr) * | 1996-02-02 | 1997-08-08 | Silmag Sa | Tete magnetique a element magnetoresistant enterre dans l'entrefer et procede de realisation |
| EP0801381A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-15 | Silmag | Tête magnétique horizontale à magnétorésistance perfectionnée |
| FR2747499A1 (fr) * | 1996-04-12 | 1997-10-17 | Silmag Sa | Tete magnetique horizontale a magnetoresistance perfectionnee |
| WO2001091116A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-10 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| GB2379323A (en) * | 2000-05-25 | 2003-03-05 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US6597545B2 (en) | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| GB2379323B (en) * | 2000-05-25 | 2003-12-24 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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