JP2694857B2 - 薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法Info
- Publication number
- JP2694857B2 JP2694857B2 JP2320503A JP32050390A JP2694857B2 JP 2694857 B2 JP2694857 B2 JP 2694857B2 JP 2320503 A JP2320503 A JP 2320503A JP 32050390 A JP32050390 A JP 32050390A JP 2694857 B2 JP2694857 B2 JP 2694857B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pole
- magnetic
- photoresist layer
- layer
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 87
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000606504 Drosophila melanogaster Tyrosine-protein kinase-like otk Proteins 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方
法に関し、特に、ポールチップの整合性を向上させる製
造方法に関する。
法に関し、特に、ポールチップの整合性を向上させる製
造方法に関する。
（従来の技術） 薄膜磁気ヘッドの製造において、潜像を利用してディ
バイスパターンがフォトレジスト層に画定されるフォト
リソグラフ法が用いられる。潜像は現像され、凹所を残
す。この凹所には薄膜磁気ヘッドの適当な層材が充填さ
れる。
バイスパターンがフォトレジスト層に画定されるフォト
リソグラフ法が用いられる。潜像は現像され、凹所を残
す。この凹所には薄膜磁気ヘッドの適当な層材が充填さ
れる。
多巻誘導薄膜磁気ヘッド10が第１図及び第２図に示さ
れている。第１図は薄膜磁気ヘッド10の平面図であり、
第２図は側断面図である。薄膜磁気ヘッド10は、一般に
ニッケル鉄合金である上下の薄膜磁気コアレッグ12,14
を有している。フォトリソグラフは上下の磁気コアレッ
グ12,14の形状を画定するのに使用される。導電性コイ
ル16,18が上下の薄膜磁気コアレッグ12,14の間に延びて
絶縁層20により上下の薄膜磁気コアレッグ12,14と電気
的に絶縁されている。薄膜磁気ヘッドは例えばAl2O3−T
iC等のセラミック材である非磁性体の基板22に蒸着され
ている。
れている。第１図は薄膜磁気ヘッド10の平面図であり、
第２図は側断面図である。薄膜磁気ヘッド10は、一般に
ニッケル鉄合金である上下の薄膜磁気コアレッグ12,14
を有している。フォトリソグラフは上下の磁気コアレッ
グ12,14の形状を画定するのに使用される。導電性コイ
ル16,18が上下の薄膜磁気コアレッグ12,14の間に延びて
絶縁層20により上下の薄膜磁気コアレッグ12,14と電気
的に絶縁されている。薄膜磁気ヘッドは例えばAl2O3−T
iC等のセラミック材である非磁性体の基板22に蒸着され
ている。
薄膜磁気ヘッド10の製造において、いくつかの別のパ
ターン転写工程が薄膜磁気ヘッド10を基板22に蒸着する
のに用いられる。これら転写工程は、リフトオフ、湿式
化学エッチング、メッキ及びスパッタリングである。典
型的なヘッド製作工程は12以上のマスキング工程及び蒸
着、メッキ及びエッチングを含む30以上の工程を有して
いる。
ターン転写工程が薄膜磁気ヘッド10を基板22に蒸着する
のに用いられる。これら転写工程は、リフトオフ、湿式
化学エッチング、メッキ及びスパッタリングである。典
型的なヘッド製作工程は12以上のマスキング工程及び蒸
着、メッキ及びエッチングを含む30以上の工程を有して
いる。
製作時、薄膜磁気ヘッド10に似た複数のヘッドが基板
22の全面に蒸着される。ヘッド10の層が第１図及び第２
図に示されるように蒸着された後、基板22は多くの独立
した薄膜ヘッドにスライス（ダイス）され、それぞれの
ヘッドは上部ポールチップ24、下部ポールチップ26及び
ギャップ28が露出されるように基板22の一部に支持され
る。電気接点（図示せず）が導電体16,18に接続され
る。完成ヘッドは次にコンピュータディスク等の磁気記
録媒体上のデータの読み書きに用いられるように支持固
定材（図示せず）に取付けられる。
22の全面に蒸着される。ヘッド10の層が第１図及び第２
図に示されるように蒸着された後、基板22は多くの独立
した薄膜ヘッドにスライス（ダイス）され、それぞれの
ヘッドは上部ポールチップ24、下部ポールチップ26及び
ギャップ28が露出されるように基板22の一部に支持され
る。電気接点（図示せず）が導電体16,18に接続され
る。完成ヘッドは次にコンピュータディスク等の磁気記
録媒体上のデータの読み書きに用いられるように支持固
定材（図示せず）に取付けられる。
薄膜磁気ヘッドの製造方法は２つあり、材料付加法と
材料減少法がある。材料付加法が圧倒的であり、薄膜磁
気ヘッド10の様々な層が基板22に蒸着される一連の工程
を有している。達成可能な最も高いトラック密度は上下
のポールチップ24,26の整合性及びそのサイズにより大
きく影響される。典型的には、磁気ポールチップは、設
計条件によるが、約１ミクロンから約５ミクロンのポー
ル厚さを有している。すなわち再生時における解像力を
上げるためには、より薄いポールが、よりよい重ね書き
効率のためには、より厚いポールが望ましい。ポールチ
ップ24,26の側面形状（すなわち側面の傾斜）は、オフ
トラック記録特性がポールチップ24,26から出る磁界の
縁により大きく影響されるので重要である。上下のポー
ルチップ24,26及びギャップ28の形状は読み書き時の薄
膜磁気ヘッド10の性能に大きく影響する。
材料減少法がある。材料付加法が圧倒的であり、薄膜磁
気ヘッド10の様々な層が基板22に蒸着される一連の工程
を有している。達成可能な最も高いトラック密度は上下
のポールチップ24,26の整合性及びそのサイズにより大
きく影響される。典型的には、磁気ポールチップは、設
計条件によるが、約１ミクロンから約５ミクロンのポー
ル厚さを有している。すなわち再生時における解像力を
