JPH0256721B2 - - Google Patents
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- JPH0256721B2 JPH0256721B2 JP59242573A JP24257384A JPH0256721B2 JP H0256721 B2 JPH0256721 B2 JP H0256721B2 JP 59242573 A JP59242573 A JP 59242573A JP 24257384 A JP24257384 A JP 24257384A JP H0256721 B2 JPH0256721 B2 JP H0256721B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は材料の除去方法に関し、さらに具体的
には薄膜磁器記録トランスジユーサにおいて、ス
パツタ付着される絶縁性もしくは非磁性のギヤツ
プ材料でギヤツプを作るための剥離による材料除
去方法に関する。
には薄膜磁器記録トランスジユーサにおいて、ス
パツタ付着される絶縁性もしくは非磁性のギヤツ
プ材料でギヤツプを作るための剥離による材料除
去方法に関する。
従来の薄膜ヘツド製造はスパツタされた絶縁性
もしくは非磁性材料を化学食刻してバツク・ギヤ
ツプ領域を開ける過程を必要とする。食刻中に端
点を検出する事は極めて困難である。過度の食刻
は下層の磁性層を侵食する。食刻が足りないとバ
ツク・ギヤツプに残留層を残し、磁性層の密接な
接触を妨げて磁気トランスジユーサの効率に悪い
影響を与える。
もしくは非磁性材料を化学食刻してバツク・ギヤ
ツプ領域を開ける過程を必要とする。食刻中に端
点を検出する事は極めて困難である。過度の食刻
は下層の磁性層を侵食する。食刻が足りないとバ
ツク・ギヤツプに残留層を残し、磁性層の密接な
接触を妨げて磁気トランスジユーサの効率に悪い
影響を与える。
従来技術はどれも単一の基板上に(1)読取りヘツ
ド兼書込みヘツド、(2)読取り／書込みヘツド兼サ
ーボ・ヘツドもしくは(3)読取りヘツド兼書込み／
サーボ・ヘツドとして働く別個の薄膜を形成する
という問題には向けられていない。従来技術はこ
の型のヘツドを材料の剥離によつては製造する事
は出来ず、従つて食刻及び剥離過程には大雑把に
触れているだけで、本明細書に開示された如き技
術の開示はない。
ド兼書込みヘツド、(2)読取り／書込みヘツド兼サ
ーボ・ヘツドもしくは(3)読取りヘツド兼書込み／
サーボ・ヘツドとして働く別個の薄膜を形成する
という問題には向けられていない。従来技術はこ
の型のヘツドを材料の剥離によつては製造する事
は出来ず、従つて食刻及び剥離過程には大雑把に
触れているだけで、本明細書に開示された如き技
術の開示はない。
本発明の目的は下層の磁性材料に影響を与えな
い剥離方法を使用する事によつて選択された領域
上にのみに薄膜トランスジユーサ・ギヤツプを形
成する方法を与える事にある。
い剥離方法を使用する事によつて選択された領域
上にのみに薄膜トランスジユーサ・ギヤツプを形
成する方法を与える事にある。
本発明の一実施例に従い、基板及びその上の磁
性材料上に銅の如き金属層をスパツタ付着し、ポ
ジテイブ・ホトレジストを付着し、マスクを露光
して、バツク領域もしくは他の必要な領域に孔を
あけ、銅の如きホトレジスト・マスク金属を必要
なギヤツプの厚さの２乃至４倍の厚さに電着し、
ホトレジストを除去し、金属層をスパツタリング
で除去し、酸化アルミニウム、窒化ケイ素もしく
は石英の如き絶縁性もしくは非磁性ギヤツプ材料
をスパツタリングで付着し、銅をPHが７乃至９の
20％過硫酸アンモニウムの溶液で食刻し去る段階
を含む、薄膜ヘツド上に絶縁性もしくは非磁性の
ギヤツプ材料を付着するためのギヤツプ形成方法
が与えられる。磁性材料を害う事なく銅の食刻を
増強するためには塩化ナトリウムが過硫酸アンモ
ニウムに加えられる。本発明の方法は特に異なる
ギヤツプの厚さを有する書込み−読取り−書込み
のための単一素子薄膜ヘツドもしくは横並びの複
数素子の薄膜ヘツドを単一の基板上に与える事を
意図している。
性材料上に銅の如き金属層をスパツタ付着し、ポ
ジテイブ・ホトレジストを付着し、マスクを露光
して、バツク領域もしくは他の必要な領域に孔を
あけ、銅の如きホトレジスト・マスク金属を必要
なギヤツプの厚さの２乃至４倍の厚さに電着し、
ホトレジストを除去し、金属層をスパツタリング
で除去し、酸化アルミニウム、窒化ケイ素もしく
は石英の如き絶縁性もしくは非磁性ギヤツプ材料
をスパツタリングで付着し、銅をPHが７乃至９の
20％過硫酸アンモニウムの溶液で食刻し去る段階
を含む、薄膜ヘツド上に絶縁性もしくは非磁性の
