JPH02105310A - 薄膜磁気レッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、面内記録再生用または垂直記録再生用の薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関し、下地導体膜形成工程に続
く導体コイル膜形成工程において、磁性膜のポール部の
周辺をレジストで覆った後に導体コイル膜を形成するこ
とにより、磁性膜のポール部周辺に、金属成分、特に、
下地導体膜や導体コイル膜を構成する主成分である銅成
分が付着することがないようにし、金属酸化による特性
の劣化、品質及び信頼性の低下を防止できるようにした
ものである。

〈従来の技術〉 薄膜磁気ヘッドとしては、面内記録再生用と垂直記録再
生用の２種類の方式のものが知られている。第３図は従
来より知られた面内記録再生用薄膜磁気ヘッドの要部の
斜視図、第４図は同じく要部の断面図である。１はＡｈ
０３−Ｔｉｅ等のセラミックで構成された基体、２は下
部の磁性膜、３はアルミナ等でなるギャップ膜、４は上
部の磁性膜、５は導体コイル膜、６はノボラック樹脂等
の有機絶縁樹脂で構成された絶縁膜、７．８は引出リー
ド部、９は絶縁膜、１０はアルミナ等の保護膜である。

磁性膜２及び磁性膜４の先端部はアルミナ等でなるギャ
ップ膜３を隔てて対向するポール部２１．４２となフて
おり、このポール部２１．４１において読み書きを行な
う。

上述の薄膜磁気ヘッドはＩＣ製造プロセスと同様のフォ
トリソグラフィと称される高精度パターン形成技術によ
って製造される。次に、製造プロセスのうち、導体コイ
ル膜の製造プロセスについて、その１例を第５図及び第
６図を参照して説明する。第５図（ａ）、（ｂ）及び第
６図（ａ）、（ｂ）を下地導体膜形成工程、第５図（ｃ
）〜（′ｇ）及び第６図（ｅ）、（ｄ）を導体コイル膜
形成工程と称することとする。

まず、下地導体膜形成工程では第５図（ａ）、第６図（
ａ）に示すように、基体１の上に形成された磁性膜２及
びギャップ膜３の上に、絶縁膜６１を形成する。絶縁膜
６１は、一般には、ノボラック系のポジタイプレジスト
膜をコーティングし、所定の温度及び時間的条件でソフ
トベークを行なった後、露光、現像及び水洗の処理を施
し、続いて、熱処理をそれぞれ行なって形成する。

この絶縁膜６１は、磁性膜２のポール部２１の周辺部を
除き、磁性膜２及びギャップ膜３の全体を覆うように形
成する。ポール部２１には、第４図に示したように、磁
性膜４のポール部４１がギャップ膜３を介して対向する
ように形成される。また、ポール部２１は磁気記録媒体
と接触する読み書ぎ部分となるから、磁性膜４を持たな
い垂直記録再生用薄膜磁気ヘッドにおいても、保護膜１
０で覆い、耐摩耗性を確保する必要がある。

これらの理由から、ポール部２１は絶縁膜６１によって
覆わない。他の絶縁膜６２．６３も同様である。

この後、第５図（ｂ）、第６図（ｂ）に示すように、絶
縁膜６１の表面にＣＵ　／　Ｔ　ｉの材料をスパッタリ
ングして、下地導体膜５１Ａを形成を形成する。

次に、導体コイル膜形成工程では、まず、第５図（Ｃ）
、第６図（ｃ）に示すように、下地導体膜５１Ａの表面
にポジレジスト膜６２Ａを塗布し、所定の温度及び時間
的条件でソフトベークを行なう。

次に、第５図（ｄ）に示すように、ポジレジスト膜６２
Ａの上にフォトマスク１１を位置決めし、露光を行なう
。これにより、第５図（ｅ）に示すように、フォトマス
ク１１のパターンと一致した均一な露光パターンが得ら
れる。フォトマスク１１のパターンは渦巻状である。

次に、第５図（ｆ）に示すように、Ｃｕメッキ膜５１Ｂ
をレジスト膜６２Ａの除去された部分６２Ｂに付着させ
る。これにより、Ｃｕメッキ膜５１Ｂによる導体コイル
パターンが形成される。

次に、レジスト膜６２Ａを剥離した後、剥離されたレジ
スト膜６２Ａの下にある下地導体膜５１Ａを、イオンミ
ーリングで除去し、Ｃｕメッキ膜５１Ｂによる導体コイ
ルパターンに従ってパターン化する。これにより、第５
図（ｇ）、第６図（ｄ）に示すように、絶縁膜６１の上
に導体コイル膜５１が形成される。