上げるためには、より薄いポールが、よりよい重ね書き
効率のためには、より厚いポールが望ましい。ポールチ
ップ24,26の側面形状（すなわち側面の傾斜）は、オフ
トラック記録特性がポールチップ24,26から出る磁界の
縁により大きく影響されるので重要である。上下のポー
ルチップ24,26及びギャップ28の形状は読み書き時の薄
膜磁気ヘッド10の性能に大きく影響する。
上下のポールチップ24,26の幅方向の寸法及び形状の
一致の正確さはイオンミリング等の材料除去工程により
改善される。イオンミリング工程において、高エネルギ
ーイオンが薄膜磁気ヘッド10の面に衝突し、蒸着層の不
要部を選択的に除去する。保護マスクはポールチップ2
4,26の一部分を保護する。高エネルギーイオンはギャッ
プ28と下部ポールチップ26との幅方向の寸法及び形状の
不一致部を除去するように、薄膜磁気ヘッド10の露出さ
れた部分を削り取る。
一致の正確さはイオンミリング等の材料除去工程により
改善される。イオンミリング工程において、高エネルギ
ーイオンが薄膜磁気ヘッド10の面に衝突し、蒸着層の不
要部を選択的に除去する。保護マスクはポールチップ2
4,26の一部分を保護する。高エネルギーイオンはギャッ
プ28と下部ポールチップ26との幅方向の寸法及び形状の
不一致部を除去するように、薄膜磁気ヘッド10の露出さ
れた部分を削り取る。
（発明が解決しようとする課題） 第３図はイオンミリング前の従来のポールチップ形状
を示している。第３図において、無限幅の下部ポール30
（すなわち最終幅よりも広い幅）が基板32上に蒸着され
ている。絶縁ギャップ材34は無限幅の下部ポール30上に
蒸着されている。上部ポール36は、絶縁ギャップ材34上
に蒸着、露光、現像後の２つのフォトレジスト層の残部
（図示せず）の間に蒸着される。フォトレジスト層の残
部は、その上底が下底よりも狭い台形状の側面を有して
いる。そのため、２つの残部の間に蒸着される上部ポー
ル36はその上底が下底よりも広い第３図に示すような側
面を有することになる。すなわち上部ポール36はその上
部よりも基部（基板32に最も近い部分）で狭くなってい
る。次に保護フォトレジスト層38が上部ポール36上に蒸
着される。ポジティブフォトレジストが保護フォトレジ
スト層38を形成するのに用いられる。ポジティブフォト
レジストとは、露光、現像後の残部が上底が下底よりも
狭い台形状の側面を有するフォトレジストである。
（尚、ネガティブフォトレジストとは、露光、現像後の
残部が上底が下底よりも広い台形状の側面を有するフォ
トレジストである。）そのため、保護フォトレジスト層
38は第３図に示されるように、上底が下底よりも狭い台
形状の側面を有することになる。この結果、上部ポール
36と保護フォトレジスト層38との境界にリップ39が形成
される。リップ39はイオンミリング中に上部ポール36自
体のマスクとして作用してしまう。すなわち、リップ39
が上部ポール36を隠してしまい、上部ポール36の縁部を
切断して上部ポール36を矩形断面にすることが阻止され
てしまう。さらに、リップ39はその下方にイオンミリン
グ中に削り屑が集まってしまうシェルター領域をも形成
してしまう。その結果、上部ポール36、ギャップ材34及
び下部ポール30の幅方向の寸法及び形状が異なってしま
う。
を示している。第３図において、無限幅の下部ポール30
（すなわち最終幅よりも広い幅）が基板32上に蒸着され
ている。絶縁ギャップ材34は無限幅の下部ポール30上に
蒸着されている。上部ポール36は、絶縁ギャップ材34上
に蒸着、露光、現像後の２つのフォトレジスト層の残部
（図示せず）の間に蒸着される。フォトレジスト層の残
部は、その上底が下底よりも狭い台形状の側面を有して
いる。そのため、２つの残部の間に蒸着される上部ポー
ル36はその上底が下底よりも広い第３図に示すような側
面を有することになる。すなわち上部ポール36はその上
部よりも基部（基板32に最も近い部分）で狭くなってい
る。次に保護フォトレジスト層38が上部ポール36上に蒸
着される。ポジティブフォトレジストが保護フォトレジ
スト層38を形成するのに用いられる。ポジティブフォト
レジストとは、露光、現像後の残部が上底が下底よりも
狭い台形状の側面を有するフォトレジストである。
（尚、ネガティブフォトレジストとは、露光、現像後の
残部が上底が下底よりも広い台形状の側面を有するフォ
トレジストである。）そのため、保護フォトレジスト層
38は第３図に示されるように、上底が下底よりも狭い台
形状の側面を有することになる。この結果、上部ポール
36と保護フォトレジスト層38との境界にリップ39が形成
される。リップ39はイオンミリング中に上部ポール36自
体のマスクとして作用してしまう。すなわち、リップ39
が上部ポール36を隠してしまい、上部ポール36の縁部を
切断して上部ポール36を矩形断面にすることが阻止され
てしまう。さらに、リップ39はその下方にイオンミリン
グ中に削り屑が集まってしまうシェルター領域をも形成
してしまう。その結果、上部ポール36、ギャップ材34及
び下部ポール30の幅方向の寸法及び形状が異なってしま
う。
（課題を解決するための手段） 本発明による薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製
造方法は、 基板上に磁気下部ポールを蒸着し、 前記磁気下部ポール上に絶縁体のギャップ層を蒸着
し、 前記磁気下部ポールと前記ギャップ層上に第１のフォ
トレジスト層を蒸着し、 前記第１のフォトレジスト層の前記ギャップ層の上の
部分に、その上底がその下底より狭い台形状の側面を有
する凹所を形成し、 前記台形状側面を有する凹所内の前記ギャップ層上に
磁気上部ポールを蒸着し、前記第１のフォトレジスト層
を除去し、それにより、該磁気上部ポールが上底が下底
より狭い台形状の側面を有するようになり、 前記磁気下部ポール及び前記磁気上部ポール上にポジ
ティブフォトレジストの第２のフォトレジスト層を蒸着
し、 前記第２のフォトレジスト層の前記磁気上部ポール上
にある部分を除いた第２のフォトレジスト層の残りの部
分をマスキングするマスクを介して前記第２のフォトレ
ジスト層を露光し、 前記第２のフォトレジスト層を現像し、それにより、
側辺が前記磁気上部ポールの台形状側面の側辺と連続的
に延在する台形の側面を有するように、前記第２のフォ
トレジスト層のマスキングされなかった部分が残されて
保護フォトレジスト層が形成され、 該保護フォトレジスト層と、前記磁気上部ポールと、
