JP2000048317A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2000048317A JP2000048317A JP10218724A JP21872498A JP2000048317A JP 2000048317 A JP2000048317 A JP 2000048317A JP 10218724 A JP10218724 A JP 10218724A JP 21872498 A JP21872498 A JP 21872498A JP 2000048317 A JP2000048317 A JP 2000048317A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 上部磁極にアルミナの保護膜を被覆しても、
上部磁極の側面において保護膜にピットが発生すること
を抑制し、歩留まり良く製造できる薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【解決手段】 下部磁極と上部磁極とが磁気ギャップを
介して対向して設けられているとともに、これらの磁極
の間で絶縁樹脂層によって覆われて絶縁されて磁極に巻
回されている薄膜コイルを備え、前記磁気ギャップから
前記薄膜コイルに向かう方向に沿って、上部磁極の側面
の傾斜角度が漸減されている薄膜磁気ヘッドである。
上部磁極の側面において保護膜にピットが発生すること
を抑制し、歩留まり良く製造できる薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【解決手段】 下部磁極と上部磁極とが磁気ギャップを
介して対向して設けられているとともに、これらの磁極
の間で絶縁樹脂層によって覆われて絶縁されて磁極に巻
回されている薄膜コイルを備え、前記磁気ギャップから
前記薄膜コイルに向かう方向に沿って、上部磁極の側面
の傾斜角度が漸減されている薄膜磁気ヘッドである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置な
どで情報の記録に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、特
に上部磁極の構造に係わる。
どで情報の記録に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、特
に上部磁極の構造に係わる。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、ハードディスク装置
に用いられる部品であり、磁気ディスクに情報を記録／
再生する際に用いられる。図４の斜視図で示すように、
薄膜磁気ヘッドは、アルミナ・チタンカーバイドなどで
作られた非磁性基板１０の上に、磁気抵抗効果型ヘッド
と誘導型ヘッドが積層して設置されている。本発明はこ
の誘導型ヘッド部分に用いられている上部磁極の構成に
関するものなので、本明細書においては「記録再生分離
型磁気ヘッド」あるいはその「誘導型ヘッド」を指すも
のとして、「薄膜磁気ヘッド」という用語を用いる。
に用いられる部品であり、磁気ディスクに情報を記録／
再生する際に用いられる。図４の斜視図で示すように、
薄膜磁気ヘッドは、アルミナ・チタンカーバイドなどで
作られた非磁性基板１０の上に、磁気抵抗効果型ヘッド
と誘導型ヘッドが積層して設置されている。本発明はこ
の誘導型ヘッド部分に用いられている上部磁極の構成に
関するものなので、本明細書においては「記録再生分離
型磁気ヘッド」あるいはその「誘導型ヘッド」を指すも
のとして、「薄膜磁気ヘッド」という用語を用いる。
【０００３】図４において、薄膜磁気ヘッドは非磁性基
板１０の上に、アルミナの絶縁膜、下部シールド１１、
磁気抵抗効果素子１２、磁気抵抗効果素子に電流を供給
する電極膜１３、上部シールドと下部磁極を兼ね備えた
磁性膜１４（以下「下部磁極」という）、上部磁極１６
を持つ。ここで下部シールド、磁気抵抗効果素子、上部
シールド間を絶縁する絶縁膜は記載を省略している。こ
の下部磁極と上部磁極の間に、アルミナなどからなる非
磁性薄膜を設けており、この非磁性薄膜を介して対向し
ている両磁極の先端部は、磁気ギャップを構成する。
板１０の上に、アルミナの絶縁膜、下部シールド１１、
磁気抵抗効果素子１２、磁気抵抗効果素子に電流を供給
する電極膜１３、上部シールドと下部磁極を兼ね備えた
