JP2005502151A - 側壁処理により形成される狭幅な書き込みヘッドポールチップ - Google Patents

Abstract

【解決手段】磁気ヘッドは、Ｐ２ポールチップ物質がＰ２チップのフォトリソグラフィ溝（６４）の側壁上に電気メッキされているＰ２ポールチップを備える。これを実現するために、一般的にまっすぐ、すなわち物質ブロックの垂直な側壁（４４）がＰ２ポールチップ位置に配置されるよう、物質ブロック（４０）はライトギャップ層上に堆積される。その後、電気メッキシード層（５０）が側壁に堆積すされる。（堆積したシード層を伴う）側壁がＰ２ポールチップ溝内に露出するよう、Ｐ２ポールチップ溝（６４）がフォトリソグラフィ処理により形成される。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は概して、磁気ヘッドの形成に関し、さらに具体的には、かかる磁気ヘッドのための狭幅な第２のポール部（Ｐ２）の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク・ドライブは、磁気ヘッドによってデータが書き込まれる１つ以上の磁気ディスクを備える。ディスクに記憶するデータ量を拡張するために、ディスクの領域のデータ記憶密度の増加、すなわち、ディスク面の所定領域に格納されるデータビット数の増加に注目した努力が続いている。
【０００３】
当業者には十分明らかなように、ハードディスク１２の領域のデータ記憶密度を増加する一つの方法は、ディスク面に書き込まれる１インチあたりのトラック数（ＴＰＩ）を増加させることである。ＴＰＩを増加するためには、より狭いデータトラックへの書き込み、および、磁気ヘッドによって書き込まれるデータトラックの幅を通常規定しているＰ２ポールチップの幅を狭めることによる、より狭いデータトラックの実現が必要である。標準のＰ２ポールチップ形成処理には、狭幅なＰ２ポールチップ溝の形成と、その後に行う溝の底部から上部にわたるメッキ処理のためのフォトリソグラフィ技術が含まれる。このフォトリソグラフィ形成処理では、Ｐ２ポールチップの幅はＰ２ポールチップ溝の幅に対応している。
【０００４】
当業者に明らかなように、Ｐ２ポールチップ形成のためのこうしたフォトリソグラフィ技術、特に、縦横比の高いＰ２ポールチップのメッキ溝が要求される場合における技術には限界があり、一般的に、かかるＰ２ポールチップの幅は約５００ｎｍが下限となる。したがって、およそ５００ｎｍよりも狭いポールチップ幅を有するＰ２ポールチップの生成が要求される場合には、別のフォトリソグラフィ形成方法が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、Ｐ２ポールチップの電気メッキを、Ｐ２ポールチップ溝の底部からではなく、主に側壁から行う狭幅なＰ２ポールチップの形成を行う方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、本発明のハードディスク・ドライブの磁気ヘッドは、フォトリソグラフィ技術およびＰ２ポールチップ物質をＰ２ポールチップフォトリソグラフィ溝の側壁上に電気メッキする電気メッキ技術を利用して形成されるＰ２ポールチップを備えるようにした。これを実現するために、一般にまっすぐ、すなわち垂直な物質ブロックの側壁がＰ２ポールチップ位置に配置されるように、物質ブロックはライトギャップ層上に堆積される。その後、電気メッキシード層が側壁に積層される。フォトリソグラフィ技術を利用して、（堆積されたシード層を伴う）側壁がＰ２ポールチップ溝内に露出するようにＰ２ポールチップ溝は形成される。その後、Ｐ２ポールチップはシード層上にポールチップ物質を電気メッキすることにより形成される。したがって、当技術分野で周知のように、Ｐ２ポールチップが、溝の底部からではなく、溝の内部で、側壁から外向きに物質を電気メッキすることにより形成される点は重要である。その結果、Ｐ２ポールチップの幅は、Ｐ２ポールチップ溝の幅ではなく、側壁に堆積したポールチップ物質の量によって決定される。
【０００７】