前記絶縁ギャップ層と、前記磁気下部ポールとをイオン
ミリングに晒し、前記磁気上部ポールと、前記絶縁ギャ
ップ層と、前記磁気下部ポールを前記保護フォトレジス
ト層48の底面と同じ大きさに切る工程を有している。
造方法は、 基板上に磁気下部ポールを蒸着し、 前記磁気下部ポール上に絶縁体のギャップ層を蒸着
し、 前記磁気下部ポールと前記ギャップ層上に第１のフォ
トレジスト層を蒸着し、 前記第１のフォトレジスト層の前記ギャップ層の上の
部分に、その上底がその下底より狭い台形状の側面を有
する凹所を形成し、 前記台形状側面を有する凹所内の前記ギャップ層上に
磁気上部ポールを蒸着し、前記第１のフォトレジスト層
を除去し、それにより、該磁気上部ポールが上底が下底
より狭い台形状の側面を有するようになり、 前記磁気下部ポール及び前記磁気上部ポール上にポジ
ティブフォトレジストの第２のフォトレジスト層を蒸着
し、 前記第２のフォトレジスト層の前記磁気上部ポール上
にある部分を除いた第２のフォトレジスト層の残りの部
分をマスキングするマスクを介して前記第２のフォトレ
ジスト層を露光し、 前記第２のフォトレジスト層を現像し、それにより、
側辺が前記磁気上部ポールの台形状側面の側辺と連続的
に延在する台形の側面を有するように、前記第２のフォ
トレジスト層のマスキングされなかった部分が残されて
保護フォトレジスト層が形成され、 該保護フォトレジスト層と、前記磁気上部ポールと、
前記絶縁ギャップ層と、前記磁気下部ポールとをイオン
ミリングに晒し、前記磁気上部ポールと、前記絶縁ギャ
ップ層と、前記磁気下部ポールを前記保護フォトレジス
ト層48の底面と同じ大きさに切る工程を有している。
第１のフォトレジスト層がネガティブフォトレジスト
である場合には、前記凹所を形成する工程が、前記ネガ
ティブフォトレジストを、前記第１のフォトレジスト層
の前記絶縁ギャップ層上の部分をマスキングするマスク
を介して露光し、現像する工程を有している。
である場合には、前記凹所を形成する工程が、前記ネガ
ティブフォトレジストを、前記第１のフォトレジスト層
の前記絶縁ギャップ層上の部分をマスキングするマスク
を介して露光し、現像する工程を有している。
第１のフォトレジスト層がポジティブフォトレジスト
である場合には、前記凹所を形成する工程が、前記ポジ
ティブフォトレジストを、前記第１のフォトレジスト層
の前記絶縁ギャップ層の上の部分を除いた第１のフォト
レジスト層の残りの部分をマスキングするマスクを介し
て露光し、前記ポジティブフォトレジストを焼き、前記
ポジティブフォトレジストの全面を露光し、現像する工
程を有している。
である場合には、前記凹所を形成する工程が、前記ポジ
ティブフォトレジストを、前記第１のフォトレジスト層
の前記絶縁ギャップ層の上の部分を除いた第１のフォト
レジスト層の残りの部分をマスキングするマスクを介し
て露光し、前記ポジティブフォトレジストを焼き、前記
ポジティブフォトレジストの全面を露光し、現像する工
程を有している。
（実施例） 第4A図から第4E図は本発明の方法を示す。第4A図にお
いて無限幅の磁気下部ポール40が基板42上に蒸着されて
いる。絶縁ギャップ層44が下部ポール40上に蒸着され
る。ネガティブフォトレジスト層45が磁気下部ポール40
上と絶縁ギャップ層44上とに蒸着される。フォトレジス
ト層45の絶縁ギャップ層の上の部分をマスキングするマ
スクを介して露光させることにより潜像がフォトレジス
ト層45に点線で示されるように形成される。潜像は第4B
図で示されるように化学的に現像される（すなわち、除
去される）。第4B図は絶縁ギャップ層44上のネガティブ
フォトレジスト層45中に形成される凹所を示している。
凹所はその上底が下底より狭い台形状の側面を有する。
磁気上部ポール46は第4B図の凹所内に磁気コア材を蒸着
することにより形成される。フォトレジスト層45が化学
エッチング材を用いて除去される。その結果、第4C図に
示されるように、磁気上部ポール46は上底が下底より狭
い台形状の側面を有することになる。
いて無限幅の磁気下部ポール40が基板42上に蒸着されて
いる。絶縁ギャップ層44が下部ポール40上に蒸着され
る。ネガティブフォトレジスト層45が磁気下部ポール40
上と絶縁ギャップ層44上とに蒸着される。フォトレジス
ト層45の絶縁ギャップ層の上の部分をマスキングするマ
スクを介して露光させることにより潜像がフォトレジス
ト層45に点線で示されるように形成される。潜像は第4B
図で示されるように化学的に現像される（すなわち、除
去される）。第4B図は絶縁ギャップ層44上のネガティブ
フォトレジスト層45中に形成される凹所を示している。
凹所はその上底が下底より狭い台形状の側面を有する。
磁気上部ポール46は第4B図の凹所内に磁気コア材を蒸着
することにより形成される。フォトレジスト層45が化学
エッチング材を用いて除去される。その結果、第4C図に
示されるように、磁気上部ポール46は上底が下底より狭
い台形状の側面を有することになる。
あるいは、磁気上部ポール46の形成にポジティブフォ
トレジストの像反転方法も使用可能である。その場合、
ポジティブフォトレジスト層が下部ポール40上に蒸着さ
れ、絶縁ギャップ層44の上の部分を除いたポジティブフ
ォトレジスト層の残りの部分をマスキングするマスクを
介して露光される。次に、ポジティブフォトレジスト層
が焼かれ、その全面が露光される。ポジティブフォトレ
ジスト層が現像されたとき、マスキングされなかった部
分が除去され、上底が下底より狭い台形状の側面を有す
る凹所が残される。
トレジストの像反転方法も使用可能である。その場合、
ポジティブフォトレジスト層が下部ポール40上に蒸着さ
れ、絶縁ギャップ層44の上の部分を除いたポジティブフ
ォトレジスト層の残りの部分をマスキングするマスクを
介して露光される。次に、ポジティブフォトレジスト層
が焼かれ、その全面が露光される。ポジティブフォトレ
ジスト層が現像されたとき、マスキングされなかった部
分が除去され、上底が下底より狭い台形状の側面を有す
る凹所が残される。
第4D図は磁気下部ポール40、絶縁ギャップ層44及び磁
気上部ポール46上に蒸着されたポジティブフォトレジス
ト層50を示している。フォトレジスト層50は第4D図の点
線により示された潜像を残すように、磁気上部ポール46
の上の部分を除いたフォトレジスト層の残りの部分をマ
スキングするマスクを介して露光される。