この後、第５図（ａ）〜（ｇ）の工程を繰返し、絶縁膜
６２、導体コイル膜５２及び絶縁膜６３を積層し、更に
絶縁膜６３の表面に磁性膜４を形成し、その上から保ｉ
！膜ｔｏをスパッタリング等の手段によって付着させる
。

上記実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの製
造方法を示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドの
製造方法も同様の工程となる。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上述した従来の薄膜磁気ヘッドでは、面
内記録再生用及び垂直記録再生用の別を問わず、磁性膜
２のポール部２１の周辺に銅を主成分とする金属が付着
し、付着した金属が酸化され、薄膜磁気ヘッドの特性を
劣化させ、品質及び信頼性を低下させるという問題点が
あった。金属付着の原因は、次のように推測される。

（イ）磁性膜２のポール部２１は、下地導体膜形成工程
及び導体コイル膜形成工程を通して、絶縁膜６１〜６３
によって覆われることなく、外部に露出している。この
ため、導体コイル膜形成工程において、下地導体膜５１
Ａをイオンミーリングで除去し、ＣＵメッキ１ｉ５１Ｂ
によるコイルパターンに従ってパターン化する際に、第
７図に示す如く、イオンミーリングによって生じたＣｕ
及びＴｉの飛沫がポール部２１の周辺に付着（イ）する
と考えられる。下地導体膜５１ＡはＣＵ酸成分含むから
、何着した金属成分にも、ＣＵ酸成分多く含まれること
は当然であり、このＣＵの酸化が上述の問題点を生じる
原因の１つになっていると推測される。

（ロ）下地導体膜５１Ａの上にＣＵメッキ１ｌＮ５１Ｂ
をパターンメッキする際、第８図に示すように、ＣＵメ
ッキｌ］１５１Ｂは磁性膜２の表面等にも付着する。こ
のようにして付着したＣｕメッキ膜５１Ｂが、導体コイ
ル膜５２（第４図参照）を得るための下地導体１ｉ　５
２　Ａのスパッタリング工程等において、Ａｒ”イオン
によってリスバッタされポール部２１の周辺に付着する
と考えられる。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、磁性膜のポール部周辺に対する金属付着をなくし、
安定した磁気特性を有する高品質及高信頼度の薄膜磁気
ヘッドを製造する方法を提供することである。

〈課題を解決するための手段〉 上述する課題を解決するため、本発明は、基体上に磁性
膜及びギャップ膜を形成した後の工程であって、下地導
体膜形成工程と、導体コイル膜形成工程とを含み、 前記下地導体膜形成工程は、前記磁性膜のポール部を残
して前記磁性膜及び前記ギャップ膜の上方に積層して形
成された絶縁膜の上に、下地導体膜を形成する工程でな
り、 前記導体コイル膜形成工程は、前記磁性膜のポール部の
周辺をレジストで覆った後に、前記下地導体膜の上にメ
ッキ膜による導体コイルパターンを形成し、前記下地導
体膜を前記導体コイルパターンに従ってパターン化する
工程でなることを特徴とする。

〈作用〉 導体コイル膜形成工程は、磁性膜のポール部の周辺をレ
ジストで覆った後に、下地導体膜の上にメッキ膜による
導体コイルパターンを形成する工程でなるから、導体コ
イル膜のパターンメッキ工程において、レジストがマス
クとなり、磁性膜のポール部にメッキ膜が付着すること
がない。従って、後工程のスパッタリング時にリスバッ
タによって、磁性膜のポール部の周辺に金属が付着する
ことがなくなる。

しかも、導体コイル膜形成工程は、磁性膜のポール部の
周辺をレジストで覆った後に、下地導体膜を導体コイル
パターンに従フてパターン化する工程でなるから、下地
導体膜を導体コイルパターンに合せてパターン化する際
も、磁性膜のポールの周辺部がレジストによってマスク
される。このため、下地導体膜のミーリングによって飛
散した金属飛沫が磁性膜のポール部の周辺に付着するこ
とがなくなる。

〈実施例〉 第１図及び第２図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法における工程の要部を示す図である。第１図（ａ）
〜（ｅ）は第５図（ａ）〜（ｅ）の工程と実質的に同じ
工程であり、また第２図（ａ）及び（ｂ）は第６図（ａ
）及び（ｂ）の工程と実質的に同じであるので、これら
の工程については説明は省略する。従来工程との差異は
、第１図（ｆ）、（ｇ）及び第２図（Ｃ）、（ｄ）に示
す工程である。