本発明のＰ２ポールチップの形成に続いて、標準的なフォトリソグラフィ技術を用いて誘電コイルが形成され、Ｐ２ポールチップと電磁接続されている誘電コイルを覆うように第３のポール部（Ｐ３）が形成される。したがって、本発明のＰ２ポールチップは、物質ブロックの側壁上に堆積したシード層からなる側壁部分、および、シード層上に電気メッキされたポールチップ物質からなる第２の部分を備える。したがってＰ２ポールチップの幅は、Ｐ２ポールチップを形成するフォトリソグラフィ処理のＰ２ポールチップ溝の幅ではなく、電気メッキ処理のパラメータによって決まる。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように、本発明によれば、磁気ヘッドにおいて、幅の狭いＰ２ポールチップを備えるという効果を奏する。
【０００９】
また、本発明の磁気ヘッドは、精密なデータを磁気ハードディスクに書き込むための狭幅なＰ２ポールチップを備えるという効果を奏する。
【００１０】
更に、データの面記録密度が増加している磁気ハードディスクを備えるという効果を奏する。
【００１１】
さらにまた、本発明のハードディスク・ドライブは、狭幅なＰ２ポールチップを備える本発明の磁気ヘッドを含むという効果を奏する。
【００１２】
さらに、本発明のハードディスク・ドライブは、精密なデータを磁気ハードディスクに書き込むための狭幅なＰ２ポールチップを備える本発明の磁気ヘッドを含むという効果を奏する。
【００１３】
また、本発明の磁気ヘッド形成方法は、高い縦横比のＰ２ポールチップが容易に形成されるという効果を奏する。。
【００１４】
さらにまた、本発明における磁気ヘッド形成方法は、フォトリソグラフ技術およびＰ２ポールチップがＰ２ポールチップ溝の側面からメッキされる電気メッキ技術を利用して形成される狭幅なＰ２ポールチップを備えるという効果を奏する。
【００１５】
本発明によるこれらのおよびその他の特徴と利点は、種々の図面を参照した以下の詳細な説明から当業者に明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明の磁気ヘッドを備えるハードディスク・ドライブの主要な構成要素を表す上面図である。ハードディスク・ドライブ１０は、電動式スピンドル１４に取り付けられている回転可能な磁気媒体のハードディスク１２を備える。駆動アーム１６は、その先端２２に本発明の磁気ヘッド２０が配置され、ハードディスク・ドライブ１０の内部において回動するよう取り付けられている。代表的なハードディスク・ドライブ１０は、スピンドル１４に回転可能に取り付けられている複数のディスクと、駆動アーム１６の先端２２に取り付けられている磁気ヘッド２０を含む複数の駆動アーム１６とを備え得る。当業者には周知のとおり、ハードディスク・ドライブ１０が操作されると、ハードディスク１２はスピンドル１４上で回転し、磁気ヘッド２０は、回転するディスク面の上で走査するのに適したエアベアリング・スライダとして機能する。スライダは、磁気ヘッドを形成する種々の構造が形成されている基板構造を含む。かかるヘッドはウェハ基板上に大量に形成され、続いて個々の磁気ヘッド２０に切断される。
【００１７】
当業者に周知のとおり、通常、典型的な磁気ヘッド形成工程には、多種の薄膜層を堆積およびパターニングして読み込みヘッドを形成し、さらに続いて読み取りヘッドの上に多種の薄膜層を堆積およびパターニングして書き込みヘッドを形成することが含まれる。本発明は、書き込みヘッドの形成に関するため、一般的に当業者には明らかなように、本発明の磁気ヘッドには、全てではないが、多種の読み取りヘッド構造のほとんどが含まれ得る。したがって、本発明の形成過程の詳細については、ウェハ基板上に読み取りヘッド要素がすでに形成されており、Ｐ１磁気ポールおよびライトギャップ層が形成される前の時点から説明が始まる。かかる構造は当業者には周知であるため、本明細書における詳細な説明は、本発明の詳細な説明に示す必要はない。
【００１８】
