JPH09102106A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH09102106A JPH09102106A JP8176541A JP17654196A JPH09102106A JP H09102106 A JPH09102106 A JP H09102106A JP 8176541 A JP8176541 A JP 8176541A JP 17654196 A JP17654196 A JP 17654196A JP H09102106 A JPH09102106 A JP H09102106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pole
- photoresist
- frame
- magnetic pole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気変換器のギャップ領域で上側と下側
の磁極片の側部を一致させる、簡単で短時間で行える方
法を提供すること。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドの製造方法が、磁極片領
域と後部ヨーク領域とを含む第１の磁極層を堆積する工
程と、第１の磁極層の上に絶縁層を堆積してギャップを
形成する工程と、絶縁層の上にホトレジストフレームを
設け第２の磁極層の後部ヨーク領域を形成する工程と、
第２の磁極層を絶縁層の上においてフレームにより画成
される領域に堆積する工程と、磁極片領域のフレームか
らホトレジストを除去する工程と、第２の磁極の磁極片
の幅と第１の磁極の磁極片の幅が実質的に等しくなり、
磁極片の側縁部が正確に一致するように、第２の磁極層
を磁極片のトリミング用マスクとして利用して、ギャッ
プに隣接する第２の磁極片および第１の磁極片をトリミ
ングする工程とを含む。
の磁極片の側部を一致させる、簡単で短時間で行える方
法を提供すること。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドの製造方法が、磁極片領
域と後部ヨーク領域とを含む第１の磁極層を堆積する工
程と、第１の磁極層の上に絶縁層を堆積してギャップを
形成する工程と、絶縁層の上にホトレジストフレームを
設け第２の磁極層の後部ヨーク領域を形成する工程と、
第２の磁極層を絶縁層の上においてフレームにより画成
される領域に堆積する工程と、磁極片領域のフレームか
らホトレジストを除去する工程と、第２の磁極の磁極片
の幅と第１の磁極の磁極片の幅が実質的に等しくなり、
磁極片の側縁部が正確に一致するように、第２の磁極層
を磁極片のトリミング用マスクとして利用して、ギャッ
プに隣接する第２の磁極片および第１の磁極片をトリミ
ングする工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気変換器に関
し、特に、ギャップ領域に複数の磁極片を備えた磁気ヨ
ークの磁極を形成する上層と下層の側縁部を一致させる
方法に関する。
し、特に、ギャップ領域に複数の磁極片を備えた磁気ヨ
ークの磁極を形成する上層と下層の側縁部を一致させる
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気変換器は、典型的にはパーマロ
イすなわちNi-Fe 系合金から成る下側の磁極層Ｐ１（以
下、Ｐ１磁極層と記載する）と、上側のＰ２磁極層（以
下、Ｐ２磁極層と記載する）とを有している。Ｐ１磁極
層とＰ２磁極層は後方の接続部にて互いに接続されて、
非磁気ギャップを磁極層の間に備えたデータ変換用の磁
気回路が形成される。１または複数の層から成り絶縁体
に埋設された電気コイル集成体が上記２つの磁極層の間
に配設されている。従来の薄膜ヘッドでは、先端側に配
置されるＰ１磁極層は、ホトリソグラフィの位置決めの
許容誤差のために、後側に配置されるＰ２磁極層よりも
典型的に幅広く形成され、そのために、記録されたデー
タトラックの幅が変化する。薄膜ヘッドは相対的に幅が
広い先端側の磁極を利用しデータ遷移を書き込んでい
る。データ遷移は後側磁極層よりも幅が広く、従って、
データトラックの縁部でデータの遷移があまり明確に限
定されない。こうした望ましくない書込特性は、書込フ
ィールドの側縁部が不均一である結果として生じる。こ
うした側縁部の不均一性の程度は、ギャップの幅と磁極
の重なり合いの程度に非常に大きく依存していることが
知られている。Ｐ１磁極とＰ２磁極の幅が実質的に等し
くなり側縁部が一致するように磁極をトリミングするこ
とにより、側縁部の不均一を著しく低減することができ
る。従って、薄膜磁気変換器を製造する場合、Ｐ１磁極
とＰ２磁極を実質的に等しい幅に形成し、両者の側縁部
を正確に一致させることが重要である。
イすなわちNi-Fe 系合金から成る下側の磁極層Ｐ１（以
下、Ｐ１磁極層と記載する）と、上側のＰ２磁極層（以
下、Ｐ２磁極層と記載する）とを有している。Ｐ１磁極
層とＰ２磁極層は後方の接続部にて互いに接続されて、
非磁気ギャップを磁極層の間に備えたデータ変換用の磁
気回路が形成される。１または複数の層から成り絶縁体
に埋設された電気コイル集成体が上記２つの磁極層の間
に配設されている。従来の薄膜ヘッドでは、先端側に配
置されるＰ１磁極層は、ホトリソグラフィの位置決めの
許容誤差のために、後側に配置されるＰ２磁極層よりも
典型的に幅広く形成され、そのために、記録されたデー
タトラックの幅が変化する。薄膜ヘッドは相対的に幅が
広い先端側の磁極を利用しデータ遷移を書き込んでい
る。データ遷移は後側磁極層よりも幅が広く、従って、
データトラックの縁部でデータの遷移があまり明確に限
定されない。こうした望ましくない書込特性は、書込フ
ィールドの側縁部が不均一である結果として生じる。こ
うした側縁部の不均一性の程度は、ギャップの幅と磁極
の重なり合いの程度に非常に大きく依存していることが
知られている。Ｐ１磁極とＰ２磁極の幅が実質的に等し
くなり側縁部が一致するように磁極をトリミングするこ
とにより、側縁部の不均一を著しく低減することができ
る。従って、薄膜磁気変換器を製造する場合、Ｐ１磁極
とＰ２磁極を実質的に等しい幅に形成し、両者の側縁部
を正確に一致させることが重要である。
【０００３】薄膜ヘッドは、磁気ディスクのデータトラ
ック上のデータを処理するディスクドライブで使用され
る。データトラックは、データの記憶密度を高めるため
に、互いに可能な限り接近して、例えば、１インチに２
４００トラック、設けられている。データトラックが接
近している場合には、適切に機能させるためにＰ１磁極
とＰ２磁極とを非常に正確に位置決めしなければならな
い。
ック上のデータを処理するディスクドライブで使用され
る。データトラックは、データの記憶密度を高めるため
に、互いに可能な限り接近して、例えば、１インチに２
４００トラック、設けられている。データトラックが接
近している場合には、適切に機能させるためにＰ１磁極
とＰ２磁極とを非常に正確に位置決めしなければならな
い。
【０００４】以下に記載するように、Ｐ１磁極層とＰ２
磁極層との間に電気的コイル集成体が配設されている。