磁性膜１４（以下「下部磁極」という）、上部磁極１６
を持つ。ここで下部シールド、磁気抵抗効果素子、上部
シールド間を絶縁する絶縁膜は記載を省略している。こ
の下部磁極と上部磁極の間に、アルミナなどからなる非
磁性薄膜を設けており、この非磁性薄膜を介して対向し
ている両磁極の先端部は、磁気ギャップを構成する。
【０００４】前記の下部磁極と上部磁極の間には励磁コ
イルが巻回されている。励磁コイルとしては薄膜コイル
１５が使用されている。上部磁極１６はその先端部で磁
気ギャップと接触しつつ、薄膜コイルの上に乗り上げる
状態で設けられている。従って、上部磁極は薄膜コイル
上の部分１６ａ（以下、中央部という）と、磁気ギャッ
プ上の部分１６ｃ（以下、先端部という）と、両者を接
続する部分１６ｂ（以下、曲部という）を備える。コイ
ル厚み３〜４μm、コイル間の絶縁層の厚み２〜４μmと
すると、中央部と先端部の段差は１２〜２０μmと大き
な値となる。この上部磁極の中央部と先端部の段差を小
さくすることができれば、磁極における磁気回路の長さ
（以下、磁路長という）を小さくできるので、薄膜磁気
ヘッドを小さくすることができるとともに、それに伴い
インダクタンスを小さくすることができて、より高周波
での記録が可能となることが期待される。
イルが巻回されている。励磁コイルとしては薄膜コイル
１５が使用されている。上部磁極１６はその先端部で磁
気ギャップと接触しつつ、薄膜コイルの上に乗り上げる
状態で設けられている。従って、上部磁極は薄膜コイル
上の部分１６ａ（以下、中央部という）と、磁気ギャッ
プ上の部分１６ｃ（以下、先端部という）と、両者を接
続する部分１６ｂ（以下、曲部という）を備える。コイ
ル厚み３〜４μm、コイル間の絶縁層の厚み２〜４μmと
すると、中央部と先端部の段差は１２〜２０μmと大き
な値となる。この上部磁極の中央部と先端部の段差を小
さくすることができれば、磁極における磁気回路の長さ
（以下、磁路長という）を小さくできるので、薄膜磁気
ヘッドを小さくすることができるとともに、それに伴い
インダクタンスを小さくすることができて、より高周波
での記録が可能となることが期待される。
【０００５】薄膜磁気ヘッドの上部磁極は、中央部と先
端部で２０μm近い段差を持つと共に、両者を接続する
部分は中央部や先端部とは異なり傾斜面を持つため、パ
ーマロイ等の磁性膜を作製するのに、傾斜面にも均一な
膜厚が得られるメッキによって作製される。下部磁極の
上に積層して作られた非磁性絶縁層の上と、絶縁樹脂層
に囲われた薄膜コイルの上に、導電性材料をスパッタリ
ングして下地導電体膜を形成する。次に下地導電体膜の
表面にレジスト膜を塗布し、所定の温度でベークを行
う。そのレジスト膜の上にフォトマスクを位置決めして
露光し、続いて現像及び水洗処理を施す。これにより、
薄膜コイルの形に合った枠であるレジストパターンが形
成される。このレジストパターンを設ける工程をフォト
リソグラフィーと呼ぶ。次に硫化鉄などを含むメッキ溶
液を用いて上部磁極をメッキにて形成する。そして、レ
ジストパターンを有機溶剤等で除去し水洗を行った後、
上部磁極の周囲のレジストパターン除去により露出した
下地導電体膜をイオンミリングで除去する。上部磁極と
なるメッキ部分を包むようにレジストパターンを形成し
た後、硝酸などを含む化学薬品で不要な部分のメッキ膜
を除去する。そして、レジストパターンを有機溶剤で除
去、水洗を行うことで、上部磁極となるメッキ膜形状が
得られる。
端部で２０μm近い段差を持つと共に、両者を接続する
部分は中央部や先端部とは異なり傾斜面を持つため、パ
ーマロイ等の磁性膜を作製するのに、傾斜面にも均一な
膜厚が得られるメッキによって作製される。下部磁極の
上に積層して作られた非磁性絶縁層の上と、絶縁樹脂層
に囲われた薄膜コイルの上に、導電性材料をスパッタリ
ングして下地導電体膜を形成する。次に下地導電体膜の
表面にレジスト膜を塗布し、所定の温度でベークを行
う。そのレジスト膜の上にフォトマスクを位置決めして
露光し、続いて現像及び水洗処理を施す。これにより、
薄膜コイルの形に合った枠であるレジストパターンが形
成される。このレジストパターンを設ける工程をフォト
リソグラフィーと呼ぶ。次に硫化鉄などを含むメッキ溶
液を用いて上部磁極をメッキにて形成する。そして、レ
ジストパターンを有機溶剤等で除去し水洗を行った後、
上部磁極の周囲のレジストパターン除去により露出した
下地導電体膜をイオンミリングで除去する。上部磁極と