気上部ポール46上に蒸着されたポジティブフォトレジス
ト層50を示している。フォトレジスト層50は第4D図の点
線により示された潜像を残すように、磁気上部ポール46
の上の部分を除いたフォトレジスト層の残りの部分をマ
スキングするマスクを介して露光される。
次に、フォトレジスト層50は現象される。それによ
り、その側辺が磁気上部ポール45の台形状側面の側辺と
連続的に延在する台形の側面を有するマスキングされな
かった部分が残され、保護フォトレジスト層48が形成さ
れる。第4E図に示されるように、保護フォトレジスト層
48と、磁気上部ポール46と、絶縁ギャップ層44と、磁気
下部ポール40とをイオンミリングに晒す。保護フォトレ
ジスト層48の側面と磁気上部ポール46の側面とは連続的
に繋がっているので、保護フォトレジスト層48と磁気上
部ポール46との境界には従来技術で見られるようなリッ
プは形成されない。したがって、イオンミリングによっ
て、磁気上部ポール46と、絶縁ギャップ層44と、磁気下
部ポール40の断面は矩形となり、幅寸法は互いに一致す
る。
り、その側辺が磁気上部ポール45の台形状側面の側辺と
連続的に延在する台形の側面を有するマスキングされな
かった部分が残され、保護フォトレジスト層48が形成さ
れる。第4E図に示されるように、保護フォトレジスト層
48と、磁気上部ポール46と、絶縁ギャップ層44と、磁気
下部ポール40とをイオンミリングに晒す。保護フォトレ
ジスト層48の側面と磁気上部ポール46の側面とは連続的
に繋がっているので、保護フォトレジスト層48と磁気上
部ポール46との境界には従来技術で見られるようなリッ
プは形成されない。したがって、イオンミリングによっ
て、磁気上部ポール46と、絶縁ギャップ層44と、磁気下
部ポール40の断面は矩形となり、幅寸法は互いに一致す
る。
イオンミリング後、磁気上部ポール46に残る保護フォ
トレジスト層48はフォトレジスト化学エッチング材によ
り除去される。
トレジスト層48はフォトレジスト化学エッチング材によ
り除去される。
典型的には上下のポール40,46は１ミクロンから５ミ
クロンの厚さを有している。好ましくは絶縁ギャップ層
44は0.1から１ミクロンの厚さを有している。好ましく
は保護フォトレジスト層48は１ミクロンから７ミクロン
の厚さを有している。
クロンの厚さを有している。好ましくは絶縁ギャップ層
44は0.1から１ミクロンの厚さを有している。好ましく
は保護フォトレジスト層48は１ミクロンから７ミクロン
の厚さを有している。
本発明は特定の実施例に基いて説明されたがこれに限
定されるものではないことは明らかである。例えば磁気
上部ポールと保護フォトレジスト層の側面の傾斜度は、
必要に応じ、個々または一緒に変更できる。
定されるものではないことは明らかである。例えば磁気
上部ポールと保護フォトレジスト層の側面の傾斜度は、
必要に応じ、個々または一緒に変更できる。
（発明の効果） 本発明によれば、磁気上部ポールと、該磁気上部ポー
ル上に蒸着された保護フォトレジスト層との界面に、磁
気上部ポール自身のマスクとして作用してしまうリップ
が形成されることなく、さらに、ミリング工程中に削り
屑が集まってしまうシェルター領域も形成されない。そ
のため、磁気ポール及びギャップ層のミリングによる幅
方向の寸法及び形状の一致が高精度に行える。
ル上に蒸着された保護フォトレジスト層との界面に、磁
気上部ポール自身のマスクとして作用してしまうリップ
が形成されることなく、さらに、ミリング工程中に削り
屑が集まってしまうシェルター領域も形成されない。そ
のため、磁気ポール及びギャップ層のミリングによる幅
方向の寸法及び形状の一致が高精度に行える。
第１図は薄膜磁気ヘッドの平面図、第２図は第１図の薄
膜ヘッドの側面図、第３図はイオンミリング工程でポー
ルを削る前の従来の構造を示す断面図、及び第4A図から
第4E図はイオンミリング工程でポールを削る前における
本発明のポールを形成する工程を示す断面図である。 10……薄膜磁気ヘッド、12……上部の薄膜磁気コアレッ
グ、14……下部の薄膜磁気コアレッグ、16,18……導電
性コイル、20……絶縁層、22……基板、24……上部ポー
ルチップ、26……下部ポールチップ、28……ギャップ、
30……下部ポール、32……基板、34……絶縁ギャップ
材、36……上部ポール、38……保護フォトレジスト層、
39……リップ、40……磁気下部ポール、42……基板、44
……絶縁ギャップ層、45……フォトレジスト層、46……
磁気上部ポール、48……保護フォトレジスト層、50……
フォトレジスト。
膜ヘッドの側面図、第３図はイオンミリング工程でポー
ルを削る前の従来の構造を示す断面図、及び第4A図から
第4E図はイオンミリング工程でポールを削る前における
本発明のポールを形成する工程を示す断面図である。 10……薄膜磁気ヘッド、12……上部の薄膜磁気コアレッ
グ、14……下部の薄膜磁気コアレッグ、16,18……導電
性コイル、20……絶縁層、22……基板、24……上部ポー
ルチップ、26……下部ポールチップ、28……ギャップ、
30……下部ポール、32……基板、34……絶縁ギャップ
材、36……上部ポール、38……保護フォトレジスト層、
39……リップ、40……磁気下部ポール、42……基板、44
……絶縁ギャップ層、45……フォトレジスト層、46……
磁気上部ポール、48……保護フォトレジスト層、50……
フォトレジスト。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−218010（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−79411（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−904（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−98819（ＪＰ，Ａ) 欧州公開311854（ＥＰ，Ａ１)
Claims (10)
- 【請求項１】磁気記録媒体に情報を読み書きするのに用
いられる、基板に支持された薄膜磁気ヘッドのポールチ
ップ構造の製造方法であって、該方法が、 前記基板（42）上に磁気下部ポール（40）を蒸着し、 前記磁気下部ポール（40）上に絶縁体のギャップ層（4
4）を蒸着し、 前記磁気下部ポール（40）と前記絶縁ギャップ層（44）