従来技術の薄膜磁気変換器では、コイル集成体は、典型
的に１または２つのコイル層にて形成されている。複数
のコイル層が利用される場合には、ホトレジストから成
る絶縁層が、コイル集成体と、Ｐ１、Ｐ２磁極層との間
はもとより、各コイル層の間にも必要となる。今日の変
換器には、３または４つのコイル層を設けて電気抵抗に
小さな長い電気経路を形成し、熱の散逸を良好にしたも
のがある。従って、記録された信号の側縁部の不均一性
に影響する、ギャップが配設された磁極片とＰ１、Ｐ２
磁極の位置決めが更に重要となる。
磁極層との間に電気的コイル集成体が配設されている。
従来技術の薄膜磁気変換器では、コイル集成体は、典型
的に１または２つのコイル層にて形成されている。複数
のコイル層が利用される場合には、ホトレジストから成
る絶縁層が、コイル集成体と、Ｐ１、Ｐ２磁極層との間
はもとより、各コイル層の間にも必要となる。今日の変
換器には、３または４つのコイル層を設けて電気抵抗に
小さな長い電気経路を形成し、熱の散逸を良好にしたも
のがある。従って、記録された信号の側縁部の不均一性
に影響する、ギャップが配設された磁極片とＰ１、Ｐ２
磁極の位置決めが更に重要となる。
【０００５】この問題を解決する方法の従来技術の１つ
が、米国特許第４９９２９０１号および米国特許第５２
０００５６号に開示されている。この方法では、Ｐ１磁
極がＰ２磁極の幅と実質的に等しくなるように、下側の
Ｐ１磁極層をトリミングするイオンミリングに関連し
て、Ｐ１、Ｐ２磁極片の側縁部を一致させるための捨て
マスクが使用される。従来技術において実施されている
ように、Ｐ１磁極層の全体をトリミングするために捨て
マスクを使用するためには、Ｐ２磁極片領域にホトレジ
ストマスクにてフレームを形成し相対的に長時間イオン
ミリングを行わなければならない。Ｐ１磁極片領域が保
護されるようにＰ２フレームの一部のみが露光され、そ
して、捨てマスク材料を堆積できるように上側のＰ２フ
レームは被覆されない。捨てマスク層を形成し、かつ、
フレームからホトレジストを除去するために余分な工程
が必要となり、薄膜ヘッドの製造が複雑となりマスクの
形成とミリングのために必要な時間が長くなる。また、
捨てマスク材料を堆積させるためにフレーム領域からホ
トレジストを除去するマスキング工程のためにヘッドヨ
ーク領域の形状が変化する。使用される捨てマスク材料
は、Ｐ２磁極層の頂部から残りの捨てマスク材料を除去
するための化学的エッチング処理にて独立して除去可能
でなければならない。異なる材料を使用しなければなら
ないので、イオンミリングの間に望ましくない金属成分
が形成され、Ｐ１、Ｐ２磁極層のパーマロイ材料を汚染
する可能性がある。
が、米国特許第４９９２９０１号および米国特許第５２
０００５６号に開示されている。この方法では、Ｐ１磁
極がＰ２磁極の幅と実質的に等しくなるように、下側の
Ｐ１磁極層をトリミングするイオンミリングに関連し
て、Ｐ１、Ｐ２磁極片の側縁部を一致させるための捨て
マスクが使用される。従来技術において実施されている
ように、Ｐ１磁極層の全体をトリミングするために捨て
マスクを使用するためには、Ｐ２磁極片領域にホトレジ
ストマスクにてフレームを形成し相対的に長時間イオン
ミリングを行わなければならない。Ｐ１磁極片領域が保
護されるようにＰ２フレームの一部のみが露光され、そ
して、捨てマスク材料を堆積できるように上側のＰ２フ
レームは被覆されない。捨てマスク層を形成し、かつ、
フレームからホトレジストを除去するために余分な工程
が必要となり、薄膜ヘッドの製造が複雑となりマスクの
形成とミリングのために必要な時間が長くなる。また、
捨てマスク材料を堆積させるためにフレーム領域からホ
トレジストを除去するマスキング工程のためにヘッドヨ
ーク領域の形状が変化する。使用される捨てマスク材料
は、Ｐ２磁極層の頂部から残りの捨てマスク材料を除去
するための化学的エッチング処理にて独立して除去可能
でなければならない。異なる材料を使用しなければなら
ないので、イオンミリングの間に望ましくない金属成分
が形成され、Ｐ１、Ｐ２磁極層のパーマロイ材料を汚染
する可能性がある。
【０００６】Ｐ１磁極片を完全にトリミングする必要
性、および、Ni-Fe 系合金磁極材料とは異なる材料の捨
てマスクの必要から、Ｐ２磁極片を厚く、つまり、一般
的に使用されるものよりも約７〜１０μｍ厚く形成して
しまうＰ２ホトレジストマスクフレームが必要となる。
Ｐ２磁極片の標準的な厚さは、最初にメッキし、次い
で、Ｐ２種付け層をイオンミリングした後で約３．８μ
ｍであり、最終的なＰ２磁極片の厚さは３．５μｍであ
る。
性、および、Ni-Fe 系合金磁極材料とは異なる材料の捨
てマスクの必要から、Ｐ２磁極片を厚く、つまり、一般
的に使用されるものよりも約７〜１０μｍ厚く形成して
しまうＰ２ホトレジストマスクフレームが必要となる。
Ｐ２磁極片の標準的な厚さは、最初にメッキし、次い
で、Ｐ２種付け層をイオンミリングした後で約３．８μ
ｍであり、最終的なＰ２磁極片の厚さは３．５μｍであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】側縁部の不均一性を低
減しデータトラック密度を高めた薄膜磁気変換器を製造
する方法が米国特許第５２６７１１２号に開示されてい
る。この場合、Ｐ１磁極層が喉部の高さへ傾斜してお
り、メッキされたパーマロイＰ２磁極層が、イオンミリ
ングの間Ｐ１磁極のためのマスクとして利用されてい
る。Ｐ２磁極層にパーマロイが付加的に厚めにメッキさ
れ、その後にホトレジストフレームが完全に除去され
る。この方法では、絶縁層およびコイルの端部が露出さ
れるのでエッチング処理を受け、薄膜磁気変換器が機能
しなくなる。従って製造効率が低くなる。また、上述し
た方法では、制御が不可能でなくとも、データトラック
の幅の制御は困難である。
減しデータトラック密度を高めた薄膜磁気変換器を製造
する方法が米国特許第５２６７１１２号に開示されてい
る。この場合、Ｐ１磁極層が喉部の高さへ傾斜してお
り、メッキされたパーマロイＰ２磁極層が、イオンミリ
ングの間Ｐ１磁極のためのマスクとして利用されてい
る。Ｐ２磁極層にパーマロイが付加的に厚めにメッキさ
れ、その後にホトレジストフレームが完全に除去され
る。この方法では、絶縁層およびコイルの端部が露出さ
れるのでエッチング処理を受け、薄膜磁気変換器が機能
しなくなる。従って製造効率が低くなる。また、上述し
た方法では、制御が不可能でなくとも、データトラック
の幅の制御は困難である。
【０００８】本発明の目的は、薄膜磁気変換器のギャッ
プ領域でＰ１、Ｐ２磁極片の側縁部を簡単で短時間で行
える方法を用いて一致させる方法を提供することであ
る。本発明の他の目的は、薄膜磁気変換器のＰ１、Ｐ２
磁極片を位置決めするために磁極片の部分的なトリミン
グ用いた方法を提供することである。捨てマスク層を用
いずに、Ｐ１、Ｐ２磁極片を自己並列させる薄膜磁気変
換器の製造方法を提供することである。本発明の更に他
の目的は、記録されたデータ信号の側縁部の不均一性を
低減可能な薄膜磁気変換器の製造方法を改良することで
ある。記録されたデータトラックの幅を効果的に制御で
きる薄膜磁気変換器の製造方法を提供することである。