なるメッキ部分を包むようにレジストパターンを形成し
た後、硝酸などを含む化学薬品で不要な部分のメッキ膜
を除去する。そして、レジストパターンを有機溶剤で除
去、水洗を行うことで、上部磁極となるメッキ膜形状が
得られる。
【０００６】上部磁極を形成するレジストパターンを一
度の露光で形成する際、レジスト膜が厚いためと中央部
と先端部の段差のために焦点のずれが生じてしまう。す
なわち、上部磁極の先端部周辺のレジスト膜に焦点を合
わせると、上部磁極の中央部周辺のレジスト膜の焦点が
ずれてしまう。現像および水処理した結果、先端部周辺
のレジストパターンの断面が方形に形成されても、中央
部周辺のレジストパターンの断面は台形状に形成され
る。このように形成されたレジストパターンを基にメッ
キで上部磁極を形成すると、レジストパターンの台形側
面が逆転写されて、上部磁極の断面に逆台形状の側面が
形成される。
度の露光で形成する際、レジスト膜が厚いためと中央部
と先端部の段差のために焦点のずれが生じてしまう。す
なわち、上部磁極の先端部周辺のレジスト膜に焦点を合
わせると、上部磁極の中央部周辺のレジスト膜の焦点が
ずれてしまう。現像および水処理した結果、先端部周辺
のレジストパターンの断面が方形に形成されても、中央
部周辺のレジストパターンの断面は台形状に形成され
る。このように形成されたレジストパターンを基にメッ
キで上部磁極を形成すると、レジストパターンの台形側
面が逆転写されて、上部磁極の断面に逆台形状の側面が
形成される。
【０００７】図５に示すように、逆台形状の断面を有す
る上部磁極１７に保護膜１８（アルミナ膜）を積層する
と、逆台形の鋭角部分の近傍からピット（膜と膜の境
界）が発生し易い。ピットが成長してアルミナ膜が一体
に形成されず、空隙１９を生じるという問題点があっ
た。特に、上部磁極中央部や曲部の断面形状が逆台形状
になると、ピットによる空隙を生じ易い。これは、アル
ミナ膜をスパッタリングで形成する際に、上部磁極の上
面から成長するアルミナ膜と、上部磁極を載せた絶縁膜
上から成長するアルミナ膜の成長方向が異なるため、双
方から成長したアルミナ膜が合わさるときに、界面が一
致せず空隙を生じるものと考えられる。
る上部磁極１７に保護膜１８（アルミナ膜）を積層する
と、逆台形の鋭角部分の近傍からピット（膜と膜の境
界）が発生し易い。ピットが成長してアルミナ膜が一体
に形成されず、空隙１９を生じるという問題点があっ
た。特に、上部磁極中央部や曲部の断面形状が逆台形状
になると、ピットによる空隙を生じ易い。これは、アル
ミナ膜をスパッタリングで形成する際に、上部磁極の上
面から成長するアルミナ膜と、上部磁極を載せた絶縁膜
上から成長するアルミナ膜の成長方向が異なるため、双
方から成長したアルミナ膜が合わさるときに、界面が一
致せず空隙を生じるものと考えられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、保護
膜に生じるピットの発生を抑制するとともに、歩留まり
良く形成できる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
膜に生じるピットの発生を抑制するとともに、歩留まり
良く形成できる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、下部磁極と上部磁極とが磁気ギャップを介して対向
して設けられているとともに、これらの磁極の間で絶縁
樹脂層によって覆われて絶縁されて磁極に巻回されてい
る薄膜コイルを備え、前記磁気ギャップから前記薄膜コ
イルに向かう方向に沿って、上部磁極の側面の傾斜角度
が漸減されることを特徴とする。
は、下部磁極と上部磁極とが磁気ギャップを介して対向
して設けられているとともに、これらの磁極の間で絶縁
樹脂層によって覆われて絶縁されて磁極に巻回されてい
る薄膜コイルを備え、前記磁気ギャップから前記薄膜コ
イルに向かう方向に沿って、上部磁極の側面の傾斜角度
が漸減されることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁
極と上部磁極とが磁気ギャップを介して対向して設けら
れているとともに、これらの磁極の間で絶縁樹脂層によ
って覆われて絶縁されて磁極に巻回されている薄膜コイ
ルを備え、磁気ギャップの近傍にある前記上部磁極の先
端部は略方形の断面形状を有し、薄膜コイルの近傍にあ
る前記上部磁極の中央部は略台形の断面形状を有し、前