図２および３は、本発明における磁気ヘッド２０のＰ２ポールチップの形成における第１工程を示し、図２はその上面図、図３は、図２を直線３−３に沿って切り取った側断面図を示す。図２および３に示すように、ウェハ基板面上における磁気ヘッドの形成プロセスは、絶縁層（図示せず）上に第１のポール（Ｐ１）３０が形成され、続いてＰ１ポール３０上のライトギャップ層３４が堆積するポイントまでが実施されている。上述のとおり、このポイントまでの磁気ヘッド形成については、当業者に周知である。ライトギャップ層３４の堆積に続いて、非導電性物質ブロック４０は、ライトギャップ層上に形成される。物質ブロック４０は、フォトレジストの堆積、フォトリソグラフィパターニング、物質ブロックが残留するフォトレジスト部分の除去等による種々の方法にて形成可能である。物質ブロックの重要な特徴としては、縦の長さｈが所望のＰ２ポールチップの縦の長さに対応する点、厚みｔがＰ２ポールチップの所望の厚みに対応する点、Ｐ２ポールチップの所望の位置にてＰ１ポールの上方に側壁４４が正確に位置づけされるようブロック４０が配置されている点、および側壁４４は滑らかかつ垂直である点があげられる。その後、図２および３に示すとおり、Ｐ２ポールチップの電気メッキのためのシード層５０が、ウェハ面全域に亘って堆積される。このシード層５０に側壁４４を覆うように堆積されるシード層部分５４が含まれることは重要である。シード層５０は、ＮｉＦｅ等のポールチップと同じ物質で構成されるとともに、代表的なスパッタ堆積技術を用いて堆積されるのが好ましい。
【００１９】
本発明の磁気ヘッド形成における次工程を図４および５に示す。図４はその上面図であり、図５は、図４を直線５−５に沿って切り取った側断面図である。図４および５に示すとおり、シード層の堆積に続いて、シード層５０の上でウェハ面全域に亘ってフォトレジスト層６０が堆積される。その後、フォトリソグラフィ技術を利用して、Ｐ２ポールチップ溝６４がフォトリソグラフィ処理によりフォトレジスト層６０に形成される。側壁４４上に堆積したシード層５４を露出するようにＰ２ポールチップ溝が配置されることは重要である。電気メッキ工程の上面図である図６、および図６を直線７−７に沿って切り取った側断面図である図７を用いて次に説明するように、Ｐ２ポールチップ溝６４の幅ｒは、溝６４内においてスムーズなＰ２ポールチップの電気メッキが可能となるくらい十分な広さに選択される。
【００２０】
図６および７に示すとおり、Ｐ２ポールチップ物質７０は次に、当業者に明らかな標準の電気メッキ技術を利用して、露出したシード層５０上に電気メッキされる。側壁４４上に堆積したシード層部分５４から外面側に向けて、Ｐ２ポールチップ物質７０が電気メッキされることは重要である。すなわち、Ｐ２ポールチップの幅次元の限界値は、さらに以下に説明されるように、電気メッキされた層の厚みに対応する電気メッキパラメータにより決定される。したがってＰ２ポールチップの幅は、従来技術のようにＰ２ポールチップ溝の幅によって決まるわけではない。その結果、フォトリソグラフィ処理におけるＰ２ポールチップ溝の縦横比に基づく限界に関係していた従来技術の課題は、もはや重要ではない。
【００２１】
電気メッキ工程に続いて、好ましくは湿式化学処理によりフォトレジスト６０は除去される。図８は、フォトレジスト除去した後のデバイスを示す上面図で、図９は、図８を直線９−９に沿って切り取った側断面図で、同様にフォトレジストの除去後のデバイスを示す。当業者に知られるとおり、次の工程において、図８および９に示すように、好ましくは一般的にアルゴンを利用したイオンビームミリング工程を用いて、シード層５０は除去される。図１０は、シード層の除去後のデバイスの平面図を示し、図１１は、図１０を直線１１−１１に沿って切り取った側断面図で、イオンミリング工程におけるシード層の除去後のデバイスを示す。図８、９、１０および１１の参照および図９と図１１との比較により特に明らかなように、Ｐ２ポールチップ８０の残留部分が側壁４４に堆積されるシード層５４部分とシード層５４上において電気メッキされたＰ２ポールチップ物質８８とを含むように、イオンミリング工程は、電気メッキされたポールチップ物質の上側のオーバレイ部分７４および下側のオーバレイ部分７８を除去するのに十分な期間にわたって行われる。その後、図１０および１１に示すとおり、Ｐ２ポールチップ構造８０のみをライトギャップ面３４上に残すために、レジストブロック４０はさらに湿式化学処理にて除去される。Ｐ２ポールチップ８０の幅Ｗが、側壁４４に堆積するシード層５４の層厚、および側壁シード層５４上において電気メッキされたポールチップ物質８８の厚みからなることは、明確に理解可能となる。さらに上述のとおり、Ｐ２ポールチップの幅Ｗは、Ｐ２ポールチップのメッキ溝６４の幅ではなく、適切な電気メッキ処理パラメータの選択によって、Ｐ２ポールチップ電気メッキ処理にて決められている。