プ領域でＰ１、Ｐ２磁極片の側縁部を簡単で短時間で行
える方法を用いて一致させる方法を提供することであ
る。本発明の他の目的は、薄膜磁気変換器のＰ１、Ｐ２
磁極片を位置決めするために磁極片の部分的なトリミン
グ用いた方法を提供することである。捨てマスク層を用
いずに、Ｐ１、Ｐ２磁極片を自己並列させる薄膜磁気変
換器の製造方法を提供することである。本発明の更に他
の目的は、記録されたデータ信号の側縁部の不均一性を
低減可能な薄膜磁気変換器の製造方法を改良することで
ある。記録されたデータトラックの幅を効果的に制御で
きる薄膜磁気変換器の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、薄膜磁
気変換器の磁極は上側のＰ２磁極を下側のＰ１磁極を部
分的にトリミングするための自己整列マスクとして用い
ることにより、位置決めされる。捨てマスク層および捨
てマスクを除去するための化学的エッチング工程は必要
なくなる。Ｐ２磁極層を形成するために、単一のNi-Fe
系合金またはパーマロイ等の金属のみが使用され、これ
が、ギャップ領域でのＰ１磁極層の部分的なトリミング
のためのマスクとして作用する。磁極片領域を開いて磁
極片領域のみをトリミング可能としながら、後部ヨーク
部のＰ２ホトレジストフレームを利用することにより部
分的なトリミングが実施される。本明細書に開示された
方法によりＰ２磁極層が形成され、かつ、ギャップに隣
接した磁極片が正確に直線上に揃い位置決めされる。
「スプリットヨーク」マスキングプロセスを用いる部分
的なトリミングにより、Ｐ１およびＰ２磁極層が、ギャ
ップ領域において実質的に同一の外形寸法を有するよう
になる。書き込まれた場の側縁部の不均一が低減され、
かつ、単位長さあたりの高い書き込み密度が得られる。
トリミングされていない薄膜磁気変換器と比較して、Ｓ
−Ｎ比を高めヘッドの性能を高めるためにより広いＰ２
磁極を利用することが可能となる。
気変換器の磁極は上側のＰ２磁極を下側のＰ１磁極を部
分的にトリミングするための自己整列マスクとして用い
ることにより、位置決めされる。捨てマスク層および捨
てマスクを除去するための化学的エッチング工程は必要
なくなる。Ｐ２磁極層を形成するために、単一のNi-Fe
系合金またはパーマロイ等の金属のみが使用され、これ
が、ギャップ領域でのＰ１磁極層の部分的なトリミング
のためのマスクとして作用する。磁極片領域を開いて磁
極片領域のみをトリミング可能としながら、後部ヨーク
部のＰ２ホトレジストフレームを利用することにより部
分的なトリミングが実施される。本明細書に開示された
方法によりＰ２磁極層が形成され、かつ、ギャップに隣
接した磁極片が正確に直線上に揃い位置決めされる。
「スプリットヨーク」マスキングプロセスを用いる部分
的なトリミングにより、Ｐ１およびＰ２磁極層が、ギャ
ップ領域において実質的に同一の外形寸法を有するよう
になる。書き込まれた場の側縁部の不均一が低減され、
かつ、単位長さあたりの高い書き込み密度が得られる。
トリミングされていない薄膜磁気変換器と比較して、Ｓ
−Ｎ比を高めヘッドの性能を高めるためにより広いＰ２
磁極を利用することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１、２を参照すると薄膜磁気変
換器は、パーマロイすなわちNi-Fe 系合金から成るＰ１
磁極片１０と、Ｐ２磁極片１２とを備えた磁極片領域を
有している。図３には、Ｐ２磁極片１２およびＰ２磁極
層の後方部１４が図示されている。図４から図１０に示
すように、例えば、酸化アルミニウム／チタンカーバイ
ドから成る非磁性セラミック基板またはウェハー４０が
薄いアルミナ層（図示せず）のための支持部を構成して
いる。上記アルミナ層の上にNi-Fe 系合金の種付け層が
形成され、その上にＰ１で示される第１の磁極層がメッ
キされる。従来技術において実施されているように、Ｐ
１磁極層はホトレジストをスピン塗布することにより、
そしてＰ１磁極層をメッキするためのフレームを形成す
るマスクとホトリソグラフィにより形成される。Ｐ１磁
極層が形成された後に、アルミナ層を堆積することよ
り、Ｐ１磁極層と次いで形成されるＰ２磁極層との間に
ギャップが形成される。図１１に示すように、Ｐ１磁極
層の上に焼成ホトレジストから成る第１の絶縁層Ｉ１が
堆積され、該第１の絶縁層Ｉ１の上に電気コイル集成体
の第１の層１６が配設される。更に、第１のコイル層１
６の上に焼成ホトレジストから成る第２の絶縁層Ｉ２が
堆積され、該第２の絶縁層Ｉ２の上に電気コイル集成体
の第２の層１８が配設される。同様に、第２のコイル層
１８の上に焼成ホトレジストから成る第３の絶縁層Ｉ３
が堆積され、該第３の絶縁層Ｉ３の上に電気コイル集成
体の第３の層２０が配設される。更に、第３のコイル層
２０の上に焼成ホトレジストから成る第４と第５の絶縁
層Ｉ４、Ｉ５が堆積され全てのコイルが絶縁材料に埋設
される。コイル層１６、１８、２０は相互接続されてお
り、従来技術で周知の外部ヘッド回路にリード線を介し
て接続される連続回路を形成している。
換器は、パーマロイすなわちNi-Fe 系合金から成るＰ１
磁極片１０と、Ｐ２磁極片１２とを備えた磁極片領域を
有している。図３には、Ｐ２磁極片１２およびＰ２磁極
層の後方部１４が図示されている。図４から図１０に示
すように、例えば、酸化アルミニウム／チタンカーバイ
ドから成る非磁性セラミック基板またはウェハー４０が
薄いアルミナ層（図示せず）のための支持部を構成して
いる。上記アルミナ層の上にNi-Fe 系合金の種付け層が
形成され、その上にＰ１で示される第１の磁極層がメッ
キされる。従来技術において実施されているように、Ｐ
１磁極層はホトレジストをスピン塗布することにより、
そしてＰ１磁極層をメッキするためのフレームを形成す
るマスクとホトリソグラフィにより形成される。Ｐ１磁
極層が形成された後に、アルミナ層を堆積することよ
り、Ｐ１磁極層と次いで形成されるＰ２磁極層との間に
ギャップが形成される。図１１に示すように、Ｐ１磁極
層の上に焼成ホトレジストから成る第１の絶縁層Ｉ１が
堆積され、該第１の絶縁層Ｉ１の上に電気コイル集成体
の第１の層１６が配設される。更に、第１のコイル層１
６の上に焼成ホトレジストから成る第２の絶縁層Ｉ２が
堆積され、該第２の絶縁層Ｉ２の上に電気コイル集成体
の第２の層１８が配設される。同様に、第２のコイル層
１８の上に焼成ホトレジストから成る第３の絶縁層Ｉ３
が堆積され、該第３の絶縁層Ｉ３の上に電気コイル集成
体の第３の層２０が配設される。更に、第３のコイル層
２０の上に焼成ホトレジストから成る第４と第５の絶縁
層Ｉ４、Ｉ５が堆積され全てのコイルが絶縁材料に埋設
される。コイル層１６、１８、２０は相互接続されてお
り、従来技術で周知の外部ヘッド回路にリード線を介し
て接続される連続回路を形成している。
【００１１】上記の３つのコイル層から成る集成体に更
にコイル層を付加してもよい。従来の方法では、コイル
層を多くすると磁気変換器の構成が複雑になり、かつ、
磁極片の側縁部の一致が難しくなる。
にコイル層を付加してもよい。従来の方法では、コイル
層を多くすると磁気変換器の構成が複雑になり、かつ、