上に第１のフォトレジスト層（45）を蒸着し、 前記第１のフォトレジスト層（45）の前記絶縁ギャップ
層（44）の上の部分に、その上底がその下底より狭い台
形状の側面を有する凹所を形成し、 前記台形状側面を有する凹所内の前記ギャップ層（44）
上に磁気上部ポール（46）を蒸着し、前記第１のフォト
レジスト層（45）を除去し、それにより、該磁気上部ポ
ール（46）が上底が下底より狭い台形状の側面を有する
ようになり、 前記磁気下部ポール（40）及び前記磁気上部ポール（4
6）上にポジティブフォトレジストの第２のフォトレジ
スト層（50）を蒸着し、 前記第２のフォトレジスト層（50）の前記磁気上部ポー
ル（46）の上にある部分を除いた第２のフォトレジスト
層の残りの部分をマスキングするマスクを介して前記第
２のフォトレジスト層（50）を露光し、 前記第２のフォトレジスト層（50）を現像し、それによ
り、側辺が前記磁気上部ポール（46）の台形状側面の側
辺と連続的に延在する台形の側面を有するように、前記
第２のフォトレジスト層（50）のマスキングされなかっ
た部分が残されて保護フォトレジスト層（48）が形成さ
れ、 該保護フォトレジスト層（48）と、前記磁気上部ポール
（46）と、前記絶縁ギャップ層（44）と、前記磁気下部
ポール（40）とをイオンミリングに晒し、前記磁気上部
ポール（46）と、前記絶縁ギャップ層（44）と、前記磁
気下部ポール（40）を前記保護フォトレジスト層（48）
の底面と同じ大きさに切る薄膜磁気ヘッドのポールチッ
プ構造の製造方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記第１のフォトレジスト層（45）はネガティブフ
ォトレジストであり、前記凹所を形成する工程が、前記
ネガティブフォトレジストを、前記第１のフォトレジス
ト層（45）の前記絶縁ギャップ層（44）上の部分をマス
キングするマスクを介して露光し、現像する工程を有し
ている方法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記第１のフォトレジスト層（45）はポジティブフ
ォトレジストであり、前記凹所を形成する工程が、前記
ポジティブフォトレジストを、前記第１のフォトレジス
ト層（45）の前記絶縁ギャップ層（44）の上の部分を除
いた第１のフォトレジスト層の残りの部分をマスキング
するマスクを介して露光し、前記ポジティブフォトレジ
ストを焼き、前記ポジティブフォトレジストの全面を露
光し、現像する工程を有している方法。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記磁気上部ポール（46）の厚さは１ミクロンから
５ミクロンであることを特徴とする方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記マスクの厚さは１ミクロンから７ミクロンであ
ることを特徴とする方法。 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記絶縁ギャップ層（44）の厚さは0.1ミクロンか
ら１ミクロンであることを特徴とする方法。 - 【請求項７】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記磁気下部ポール（40）の厚さは１ミクロンから
５ミクロンであることを特徴とする方法。 - 【請求項８】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記マスクの厚さが１ミクロンから７ミクロンであ
り、前記磁気下部ポール（40）の厚さが１ミクロンから
５ミクロンの厚さであることを特徴とする方法。 - 【請求項９】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記マスクの厚さが１ミクロンから７ミクロンの厚
さであり、前記絶縁ギャップ層（44）の厚さが0.1から
１ミクロンの厚さであり、前記磁気下部ポール（40）の
厚さが１ミクロンから５ミクロンであることを特徴とす
る方法。 - 【請求項１０】特許請求の範囲第１項記載の方法におい
て、前記マスクの厚さが１ミクロンから７ミクロンの厚
さであり、前記絶縁ギャップ層（44）の厚さが0.1ミク
ロンから１ミクロンの厚さであり前記磁気下部ポール
（40）の厚さが１ミクロンから５ミクロンの厚さであ
り、前記絶縁ギャップ層（44）はアルミナであり、前記
磁気下部ポール（40）はニッケル鉄合金であることを特
徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/480,250 US5116719A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Top pole profile for pole tip trimming |
| US480250 | 1990-02-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250414A JPH03250414A (ja) | 1991-11-08 |
| JP2694857B2 true JP2694857B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=23907237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2320503A Expired - Fee Related JP2694857B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-11-22 | 薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5116719A (ja) |
| EP (1) | EP0442213B1 (ja) |
| JP (1) | JP2694857B2 (ja) |
| KR (1) | KR100218755B1 (ja) |
| DE (1) | DE69025164T2 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141623A (en) * | 1990-02-15 | 1992-08-25 | Seagate Technology, Inc. | Method for aligning pole tips in a thin film head |
