JPH0628626A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH0628626A JPH0628626A JP5031771A JP3177193A JPH0628626A JP H0628626 A JPH0628626 A JP H0628626A JP 5031771 A JP5031771 A JP 5031771A JP 3177193 A JP3177193 A JP 3177193A JP H0628626 A JPH0628626 A JP H0628626A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁極端が正確に位置合せされ、磁極端の幅お
よび厚みが厳密に制御された薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法を提供すること。 【構成】 薄膜磁気ヘッドは、後部ギャップ領域（２
６）からエア・ベアリング表面（ＡＢＳ）等の検出縁
（２４）に延びる第１の磁気ヨーク層（１２）と、後部
ギャップ領域で第１の磁気ヨーク層に接触し、第１の磁
気ヨーク層と整列するが第１の磁気ヨーク層から離れた
位置でＡＢＳに延びる、第２の磁気ヨーク層（２２）と
を備える。単一のフォトリソグラフィによって形成した
幾何形状を有し、第１の磁極端層（１６）とギャップ形
成層（１８）と第２の磁極端層（２０）とを有する磁極
端構造（１５）が、ＡＢＳで第１の磁気ヨーク層と第２
の磁気ヨーク層の間に位置し、ＡＢＳで第１の磁極端層
が第１の磁気ヨーク層に接し、第２の磁極端層が第２の
磁気ヨーク層に接する。
よび厚みが厳密に制御された薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法を提供すること。 【構成】 薄膜磁気ヘッドは、後部ギャップ領域（２
６）からエア・ベアリング表面（ＡＢＳ）等の検出縁
（２４）に延びる第１の磁気ヨーク層（１２）と、後部
ギャップ領域で第１の磁気ヨーク層に接触し、第１の磁
気ヨーク層と整列するが第１の磁気ヨーク層から離れた
位置でＡＢＳに延びる、第２の磁気ヨーク層（２２）と
を備える。単一のフォトリソグラフィによって形成した
幾何形状を有し、第１の磁極端層（１６）とギャップ形
成層（１８）と第２の磁極端層（２０）とを有する磁極
端構造（１５）が、ＡＢＳで第１の磁気ヨーク層と第２
の磁気ヨーク層の間に位置し、ＡＢＳで第１の磁極端層
が第１の磁気ヨーク層に接し、第２の磁極端層が第２の
磁気ヨーク層に接する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関す
るものであり、さらに詳細には、薄膜磁気ヘッド用の改
良された磁極端構造に関するものである。
るものであり、さらに詳細には、薄膜磁気ヘッド用の改
良された磁極端構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術によれば、薄膜磁気ヘッドと
称する磁気変換器は、永年の間、磁気記録技術の必要条
件を満たしてきた。磁気記録技術では、情報を記録し、
高い信頼度で読み取ることのできる、面積密度を改善す
ることが常に要求されている。このため、薄膜磁気ヘッ
ドの設計は、変化する密度要件を満たすように変化して
きた。
称する磁気変換器は、永年の間、磁気記録技術の必要条
件を満たしてきた。磁気記録技術では、情報を記録し、
高い信頼度で読み取ることのできる、面積密度を改善す
ることが常に要求されている。このため、薄膜磁気ヘッ
ドの設計は、変化する密度要件を満たすように変化して
きた。
【０００３】たとえば、従来の技術の設計を図２に示す
が、この設計では、磁極片同士の位置のずれに伴う問題
を防止するため、基板の上に付着させた第１の磁極片Ｐ
１の幅が、第２の磁極片Ｐ２の幅よりも大きくなってい
た。サイド読取りおよびサイド書込みの仕様が厳しくな
るにつれて、図３に示すトリミングされた磁極端が使用
されるようになった。この場合、磁極端の幅は、磁極端
の付着精度に限定されなかった。というのは、磁極端
は、たとえばイオン・ミリングにより、磁極端Ｐ１とＰ
２の幅が実質的に同じとなる特定の幅にトリミングされ
ていたためである。しかし、従来のイオン・ミリング工
程では一般に厚いフォトレジストによる処理が必要なた
め、この方法は、レジストの高さと幅のアスペクト比が
非常に高い、狭いトラック幅の用途では使用が限られて
いる。
が、この設計では、磁極片同士の位置のずれに伴う問題
を防止するため、基板の上に付着させた第１の磁極片Ｐ
１の幅が、第２の磁極片Ｐ２の幅よりも大きくなってい
た。サイド読取りおよびサイド書込みの仕様が厳しくな
るにつれて、図３に示すトリミングされた磁極端が使用
されるようになった。この場合、磁極端の幅は、磁極端
の付着精度に限定されなかった。というのは、磁極端
は、たとえばイオン・ミリングにより、磁極端Ｐ１とＰ
２の幅が実質的に同じとなる特定の幅にトリミングされ
ていたためである。しかし、従来のイオン・ミリング工
程では一般に厚いフォトレジストによる処理が必要なた
め、この方法は、レジストの高さと幅のアスペクト比が
非常に高い、狭いトラック幅の用途では使用が限られて
いる。
【０００４】複合磁気構造の使用により、薄膜磁気ヘッ
ドの性能を改善しようとする試みがなされている。たと
えば、ＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・ブルテ
ン、Ｖｏｌ．１５、Ｎｏ．７、１９７２年１２月、ｐ．
２１８２に、上部フェライト・ブロック２、下部フェラ
イト・ブロック８、パーマロイの後部ギャップ・クロー
ジャ５、ならびにフェライト・ブロックに接触しエア・
ベアリングの表面に延びるパーマロイの磁極片４と１０
から磁気回路が形成された、磁気ヘッドが記載されてい
る。
ドの性能を改善しようとする試みがなされている。たと
えば、ＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・ブルテ
ン、Ｖｏｌ．１５、Ｎｏ．７、１９７２年１２月、ｐ．
２１８２に、上部フェライト・ブロック２、下部フェラ
イト・ブロック８、パーマロイの後部ギャップ・クロー
ジャ５、ならびにフェライト・ブロックに接触しエア・
ベアリングの表面に延びるパーマロイの磁極片４と１０
から磁気回路が形成された、磁気ヘッドが記載されてい
る。
【０００５】米国特許第４５８９０４２号には、上部お
よび下部磁極片を２段階で付着させる、薄膜誘導ヘッド
が開示されている。１つの段階でヨークを形成した後、
次の段階で磁極端を形成し、したがって、ヨークと磁極
端が異なる磁性材料で形成できる。
よび下部磁極片を２段階で付着させる、薄膜誘導ヘッド
が開示されている。１つの段階でヨークを形成した後、
次の段階で磁極端を形成し、したがって、ヨークと磁極
端が異なる磁性材料で形成できる。
【０００６】米国特許第４８３９１９７号には、下部磁
極をワンピースで形成し、上部磁極はマルチピースで形
成した、薄膜誘導ヘッドが開示されている。第１の部分
は磁極端領域で、その後にコイルを形成し、上部磁極の
残りの部分は磁極端領域および後部ギャップ領域に接し
て形成する。
極をワンピースで形成し、上部磁極はマルチピースで形
成した、薄膜誘導ヘッドが開示されている。第１の部分
は磁極端領域で、その後にコイルを形成し、上部磁極の
残りの部分は磁極端領域および後部ギャップ領域に接し
て形成する。
【０００７】これらの参照文献はいずれも、磁極端とギ
ャップ層が別々に形成され、エア・ベアリング表面で磁
気ヨーク層と接触し、その結果、厚い磁極端が精密に形
成される、薄膜磁気ヘッドについては開示していない。
ャップ層が別々に形成され、エア・ベアリング表面で磁
気ヨーク層と接触し、その結果、厚い磁極端が精密に形
成される、薄膜磁気ヘッドについては開示していない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主目的は、磁
極端が精密に位置合せされ、磁極端の幅および厚みが厳
密に制御できるように、磁極端を磁気回路の残りの部分
とは別の工程で形成した、薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とにある。
極端が精密に位置合せされ、磁極端の幅および厚みが厳
密に制御できるように、磁極端を磁気回路の残りの部分
とは別の工程で形成した、薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、薄膜磁
気ヘッドは、後部ギャップ領域から検出縁に延びる第１
の磁気ヨーク層と、後部ギャップ領域で第１磁気ヨーク
層に接触し、第１磁気ヨーク層と整列するが第１磁気ヨ
ーク層から離れた位置で検出縁に延びる第２の磁気ヨー
ク層とを備える。第１の磁極端層とギャップ形成層と第
２の磁極端層を備える磁極端構造が、検出縁で第１磁気
ヨーク層と第２磁気ヨーク層の間に位置し、検出縁で第
１磁極端層は第１磁気ヨーク層に接し、第２磁極端層は
第２磁気ヨーク層に接している。
気ヘッドは、後部ギャップ領域から検出縁に延びる第１
の磁気ヨーク層と、後部ギャップ領域で第１磁気ヨーク
層に接触し、第１磁気ヨーク層と整列するが第１磁気ヨ
ーク層から離れた位置で検出縁に延びる第２の磁気ヨー
ク層とを備える。第１の磁極端層とギャップ形成層と第
２の磁極端層を備える磁極端構造が、検出縁で第１磁気
ヨーク層と第２磁気ヨーク層の間に位置し、検出縁で第
１磁極端層は第１磁気ヨーク層に接し、第２磁極端層は
第２磁気ヨーク層に接している。
【００１０】この構造は、磁極端の寸法と、磁極端の寸
法を保持する許容誤差が、いずれも非常に精密になる利
点を有する。さらに、他の重要な寸法も更に精密に画定
することができる。その結果、狭いトラックの応用例
で、薄膜磁気ヘッドのサイド読取り特性およびサイド書
込み特性が大幅に改善される。
法を保持する許容誤差が、いずれも非常に精密になる利
点を有する。さらに、他の重要な寸法も更に精密に画定
することができる。その結果、狭いトラックの応用例
で、薄膜磁気ヘッドのサイド読取り特性およびサイド書
込み特性が大幅に改善される。
【００１１】
【実施例】図１を参照すると、磁気ディスク記憶システ
ムは、磁気ヘッド・アーム１７を備え、少なくとも１個
の磁気ヘッド・サスペンション・アセンブリ１３がヘッ
ド・アーム１７に取りつけられている。この実施例で
は、１個の磁気ヘッド・サスペンション・アセンブリ１
３がヘッド・アームの上部に取りつけられ、別の磁気ヘ
ッド・サスペンション・アセンブリ１３がヘッド・アー
ム１７の下部に取りつけられている。各サスペンション
・アセンブリはその端部で磁気ヘッド・スライダ１１を
支持し、各磁気ヘッド・スライダ１１は、１個または複
数の一般に磁気ヘッドと呼ばれる磁気変換手段を有し、
該磁気変換手段は、変換ギャップが磁気ディスク２１の
表面（図では１枚だけ示す）に対して変換が行える位置
関係に置かれている。電気信号が、磁気ヘッドからホス
ト・システムに伝えられ、ホスト・システムで使用され
る。ヘッド・アーム１７は、磁気ヘッドが磁気ディスク
２１上の各トラックにアクセスできるように、たとえ
ば、ボイス・コイル・モータ等の従来のアクチュエータ
２３に取りつけられている。
ムは、磁気ヘッド・アーム１７を備え、少なくとも１個
の磁気ヘッド・サスペンション・アセンブリ１３がヘッ
ド・アーム１７に取りつけられている。この実施例で
は、１個の磁気ヘッド・サスペンション・アセンブリ１
３がヘッド・アームの上部に取りつけられ、別の磁気ヘ
ッド・サスペンション・アセンブリ１３がヘッド・アー
ム１７の下部に取りつけられている。各サスペンション
・アセンブリはその端部で磁気ヘッド・スライダ１１を
支持し、各磁気ヘッド・スライダ１１は、１個または複
数の一般に磁気ヘッドと呼ばれる磁気変換手段を有し、
該磁気変換手段は、変換ギャップが磁気ディスク２１の
表面（図では１枚だけ示す）に対して変換が行える位置
関係に置かれている。電気信号が、磁気ヘッドからホス
ト・システムに伝えられ、ホスト・システムで使用され
る。ヘッド・アーム１７は、磁気ヘッドが磁気ディスク
２１上の各トラックにアクセスできるように、たとえ
ば、ボイス・コイル・モータ等の従来のアクチュエータ
２３に取りつけられている。
【００１２】本発明によれば、磁極端が精密に位置合せ
され、磁極端の幅および厚みが厳密に制御できるよう
に、磁極端を磁気回路の残りの部分とは異なる工程で形
成した、薄膜磁気ヘッドが提供される。その結果、狭い
トラックの応用例で、薄膜磁気ヘッドのサイド読取り特
性およびサイド書込み特性が大幅に改善される。
され、磁極端の幅および厚みが厳密に制御できるよう
に、磁極端を磁気回路の残りの部分とは異なる工程で形
成した、薄膜磁気ヘッドが提供される。その結果、狭い
トラックの応用例で、薄膜磁気ヘッドのサイド読取り特
性およびサイド書込み特性が大幅に改善される。
【００１３】図４および図５は、本発明による磁極端の
好ましい実施例を示す。図４は、磁極端の検出縁を示
し、図５は、ヘッドを所期のスロート高さにラッピング
する前の磁極端の斜視図を示す。この特定の実施例で
は、検出縁はエア・ベアリングの表面（ＡＢＳ）である
が、本発明が接触記録方式のヘッドにも適用できること
は明らかである。薄膜磁気ヘッド１０は、非磁性の基板
１４上に付着させた第１の磁気ヨーク層１２を備える
（図７参照）。磁極端アセンブリ１５は、第１の磁極端
層１６とギャップ形成層１８と第２の磁極端層２０を含
み、第１の磁気ヨーク層１２に接触して形成される。ギ
ャップ形成層１８は、たとえばＮｉＰ、Ａｕ、Ｃｕ等の
適当な金属で形成する。第１の磁極端層１６、ギャップ
形成層１８、および第２の磁極端層２０は、詳細に後述
するように同じマスクを使用して、同じ一連の工程で形
成する。薄膜磁気ヘッド１０の磁気回路は、磁極端アセ
ンブリ１５に接触する第２の磁気ヨーク層２２で完成す
る。
好ましい実施例を示す。図４は、磁極端の検出縁を示
し、図５は、ヘッドを所期のスロート高さにラッピング
する前の磁極端の斜視図を示す。この特定の実施例で
は、検出縁はエア・ベアリングの表面（ＡＢＳ）である
が、本発明が接触記録方式のヘッドにも適用できること
は明らかである。薄膜磁気ヘッド１０は、非磁性の基板
１４上に付着させた第１の磁気ヨーク層１２を備える
（図７参照）。磁極端アセンブリ１５は、第１の磁極端
層１６とギャップ形成層１８と第２の磁極端層２０を含
み、第１の磁気ヨーク層１２に接触して形成される。ギ
ャップ形成層１８は、たとえばＮｉＰ、Ａｕ、Ｃｕ等の
適当な金属で形成する。第１の磁極端層１６、ギャップ
形成層１８、および第２の磁極端層２０は、詳細に後述
するように同じマスクを使用して、同じ一連の工程で形
成する。薄膜磁気ヘッド１０の磁気回路は、磁極端アセ
ンブリ１５に接触する第２の磁気ヨーク層２２で完成す
る。
【００１４】理論的計算によれば、サイド読取りおよび
サイド書込みの大部分は、変換ギャップ１９からギャッ
プ長Ｇの数倍以内の所にある磁極端領域で発生する。図
４を参照するに、有効トラック幅Ｗは、変換ギャップに
おいて磁極端層１６と２０が重なる領域によって画定さ
れる。サイド読取りおよびサイド書込みの量を許容可能
なレベルに制限するためには、第１の磁気ヨーク層１２
の上面からギャップ形成層１８までの距離Ｓ１が２Ｇよ
り大きく、第２の磁気ヨーク層２２の下面からギャップ
形成層１８までの距離Ｓ２も２Ｇより大きくなければな
らない。この磁極端を形成する方法により、互いに精密
に位置合せされ、ギャップ領域での幅Ｗが精密に等しい
磁極端が得られる。
サイド書込みの大部分は、変換ギャップ１９からギャッ
プ長Ｇの数倍以内の所にある磁極端領域で発生する。図
４を参照するに、有効トラック幅Ｗは、変換ギャップに
おいて磁極端層１６と２０が重なる領域によって画定さ
れる。サイド読取りおよびサイド書込みの量を許容可能
なレベルに制限するためには、第１の磁気ヨーク層１２
の上面からギャップ形成層１８までの距離Ｓ１が２Ｇよ
り大きく、第２の磁気ヨーク層２２の下面からギャップ
形成層１８までの距離Ｓ２も２Ｇより大きくなければな
らない。この磁極端を形成する方法により、互いに精密
に位置合せされ、ギャップ領域での幅Ｗが精密に等しい
磁極端が得られる。
【００１５】完成した薄膜磁気ヘッド１０を、図６およ
び図７に示す。ギャップ形成層１８（図７）は、磁気媒
体に対して変換を行えるように、好ましくは周知のよう
にエア・ベアリングが形成されるように相互作用する変
換ギャップ１９を画定する。このために、非磁性の基板
１４は、ディスク・ファイルの動作中に回転する磁気デ
ィスク等の記録媒体に近接して飛翔する、ＡＢＳ２４等
の検出縁を有するスライダとして形成する。
び図７に示す。ギャップ形成層１８（図７）は、磁気媒
体に対して変換を行えるように、好ましくは周知のよう
にエア・ベアリングが形成されるように相互作用する変
換ギャップ１９を画定する。このために、非磁性の基板
１４は、ディスク・ファイルの動作中に回転する磁気デ
ィスク等の記録媒体に近接して飛翔する、ＡＢＳ２４等
の検出縁を有するスライダとして形成する。
【００１６】第１の磁気ヨーク層１２および第２の磁気
ヨーク層２２は、共にＡＢＳ２４から後部ギャップ・ク
ロージャ２６に延びる。２つの磁気ヨーク層１２と２２
は、ＡＢＳ２４で磁極端アセンブリ１５によって分離さ
れ、後部ギャップ領域２６で互いに接触する。ＡＢＳ２
４と後部ギャップ・クロージャ２６との間の空間で、２
つの磁気ヨーク層１２と２２は隔置され、コイル構造２
８用の空間を形成している。コイル構造２８と２つの磁
気ヨーク層１２および２２は、非磁性の電気絶縁材料の
層３０、３２、３４によって分離されている。図６を参
照するに、コイル構造２８は、中央部の第１の電気接点
３６と外部の電気接点３８を有するらせん状の複数の巻
線２９を有する。接点３６、３８は、ＷＲＩＴＥおよび
ＲＥＡＤデータ信号を処理するために、外部配線および
ヘッド回路（図示せず）に接続されている。
ヨーク層２２は、共にＡＢＳ２４から後部ギャップ・ク
ロージャ２６に延びる。２つの磁気ヨーク層１２と２２
は、ＡＢＳ２４で磁極端アセンブリ１５によって分離さ
れ、後部ギャップ領域２６で互いに接触する。ＡＢＳ２
４と後部ギャップ・クロージャ２６との間の空間で、２
つの磁気ヨーク層１２と２２は隔置され、コイル構造２
８用の空間を形成している。コイル構造２８と２つの磁
気ヨーク層１２および２２は、非磁性の電気絶縁材料の
層３０、３２、３４によって分離されている。図６を参
照するに、コイル構造２８は、中央部の第１の電気接点
３６と外部の電気接点３８を有するらせん状の複数の巻
線２９を有する。接点３６、３８は、ＷＲＩＴＥおよび
ＲＥＡＤデータ信号を処理するために、外部配線および
ヘッド回路（図示せず）に接続されている。
【００１７】本発明による薄膜磁気ヘッドの代替実施例
１０^を図８に示す。この実施例では、第１の磁気ヨー
ク層１２は第１の磁極端層１６より幅が広く、第２の磁
気ヨーク層２２^も第２の磁極端層２０より幅が広い。
この実施例では、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の絶縁材料を使
って、磁極端アセンブリを画定するマスキング層を形成
する場合に使用される。この実施例では、よりすぐれた
書込みヘッドが形成され、また、第２のヨーク層２２^
は磁極端領域で関連する第２の磁極端層２０より幅を狭
くする必要がないために形成しやすく、したがって層２
２の磁極端領域での寸法がそれほど重要でなくなる。
１０^を図８に示す。この実施例では、第１の磁気ヨー
ク層１２は第１の磁極端層１６より幅が広く、第２の磁
気ヨーク層２２^も第２の磁極端層２０より幅が広い。
この実施例では、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の絶縁材料を使
って、磁極端アセンブリを画定するマスキング層を形成
する場合に使用される。この実施例では、よりすぐれた
書込みヘッドが形成され、また、第２のヨーク層２２^
は磁極端領域で関連する第２の磁極端層２０より幅を狭
くする必要がないために形成しやすく、したがって層２
２の磁極端領域での寸法がそれほど重要でなくなる。
【００１８】本発明によれば、磁極端アセンブリ１５
は、コンフォーマブル（conformable）な磁極端が得ら
れるように形成することができる。ここでコンフォーマ
ブルな磁極端とは、その寸法および形状が実質的に同一
に形成されているものをいう。この設計は、磁極端の寸
法と、磁極端の寸法が保持される許容誤差との両方の精
度が高いという利点がある。他の利点は、他の重要な寸
法が画定できる精度が高い点にある。スロートの高さ
は、薄膜磁気ヘッドにおいて最適な性能を得るために厳
密に制御しなければならない重要な寸法の１つであり、
ＡＢＳ２４からいわゆるゼロ・スロート位置までの寸法
である。図７に示すように、ゼロ・スロート位置とは、
２つの磁気ヨーク層１２、２２がコイル構造２８を包囲
するために広がり始める点である。従来の技術による薄
膜磁気ヘッドでは、ゼロ・スロート位置は、一般に２０
〜６０度の範囲内のある角度で形成された絶縁層によっ
て画定される。これとは対照的に、本発明では、絶縁層
３０が磁極端アセンブリ１５の縁部を画定するため、ゼ
ロ・スロート位置４０は９０度の表面によって画定され
る。したがって、スロートの高さは、従来の技術の設計
での傾斜した縁部に比べてはっきりした縁部が測定基準
となるので、ずっと高い精度で決定できる。
は、コンフォーマブル（conformable）な磁極端が得ら
れるように形成することができる。ここでコンフォーマ
ブルな磁極端とは、その寸法および形状が実質的に同一
に形成されているものをいう。この設計は、磁極端の寸
法と、磁極端の寸法が保持される許容誤差との両方の精
度が高いという利点がある。他の利点は、他の重要な寸
法が画定できる精度が高い点にある。スロートの高さ
は、薄膜磁気ヘッドにおいて最適な性能を得るために厳
密に制御しなければならない重要な寸法の１つであり、
ＡＢＳ２４からいわゆるゼロ・スロート位置までの寸法
である。図７に示すように、ゼロ・スロート位置とは、
２つの磁気ヨーク層１２、２２がコイル構造２８を包囲
するために広がり始める点である。従来の技術による薄
膜磁気ヘッドでは、ゼロ・スロート位置は、一般に２０
〜６０度の範囲内のある角度で形成された絶縁層によっ
て画定される。これとは対照的に、本発明では、絶縁層
３０が磁極端アセンブリ１５の縁部を画定するため、ゼ
ロ・スロート位置４０は９０度の表面によって画定され
る。したがって、スロートの高さは、従来の技術の設計
での傾斜した縁部に比べてはっきりした縁部が測定基準
となるので、ずっと高い精度で決定できる。
【００１９】次に、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法について説明する。コンフォーマブルな薄膜磁気ヘ
ッド構造は、図４および図５に示すように、第１の磁気
ヨーク層１２と磁極端アセンブリ１５と第２の磁気ヨー
ク層２２を備える。第１の磁気ヨーク層１２を、従来の
メッキ法により所期のヨーク形状にパターン形成する。
次に、同一のレジスト・フレームを使用して電気メッキ
により磁極端アセンブリ１５を形成し、それによってそ
れぞれギャップ長の数倍の厚みの磁極端層１６、２０用
の自己整合構造を形成する。この磁極端アセンブリを第
１の磁気ヨーク層１２に「縫いつけ（stitch）」た後、
コイル構造２８および絶縁層を形成する。「縫いつけ」
接合は、２層の間に磁気的連続性が確立されるように、
既存の層に密着接触させて層を付着させることによって
形成するものである。最後に第２の磁気ヨーク層２２を
第２の磁極端層２０に縫いつけると、薄膜磁気ヘッド構
造が完成する。
方法について説明する。コンフォーマブルな薄膜磁気ヘ
ッド構造は、図４および図５に示すように、第１の磁気
ヨーク層１２と磁極端アセンブリ１５と第２の磁気ヨー
ク層２２を備える。第１の磁気ヨーク層１２を、従来の
メッキ法により所期のヨーク形状にパターン形成する。
次に、同一のレジスト・フレームを使用して電気メッキ
により磁極端アセンブリ１５を形成し、それによってそ
れぞれギャップ長の数倍の厚みの磁極端層１６、２０用
の自己整合構造を形成する。この磁極端アセンブリを第
１の磁気ヨーク層１２に「縫いつけ（stitch）」た後、
コイル構造２８および絶縁層を形成する。「縫いつけ」
接合は、２層の間に磁気的連続性が確立されるように、
既存の層に密着接触させて層を付着させることによって
形成するものである。最後に第２の磁気ヨーク層２２を
第２の磁極端層２０に縫いつけると、薄膜磁気ヘッド構
造が完成する。
【００２０】本発明による工程順序の特定の実施例を、
図９ないし図１４を参照して説明する。この工程順序
は、図３に示す薄膜磁気ヘッドを製造するのに適してい
る。第１の磁気ヨーク層１２を、図７に示す基板１４上
にメッキにより完全な皮膜として付着させた後、たとえ
ば化学エッチングにより所期の形状にパターン形成す
る。ＮｉＦｅのメッキ・ベースを付着させ、たとえばフ
ォトレジスト等のパターン形成可能な材料の層を付着さ
せ、パターン形成して、図９に示すような長方形の開口
４４を形成する。ここでは、このパターン形成可能な材
料の層そのものは開口４４の外形（直方体状）を示すに
とどまる。次に、図１０に示すように、ＮｉＦｅ等の適
当な磁性材料で第１の磁極端層１６を電気メッキし、Ｎ
ｉＰ、Ａｕ、Ｃｕ等の適当な材料で金属の非磁性ギャッ
プ層１８を電気メッキし、ＮｉＦｅ等の適当な磁性材料
で第２の磁極端層２０を電気メッキして、磁極端アセン
ブリ１５をパターン形成可能な層の開口４４内に形成す
る。この間、マスクの除去ないし変更は行なわず、単一
のフォトレジスト層が連続して用いられる。次に、図１
１に示すように、パターン形成可能な層の前部を露光し
現像することにより除去して、層４２を形成する。この
際、パターン形成可能な層４２の後部が残る。磁極端ア
センブリ１５の後縁４６で、層４２を磁極端１６、２０
と自己整合させる。ここで、後縁４６は、開口４４の後
壁でもある。ここで層４２の他の部分は必らずしも自己
整合する必要はなく、また図１１のように直線上とは限
らない。次に、層４２をハード・ベーキングして（図１
２）、第１の絶縁層３０を形成する。すなわち、層４２
が絶縁層３０に変わる。この場合は、絶縁層３０を、ゼ
ロ・スロート位置（図７の点線４０で示す）を形成し画
定する磁極端アセンブリ１５の後縁４６に自己整合させ
る。次に、コイル構造２８（図７参照）を従来の方法で
形成し、絶縁層３２および３４を形成する。次に、第２
の磁気ヨーク層２２をメッキによって形成し、図１３に
示すように、この層２２を第２の磁極端層２０に縫いつ
ける。次に、薄膜磁気ヘッド構造をラッピングして、Ａ
ＢＳ２４を形成する。得られた構造は図１４に示すとお
りである。ここで、図１３、図１４で磁極端の両側に伸
びる平行な線は磁気ヨーク層１２の部分であり、層４２
や絶縁層３０ではない。
図９ないし図１４を参照して説明する。この工程順序
は、図３に示す薄膜磁気ヘッドを製造するのに適してい
る。第１の磁気ヨーク層１２を、図７に示す基板１４上
にメッキにより完全な皮膜として付着させた後、たとえ
ば化学エッチングにより所期の形状にパターン形成す
る。ＮｉＦｅのメッキ・ベースを付着させ、たとえばフ
ォトレジスト等のパターン形成可能な材料の層を付着さ
せ、パターン形成して、図９に示すような長方形の開口
４４を形成する。ここでは、このパターン形成可能な材
料の層そのものは開口４４の外形（直方体状）を示すに
とどまる。次に、図１０に示すように、ＮｉＦｅ等の適
当な磁性材料で第１の磁極端層１６を電気メッキし、Ｎ
ｉＰ、Ａｕ、Ｃｕ等の適当な材料で金属の非磁性ギャッ
プ層１８を電気メッキし、ＮｉＦｅ等の適当な磁性材料
で第２の磁極端層２０を電気メッキして、磁極端アセン
ブリ１５をパターン形成可能な層の開口４４内に形成す
る。この間、マスクの除去ないし変更は行なわず、単一
のフォトレジスト層が連続して用いられる。次に、図１
１に示すように、パターン形成可能な層の前部を露光し
現像することにより除去して、層４２を形成する。この
際、パターン形成可能な層４２の後部が残る。磁極端ア
センブリ１５の後縁４６で、層４２を磁極端１６、２０
と自己整合させる。ここで、後縁４６は、開口４４の後
壁でもある。ここで層４２の他の部分は必らずしも自己
整合する必要はなく、また図１１のように直線上とは限
らない。次に、層４２をハード・ベーキングして（図１
２）、第１の絶縁層３０を形成する。すなわち、層４２
が絶縁層３０に変わる。この場合は、絶縁層３０を、ゼ
ロ・スロート位置（図７の点線４０で示す）を形成し画
定する磁極端アセンブリ１５の後縁４６に自己整合させ
る。次に、コイル構造２８（図７参照）を従来の方法で
形成し、絶縁層３２および３４を形成する。次に、第２
の磁気ヨーク層２２をメッキによって形成し、図１３に
示すように、この層２２を第２の磁極端層２０に縫いつ
ける。次に、薄膜磁気ヘッド構造をラッピングして、Ａ
ＢＳ２４を形成する。得られた構造は図１４に示すとお
りである。ここで、図１３、図１４で磁極端の両側に伸
びる平行な線は磁気ヨーク層１２の部分であり、層４２
や絶縁層３０ではない。
【００２１】本発明による製造順序の代替実施例を図１
５ないし図１８を参照して説明する。この製造順序は、
図８に示す薄膜磁気ヘッドの製造に適している。第１の
磁気ヨーク層１２を、メッキにより完全な皮膜として付
着させた後、たとえば化学エッチングにより所期の形状
にパターン形成する。ＮｉＦｅのメッキ・ベースを付着
させ、たとえばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等のパターン形成可
能な絶縁材料の層を付着させ、パターン形成して図１５
に示すような長方形の開口４４を形成する。次に、図１
６に示すように、ＮｉＦｅ等の適当な磁性材料で第１の
磁極端層１６を電気メッキし、ＮｉＰ、Ａｕ、Ｃｕ等の
適当な材料で金属の非磁性ギャップ層１８を電気メッキ
し、ＮｉＦｅ等の適当な磁性材料で第２の磁極端層２０
を電気メッキして、磁極端アセンブリ１５を開口４４内
に形成する。磁極端アセンブリ１５の後縁４６で、層４
２を磁極端１６、２０と自己整合させる。層４２はヘッ
ド中に残り、第１の絶縁層３０^を形成する。この場合
は、絶縁層３０^を、ゼロ・スロート位置を形成する磁
極端アセンブリ１５の後縁４６に自己整合させる。次
に、コイル構造２８（図７参照）を従来の方法で形成
し、絶縁層３２および３４を形成する。次に、第２の磁
気ヨーク層２２^をメッキによって形成し、図１７に示
すように、この層２２^を第２の磁極端層２０に縫いつ
ける。次に、薄膜磁気ヘッド構造をラッピングして、Ａ
ＢＳ２４を形成する。得られた構造は図１８に示すとお
りである。
５ないし図１８を参照して説明する。この製造順序は、
図８に示す薄膜磁気ヘッドの製造に適している。第１の
磁気ヨーク層１２を、メッキにより完全な皮膜として付
着させた後、たとえば化学エッチングにより所期の形状
にパターン形成する。ＮｉＦｅのメッキ・ベースを付着
させ、たとえばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等のパターン形成可
能な絶縁材料の層を付着させ、パターン形成して図１５
に示すような長方形の開口４４を形成する。次に、図１
６に示すように、ＮｉＦｅ等の適当な磁性材料で第１の
磁極端層１６を電気メッキし、ＮｉＰ、Ａｕ、Ｃｕ等の
適当な材料で金属の非磁性ギャップ層１８を電気メッキ
し、ＮｉＦｅ等の適当な磁性材料で第２の磁極端層２０
を電気メッキして、磁極端アセンブリ１５を開口４４内
に形成する。磁極端アセンブリ１５の後縁４６で、層４
２を磁極端１６、２０と自己整合させる。層４２はヘッ
ド中に残り、第１の絶縁層３０^を形成する。この場合
は、絶縁層３０^を、ゼロ・スロート位置を形成する磁
極端アセンブリ１５の後縁４６に自己整合させる。次
に、コイル構造２８（図７参照）を従来の方法で形成
し、絶縁層３２および３４を形成する。次に、第２の磁
気ヨーク層２２^をメッキによって形成し、図１７に示
すように、この層２２^を第２の磁極端層２０に縫いつ
ける。次に、薄膜磁気ヘッド構造をラッピングして、Ａ
ＢＳ２４を形成する。得られた構造は図１８に示すとお
りである。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、磁
極端が正確に位置合せされ、磁極端の幅および厚みが厳
密に制御された、薄膜磁気ヘッドが得られる。
極端が正確に位置合せされ、磁極端の幅および厚みが厳
密に制御された、薄膜磁気ヘッドが得られる。
【図１】磁気ディスク記憶システムの概略斜視図であ
る。
る。
【図２】従来の技術による薄膜磁気ヘッドの第１の実施
例の、磁極端のエア・ベアリング表面を示す図である。
例の、磁極端のエア・ベアリング表面を示す図である。
【図３】従来の技術による薄膜磁気ヘッドの第２の実施
例の、磁極端のエア・ベアリング表面を示す図である。
例の、磁極端のエア・ベアリング表面を示す図である。
【図４】本発明による薄膜磁気ヘッドの、磁極端のエア
・ベアリング表面を示す図である。
・ベアリング表面を示す図である。
【図５】本発明による薄膜磁気ヘッドの、磁極端の斜視
図である。
図である。
【図６】本発明による薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図７】図６の線６−６に沿った断面図である。
【図８】本発明による薄膜磁気ヘッドの代替実施例の、
磁極端のエア・ベアリング表面を示す図である。
磁極端のエア・ベアリング表面を示す図である。
【図９】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造す
る一連の工程の一つを示す斜視図である。
る一連の工程の一つを示す斜視図である。
【図１０】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
【図１１】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
【図１２】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
【図１３】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
【図１４】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
する一連の工程の一つを示す斜視図である。
【図１５】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する工程順序の代替実施例の一連の工程の一つを示す斜
視図である。
する工程順序の代替実施例の一連の工程の一つを示す斜
視図である。
【図１６】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する工程順序の代替実施例の一連の工程の一つを示す斜
視図である。
する工程順序の代替実施例の一連の工程の一つを示す斜
視図である。
【図１７】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する工程順序の代替実施例の一連の工程の一つを示す斜
視図である。
する工程順序の代替実施例の一連の工程の一つを示す斜
視図である。
【図１８】本発明による薄膜磁気ヘッドの磁極端を製造
する工程順序の代替実施例の一連の工程の一つを示す斜
視図である。
する工程順序の代替実施例の一連の工程の一つを示す斜
視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 モハマド・ティー・クロウンビー アメリカ合衆国95120、カリフォルニア州 サンノゼ、パソ・ロス・セリトス 6238
Claims (11)
- 【請求項１】後部ギャップ領域から検出縁まで延びる第
１の磁気ヨーク層と、 上記後部ギャップ領域において上記第１の磁気ヨーク層
に接し、上記第１の磁気ヨーク層と整列するが上記第１
磁気ヨーク層から離れた位置で上記検出縁まで延びる第
２の磁気ヨーク層と、 それぞれの幅が実質的に等しい第１の磁極端層とギャッ
プ形成層と第２の磁極端層から成る磁極端構造とを備
え、 上記磁極端構造は、上記第１の磁気ヨーク層と第２の磁
気ヨーク層の間に位置していて、上記検出縁からゼロ・
スロート位置まで延びており、上記第１磁極端層は上記
検出縁から上記ゼロ・スロート位置まで上記第１磁気ヨ
ーク層に接しており、上記第２磁極端層は上記検出縁か