磁極片の側縁部の一致が難しくなる。
【００１２】第５の絶縁層Ｉ５を堆積した後、Ni-Fe 系
合金の種付け層を堆積すると共に該種付け層の上にホト
レジストを厚くスピン塗布することにより、第５の絶縁
層Ｉ５の上にＰ２磁極層がメッキされる。Ni-Fe 系合金
より成るＰ２磁極層をメッキするために、従来技術で
は、Ｐ２磁極層のフルフレーム用のマスクが利用されて
いる。Ｐ２磁極層のフルフレームのために使用されたホ
トレジストを除去した後に、Ｐ１磁極層とＰ２磁極層を
トリミングするためにイオンミリングされる。イオンミ
リングの後、コイル集成体を外部回路に接続するために
銅スタッドが形成される。湿気や機械的衝撃から保護す
るために、上記磁気変換器の構成は絶縁材料の外皮によ
り被覆される。
合金の種付け層を堆積すると共に該種付け層の上にホト
レジストを厚くスピン塗布することにより、第５の絶縁
層Ｉ５の上にＰ２磁極層がメッキされる。Ni-Fe 系合金
より成るＰ２磁極層をメッキするために、従来技術で
は、Ｐ２磁極層のフルフレーム用のマスクが利用されて
いる。Ｐ２磁極層のフルフレームのために使用されたホ
トレジストを除去した後に、Ｐ１磁極層とＰ２磁極層を
トリミングするためにイオンミリングされる。イオンミ
リングの後、コイル集成体を外部回路に接続するために
銅スタッドが形成される。湿気や機械的衝撃から保護す
るために、上記磁気変換器の構成は絶縁材料の外皮によ
り被覆される。
【００１３】従来技術による３つのコイル層を有する薄
膜磁気変換器のイオンミリングの結果を示す図９を参照
すると、Ｐ２磁極層をトリミングするイオンミリング
は、コイル層１６、１８、２０を埋設した絶縁材料を除
去する共に、最上段のコイル層２０をも削り取ってしま
う。これにより磁気変換器が作用しなくなり、製造効率
を著しく低下させる。
膜磁気変換器のイオンミリングの結果を示す図９を参照
すると、Ｐ２磁極層をトリミングするイオンミリング
は、コイル層１６、１８、２０を埋設した絶縁材料を除
去する共に、最上段のコイル層２０をも削り取ってしま
う。これにより磁気変換器が作用しなくなり、製造効率
を著しく低下させる。
【００１４】本発明によれば、第５の絶縁層Ｉ５を形成
した後、薄い種付け層が第４の絶縁層Ｉ４の上に堆積さ
れる。Ｐ２磁極層をメッキする前に、比較的厚い約６〜
７μｍのホトレジスト層がスピンコーティングとマスキ
ングにより堆積され、ホトリソグラフィを用いて部分的
なＰ２フレーム２２が形成される（図１参照）。この部
分フレーム２２は、Ｐ２種付け層の上にスピン塗布し、
１２０°Ｃで焼成した焼成ホトレジストにより形成され
る。
した後、薄い種付け層が第４の絶縁層Ｉ４の上に堆積さ
れる。Ｐ２磁極層をメッキする前に、比較的厚い約６〜
７μｍのホトレジスト層がスピンコーティングとマスキ
ングにより堆積され、ホトリソグラフィを用いて部分的
なＰ２フレーム２２が形成される（図１参照）。この部
分フレーム２２は、Ｐ２種付け層の上にスピン塗布し、
１２０°Ｃで焼成した焼成ホトレジストにより形成され
る。
【００１５】部分フレーム２２はＰ２磁極層の後方領域
の縁取りをしながら、図１に示すように、上記磁極片領
域を露出したままにする。部分フレーム２２が形成され
た後に低粘度のホトレジストの薄い層がスピン塗布さ
れ、Ｐ２磁極層のためのホトレジストフレーム２８が形
成される。フレーム２８のマスキングと現像により磁極
片領域が開かれ露出される。次いで、図４に示すよう
に、全厚さが約６μｍとなるまでパーマロイ層Ｐ２Ｐが
堆積される。
の縁取りをしながら、図１に示すように、上記磁極片領
域を露出したままにする。部分フレーム２２が形成され
た後に低粘度のホトレジストの薄い層がスピン塗布さ
れ、Ｐ２磁極層のためのホトレジストフレーム２８が形
成される。フレーム２８のマスキングと現像により磁極
片領域が開かれ露出される。次いで、図４に示すよう
に、全厚さが約６μｍとなるまでパーマロイ層Ｐ２Ｐが
堆積される。
【００１６】従来技術では、次工程の磁極片のイオンミ
リングおよびトリミングのためのマスキングおよびフレ
ーム形成は、Ｐ２Ｐ層のメッキ工程のあとに実施され
る。本発明では、Ｐ２Ｐ層をメッキする前に磁極片領域
を露出するために部分マスクが使用される。Ｐ２Ｐ層の
メッキの後に、薄く低粘度のホトレジスト２８が現像さ
れ、図５に示すように、Ｐ２磁極フレームが開かれる。
次いで、電気コイル集成体および該コイルを取り巻く絶
縁材料層が設けられた後部ヨーク領域に影響することな
く、種付け層およびＰ１、Ｐ２磁極層が、図６に示すよ
うに、イオンミリングによりトリミングされる。
リングおよびトリミングのためのマスキングおよびフレ
ーム形成は、Ｐ２Ｐ層のメッキ工程のあとに実施され
る。本発明では、Ｐ２Ｐ層をメッキする前に磁極片領域
を露出するために部分マスクが使用される。Ｐ２Ｐ層の
メッキの後に、薄く低粘度のホトレジスト２８が現像さ
れ、図５に示すように、Ｐ２磁極フレームが開かれる。
次いで、電気コイル集成体および該コイルを取り巻く絶
縁材料層が設けられた後部ヨーク領域に影響することな
く、種付け層およびＰ１、Ｐ２磁極層が、図６に示すよ
うに、イオンミリングによりトリミングされる。
【００１７】従来技術において実施されているように、
上記コイル集成体を外部の回路に接続するために銅スタ
ッドが形成される。上記の磁気変換器にアルミナの保護
外皮が形成される。ここで開示された構造において、磁
気変換器のＰ２磁極層は、図３に示すように、薄膜ヘッ
ドの周縁部において傾斜している。
上記コイル集成体を外部の回路に接続するために銅スタ
ッドが形成される。上記の磁気変換器にアルミナの保護
外皮が形成される。ここで開示された構造において、磁
気変換器のＰ２磁極層は、図３に示すように、薄膜ヘッ
ドの周縁部において傾斜している。
【００１８】ホトレジストより成るフレーム２２は、適
切なイオンミリングによりコイル層およびその絶縁体の
感受領域へ貫通しないように、前記コイル集成体を取り
囲む絶縁を保護するために利用される。ホトレジストフ
レーム２２は、典型的に、イオンミリングされるＰ２磁
極片の量およびＰ２磁極の実際の厚さに応じて４〜１０
μｍの厚さを有している。図１、２を参照すると、磁極
片領域は、Ｐ２磁極層の幅の許容誤差を厳格に管理する
ために、ホトリソグラフィックフレームを介してＰ２磁
極層をメッキする前に、上記ホトレジストフレームより
も薄いホトレジストによりマスクされる。
切なイオンミリングによりコイル層およびその絶縁体の
感受領域へ貫通しないように、前記コイル集成体を取り
囲む絶縁を保護するために利用される。ホトレジストフ
レーム２２は、典型的に、イオンミリングされるＰ２磁
極片の量およびＰ２磁極の実際の厚さに応じて４〜１０
μｍの厚さを有している。図１、２を参照すると、磁極
片領域は、Ｐ２磁極層の幅の許容誤差を厳格に管理する
ために、ホトリソグラフィックフレームを介してＰ２磁
極層をメッキする前に、上記ホトレジストフレームより
も薄いホトレジストによりマスクされる。
【００１９】図６に磁極片領域からホトレジスト２２を
除去した後のヘッド構造とＰ２磁極片を図示する。ホト
レジスト２２は、Ｐ２磁極層をメッキする前に磁極片領