| US4992901A (en) * | 1990-02-15 | 1991-02-12 | Seagate Technology, Inc. | Self aligned magnetic poles using sacrificial mask |
| DE69117323T2 (de) | 1990-04-16 | 1996-07-11 | Hitachi Ltd | Dünnfilm-Magnetkopf mit schmaler Spurbreite und dessen Herstellungsverfahren |
| US6166880A (en) * | 1991-08-13 | 2000-12-26 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head which prevents errors due to electric discharge |
| DE69227660T2 (de) * | 1991-09-18 | 1999-04-22 | Fujitsu Ltd | Speicher mit hin- und herbewegendem Kopf |
| US5267112A (en) * | 1991-09-30 | 1993-11-30 | Digital Equipment Corporation | Thin film read/write head for minimizing erase fringing and method of making the same |
| US6021024A (en) * | 1992-02-21 | 2000-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic disk drive having a constant skew angle |
| JP2715808B2 (ja) * | 1992-06-09 | 1998-02-18 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| MY108956A (en) * | 1992-11-12 | 1996-11-30 | Quantum Peripherals Colorado Inc | Magnetoresistive device and method having improved barkhausen noise suppression |
| EP0640955B1 (en) * | 1993-08-27 | 1999-05-19 | Read-Rite Corporation | Magnetic head assembly with write pole/shield structure |
| US5452164A (en) * | 1994-02-08 | 1995-09-19 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic write head |
| US5438747A (en) * | 1994-03-09 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips |
| DE69527695T2 (de) * | 1994-12-05 | 2003-04-03 | Aiwa Co | Verfahren zur Herstellung einer flacheren Dünnfilm-Struktur |
| JPH10247305A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US6173486B1 (en) * | 1997-03-04 | 2001-01-16 | Read-Rite Corporation | Thin film magnetic head with self-aligned pole tips |
| US5768070A (en) * | 1997-05-14 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Horizontal thin film write, MR read head |
| US5872684A (en) * | 1997-05-15 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Air bearing slider having a relieved trailing edge |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| JP3755560B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2006-03-15 | 富士通株式会社 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US6178070B1 (en) | 1999-02-11 | 2001-01-23 | Read-Rite Corporation | Magnetic write head and method for making same |
| US6362934B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-03-26 | Storage Technology Corporation | Highly aligned thin film tape head and method of making same |
| US6317290B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-11-13 | Read-Rite Corporation | Advance pole trim writer with moment P1 and low apex angle |
| US6385008B1 (en) | 1999-12-16 | 2002-05-07 | International Business Machines Corporation | Reduction of magnetic side writing in thin film magnetic heads using negative profiled pole tips |