【００２２】
図１０および１１に示すように、Ｐ２ポールチップ８０がウェハ表面に形成された状態で、Ｐ１のノッチング処理は効果的に実施可能となる。当業者に明らかなように、Ｐ２ポールチップ８０およびそこに隣接するライトギャップ層部分がイオンミリングビームを受容できるように、パターニングされたイオンエッチングマスクがウェハ基板上に形成される。図１０および１１に示すとおり、Ｐ２ポールチップ８０に隣接するライトギャップ層３４部分を除去するとともに、ノッチ９２をＰ１ポール３０に形成する。当業者に知られているように、Ｐ１ポールのノッチングにより、磁気ヘッドのサイドライト作用（side writing effects）が効果的に低減される。Ｐ１ポールのノッチングが要求されない場合には、物質ブロック４０は、Ｐ２ポールチップ８０を支持するためにライトギャップ層３４上に残留可能であり、誘導コイルの形成（次に説明されるように）が開始され得る。
【００２３】
次に図１２から１６に示すように、当業者には明らかであるが、次の形成工程が続いて実施され、磁気ヘッドの形成が完了する。したがって、ヘッドの上面図である図１２、および図１２を直線１３−１３に沿って切り取った側断面図である図１３に示すとおり、絶縁層１０４内において誘導コイル溝１００を形成するためのフォトリソグラフィ技術によって、誘導コイルは、ウェハ面上に形成される。したがって、図１２に示すように、誘導コイル溝は、すでに形成されたＰ２ポールチップ８０の真上に配置されている。あるいは、当業者に知られているように、誘導コイルは、適切な絶縁物質層を用いてそこに誘導コイル溝を形成するための反応イオンエッチング処理を行い、その後絶縁物質層内に誘導コイルの電気メッキ処理を行って形成してもよい。次に図１４に示すように、余分な誘導コイル物質をすべて除去するとともにウェハ上において平坦な面を実現するために、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程が実施される。その後、パターニングされた絶縁層１１６が誘導コイル上面に堆積される。絶縁層１１６はＰ２ポールチップ８０の上面に堆積しない点は重要である。次に図１５に示すように、さらに磁気ポール部品１２０（Ｐ２ポールヨーク、またはＰ３ポールと呼ばれることもある）が絶縁層の表面上に形成されるとともに、Ｐ２ポールチップ８０に磁気接続されている。Ｐ３ポール１２０は、当業者には周知のとおり、フォトリソグラフィ技術および電気メッキ技術を利用して形成されるのが好ましい。図１５に示すように、ギャップ１２４がＰ３ポールの横断面１２８とＰ２ポールチップ８０の横断面１３２との間に備えられるように、Ｐ３ポールはＰ２ポールチップ上に形成されるのが好ましい。ウェハ層の形成工程が完了すると、ウェハは薄く切られて、磁気ヘッドの列が生成される。図１６に示すように、次に、ギャップ１２４を維持するためにエアベアリング面（ＡＢＳ）１４８が形成される。その後、当業者には周知のとおり、次の磁気ヘッド形成工程が実施され、最後に被包層１４０がデバイス上に形成される。当業者に周知のように、さらに進んだ形成工程が実施され、本発明の磁気ヘッド２０の形成が完了する。
【００２４】
したがって、Ｐ２ポールチップ８０の幅Ｗは、側壁シード層５４上におけるＰ２ポールチップ物質８８の堆積によって、電気メッキ処理工程において決定されることは、本発明の重要な特徴として理解されるであろう。したがって、本発明を通じて、Ｐ２ポールチップ８０は、幅Ｗが側壁シード層５４の層厚およびその上に電気メッキされた物質８８層の層厚により決まるように形成される。例えば、本発明のＰ２ポールチップ８０は、Ｐ２ポールチップ幅Ｗがおよそ１５０〜５５００Åとなるように、側壁シード層の層厚をおよそ５０〜５００Å、電気メッキ物質の厚みをおよそ１００〜５０００Åとして形成され得る。好適な実施例では、Ｐ２ポールチップの幅Ｗがおよそ１７５０Åとなるように、シード層の層厚はおよそ２５０Å、電気メッキ物質の厚みはおよそ１５００Åである。Ｐ２ポールチップ８０の厚み次元ｔは、Ｐ１ポールのノッチングがもし実施されるならば、そのノッチングの間、Ｐ２ポールチップの先端から除去される物質をより少なくするよう堆積した側壁の厚みｔによって制御される。したがって、当業者に理解されるように、本発明のＰ２ポールチップ８０の幅Ｗは、磁気ヘッドの電気メッキ工程において制御できる範囲となり、従来技術に存在したフォトリソグラフィの縦横比の問題により抑制されることはない。したがって、Ｐ２ポールチップトレンチをもたらした従来技術におけるフォトリソグラフィの縦横比に関連したＰ２ポールチップ形成の課題は、克服される。