域のみを露光し、メッキを実施した後に露光した領域を
現像することにより除去される。メッキを実施し、か
つ、ホトレジスト２８を除去した後に、Ｐ２磁極片と、
その下側のギャップおよびＰ１磁極片がイオンミリング
により形成される。イオンミリングを約５０分間実施
し、図６に示すようにＰ２磁極片の幅よりも広くなるよ
うにＰ１磁極片を形成する。Ｐ１磁極層を部分的にトリ
ミングするために、約２．５μｍのＰ２磁極層をイオン
ミリングする時間は約６０分である。これは、従来技術
で必要とされた約３時間と比較して著しい時間短縮であ
る。本発明では、Ｐ２磁極層は効果的にマスクとして作
用し、これにより、従来技術で行われていた捨てマスク
の必要性はなくなる。その結果、付加的なホトレジスト
マスクを施すことなく、Ｐ１磁極層に対して側縁部が正
確に一致したＰ２磁極層が形成される。Ｐ１磁極層を部
分的にトリミングするのみで、ギャップに隣接させてＰ
１およびＰ２磁極片の側縁部を一致させることができる
ので、イオンミリングに要する時間が著しく短縮され
る。
除去した後のヘッド構造とＰ２磁極片を図示する。ホト
レジスト２２は、Ｐ２磁極層をメッキする前に磁極片領
域のみを露光し、メッキを実施した後に露光した領域を
現像することにより除去される。メッキを実施し、か
つ、ホトレジスト２８を除去した後に、Ｐ２磁極片と、
その下側のギャップおよびＰ１磁極片がイオンミリング
により形成される。イオンミリングを約５０分間実施
し、図６に示すようにＰ２磁極片の幅よりも広くなるよ
うにＰ１磁極片を形成する。Ｐ１磁極層を部分的にトリ
ミングするために、約２．５μｍのＰ２磁極層をイオン
ミリングする時間は約６０分である。これは、従来技術
で必要とされた約３時間と比較して著しい時間短縮であ
る。本発明では、Ｐ２磁極層は効果的にマスクとして作
用し、これにより、従来技術で行われていた捨てマスク
の必要性はなくなる。その結果、付加的なホトレジスト
マスクを施すことなく、Ｐ１磁極層に対して側縁部が正
確に一致したＰ２磁極層が形成される。Ｐ１磁極層を部
分的にトリミングするのみで、ギャップに隣接させてＰ
１およびＰ２磁極片の側縁部を一致させることができる
ので、イオンミリングに要する時間が著しく短縮され
る。
【００２０】ホトレジストマスク２２は、好ましくは、
ＡＺ４０００シリーズ（商品名）のポジティブレジスト
から作られ、架橋結合された不溶解性のホトレジスト層
から成る絶縁層Ｉ１〜Ｉ５内に埋設されたコイル集成体
を保護する。ホトレジストマスク２２は、次工程のスピ
ン塗布において該ホトレジスト２２の溶解を防止するた
めに焼成される。遷移領域においてＰ１磁極層に関して
Ｐ２磁極層の側縁部が正確に一致されるように、マスク
２８がＰ２磁極層の幅を効果的に決定する。
ＡＺ４０００シリーズ（商品名）のポジティブレジスト
から作られ、架橋結合された不溶解性のホトレジスト層
から成る絶縁層Ｉ１〜Ｉ５内に埋設されたコイル集成体
を保護する。ホトレジストマスク２２は、次工程のスピ
ン塗布において該ホトレジスト２２の溶解を防止するた
めに焼成される。遷移領域においてＰ１磁極層に関して
Ｐ２磁極層の側縁部が正確に一致されるように、マスク
２８がＰ２磁極層の幅を効果的に決定する。
【００２１】本発明実施形態の方法では、メッキが実施
される前に、Ｐ２フレーム層が磁極片領域内でのみ図１
の一点鎖線０−０で示す喉部の後側数μｍまで部分的に
露光される。喉部は、Ｐ２磁極層が磁極片領域から後部
ヨーク領域へ広がる点として定義される。部分的に露光
することによりＰ１磁極層の両側または両側部のホトレ
ジストが標準的な写真現像工程において完全に除去され
る。この方法により、後部ヨーク領域を個別にマスクす
る必要がなくなり、従って、後部ヨーク領域の位置決め
プロセスが容易になり、余分なホトリソグラフィックマ
スクおよび加工設備が不要となる。
される前に、Ｐ２フレーム層が磁極片領域内でのみ図１
の一点鎖線０−０で示す喉部の後側数μｍまで部分的に
露光される。喉部は、Ｐ２磁極層が磁極片領域から後部
ヨーク領域へ広がる点として定義される。部分的に露光
することによりＰ１磁極層の両側または両側部のホトレ
ジストが標準的な写真現像工程において完全に除去され
る。この方法により、後部ヨーク領域を個別にマスクす
る必要がなくなり、従って、後部ヨーク領域の位置決め
プロセスが容易になり、余分なホトリソグラフィックマ
スクおよび加工設備が不要となる。
【００２２】既述の方法によれば、焼成されていない未
焼成ホトレジスト層２８は焼成レジスト層２２の上に設
けられ、かつ、焼成ホトレジスト層２２を越えて喉部へ
向けて４〜１０μｍ延在している。未焼成ホトレジスト
２８は、イオンミリングの間に発生する再付着イオンが
未焼成ホトレジストに捕らえられるように配設されてい
る。再付着物質は、次工程の磁極片のトリミングの間に
未焼成ホトレジストのイオンミリングにより除去され、
事実上、自己洗浄プロセスとなっている。
焼成ホトレジスト層２８は焼成レジスト層２２の上に設
けられ、かつ、焼成ホトレジスト層２２を越えて喉部へ
向けて４〜１０μｍ延在している。未焼成ホトレジスト
２８は、イオンミリングの間に発生する再付着イオンが
未焼成ホトレジストに捕らえられるように配設されてい
る。再付着物質は、次工程の磁極片のトリミングの間に
未焼成ホトレジストのイオンミリングにより除去され、
事実上、自己洗浄プロセスとなっている。
【００２３】図７、８、１０を参照すると、多段に形成
されたコイル集成体が、Ni-Fe 系合金より成るＰ１およ
びＰ２磁極層の短絡を防止する絶縁層Ｉ１〜Ｉ５に埋設
されている。既述のように磁極片領域からホトレジスト
を除去した後、磁気ヨークの後方領域のフレーム２２内
のホトレジストは、トリミングプロセスにおいて磁極片
のイオンミリングを行う間、前記絶縁層を保護し続け
る。イオンミリング段階の後、ホトレジストおよびNi-F
e 系合金の種付け層がフレーム２２の領域から除去され
る。Ｐ２磁極層のNi-Fe 系合金の種付け層を含むパーマ
ロイ材料は化学的エッチング処理により除去される。磁
極片領域におけるＰ２磁極片の最終的な厚さは約２〜４
μｍとなる。
されたコイル集成体が、Ni-Fe 系合金より成るＰ１およ
びＰ２磁極層の短絡を防止する絶縁層Ｉ１〜Ｉ５に埋設
されている。既述のように磁極片領域からホトレジスト
を除去した後、磁気ヨークの後方領域のフレーム２２内
のホトレジストは、トリミングプロセスにおいて磁極片
のイオンミリングを行う間、前記絶縁層を保護し続け
る。イオンミリング段階の後、ホトレジストおよびNi-F
e 系合金の種付け層がフレーム２２の領域から除去され
る。Ｐ２磁極層のNi-Fe 系合金の種付け層を含むパーマ
ロイ材料は化学的エッチング処理により除去される。磁
極片領域におけるＰ２磁極片の最終的な厚さは約２〜４
μｍとなる。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、絶縁層とコイル構造を保
護する後部ヨークフレームに十分な厚さのホトレジスト
を提供しつつ、磁極片の重要な寸法を良好に管理しなが
らＰ２磁極層をトリミングする「スプリットヨーク」プ
ロセスが提供される。後部ヨークを保護するために、捨