| US6788496B2 (en) | 2001-08-22 | 2004-09-07 | Seagate Technology Llc | Narrow top pole of a write element |
| US6762011B2 (en) | 2002-04-15 | 2004-07-13 | International Business Machines Corporation | Deposition of a projection structure on a substrate using a negative mask and negative photoresist |
| US7549213B2 (en) * | 2005-01-12 | 2009-06-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for independent trackwidth and wall angle control and hexagonal write head |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3766640A (en) * | 1971-12-20 | 1973-10-23 | Ibm | Method of manufacturing magnetic transducers |
| US4425701A (en) * | 1980-10-17 | 1984-01-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Methods of making magnetic recording heads |
| US4399479A (en) * | 1981-02-04 | 1983-08-16 | Eastman Kodak Company | Thin film magnetic head having good low frequency response |
| US4436593A (en) * | 1981-07-13 | 1984-03-13 | Memorex Corporation | Self-aligned pole tips |
| US4418472A (en) * | 1981-11-23 | 1983-12-06 | Xerox Corporation | Method of delineating thin film magnetic head arrays |
| JPS58108019A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-28 | Trio Kenwood Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS60133516A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-16 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| FR2559294B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1988-08-12 | Commissariat Energie Atomique | Nouvelle tete magnetique d'ecriture et de lecture pour enregistrement perpendiculaire et son procede de fabrication |
| FR2611970B1 (fr) * | 1987-03-06 | 1989-05-26 | Thomson Csf | Procede de realisation d'une tete magnetique en couches minces et application a une tete d'enretistrement/lecture |
| US4985985A (en) * | 1987-07-01 | 1991-01-22 | Digital Equipment Corporation | Solenoidal thin film read/write head for computer mass storage device and method of making same |
| US4899434A (en) * | 1987-07-28 | 1990-02-13 | Applied Magnetics Corporation | Method of making a thin film magnetic head with a leveler layer and superstrate |
| EP0311854A1 (de) * | 1987-10-16 | 1989-04-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Dünnfilm-Magnetkopf mit schichtweisem Aufbau zur senkrechten Magnetisierung |
| US4971896A (en) * | 1987-12-08 | 1990-11-20 | Hitachi, Ltd. | Method for forming thin film pattern and method for fabricating thin film magnetic head using the same |
| US4839197A (en) * | 1988-04-13 | 1989-06-13 | Storage Technology Corporation | Process for fabricating thin film magnetic recording heads having precision control of the width tolerance of the upper pole tip |
| US4853080A (en) * | 1988-12-14 | 1989-08-01 | Hewlett-Packard | Lift-off process for patterning shields in thin magnetic recording heads |