記先端部と前記中央部の間に配置されている前記上部磁
極の曲部は略台形の断面形状を有することを特徴とす
る。
極と上部磁極とが磁気ギャップを介して対向して設けら
れているとともに、これらの磁極の間で絶縁樹脂層によ
って覆われて絶縁されて磁極に巻回されている薄膜コイ
ルを備え、磁気ギャップの近傍にある前記上部磁極の先
端部は略方形の断面形状を有し、薄膜コイルの近傍にあ
る前記上部磁極の中央部は略台形の断面形状を有し、前
記先端部と前記中央部の間に配置されている前記上部磁
極の曲部は略台形の断面形状を有することを特徴とす
る。
【００１１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部磁
極と上部磁極とが磁気ギャップを介して対向して設けら
れているとともに、これらの磁極の間で絶縁樹脂層によ
って覆われて絶縁されて磁極に巻回されている薄膜コイ
ルを持っている薄膜磁気ヘッドであって、前記上部磁極
は、中央部の断面形状が矩形であり、曲部の断面形状が
台形もしくは扇形であり、先端部の断面形状が逆台形も
しくは矩形であることを特徴とする。
極と上部磁極とが磁気ギャップを介して対向して設けら
れているとともに、これらの磁極の間で絶縁樹脂層によ
って覆われて絶縁されて磁極に巻回されている薄膜コイ
ルを持っている薄膜磁気ヘッドであって、前記上部磁極
は、中央部の断面形状が矩形であり、曲部の断面形状が
台形もしくは扇形であり、先端部の断面形状が逆台形も
しくは矩形であることを特徴とする。
【００１２】ここで、前記先端部の側面の傾斜角度θ３
を80°〜100°として、前記曲部の側面の傾斜角度θ2を
85°〜90°として、前記中央部の側面の傾斜角度θ１を
80°〜90°にしてθ３≧θ２≧θ１という構成にするこ
とが望ましい。先端部のみに逆台形の形状を含めるのは
次の理由による。先端部の幅は誘導型ヘッドのトラック
幅を規定している。高記録密度に対応すべくトラック幅
を狭くしたり、磁極の側面の角に起因する漏れ磁界を防
止するためには、先端部の断面形状を方形または逆台形
にする方が効果的である。従って、上部磁極の先端部以
外の部分では断面が逆台形上にならないようにしつつ、
先端部のみでは記録特性を劣化させないために異なる形
状とすることで、歩留まりと高記録密度の双方を改善す
ることが好ましい。双方をより安定して満たすために
は、さらに前記先端部の側面の傾斜角度θ３を85°〜95
°にして、前記曲部の側面の傾斜角度θ2を85°〜90°
にして、前記中央部の側面の傾斜角度θ１を80°〜90°
にして、θ３≧θ２≧θ１という構成にすることが望ま
しい。
を80°〜100°として、前記曲部の側面の傾斜角度θ2を
85°〜90°として、前記中央部の側面の傾斜角度θ１を
80°〜90°にしてθ３≧θ２≧θ１という構成にするこ
とが望ましい。先端部のみに逆台形の形状を含めるのは
次の理由による。先端部の幅は誘導型ヘッドのトラック
幅を規定している。高記録密度に対応すべくトラック幅
を狭くしたり、磁極の側面の角に起因する漏れ磁界を防
止するためには、先端部の断面形状を方形または逆台形
にする方が効果的である。従って、上部磁極の先端部以
外の部分では断面が逆台形上にならないようにしつつ、
先端部のみでは記録特性を劣化させないために異なる形
状とすることで、歩留まりと高記録密度の双方を改善す
ることが好ましい。双方をより安定して満たすために
は、さらに前記先端部の側面の傾斜角度θ３を85°〜95
°にして、前記曲部の側面の傾斜角度θ2を85°〜90°
にして、前記中央部の側面の傾斜角度θ１を80°〜90°
にして、θ３≧θ２≧θ１という構成にすることが望ま
しい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドの実施形
態について図面を用いて説明する。図１は、本発明の薄
膜磁気ヘッドの上部磁極を説明する平面図および断面図
である。図２および図３は本発明の薄膜磁気ヘッドの上
部磁極の断面図である。図４は、薄膜磁気ヘッドの概略
を説明する斜視図であり、図１、図２または図３の上部
磁極を適用できる構成を示す。
態について図面を用いて説明する。図１は、本発明の薄
膜磁気ヘッドの上部磁極を説明する平面図および断面図
である。図２および図３は本発明の薄膜磁気ヘッドの上
部磁極の断面図である。図４は、薄膜磁気ヘッドの概略
を説明する斜視図であり、図１、図２または図３の上部
磁極を適用できる構成を示す。
