JPH04344306A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置にお
ける情報の記録、再生を行うための薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。

【０００２】近年、磁気ディスクの小型化、大容量化に
伴いヘッドの高性能化が進んでおり、磁極層をＮｉＦｅ
（パーマロイ）合金より飽和磁束密度の大きいＣｏＺｒ
（コバルト・ジルコニウム）などの材料を使用すること
が検討されている。そのため、このような材料はスパッ
タリング法で成膜されるため、それに適したパターン形
成方法が要求されている。

【０００３】

【従来の技術】図４に、従来の薄膜磁気ヘッドの製造を
説明するための図を示す。図４（Ａ）は平面図であり、
図４（Ｂ）はＡ−Ａ断面図、図４（Ｃ）はＢ−Ｂ断面図
である。図４（Ａ）において、薄膜磁気ヘッド１の製造
にあたり、上部磁極層２上の所定部分にレジストマスク
３が形成されており、Ａ−Ａ断面構成が図４（Ｂ）に、
Ｂ−Ｂ断面構成が図４（Ｃ）に示される。図４（Ｂ），
（Ｃ）中、４は基板、５は軟磁性薄膜により構成された
下部磁極層、６はギャップ層、７は薄膜導体からなるコ
イル、８は層間絶縁層である。

【０００４】図４（Ｂ），（Ｃ）において、基板４上に
下部磁極層５，ギャップ層６，コイル導体層７，層間絶
縁層８を順次形成した後、上部磁極層２となるＣｏＺｒ
膜などの軟磁性膜を３μｍ　厚さにスパッタによって成
膜し、軟磁性膜上でレジストマスク３を所定の磁極形状
にパターンニングする。そして、上部磁極層２を該レジ
ストマスク３により所定の磁極形状にパターンニングし
て形成する。

【０００５】この上部磁極層２の形成は、図４（Ｃ）に
示すように、イオンミリングによりエッチングを行う。 この場合、エッチングは、上部磁極層２の傾斜部２ａの
エッチングレートが平坦部２ｂ，２ｃよりも速いため、
層間絶縁層８の傾斜部２ａにおけるコイル７の露出や、
レジストマスク３の消失による上部磁極層２の部分的エ
ッチングが生じる。そのため、イオンビーム入射角度を
θ（０°〜５０°）に設定して、傾斜部２ａと平坦部２
ｂ，２ｃのエッチングレートを等しくするようにしてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図４（Ｃ）に
示すように、上部磁極層２の傾斜部２ａは、その傾斜角
度が一様でなく、また、イオンビームの入射角度θによ
っては平坦部２ｃからのエッチング塵が再付着する場合
があり、傾斜部２ａと平坦部２ｂ，２ｃが等しくなるイ
オンビーム入射角度を設定することが困難であるという
問題がある。

【０００７】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、上部磁極層の傾斜部と平坦部とを均一にエッチ
ングを行う薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】図１に、本発明の原理説
明図を示す。基板上に下部磁極層が形成され、ギャップ
層を介してコイル導体層を内包する層間絶縁層が形成さ
れ、該層間絶縁層上に軟磁性薄膜で形成された所定パタ
ーンの上部磁極層が形成される薄膜磁気ヘッドの製造方
法であって、図１において、第１の工程では、前記上部
磁極層となる軟磁性薄膜上に、前記層間絶縁層を覆うパ
ターンニングされた第１のマスク部を形成する。第２の
工程では、該第１のマスク部以外の該軟磁性薄膜の平坦
部をエッチングにより除去する。第３の工程では、該第
１のマスク部を除去した後、該軟磁性薄膜の傾斜部及び
平坦部の一部を露出させた第２のマスク部を形成する。 第４の工程では、該露出した傾斜部及び平坦部の一部を
エッチングにより除去する。そして、第５の工程では、
該第２のマスク部を除去して所定パターンの上部磁極層
を形成する。また、適宜、前記第１の工程において、前
記軟磁性薄膜上であって、前記コイル導体層を覆う範囲
で前記層間絶縁層を覆う第１のマスク部を形成し、前記
第３の工程において、該軟磁性薄膜の平坦部の一部のみ
を露出させて第２のマスク部を形成する。