【００２５】
本発明は、特定の好適な実施例に関連して示され、説明されたが、当業者は、一定の置換、変更、形成および発展を実現するだろう。したがって、以下に示す特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替および置き換えの全てを網羅するものとして解釈される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の磁気ヘッドが備えられている本発明のハードディスク・ドライブを示す上面図である。
【図２】本発明の磁気ヘッドの形成における第１工程を示すウェハ基板の一部を示す上面図である。
【図３】図２のデバイスを直線３−３に沿って切り取った状態で示す側断面図である。
【図４】本発明の磁気ヘッドの形成におけるさらに進んだ形成工程を示す上面図である。
【図５】図４のデバイスを直線５−５に沿って切り取った状態で示す形成工程の側断面図である。
【図６】本発明の磁気ヘッドのさらに進んだ形成工程を示す上面図である。
【図７】図６のデバイスを直線７−７に沿って切り取った状態で示す形成工程における側立面図である。
【図８】本発明の磁気ヘッドのさらに進んだ形成工程を示す上面図である。
【図９】図８のデバイスを直線９−９に沿って切り取った状態で示す形成工程における側断面図である。
【図１０】本発明の磁気ヘッドのさらに進んだ形成工程を示す上面図である。
【図１１】図１０のデバイスを直線１１−１１に沿って切り取った状態で示す形成工程における側断面図である。
【図１２】本発明の磁気ヘッドの別の形成工程を示す上面図である。
【図１３】図１２のデバイスを直線１３−１３に沿って切り取った状態で示す形成工程の側断面図である。
【図１４】図１２のデバイスを直線１３−１３に沿って切り取った状態で本発明の磁気ヘッドのさらに進んだ形成工程を示す側断面図である。
【図１５】図１２のデバイスを直線１３−１３に沿って切り取った状態で本発明の磁気ヘッドのよりさらに進んだ形成工程を示す側断面図である。
【図１６】図１２の直線１３−１３に沿って切り取った状態で本発明の磁気ヘッドのさらに別の形成工程を示す側断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０…ハードディスクドライブ、１２…ハードディスク、１４…電動式スピンドル、１６…駆動アーム、２０…磁気ヘッド、２２…先端、３０…ポール、３４…ライトギャップ層、４０…非導電性ブロック、４４…側壁、５０…リード層、５４…シード層部分、６０…フォトレジスト層、６４…ポールチップ溝、７０…ポールチップ物質、８０…ポールチップ、８８…ポールチップ物質、９２…ノッチ、１００…誘導コイル層、１０４…絶縁層、１１６…絶縁層、１２０…磁気ポール部品、１２４…ギャップ、１２８…ポールの横断面、１４８…エアベアリング面。

Claims (18)

1. 磁気ヘッドであって、
   基板と、
   前記基板上に形成される読み取りヘッドと、
   前記読み取りヘッド上に形成されるＰ１ポールと、
   前記Ｐ１ポール上に形成されるライトギャップ層と、
   前記ライトギャップ層上の一部分の上に形成されるＰ２ポールチップと
   を備え、前記Ｐ２ポールチップはシード層物質から成る第１の部分と電気メッキ物質から成る第２の部分とを含むとともに、前記シード層物質部分の厚みからなる部分および前記電気メッキ物質部分の厚みからなる部分で形成される幅次元Ｗを有する磁気ヘッド。
2. 請求項１に記載の磁気ヘッドであって、前記シード層物質からなる前記Ｐ２ポールチップの前記第１の部分は、前記Ｐ２ポールチップの側壁を形成する磁気ヘッド。
3. 請求項１に記載の磁気ヘッドであって、前記シード層物質はおよそ５０〜５００Åの厚みで形成され、前記電気メッキ物質は、およそ１００〜５０００Åの厚みで形成される磁気ヘッド。