てマスクを使用せず、また、付加的なホトレジストを塗
布し除去する工程を加えることなく、Ｐ１磁極の幅を画
定するためにＰ２磁極の幅を利用した単純な方法が提供
される。更に、本発明によれば、イオンミリングに要す
る時間が短縮されるとともに、コイルおよびコイルの絶
縁部への貫通により損傷することがないので生産性が向
上する。更に、イオンミリングにおいて発生する再付着
物質の自己洗浄効果が得られる。更に、本発明のプロセ
スは絶縁破壊およびコイルの磁極材料への短絡による損
傷を防止し、以て、薄膜磁気ヘッドの磁極をトリミング
するための単純で生産性の高いプロセスが提供される。
護する後部ヨークフレームに十分な厚さのホトレジスト
を提供しつつ、磁極片の重要な寸法を良好に管理しなが
らＰ２磁極層をトリミングする「スプリットヨーク」プ
ロセスが提供される。後部ヨークを保護するために、捨
てマスクを使用せず、また、付加的なホトレジストを塗
布し除去する工程を加えることなく、Ｐ１磁極の幅を画
定するためにＰ２磁極の幅を利用した単純な方法が提供
される。更に、本発明によれば、イオンミリングに要す
る時間が短縮されるとともに、コイルおよびコイルの絶
縁部への貫通により損傷することがないので生産性が向
上する。更に、イオンミリングにおいて発生する再付着
物質の自己洗浄効果が得られる。更に、本発明のプロセ
スは絶縁破壊およびコイルの磁極材料への短絡による損
傷を防止し、以て、薄膜磁気ヘッドの磁極をトリミング
するための単純で生産性の高いプロセスが提供される。
【図１】本発明の方法により製造された薄膜磁気変換器
の一部を破断してしめす部分斜視図である。
の一部を破断してしめす部分斜視図である。
【図２】図１でＡで示す部分の拡大斜視図である。
【図３】図１の薄膜磁気変換器の平面図である。
【図４】図１において直線Ｂ−Ｂに沿う断面図であり、
本発明の方法の各段階を示す図である。
本発明の方法の各段階を示す図である。
【図５】図１において直線Ｂ−Ｂに沿う断面図であり、
本発明の方法の各段階を示す図である。
本発明の方法の各段階を示す図である。
【図６】図１において直線Ｂ−Ｂに沿う断面図であり、
本発明の方法の各段階を示す図である。
本発明の方法の各段階を示す図である。
【図７】図１の直線Ｄ−Ｄに沿う断面図であり、図４、
５に相当する図である。
５に相当する図である。
【図８】図１の直線Ｄ−Ｄに沿う断面図であり、図６に
相当する図である。
相当する図である。
【図９】従来技術の薄膜磁気変換器の断面図である。
【図１０】本発明の薄膜磁気変換器の断面図であり、図
９の従来技術との差異を示すための図である。
９の従来技術との差異を示すための図である。
【図１１】図２の直線Ｃ−Ｃに沿う断面図である。
１０…Ｐ１磁極片 １２…Ｐ２磁極片 １４…Ｐ２磁極片の後方領域 １６…コイル層 １８…コイル層 ２０…コイル層 ２２…部分フレーム ２８…ホトレジストフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トラン サン アメリカ合衆国，カリフォルニア 95035, ミルピタス，スカイライン ドライブ 2247
Claims (8)
- 【請求項１】 薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 磁極片領域と後部ヨーク領域とを含む第１の磁極層を堆
積する工程と、 ギャップを形成するために前記第１の磁極層の上に絶縁
層を堆積する工程と、 第２の磁極層の後部ヨーク領域を形成するために前記絶
縁層の上にホトレジストフレームを設ける工程と、 磁極片領域と後部ヨーク領域とを含む第２の磁極層を、
前記絶縁層の上において前記フレームにより画成される
領域に堆積する工程と、 前記磁極片領域の前記フレームからホトレジストを除去
する工程と、 前記ギャップに隣接した前記第２の磁極の磁極片の幅と
第１の磁極の磁極片の幅が実質的に等しくなり、前記磁
極片の側縁部が正確に一致するように、前記第２の磁極
層を前記磁極片のトリミング用マスクとして利用して、
前記ギャップに隣接する前記第２の磁極片および前記第
１の磁極片をトリミングする工程とを含む薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項２】 前記磁極層の堆積は磁性材料のメッキを
含んでいる請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記メッキ工程は前記第２の磁極層を約
６μｍまでメッキするために利用される請求項２に記載
の方法。 - 【請求項４】 前記第２の磁極層の幅を画成するために
未焼成ホトレジストマスクを形成する工程を含む請求項
３に記載の方法。 - 【請求項５】 前記第２の磁極層のイオンミリングと前
記第１の磁極層の部分トリミングの工程が約６０分で実
施される工程を含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 マスキングおよび前記フレームの形成工
程の前にNi-Fe 系合金より成る種付け層を堆積する工程
を含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 前記磁極片をトリミングする工程に次い
で前記種付け層をイオンミリングする工程を含む請求項
６に記載の方法。 - 【請求項８】 前記ホトレジストフレームを形成する工
程は、１２０°Ｃで前記ホトレジストを焼成することを
含む請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/498,169 US5578342A (en) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | Alignment of magnetic poles of thin film transducer |
| US498169 | 1995-07-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102106A true JPH09102106A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=23979871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8176541A Pending JPH09102106A (ja) | 1995-07-05 | 1996-07-05 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5578342A (ja) |