ら上記ゼロ・スロート位置まで上記第２磁気ヨーク層に
接していることを特徴とする、 磁気回路を有する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】上記第１の磁気ヨーク層は上記検出縁にお
いて上記磁極端構造より幅が広くされており、上記第２
の磁気ヨーク層は上記検出縁において上記磁極端構造よ
り幅が狭くされていることを特徴とする、請求項１の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】上記第１および第２の磁気ヨーク層は上記
検出縁において上記磁極端構造より幅が広くされている
ことを特徴とする、請求項２の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】上記ギャップ形成層はギャップ長Ｇの変換
ギャップを画定し、上記第１および第２の磁極端層の厚
みは２Ｇより厚くされていることを特徴とする、請求項
２の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】上記ゼロ・スロート位置は上記検出縁から
延びる上記磁極端構造の縁部によって画定されることを
特徴とする、請求項１の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】後部ギャップ領域から検出縁まで延びる第
１の磁気ヨーク層を付着させる工程と、 それぞれ幅が実質的に等しい第１の磁極端層とギャップ
形成層と第２の磁極端層とから成る磁極端構造を順次付
着するにあたって、上記第１の磁極端層が上記検出縁で
上記第１の磁気ヨーク層に接触するような位置に付着さ
せる工程と、 上記後部ギャップ領域で上記第１の磁気ヨーク層に接
し、上記検出縁で上記第２の磁極端層と接触する第２の
磁気ヨーク層を付着させる工程とを含む、 薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】さらに、上記第１の磁気ヨーク層の上にパ
ターン形成可能な層を付着させ、上記パターン形成可能
な層をパターン形成して、上記検出縁の近くで上記第１
の磁気ヨーク層の一部と位置合せされた開口を形成する
工程を含む、請求項６の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】さらに、上記開口によって上記磁極端構造
を画定する工程を含む、請求項７の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項９】上記磁極端構造の、上記後部ギャップ領域
に最も近接した縁部が、ゼロ・スロート位置を画定する
ことを特徴とする、請求項７の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１０】上記第１および第２の磁気ヨーク層が、
上記ゼロ・スロート位置から上記後部ギャップ領域に向
かって延びる領域で隔置され、上記の隔置された領域内
に、上記第１の磁気ヨーク層および上記第２の磁気ヨー
ク層から電気的に絶縁されたコイル構造を形成すること
を特徴とする、請求項９の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】上記パターン形成可能な層がフォトレジ
スト材料であり、 当該フォトレジスト材料をハード・ベーキングして上記
ヘッド内に上記コイル構造用の上記電気的絶縁層の一部
として残すことを特徴とする、請求項９の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/843,676 US5285340A (en) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | Thin film magnetic head with conformable pole tips |
| US843676 | 1992-02-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0628626A true JPH0628626A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=25290697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5031771A Pending JPH0628626A (ja) | 1992-02-28 | 1993-02-22 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5285340A (ja) |
| EP (1) | EP0558195B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0628626A (ja) |
| KR (1) | KR930018474A (ja) |
| DE (1) | DE69302725T2 (ja) |
| SG (1) | SG43718A1 (ja) |
| TW (1) | TW202512B (ja) |
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