【０００９】

【作用】図１に示すように、第１のマスク部を層間絶縁
層を覆うように形成して軟磁性薄膜の平坦部をエッチン
グする。これにより、平坦部からのエッチング塵が第１
のマスク部により傾斜部等に再付着することがなく、傾
斜部と平坦部のエッチングレートを等しくする例えばイ
オンビーム入射角を容易に設定することが可能となる。

【００１０】また、第２のマスク部を形成して傾斜部及
び平坦部の一部のエッチング残渣が生じ易い層間絶縁層
周辺の軟磁性薄膜をエッチングすることから、オーバー
エッチングが行われてもコイル導体層の露出や第２のマ
スク部の消耗による上部磁極層のエッチングが行われる
のを防止することが可能となる。

【００１１】

【実施例】図２に、本発明の一実施例の製造工程図を示
す。なお、図４と同一構成部分には同一符号を付す。図
２において、薄膜磁気ヘッド１を製造するにあたり、図
２（Ａ）は従来と同様の製造工程により行われる。すな
わち、図２（Ａ）において、金属、セラミック等の基板
４上にＣｏＺｒ等の軟磁性薄膜をスパッタリングにより
形成し、その軟磁性薄膜をパターンニングして下部磁極
層５を形成し、その上にＳｉＯ２　（酸化シリコン），
Ａｌ２　Ｏ３（アルマイト）等のギャップ層６を形成し
てパターンニングした後、層間絶縁層８の一部を形成し
、その上に導体薄膜を形成してパターンニングすること
を繰り返して所望の巻回数のコイル７を形成する。この
コイル７を絶縁する層間絶縁層８上にＣｏＺｒ等の上部
磁極層２となる軟磁性薄膜２Ａを３μｍ　厚さにスパッ
タリングにより形成する。

【００１２】その後、軟磁性薄膜２Ａ上にレジストを塗
布し、磁極先端及び層間絶縁層８を覆うようにパターン
ニングして第１のマスク部であるレジストマスク３を形
成する（図２（Ｂ））。ここで９ａ，９ｂは引出し端子
であり、コイル導体層７と接続されたものであり、レジ
ストマスク３ａが該引出し端子９ａ，９ｂ上にも形成さ
れる。そして、イオンミリングにより軟磁性薄膜２Ａの
平坦部２ｃを除去し、レジストマスク３を溶液中で溶解
させて除去する。この場合、層間絶縁層８はレジストマ
スク３により覆われていることから、オーバーエッチン
グが行われてもコイル導体層７が露出することがない。

【００１３】つづいて、再び磁極先端、引出し端子９ａ
，９ｂ，層間絶縁層８周辺を覆うようにレジストを塗布
し、軟磁性薄膜２Ａの傾斜部２ａ及び平坦部２ｂを開口
させるようにパターンニングして第２のマスク部である
レジストマスク３ａを形成する（図２（Ｃ））。そして
、露出している軟磁性薄膜２Ａをイオンミリングにより
エッチングして除去し、レジストマスク３ａを溶液中で
溶解して除去することにより上部磁極層２を形成するも
のである（図２（Ｄ））。この場合、イオンミリングを
行うために照射するイオンビームは、軟磁性薄膜２Ａ（
上部磁極層２）の傾斜部２ａと平坦部２ｂのエッチング
レートが等しくなるように照射角度が設定される。

【００１４】すなわち、図２（Ｃ）に示すように、イオ
ンミリングは平坦部２ｂからのエッチング塵が再付着す
ることがないことから、当該イオンビーム入射角の設定
が行い易くなる。また、エッチング残渣が生じ易い層間
絶縁層８周辺の軟磁性薄膜２Ａをエッチングすることか
ら、オーバーエッチングしても層間絶縁層８がエッチン
グされず、コイル導体層７の露出やレジストマスク３ａ
の消耗による上部磁極層２がエッチングされることを防
止することができる。