| EP (1) | EP0752699A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09102106A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6141857A (en) * | 1997-07-08 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Method of manufacturing a merged MR head |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5752309A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-19 | Quantum Corporation | Method and apparatus for precisely dimensioning pole tips of a magnetic transducing head structure |
| JP3349925B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2002-11-25 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5804085A (en) * | 1997-01-30 | 1998-09-08 | Quantum Corporation | Process for producing a pole-trimmed writer in a magnetoresistive read/write head and a data transducer made thereby |
| US5831792A (en) * | 1997-04-11 | 1998-11-03 | Western Digital Corporation | Slider having a debris barrier surrounding a transducer |
| US5916423A (en) * | 1997-05-06 | 1999-06-29 | International Business Machines Corporation | P1 notched write head with minimum overmilled p1 and p2 |
| US5872684A (en) * | 1997-05-15 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Air bearing slider having a relieved trailing edge |
| US5973891A (en) * | 1997-05-21 | 1999-10-26 | Quantum Corporation | Data transducer and method for writing data utilizing the bottom pole as the trailing edge of a thin-film magnetic tape write head |
| US5867890A (en) * | 1997-12-17 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | Method for making a thin film merged magnetoresistive read/inductive write head having a pedestal pole tip |
| US6158107A (en) * | 1998-04-02 | 2000-12-12 | International Business Machines Corporation | Inverted merged MR head with plated notched first pole tip and self-aligned second pole tip |
| US6178066B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-01-23 | Read-Rite Corporation | Method of fabricating an improved thin film device having a small element with well defined corners |
| US6525902B1 (en) | 1998-10-13 | 2003-02-25 | Seagate Technology Llc | High areal density thin film magnetic head |
| US6462919B1 (en) | 1999-04-28 | 2002-10-08 | Seagate Technology Llc | Spin valve sensor with exchange tabs |
| US6396668B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-05-28 | Seagate Technology Llc | Planar double spin valve read head |
| US6466419B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-15 | Seagate Technology Llc | Current perpendicular to plane spin valve head |
| US6700760B1 (en) | 2000-04-27 | 2004-03-02 | Seagate Technology Llc | Tunneling magnetoresistive head in current perpendicular to plane mode |
| US7117583B2 (en) * | 2002-03-18 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus using a pre-patterned seed layer for providing an aligned coil for an inductive head structure |
| US6857181B2 (en) | 2002-08-12 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Method of making a T-shaped write head with less side writing |
| US6960281B2 (en) * | 2003-03-21 | 2005-11-01 | Headway Technologies, Inc. | Method to make a wider trailing pole structure by self-aligned pole trim process |
| US7086139B2 (en) * | 2004-04-30 | 2006-08-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making magnetic write heads using electron beam lithography |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4436593A (en) * | 1981-07-13 | 1984-03-13 | Memorex Corporation | Self-aligned pole tips |