【００１４】本発明の一実施形態は、図１の上面図に示
す上部磁極１６を図４の薄膜磁気ヘッドに用いる。この
上部磁極１６は、中央部１６ａと曲部１６ｂと先端部１
６ｃからなる。図１中の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々
が図１の上部磁極１６および図４中の上部磁極におい
て、中央部のＡ−Ａ’断面、曲部のＢ−Ｂ’断面、先端
部のＣ−Ｃ’断面に相当する。ここで、中央部の側面の
傾斜角度であるθ１は85°であり、曲部の側面の傾斜角
度θ2は88〜90°であり、先端部の側面の傾斜角度θ３
は90°とした。また、中央部の断面形状は矩形であり、
曲部の断面形状は扇形であり、先端部の断面形状は矩形
とした。曲部の断面形状が扇形になるのは、上部磁極を
積層させた絶縁膜が薄膜コイルの外縁に沿って曲がった
斜面を有する構造としたためである。従来の構成では、
このような斜面（曲部の近傍）上に保護膜を形成すると
ピットによる空隙が発生し易くなるが、本実施形態では
各々の傾斜角度を上記のように規定するとともに、先端
部から中央部に向かう方向に沿って上部磁極側面の傾斜
角度を漸減させることでピットの発生を抑制できた。
す上部磁極１６を図４の薄膜磁気ヘッドに用いる。この
上部磁極１６は、中央部１６ａと曲部１６ｂと先端部１
６ｃからなる。図１中の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々
が図１の上部磁極１６および図４中の上部磁極におい
て、中央部のＡ−Ａ’断面、曲部のＢ−Ｂ’断面、先端
部のＣ−Ｃ’断面に相当する。ここで、中央部の側面の
傾斜角度であるθ１は85°であり、曲部の側面の傾斜角
度θ2は88〜90°であり、先端部の側面の傾斜角度θ３
は90°とした。また、中央部の断面形状は矩形であり、
曲部の断面形状は扇形であり、先端部の断面形状は矩形
とした。曲部の断面形状が扇形になるのは、上部磁極を
積層させた絶縁膜が薄膜コイルの外縁に沿って曲がった
斜面を有する構造としたためである。従来の構成では、
このような斜面（曲部の近傍）上に保護膜を形成すると
ピットによる空隙が発生し易くなるが、本実施形態では
各々の傾斜角度を上記のように規定するとともに、先端
部から中央部に向かう方向に沿って上部磁極側面の傾斜
角度を漸減させることでピットの発生を抑制できた。
【００１５】次に本発明の製造方法を説明する。非磁性
基板上に絶縁膜、下部シールド、絶縁膜、磁気抵抗効果
素子と電極膜、絶縁膜、下部磁極を所定の形状で順次積
層する。ここまでは磁気抵抗効果ヘッドの部分である。
さらに下部磁極の上に、非磁性薄膜、第１の絶縁膜、下
層の薄膜コイル、第２の絶縁膜、上層の薄膜コイル、第
３の絶縁膜を順次積層する。非磁性薄膜は磁気ギャップ
を構成するべく、非磁性薄膜以下の構成を覆うように広
がった形状とした。薄膜コイルはらせん状に巻回された
形状とした。また、第３の絶縁膜は、薄膜コイルを包む
ように略円形の外縁を備える形状に設けてある。このよ
うな構成において、非磁性薄膜と第３の絶縁膜の上にメ
ッキ用の下地導電体膜を形成し、その上にフォトレジス
トを塗布する。
基板上に絶縁膜、下部シールド、絶縁膜、磁気抵抗効果
素子と電極膜、絶縁膜、下部磁極を所定の形状で順次積
層する。ここまでは磁気抵抗効果ヘッドの部分である。
さらに下部磁極の上に、非磁性薄膜、第１の絶縁膜、下
層の薄膜コイル、第２の絶縁膜、上層の薄膜コイル、第
３の絶縁膜を順次積層する。非磁性薄膜は磁気ギャップ
を構成するべく、非磁性薄膜以下の構成を覆うように広
がった形状とした。薄膜コイルはらせん状に巻回された
形状とした。また、第３の絶縁膜は、薄膜コイルを包む
ように略円形の外縁を備える形状に設けてある。このよ
うな構成において、非磁性薄膜と第３の絶縁膜の上にメ
ッキ用の下地導電体膜を形成し、その上にフォトレジス
トを塗布する。
【００１６】形成されたフォトレジストをフォトマスク
で覆い、マスクの上から光を照射してレジスト膜を露光
する。レジスト塗布、露光、現像の一連のフォトリソグ
ラフィー工程において、第１の方法として、１枚のフォ
トマスクで一括して露光するのではなく、複数のフォト
マスクを用いて部分ごとに異なる条件で露光を行う。す
なわち、レジスト膜において上部磁極の先端部に対応す
る部分、曲部に対応する部分、中央部に対応する部分に
対して、別々の焦点深さ、露光時間で露光することによ
り、各々の部分で側面の傾斜角度が異なるレジストパタ