4. 請求項３に記載の磁気ヘッドであって、前記シード層物質の厚みはおよそ２５０Åで、前記電気メッキ物質の厚みはおよそ１５００Åである磁気ヘッド。
5. 請求項３に記載の磁気ヘッドであって、前記シード層物質および前記電気メッキ物質はＮｉＦｅからなる磁気ヘッド。
6. ハードディスク・ドライブであって、
   ディスクドライブ上に回転運動のために形成された少なくとも一つのハードディスクと、
   前記ハードディスクにデータを書き込むために前記ハードディスク上を走査するのに適する少なくとも一つの磁気ヘッドと
   を備え、
   前記磁気ヘッドは、
   基板と、
   前記基板上に形成される読み取りヘッドと、
   前記読み取りヘッド上に形成されるＰ１ポールと、
   前記Ｐ１ポール上に形成されるライトギャップ層と、
   前記ライトギャップ層の一部分の上に形成されるＰ２ポールチップと
   を備え、前記Ｐ２ポールチップはシード層物質からなる第１の部分と電気メッキ物質からなる第２の部分とを含むとともに、前記シード層物質部分の厚みからなる部分および前記電気メッキ物質部分の厚みからなる部分で形成される幅次元Ｗを有するハードディスク・ドライブ。
7. 請求項６に記載のハードディスク・ドライブであって、前記シード層物質からなる前記Ｐ２ポールチップの前記第１の部分は、前記Ｐ２ポールチップの側壁を形成するハードディスク・ドライブ。
8. 請求項６に記載のハードディスク・ドライブであって、前記シード層物質はおよそ５０〜５００Åの厚みに形成され、前記電気メッキ物質は、およそ１００〜５０００Åの厚みで形成されるハードディスク・ドライブ。
9. 請求項８に記載のハードディスク・ドライブであって、前記シード層物質の厚みはおよそ２５０Åで、前記電気メッキ物質の厚みはおよそ１５００Åであるハードディスク・ドライブ。
10. 請求項３に記載のハードディスク・ドライブであって、前記シード層物質および前記電気メッキ物質はＮｉＦｅからなるハードディスク・ドライブ。
11. 磁気ヘッドを形成する方法であって、
    基板上に読み取りヘッドを形成する工程と、
    前記読み取りヘッド上にＰ１ポールを形成する工程と、
    前記Ｐ１ポール上にライトギャップ層を形成する工程と、
    前記ライトギャップ層上に物質ブロックを形成する工程と、前記物質ブロックはＰ２ポールチップ位置付近に側壁を配置させ、
    前記側壁上にシード層を形成する工程と、
    前記シード層上にＰ２ポールチップ物質を電気メッキする工程と、Ｐ２ポールチップは前記シード層物質の厚みおよび前記電気メッキの厚みからなる幅Ｗを含んで形成され、
    前記Ｐ２ポールチップに隣接して誘導コイルを形成する工程と、
    前記Ｐ２ポールチップと磁気接続されている前記誘導コイル上にＰ３ポールを形成する工程と、
    前記Ｐ３ポール上に被包層を形成する工程と
    を備える方法。
12. 請求項１１に記載の磁気ヘッドを形成する方法であって、前記シード層はおよそ５０〜５００Åの厚みに形成される方法。
13. 請求項１１に記載の磁気ヘッドを形成する方法であって、前記電気メッキ物質はおよそ１００〜５０００Åの厚みに形成される方法。
14. 請求項１１に記載の磁気ヘッドを形成する方法であって、前記シード層はおよそ５０〜５００Åの厚みに形成され、前記電気メッキ物質は、およそ１００〜５０００Åの厚みに形成される方法。
15. 請求項１４に記載の磁気ヘッドを形成する方法であって、前記シード層はおよそ２５０Åの層厚に形成され、前記電気メッキ物質は、およそ１５００Åの厚みに形成される方法。
16. 請求項１１に記載の磁気ヘッドを形成する方法であって、前記Ｐ２ポールチップは、該Ｐ２ポールチップの幅Ｗよりも広い幅を有するＰ２ポールチップ溝の内部に形成される方法。
17. 請求項１１に記載の磁気ヘッドを形成する方法であって、前記Ｐ２ポールチップ物質の前記電気メッキに続いて、前記物質ブロックは前記ライトギャップ層から除去され、前記Ｐ１ポールはイオンミリング工程にてノッチングされる方法。
18. 請求項１４に記載の磁気ヘッドを形成する方法であって、前記シード層はＮｉＦｅからなり、前記シード層上に電気メッキされる前記Ｐ２ポールチップ物質はＮｉＦｅからなる方法。

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