| JPH0268704A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Yamaha Corp | 薄膜ヘッドの製造方法 |
| US4992901A (en) * | 1990-02-15 | 1991-02-12 | Seagate Technology, Inc. | Self aligned magnetic poles using sacrificial mask |
| US5157570A (en) * | 1990-06-29 | 1992-10-20 | Digital Equipment Corporation | Magnetic pole configuration for high density thin film recording head |
| US5137750A (en) * | 1990-11-06 | 1992-08-11 | Seagate Technology, Inc. | Method of making a thin film head with contoured pole face edges for undershoot reduction |
| US5267112A (en) * | 1991-09-30 | 1993-11-30 | Digital Equipment Corporation | Thin film read/write head for minimizing erase fringing and method of making the same |
| JP2715808B2 (ja) * | 1992-06-09 | 1998-02-18 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5438747A (en) * | 1994-03-09 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips |
-
1995
- 1995-07-05 US US08/498,169 patent/US5578342A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-07-02 EP EP96110685A patent/EP0752699A1/en not_active Withdrawn
- 1996-07-05 JP JP8176541A patent/JPH09102106A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6141857A (en) * | 1997-07-08 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Method of manufacturing a merged MR head |
| US6339524B1 (en) | 1997-07-08 | 2002-01-15 | Nec Corporation | Merged MR head having notches in the sides of a lower shield pedestal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5578342A (en) | 1996-11-26 |
| EP0752699A1 (en) | 1997-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09102106A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| KR100212386B1 (ko) | 박막 자기헤드내에 자극선단을 정렬시키는 방법 | |
| JP2694857B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドのポールチップ構造の製造方法 | |
| JPH03242810A (ja) | 犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース | |
| JPH0628626A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0256721B2 (ja) | ||
| US5734531A (en) | Magneto-resistive read/write head having a combination pole/shield | |
| JP2803911B2 (ja) | ボンディングパッド及びボンディングパッド部の形成方法 | |
| JP2649209B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0620227A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH01176089A (ja) | めっきパターンの形成方法 | |
| JP2553012B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2007328881A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH10105920A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2000011320A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0765321A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH05174320A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0721518A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH11273026A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH02105310A (ja) | 薄膜磁気レッドの製造方法 | |
| JPH08124116A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH1186220A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05101335A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH06195634A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH10312063A (ja) | リフトオフ用フォトレジストパターンの形成方法 |