ーンを形成した。露光後にレジスト膜の不要部を除去
し、レジストパターンを残存させた。第２の方法とし
て、１枚のフォトマスクを用い露光中に焦点深さと露光
時間を変化させ露光した。先端部分のレジストを露光す
るに最適な焦点深さＦ１，露光時間Ｔ１、曲部を露光す
るに最適な焦点深さＦ２，露光時間Ｔ２，中央部を露光
するに最適な焦点深さＦ３，露光時間Ｔ３を組み合わせ
ている。つまり１回の露光で焦点深さはＦ１からＦ３ま
で変化させた。１回の露光時間としてはＴ１＋Ｔ２＋Ｔ
３である。第１および第２の方法で露光し作製した、レ
ジストパターンは平坦な非磁性薄膜の上と、斜面を有す
る第２の絶縁膜の上にわたって設けた。そして、レジス
トパターンの枠の中に露出させた下地導電体膜に対し
て、電気メッキ法によってＮｉ80Ｆｅ20を主組成とする
磁性体を形成した。その後レジストを除去し、露出した
下地導電体膜をイオンミリングで除去した。上部磁極と
して使用する部分を包む様にレジストパターンを形成
し、レジストパターンで被覆されていない部分の磁性体
をエッチングで除去し、レジストパターンを有機溶剤で
除去、水洗することで上部磁極を完成させる。
で覆い、マスクの上から光を照射してレジスト膜を露光
する。レジスト塗布、露光、現像の一連のフォトリソグ
ラフィー工程において、第１の方法として、１枚のフォ
トマスクで一括して露光するのではなく、複数のフォト
マスクを用いて部分ごとに異なる条件で露光を行う。す
なわち、レジスト膜において上部磁極の先端部に対応す
る部分、曲部に対応する部分、中央部に対応する部分に
対して、別々の焦点深さ、露光時間で露光することによ
り、各々の部分で側面の傾斜角度が異なるレジストパタ
ーンを形成した。露光後にレジスト膜の不要部を除去
し、レジストパターンを残存させた。第２の方法とし
て、１枚のフォトマスクを用い露光中に焦点深さと露光
時間を変化させ露光した。先端部分のレジストを露光す
るに最適な焦点深さＦ１，露光時間Ｔ１、曲部を露光す
るに最適な焦点深さＦ２，露光時間Ｔ２，中央部を露光
するに最適な焦点深さＦ３，露光時間Ｔ３を組み合わせ
ている。つまり１回の露光で焦点深さはＦ１からＦ３ま
で変化させた。１回の露光時間としてはＴ１＋Ｔ２＋Ｔ
３である。第１および第２の方法で露光し作製した、レ
ジストパターンは平坦な非磁性薄膜の上と、斜面を有す
る第２の絶縁膜の上にわたって設けた。そして、レジス
トパターンの枠の中に露出させた下地導電体膜に対し
て、電気メッキ法によってＮｉ80Ｆｅ20を主組成とする
磁性体を形成した。その後レジストを除去し、露出した
下地導電体膜をイオンミリングで除去した。上部磁極と
して使用する部分を包む様にレジストパターンを形成
し、レジストパターンで被覆されていない部分の磁性体
をエッチングで除去し、レジストパターンを有機溶剤で
除去、水洗することで上部磁極を完成させる。
【００１７】また、本発明の一実施形態は、図２の上面
図に示す上部磁極１６を図４の薄膜磁気ヘッドに用い
る。上部磁極１６が中央部１６ａと曲部１６ｂと先端部
１６ｃからなる点等は図１の実施形態と同様である。た
だし、中央部の側面の傾斜角度であるθ１は80°であ
り、曲部の側面の傾斜角度θ2は85°であり、先端部の
側面の傾斜角度θ３は90°でありθ1≧θ2≧θ3の関係
とした。また、中央部の断面形状は台形であり、曲部の
断面形状は台形であり、先端部の断面形状は矩形とし
た。この構造では磁極の面積の広い部分で、その断面形
状を台形にしてピットの発生を抑制するとともに、先端
部を矩形にすることでトラック幅を正確に規定すること
ができる。
図に示す上部磁極１６を図４の薄膜磁気ヘッドに用い
る。上部磁極１６が中央部１６ａと曲部１６ｂと先端部
１６ｃからなる点等は図１の実施形態と同様である。た
だし、中央部の側面の傾斜角度であるθ１は80°であ
り、曲部の側面の傾斜角度θ2は85°であり、先端部の
側面の傾斜角度θ３は90°でありθ1≧θ2≧θ3の関係
とした。また、中央部の断面形状は台形であり、曲部の
断面形状は台形であり、先端部の断面形状は矩形とし
た。この構造では磁極の面積の広い部分で、その断面形
状を台形にしてピットの発生を抑制するとともに、先端
部を矩形にすることでトラック幅を正確に規定すること
ができる。
【００１８】また、本発明の一実施形態は、図３の上面
図に示す上部磁極１６を図４の薄膜磁気ヘッドに用い
る。図１の実施形態と異なる点は次の通りである。中央
部の側面の傾斜角度であるθ１は85°であり、曲部の側
面の傾斜角度θ2は88°であり、先端部の側面の傾斜角
度θ３は90°でありθ1≧θ2≧θ3の関係とした。ま
た、中央部の断面形状は矩形であり、曲部の断面形状は
扇形であり、先端部の断面形状は矩形とした。
図に示す上部磁極１６を図４の薄膜磁気ヘッドに用い
る。図１の実施形態と異なる点は次の通りである。中央
部の側面の傾斜角度であるθ１は85°であり、曲部の側
面の傾斜角度θ2は88°であり、先端部の側面の傾斜角
度θ３は90°でありθ1≧θ2≧θ3の関係とした。ま
た、中央部の断面形状は矩形であり、曲部の断面形状は
扇形であり、先端部の断面形状は矩形とした。
【００１９】
【発明の効果】本発明によって、保護膜に生じるピット
の発生を抑制するとともに、高記録密度に対応しながら
歩留まり良く薄膜磁気ヘッドを製造できるようになっ
た。
の発生を抑制するとともに、高記録密度に対応しながら
歩留まり良く薄膜磁気ヘッドを製造できるようになっ
た。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの上部磁極を説明する
図。
図。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの上部磁極の断面図。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの上部磁極の断面図。
【図４】薄膜磁気ヘッドの概略を説明する斜視図。
【図５】薄膜磁気ヘッドの空隙を説明する断面図。
１０ 非磁性基板、１１ 下部シールド、１２ 磁気抵
抗効果素子、１３ 電極膜、１４ 下部磁極、１５ 薄
膜コイル、１６ 上部磁極、１６ａ 中央部、１６ｂ
曲部、１６ｃ 先端部 _
抗効果素子、１３ 電極膜、１４ 下部磁極、１５ 薄
膜コイル、１６ 上部磁極、１６ａ 中央部、１６ｂ
曲部、１６ｃ 先端部 _
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 岳夫 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号 日 立金属株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA07 CA05 DA02 DA31
Claims (5)
- 【請求項１】 下部磁極と上部磁極とが磁気ギャップを
介して対向して設けられているとともに、これらの磁極
の間で絶縁樹脂層によって覆われて絶縁されて磁極に巻
回されている薄膜コイルを備え、前記磁気ギャップから
前記薄膜コイルに向かう方向に沿って、上部磁極の側面
の傾斜角度が漸減されることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 下部磁極と上部磁極とが磁気ギャップを
介して対向して設けられているとともに、これらの磁極
の間で絶縁樹脂層によって覆われて絶縁されて磁極に巻
回されている薄膜コイルを持っている薄膜磁気ヘッドで
あって、磁気ギャップの近傍にある前記上部磁極の先端
部は略方形の断面形状を有し、薄膜コイルの近傍にある
前記上部磁極の中央部は略台形の断面形状を有し、前記
先端部と前記中央部の間に配置されている前記上部磁極
の曲部は略台形の断面形状を有することを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 下部磁極と上部磁極とが磁気ギャップを
介して対向して設けられているとともに、これらの磁極
の間で絶縁樹脂層によって覆われて絶縁されて磁極に巻
回されている薄膜コイルを持っている薄膜磁気ヘッドで
あって、前記上部磁極は、中央部の断面形状が矩形であ
り、曲部の断面形状が台形もしくは扇形であり、先端部
の断面形状が逆台形もしくは矩形であることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項２または３に記載の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記先端部の側面の傾斜角度θ1は80°〜1
00°であり、前記曲部の側面の傾斜角度θ2は85°〜90
°であり、前記中央部の側面の傾斜角度θ3は80°〜90
°でありθ1≧θ2≧θ3の関係を備えることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項２または３に記載の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記先端部の側面の傾斜角度θ1は85°〜9
5°であり、前記曲部の側面の傾斜角度θ2は85°〜90°
であり、前記中央部の側面の傾斜角度θ3は80°〜90°
であり、θ1≧θ2≧θ3の関係を備えることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10218724A JP2000048317A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10218724A JP2000048317A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000048317A true JP2000048317A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16724453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10218724A Withdrawn JP2000048317A (ja) | 1998-08-03 | 1998-08-03 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000048317A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG101440A1 (en) * | 2000-06-22 | 2004-01-30 | Samsung Electronics Co Ltd | Magnetic head |
| GB2392296A (en) * | 2002-08-05 | 2004-02-25 | Seagate Technology Llc | Recording head with rounded top pole |
| US7684150B2 (en) | 2003-07-09 | 2010-03-23 | Seagate Technology Llc | Recording head for reducing side track erasure |
-
1998
- 1998-08-03 JP JP10218724A patent/JP2000048317A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG101440A1 (en) * | 2000-06-22 | 2004-01-30 | Samsung Electronics Co Ltd | Magnetic head |
| US6700739B2 (en) * | 2000-06-22 | 2004-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic head with upper pole of varying cross-sectional thickness |
| GB2392296A (en) * | 2002-08-05 | 2004-02-25 | Seagate Technology Llc | Recording head with rounded top pole |
| GB2392296B (en) * | 2002-08-05 | 2004-08-11 | Seagate Technology Llc | Rounded top pole |
| US7298587B2 (en) | 2002-08-05 | 2007-11-20 | Seagate Technology Llc | Rounded top pole |
| US7684150B2 (en) | 2003-07-09 | 2010-03-23 | Seagate Technology Llc | Recording head for reducing side track erasure |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040310 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050908 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20051017 |