| US4878290A (en) * | 1989-02-13 | 1989-11-07 | International Business Machines Corporation | Method for making thin film magnetic head |
| US4970615A (en) * | 1989-05-26 | 1990-11-13 | Magnetic Peripherals Inc. | Pole design for thin film magnetic heads |
-
1990
- 1990-02-15 US US07/480,250 patent/US5116719A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-22 JP JP2320503A patent/JP2694857B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-14 DE DE69025164T patent/DE69025164T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-14 EP EP90313690A patent/EP0442213B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-13 KR KR1019910002419A patent/KR100218755B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03250414A (ja) | 1991-11-08 |
| DE69025164D1 (de) | 1996-03-14 |
| EP0442213B1 (en) | 1996-01-31 |
| KR910015968A (ko) | 1991-09-30 |
| DE69025164T2 (de) | 1996-05-30 |
| EP0442213A2 (en) | 1991-08-21 |
| EP0442213A3 (en) | 1993-02-10 |
| KR100218755B1 (ko) | 1999-09-01 |
| US5116719A (en) | 1992-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2694857B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法 | |
| KR100212386B1 (ko) | 박막 자기헤드내에 자극선단을 정렬시키는 방법 | |
| US4652954A (en) | Method for making a thin film magnetic head | |
| US5200056A (en) | Method for aligning pole tips in a thin film head | |
| KR100264700B1 (ko) | 희생 마스크층을 사용하여 자기 정렬되는 자극 폴을 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조 방법 | |
| JPH038004B2 (ja) | ||
| US5699605A (en) | Method for forming a magnetic thin film head with recessed basecoat | |
| JPH09102106A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US7228619B2 (en) | Method of manufacturing a magnetic head with common seed layer for coil and pedestal | |
| EP0385023B1 (en) | A thin film magnetic read/write head and method of forming the same | |
| JPH0575237A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
| US6775098B2 (en) | Magnetic recording head with dielectric layer separating magnetic pole tips extensions from the zero throat coil insulator | |
| JPH0548247A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
| JPH09138910A (ja) | メタル層をパターニングする方法 | |
| JPH0620227A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2927032B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05303719A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000048317A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01176089A (ja) | めっきパターンの形成方法 | |
| JPH05159221A (ja) | 薄膜ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0765321A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH05258243A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0721517A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH03264664A (ja) | スパッタリングによる被膜形成の改善方法 | |
| JPH04181510A (ja) | 薄膜導体パターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |