JPH04344306A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04344306A JPH04344306A JP11632091A JP11632091A JPH04344306A JP H04344306 A JPH04344306 A JP H04344306A JP 11632091 A JP11632091 A JP 11632091A JP 11632091 A JP11632091 A JP 11632091A JP H04344306 A JPH04344306 A JP H04344306A
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置にお
ける情報の記録、再生を行うための薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
ける情報の記録、再生を行うための薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。
【0002】近年、磁気ディスクの小型化、大容量化に
伴いヘッドの高性能化が進んでおり、磁極層をNiFe
(パーマロイ)合金より飽和磁束密度の大きいCoZr
(コバルト・ジルコニウム)などの材料を使用すること
が検討されている。そのため、このような材料はスパッ
タリング法で成膜されるため、それに適したパターン形
成方法が要求されている。
伴いヘッドの高性能化が進んでおり、磁極層をNiFe
(パーマロイ)合金より飽和磁束密度の大きいCoZr
(コバルト・ジルコニウム)などの材料を使用すること
が検討されている。そのため、このような材料はスパッ
タリング法で成膜されるため、それに適したパターン形
成方法が要求されている。
【0003】
【従来の技術】図4に、従来の薄膜磁気ヘッドの製造を
説明するための図を示す。図4(A)は平面図であり、
図4(B)はA−A断面図、図4(C)はB−B断面図
である。図4(A)において、薄膜磁気ヘッド1の製造
にあたり、上部磁極層2上の所定部分にレジストマスク
3が形成されており、A−A断面構成が図4(B)に、
B−B断面構成が図4(C)に示される。図4(B),
(C)中、4は基板、5は軟磁性薄膜により構成された
下部磁極層、6はギャップ層、7は薄膜導体からなるコ
イル、8は層間絶縁層である。
説明するための図を示す。図4(A)は平面図であり、
図4(B)はA−A断面図、図4(C)はB−B断面図
である。図4(A)において、薄膜磁気ヘッド1の製造
にあたり、上部磁極層2上の所定部分にレジストマスク
3が形成されており、A−A断面構成が図4(B)に、
B−B断面構成が図4(C)に示される。図4(B),
(C)中、4は基板、5は軟磁性薄膜により構成された
下部磁極層、6はギャップ層、7は薄膜導体からなるコ
イル、8は層間絶縁層である。
【0004】図4(B),(C)において、基板4上に
下部磁極層5,ギャップ層6,コイル導体層7,層間絶
縁層8を順次形成した後、上部磁極層2となるCoZr
膜などの軟磁性膜を3μm 厚さにスパッタによって成
膜し、軟磁性膜上でレジストマスク3を所定の磁極形状
にパターンニングする。そして、上部磁極層2を該レジ
ストマスク3により所定の磁極形状にパターンニングし
て形成する。
下部磁極層5,ギャップ層6,コイル導体層7,層間絶
縁層8を順次形成した後、上部磁極層2となるCoZr
膜などの軟磁性膜を3μm 厚さにスパッタによって成
膜し、軟磁性膜上でレジストマスク3を所定の磁極形状
にパターンニングする。そして、上部磁極層2を該レジ
ストマスク3により所定の磁極形状にパターンニングし
て形成する。
【0005】この上部磁極層2の形成は、図4(C)に
示すように、イオンミリングによりエッチングを行う。 この場合、エッチングは、上部磁極層2の傾斜部2aの
エッチングレートが平坦部2b,2cよりも速いため、
層間絶縁層8の傾斜部2aにおけるコイル7の露出や、
レジストマスク3の消失による上部磁極層2の部分的エ
ッチングが生じる。そのため、イオンビーム入射角度を
θ(0°〜50°)に設定して、傾斜部2aと平坦部2
b,2cのエッチングレートを等しくするようにしてい
る。
示すように、イオンミリングによりエッチングを行う。 この場合、エッチングは、上部磁極層2の傾斜部2aの
エッチングレートが平坦部2b,2cよりも速いため、
層間絶縁層8の傾斜部2aにおけるコイル7の露出や、
レジストマスク3の消失による上部磁極層2の部分的エ
ッチングが生じる。そのため、イオンビーム入射角度を
θ(0°〜50°)に設定して、傾斜部2aと平坦部2
b,2cのエッチングレートを等しくするようにしてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図4(C)に
示すように、上部磁極層2の傾斜部2aは、その傾斜角
度が一様でなく、また、イオンビームの入射角度θによ
っては平坦部2cからのエッチング塵が再付着する場合
があり、傾斜部2aと平坦部2b,2cが等しくなるイ
オンビーム入射角度を設定することが困難であるという
問題がある。
示すように、上部磁極層2の傾斜部2aは、その傾斜角
度が一様でなく、また、イオンビームの入射角度θによ
っては平坦部2cからのエッチング塵が再付着する場合
があり、傾斜部2aと平坦部2b,2cが等しくなるイ
オンビーム入射角度を設定することが困難であるという
問題がある。
【0007】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、上部磁極層の傾斜部と平坦部とを均一にエッチ
ングを行う薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的とする。
もので、上部磁極層の傾斜部と平坦部とを均一にエッチ
ングを行う薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】図1に、本発明の原理説
明図を示す。基板上に下部磁極層が形成され、ギャップ
層を介してコイル導体層を内包する層間絶縁層が形成さ
れ、該層間絶縁層上に軟磁性薄膜で形成された所定パタ
ーンの上部磁極層が形成される薄膜磁気ヘッドの製造方
法であって、図1において、第1の工程では、前記上部
磁極層となる軟磁性薄膜上に、前記層間絶縁層を覆うパ
ターンニングされた第1のマスク部を形成する。第2の
工程では、該第1のマスク部以外の該軟磁性薄膜の平坦
部をエッチングにより除去する。第3の工程では、該第
1のマスク部を除去した後、該軟磁性薄膜の傾斜部及び
平坦部の一部を露出させた第2のマスク部を形成する。 第4の工程では、該露出した傾斜部及び平坦部の一部を
エッチングにより除去する。そして、第5の工程では、
該第2のマスク部を除去して所定パターンの上部磁極層
を形成する。また、適宜、前記第1の工程において、前
記軟磁性薄膜上であって、前記コイル導体層を覆う範囲
で前記層間絶縁層を覆う第1のマスク部を形成し、前記
第3の工程において、該軟磁性薄膜の平坦部の一部のみ
を露出させて第2のマスク部を形成する。
明図を示す。基板上に下部磁極層が形成され、ギャップ
層を介してコイル導体層を内包する層間絶縁層が形成さ
れ、該層間絶縁層上に軟磁性薄膜で形成された所定パタ
ーンの上部磁極層が形成される薄膜磁気ヘッドの製造方
法であって、図1において、第1の工程では、前記上部
磁極層となる軟磁性薄膜上に、前記層間絶縁層を覆うパ
ターンニングされた第1のマスク部を形成する。第2の
工程では、該第1のマスク部以外の該軟磁性薄膜の平坦
部をエッチングにより除去する。第3の工程では、該第
1のマスク部を除去した後、該軟磁性薄膜の傾斜部及び
平坦部の一部を露出させた第2のマスク部を形成する。 第4の工程では、該露出した傾斜部及び平坦部の一部を
エッチングにより除去する。そして、第5の工程では、
該第2のマスク部を除去して所定パターンの上部磁極層
を形成する。また、適宜、前記第1の工程において、前
記軟磁性薄膜上であって、前記コイル導体層を覆う範囲
で前記層間絶縁層を覆う第1のマスク部を形成し、前記
第3の工程において、該軟磁性薄膜の平坦部の一部のみ
を露出させて第2のマスク部を形成する。
【0009】
【作用】図1に示すように、第1のマスク部を層間絶縁
層を覆うように形成して軟磁性薄膜の平坦部をエッチン
グする。これにより、平坦部からのエッチング塵が第1
のマスク部により傾斜部等に再付着することがなく、傾
斜部と平坦部のエッチングレートを等しくする例えばイ
オンビーム入射角を容易に設定することが可能となる。
層を覆うように形成して軟磁性薄膜の平坦部をエッチン
グする。これにより、平坦部からのエッチング塵が第1
のマスク部により傾斜部等に再付着することがなく、傾
斜部と平坦部のエッチングレートを等しくする例えばイ
オンビーム入射角を容易に設定することが可能となる。
【0010】また、第2のマスク部を形成して傾斜部及
び平坦部の一部のエッチング残渣が生じ易い層間絶縁層
周辺の軟磁性薄膜をエッチングすることから、オーバー
エッチングが行われてもコイル導体層の露出や第2のマ
スク部の消耗による上部磁極層のエッチングが行われる
のを防止することが可能となる。
び平坦部の一部のエッチング残渣が生じ易い層間絶縁層
周辺の軟磁性薄膜をエッチングすることから、オーバー
エッチングが行われてもコイル導体層の露出や第2のマ
スク部の消耗による上部磁極層のエッチングが行われる
のを防止することが可能となる。
【0011】
【実施例】図2に、本発明の一実施例の製造工程図を示
す。なお、図4と同一構成部分には同一符号を付す。図
2において、薄膜磁気ヘッド1を製造するにあたり、図
2(A)は従来と同様の製造工程により行われる。すな
わち、図2(A)において、金属、セラミック等の基板
4上にCoZr等の軟磁性薄膜をスパッタリングにより
形成し、その軟磁性薄膜をパターンニングして下部磁極
層5を形成し、その上にSiO2 (酸化シリコン),
Al2 O3(アルマイト)等のギャップ層6を形成し
てパターンニングした後、層間絶縁層8の一部を形成し
、その上に導体薄膜を形成してパターンニングすること
を繰り返して所望の巻回数のコイル7を形成する。この
コイル7を絶縁する層間絶縁層8上にCoZr等の上部
磁極層2となる軟磁性薄膜2Aを3μm 厚さにスパッ
タリングにより形成する。
す。なお、図4と同一構成部分には同一符号を付す。図
2において、薄膜磁気ヘッド1を製造するにあたり、図
2(A)は従来と同様の製造工程により行われる。すな
わち、図2(A)において、金属、セラミック等の基板
4上にCoZr等の軟磁性薄膜をスパッタリングにより
形成し、その軟磁性薄膜をパターンニングして下部磁極
層5を形成し、その上にSiO2 (酸化シリコン),
Al2 O3(アルマイト)等のギャップ層6を形成し
てパターンニングした後、層間絶縁層8の一部を形成し
、その上に導体薄膜を形成してパターンニングすること
を繰り返して所望の巻回数のコイル7を形成する。この
コイル7を絶縁する層間絶縁層8上にCoZr等の上部
磁極層2となる軟磁性薄膜2Aを3μm 厚さにスパッ
タリングにより形成する。
【0012】その後、軟磁性薄膜2A上にレジストを塗
布し、磁極先端及び層間絶縁層8を覆うようにパターン
ニングして第1のマスク部であるレジストマスク3を形
成する(図2(B))。ここで9a,9bは引出し端子
であり、コイル導体層7と接続されたものであり、レジ
ストマスク3aが該引出し端子9a,9b上にも形成さ
れる。そして、イオンミリングにより軟磁性薄膜2Aの
平坦部2cを除去し、レジストマスク3を溶液中で溶解
させて除去する。この場合、層間絶縁層8はレジストマ
スク3により覆われていることから、オーバーエッチン
グが行われてもコイル導体層7が露出することがない。
布し、磁極先端及び層間絶縁層8を覆うようにパターン
ニングして第1のマスク部であるレジストマスク3を形
成する(図2(B))。ここで9a,9bは引出し端子
であり、コイル導体層7と接続されたものであり、レジ
ストマスク3aが該引出し端子9a,9b上にも形成さ
れる。そして、イオンミリングにより軟磁性薄膜2Aの
平坦部2cを除去し、レジストマスク3を溶液中で溶解
させて除去する。この場合、層間絶縁層8はレジストマ
スク3により覆われていることから、オーバーエッチン
グが行われてもコイル導体層7が露出することがない。
【0013】つづいて、再び磁極先端、引出し端子9a
,9b,層間絶縁層8周辺を覆うようにレジストを塗布
し、軟磁性薄膜2Aの傾斜部2a及び平坦部2bを開口
させるようにパターンニングして第2のマスク部である
レジストマスク3aを形成する(図2(C))。そして
、露出している軟磁性薄膜2Aをイオンミリングにより
エッチングして除去し、レジストマスク3aを溶液中で
溶解して除去することにより上部磁極層2を形成するも
のである(図2(D))。この場合、イオンミリングを
行うために照射するイオンビームは、軟磁性薄膜2A(
上部磁極層2)の傾斜部2aと平坦部2bのエッチング
レートが等しくなるように照射角度が設定される。
,9b,層間絶縁層8周辺を覆うようにレジストを塗布
し、軟磁性薄膜2Aの傾斜部2a及び平坦部2bを開口
させるようにパターンニングして第2のマスク部である
レジストマスク3aを形成する(図2(C))。そして
、露出している軟磁性薄膜2Aをイオンミリングにより
エッチングして除去し、レジストマスク3aを溶液中で
溶解して除去することにより上部磁極層2を形成するも
のである(図2(D))。この場合、イオンミリングを
行うために照射するイオンビームは、軟磁性薄膜2A(
上部磁極層2)の傾斜部2aと平坦部2bのエッチング
レートが等しくなるように照射角度が設定される。
【0014】すなわち、図2(C)に示すように、イオ
ンミリングは平坦部2bからのエッチング塵が再付着す
ることがないことから、当該イオンビーム入射角の設定
が行い易くなる。また、エッチング残渣が生じ易い層間
絶縁層8周辺の軟磁性薄膜2Aをエッチングすることか
ら、オーバーエッチングしても層間絶縁層8がエッチン
グされず、コイル導体層7の露出やレジストマスク3a
の消耗による上部磁極層2がエッチングされることを防
止することができる。
ンミリングは平坦部2bからのエッチング塵が再付着す
ることがないことから、当該イオンビーム入射角の設定
が行い易くなる。また、エッチング残渣が生じ易い層間
絶縁層8周辺の軟磁性薄膜2Aをエッチングすることか
ら、オーバーエッチングしても層間絶縁層8がエッチン
グされず、コイル導体層7の露出やレジストマスク3a
の消耗による上部磁極層2がエッチングされることを防
止することができる。
【0015】なお、上記実施例では、エッチングマスク
3,3a用として有機絶縁膜であるレジストを用いた場
合を示したが、SiO2 膜、Al2 O3 膜等の無
機絶縁膜やTi(チタン)等の金属膜を用いてもよい。
3,3a用として有機絶縁膜であるレジストを用いた場
合を示したが、SiO2 膜、Al2 O3 膜等の無
機絶縁膜やTi(チタン)等の金属膜を用いてもよい。
【0016】次に、図3に、本発明の他の実施例の製造
を説明するための図を示す。図3(A)は図2(B)に
対応し、図3(B)は図2(C)に対応する。図3(A
)は、軟磁性薄膜2Aの上部磁極層2上に第1のマスク
部であるレジストマスク3をパターンニングする場合、
コイル導体層7を覆う範囲で形成し、傾斜部2a,平坦
部2cを露出させてイオンミリングを行うものである。 この場合、オーバーエッチングが行われて層間絶縁層8
が削られてもコイル導体層7を露出させないようにした
ものである。そして、図3(B)において、平坦部2b
の一部のみを露出させて第2のマスク部であるレジスト
マスク3aを形成して、イオンミリング及びレジスト除
去により図2(D)に示す薄膜磁気ヘッド1を形成する
ものである。
を説明するための図を示す。図3(A)は図2(B)に
対応し、図3(B)は図2(C)に対応する。図3(A
)は、軟磁性薄膜2Aの上部磁極層2上に第1のマスク
部であるレジストマスク3をパターンニングする場合、
コイル導体層7を覆う範囲で形成し、傾斜部2a,平坦
部2cを露出させてイオンミリングを行うものである。 この場合、オーバーエッチングが行われて層間絶縁層8
が削られてもコイル導体層7を露出させないようにした
ものである。そして、図3(B)において、平坦部2b
の一部のみを露出させて第2のマスク部であるレジスト
マスク3aを形成して、イオンミリング及びレジスト除
去により図2(D)に示す薄膜磁気ヘッド1を形成する
ものである。
【0017】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、軟磁性薄
膜上に層間絶縁層を覆う第1のマスク部を形成して平坦
部をエッチングし、第2のマスク部を形成して軟磁性薄
膜の傾斜部及び平坦部の一部をエッチングする工程を行
うことにより、傾斜部及び平坦部が均一にエッチングさ
れ、コイル導体層の露出を防止することができ、薄膜磁
気ヘッドの製造にあたり歩留りを向上させることができ
る。
膜上に層間絶縁層を覆う第1のマスク部を形成して平坦
部をエッチングし、第2のマスク部を形成して軟磁性薄
膜の傾斜部及び平坦部の一部をエッチングする工程を行
うことにより、傾斜部及び平坦部が均一にエッチングさ
れ、コイル導体層の露出を防止することができ、薄膜磁
気ヘッドの製造にあたり歩留りを向上させることができ
る。
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】本発明の一実施例の製造工程図である。
【図3】本発明の他の実施例の製造を説明するための図
である。
である。
【図4】従来の薄膜磁気ヘッドの製造を説明するための
図である。
図である。
1 薄膜磁気ヘッド
2 上部磁極層
2A 軟磁性薄膜
2a 傾斜部
2b,2c 平坦部
3,3a レジストマスク
4 基板
5 下部磁極層
6 ギャップ層
7 コイル導体層
8 層間絶縁層
9a,9b 引出し端子
Claims (2)
- 【請求項1】 基板(4)上に下部磁極層(5)が形
成され、ギャップ層(6)を介してコイル導体層(7)
を内包する層間絶縁層(8)が形成され、該層間絶縁層
(8)上に軟磁性薄膜(2A)で形成された所定パター
ンの上部磁極層(2)が形成される薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、前記上部磁極層(2)となる軟磁性薄
膜(2A)上に、前記層間絶縁層(8)を覆うパターン
ニングされた第1のマスク部(3)を形成する第1の工
程と、該第1のマスク部(3)以外の該軟磁性薄膜(2
A)の平坦部(2c)をエッチングにより除去する第2
の工程と、該第1のマスク部(3)を除去した後、該軟
磁性薄膜(2A)の傾斜部(2a)及び平坦部(2b)
の一部を露出させた第2のマスク部(3a)を形成する
第3の工程と、該露出した傾斜部(2a)及び平坦部(
2b)の一部をエッチングにより除去する第4の工程と
、該第2のマスク部(3a)を除去して所定パターンの
上部磁極層(2)を形成する第5の工程と、を含むこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項2】 前記第1の工程において、前記軟磁性
薄膜(2A)上であって、前記コイル導体層(7)を覆
う範囲で前記層間絶縁層(8)を覆う第1のマスク部(
3)を形成し、前記第3の工程において、該軟磁性薄膜
(2A)の平坦部(2b)の一部のみを露出させて第2
のマスク部(3a)を形成することを特徴とする請求項
1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11632091A JPH04344306A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11632091A JPH04344306A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04344306A true JPH04344306A (ja) | 1992-11-30 |
Family
ID=14684066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11632091A Withdrawn JPH04344306A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04344306A (ja) |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP11632091A patent/JPH04344306A/ja not_active Withdrawn
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