【００１５】なお、上記実施例では、エッチングマスク
３，３ａ用として有機絶縁膜であるレジストを用いた場
合を示したが、ＳｉＯ２　膜、Ａｌ２　Ｏ３　膜等の無
機絶縁膜やＴｉ（チタン）等の金属膜を用いてもよい。

【００１６】次に、図３に、本発明の他の実施例の製造
を説明するための図を示す。図３（Ａ）は図２（Ｂ）に
対応し、図３（Ｂ）は図２（Ｃ）に対応する。図３（Ａ
）は、軟磁性薄膜２Ａの上部磁極層２上に第１のマスク
部であるレジストマスク３をパターンニングする場合、
コイル導体層７を覆う範囲で形成し、傾斜部２ａ，平坦
部２ｃを露出させてイオンミリングを行うものである。 この場合、オーバーエッチングが行われて層間絶縁層８
が削られてもコイル導体層７を露出させないようにした
ものである。そして、図３（Ｂ）において、平坦部２ｂ
の一部のみを露出させて第２のマスク部であるレジスト
マスク３ａを形成して、イオンミリング及びレジスト除
去により図２（Ｄ）に示す薄膜磁気ヘッド１を形成する
ものである。

【００１７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、軟磁性薄
膜上に層間絶縁層を覆う第１のマスク部を形成して平坦
部をエッチングし、第２のマスク部を形成して軟磁性薄
膜の傾斜部及び平坦部の一部をエッチングする工程を行
うことにより、傾斜部及び平坦部が均一にエッチングさ
れ、コイル導体層の露出を防止することができ、薄膜磁
気ヘッドの製造にあたり歩留りを向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図である。

【図２】本発明の一実施例の製造工程図である。

【図３】本発明の他の実施例の製造を説明するための図
である。

【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造を説明するための
図である。

【符号の説明】

１　　薄膜磁気ヘッド ２　　上部磁極層 ２Ａ　　軟磁性薄膜 ２ａ　　傾斜部 ２ｂ，２ｃ　　平坦部 ３，３ａ　　レジストマスク ４　　基板 ５　　下部磁極層 ６　　ギャップ層 ７　　コイル導体層 ８　　層間絶縁層 ９ａ，９ｂ　　引出し端子

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板（４）上に下部磁極層（５）が形
   成され、ギャップ層（６）を介してコイル導体層（７）
   を内包する層間絶縁層（８）が形成され、該層間絶縁層
   （８）上に軟磁性薄膜（２Ａ）で形成された所定パター
   ンの上部磁極層（２）が形成される薄膜磁気ヘッドの製
   造方法において、前記上部磁極層（２）となる軟磁性薄
   膜（２Ａ）上に、前記層間絶縁層（８）を覆うパターン
   ニングされた第１のマスク部（３）を形成する第１の工
   程と、該第１のマスク部（３）以外の該軟磁性薄膜（２
   Ａ）の平坦部（２ｃ）をエッチングにより除去する第２
   の工程と、該第１のマスク部（３）を除去した後、該軟
   磁性薄膜（２Ａ）の傾斜部（２ａ）及び平坦部（２ｂ）
   の一部を露出させた第２のマスク部（３ａ）を形成する
   第３の工程と、該露出した傾斜部（２ａ）及び平坦部（
   ２ｂ）の一部をエッチングにより除去する第４の工程と
   、該第２のマスク部（３ａ）を除去して所定パターンの
   上部磁極層（２）を形成する第５の工程と、を含むこと
   を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】　　前記第１の工程において、前記軟磁性
   薄膜（２Ａ）上であって、前記コイル導体層（７）を覆
   う範囲で前記層間絶縁層（８）を覆う第１のマスク部（
   ３）を形成し、前記第３の工程において、該軟磁性薄膜
   （２Ａ）の平坦部（２ｂ）の一部のみを露出させて第２
   のマスク部（３ａ）を形成することを特徴とする請求項
   １記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。