まず、第１図（ｆ）及第２図（Ｃ）図に示すように、パ
ターンメッキ処理を施す前に、磁性＠２のポール部２１
の周辺をレジスト１２によって覆う。この後に、Ｃｕメ
ッキ膜５１Ｂを、レジスト膜６２Ａの除去された部分６
２Ｂに付着させる。

従って、パターンメッキ工程において、磁性膜２のポー
ル部２１にＣＵメッキ膜５１Ｂが付着することがない。

次に、レジスト膜６２Ａを剥離した後、レジスト１２を
付着させた状態で、剥離されたレジスト膜６２Ａの下に
ある下地導体膜５１Ａをイオンミーリングで除去し、Ｃ
Ｕメッキ膜５１Ｂによる導体コイルパターンに従ってパ
ターン化する。この際に、イオンミーリングの印加パワ
ーが大き過ぎると、レジスト１２が剥離しにくくなるの
で、イオンミーリングの印加パワーは、レジスト１２が
剥離できる範囲に調整する。これにより、第５図（ｇ）
、第６図（ｄ）に示すように、絶縁膜６１の上に導体コ
イル膜５１が形成される。

従って、イオンミーリング工程では、磁性膜１２のポー
ル部２１の周辺部がレジスト１２によってマスクされ、
下地導体膜５１Ａのミーリングによって飛散した金属飛
沫が磁性膜２のポール部２１の周辺に付着することがな
くなる。レジスト１２はイオンミーリング工程の後に除
去する。

上述の第１図（ａ）〜（ｇ）の工程を繰返し、絶縁膜６
２、導体コイル膜５２及び絶縁膜６３を積層した後、絶
縁膜６３の表面に磁性ＩＩＩ　４を形成し、その上から
保護膜１０をスパッタリング等の手段によって付着させ
る。この後工程において、導体コイル１ｌｕ５２を形成
する際においても、ポール部２１の周囲をレジスト１２
で覆う。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれ
ば、次のような効果が得られる。

（ａ）導体コイル膜形成工程は、磁性膜のポール部の周
辺をレジストで覆った後に、下地導体膜の上にメッキ膜
による導体コイルパターンを形成する工程でなるから、
導体コイル膜のパターンメッキ工程において、磁性膜の
ポール部にメッキ膜が付着することがなくなる。このた
め、後工程のスパッタリング工程において、リスバッタ
によってポール部に金属成分が付着することがなくなり
、付着金属の酸化による特性劣化、品質及び信頼性の低
下等を招くことがなくなる。

（ｂ）導体コイル膜形成工程は、磁性膜のポール部の周
辺をレジストで覆った後に、下地導体膜を導体コイルパ
ターンに従ってパターン化する工程でなるから、下地導
体膜のミーリングによって飛散した金属飛沫が磁性膜の
ポール部の周辺に付着することがなくなる。このため、
付着金属酸化による特性劣化、品質及び信頼性の低下等
を招くことがなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｇ）及び第２図（ａ）〜（ｄ）は本発
明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における工程の要部
を示す図、第３図は薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第
４図は薄膜磁気ヘッドの要部の断面図、第５図（ａ）〜
（ｇ）及び第６図（ａ）〜（ｄ）は従来の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における工程の要部を示す図、第７図及び
第８図は同じくその問題点を説明する図である。 １・・・基体　　　　　２・・・磁性膜５．５１．５２
・・・導体コイル膜 ５１Ａ・・・下地導体膜 ５１Ｂ・・・メッキ膜 １２・・・レジスト 第６図 １Ａ 第７図 イオンシー１ソング 第８図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に磁性膜及びギャップ膜を形成した後の工
   程であって、下地導体膜形成工程と、導体コイル膜形成
   工程とを含み、 前記下地導体膜形成工程は、前記磁性膜のポール部を残
   して、前記磁性膜及び前記ギャップ膜の上方に積層して
   形成された絶縁膜の上に、下地導体膜を形成する工程で
   なり、 前記導体コイル膜形成工程は、前記磁性膜のポール部の
   周辺をレジストで覆った後に、前記下地導体膜の上にメ
   ッキ膜による導体コイルパターンを形成し、前記下地導
   体膜を前記導体コイルパターンに従ってパターン化する
   工程でなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
   。