ギヤツプ材料を付着するためのギヤツプ形成方法
が与えられる。磁性材料を害う事なく銅の食刻を
増強するためには塩化ナトリウムが過硫酸アンモ
ニウムに加えられる。本発明の方法は特に異なる
ギヤツプの厚さを有する書込み−読取り−書込み
のための単一素子薄膜ヘツドもしくは横並びの複
数素子の薄膜ヘツドを単一の基板上に与える事を
意図している。
本発明の方法によれば、ギヤツプ材料の一部は
磁性材料の上に直接付着されず、銅マスク上に付
着される。従つて銅マスクを食刻する事によつて
付随的にギヤツプ層が剥離される。これによつて
剥離はきれいに行われ、磁極片が合される閉領域
には介在するギヤツプ材料片が残されず、従来の
技術で使用された食刻剤の危険性も除去される。
磁性材料の上に直接付着されず、銅マスク上に付
着される。従つて銅マスクを食刻する事によつて
付随的にギヤツプ層が剥離される。これによつて
剥離はきれいに行われ、磁極片が合される閉領域
には介在するギヤツプ材料片が残されず、従来の
技術で使用された食刻剤の危険性も除去される。
第１−１，１−２，１−３，１−４，１−５図
は代表的な薄膜ヘツド１０中にスパツタリングに
よつて付着された絶縁性ギヤツプ材料を剥離する
方法を示した図である。第１−１図は基板１２、
磁性材料１４及びスパツタ付着された略800Åの
銅層１６を示している。第１−２図はポジテイ
ブ・ホトレジスト１８が付着され、マスクになる
様に露光し、その後現像する事によつてバツク・
ギヤツプ領域２０があけられたとろを示してい
る。第１−３図でホトレジスト・マスクを介して
所望のギヤツプの厚さの略２乃至４倍の厚さの銅
２２が電着される。このめつきされた銅２２はき
のこ状をなし、その後ホトレジスト１８は第１−
３図に示された如く除去される。第１−４図はス
パツタ食刻によつて露出した銅金属化層１６を除
去し、アルミナ、窒化ケイ素もしくは石英、他の
同等の絶縁性もしくは非磁性ギヤツプ材料２４，
２６をスパツタ付着したところを示している。最
後に第１−５図は、PHが７乃至９の範囲の20％の
過硫酸アンモニウム溶液で銅を食刻し去つた段階
を示している。この剥離過程によつて接触表面３
０を有する磁極片の合わさる磁気的閉領域２８が
与えられる。この領域は清浄な幾何学的な線のは
つきりした開孔であり、表面上には絶縁材料が残
されず、又磁性材料１４は害われていない。
は代表的な薄膜ヘツド１０中にスパツタリングに
よつて付着された絶縁性ギヤツプ材料を剥離する
方法を示した図である。第１−１図は基板１２、
磁性材料１４及びスパツタ付着された略800Åの
銅層１６を示している。第１−２図はポジテイ
ブ・ホトレジスト１８が付着され、マスクになる
様に露光し、その後現像する事によつてバツク・
ギヤツプ領域２０があけられたとろを示してい
る。第１−３図でホトレジスト・マスクを介して
所望のギヤツプの厚さの略２乃至４倍の厚さの銅
２２が電着される。このめつきされた銅２２はき
のこ状をなし、その後ホトレジスト１８は第１−
３図に示された如く除去される。第１−４図はス
パツタ食刻によつて露出した銅金属化層１６を除
去し、アルミナ、窒化ケイ素もしくは石英、他の
同等の絶縁性もしくは非磁性ギヤツプ材料２４，
２６をスパツタ付着したところを示している。最
後に第１−５図は、PHが７乃至９の範囲の20％の
過硫酸アンモニウム溶液で銅を食刻し去つた段階
を示している。この剥離過程によつて接触表面３
０を有する磁極片の合わさる磁気的閉領域２８が
与えられる。この領域は清浄な幾何学的な線のは
つきりした開孔であり、表面上には絶縁材料が残
されず、又磁性材料１４は害われていない。
第２−１図乃至第２−７図は単一の基板上に個
別のギヤツプ部分を有する読取り兼書込みヘツド
もしくは読取り／書込み兼サーボ・ヘツドの製造
のための、本発明の特定の実施例を示している。
第２−１図は基板３２、磁性材料３４並びにギヤ
ツプ領域３６及び３７を含む横並び構造体を示し
ている。第２−２図はギヤツプ領域、バツク閉領
域４０及びバツク閉領域４２にめつきされた銅３
８を示している。これ等の領域の銅の高さは同じ
である事に注意されたい。第２−３図は所望の厚
さには付着されたアルミナAl2O3の如きギヤツプ
材料４４，５２を示している。第２−４図はギヤ
ツプ材料上のホトレジスト被膜４６を示してい
る。ただし領域４８及び５０にはホトレジストの
被膜は存在せず、４０及び４２のめつきされた銅
は保護されている。第２−５図は露出した銅を食
刻し去り、ギヤツプ材料を剥離し、レジストを除
去したところを示している。ここでギヤツプ３６
及び特定のバツク閉領域４０及び４２はこの段階
ではギヤツプ材料４４，５２を有する事に注意さ
れたい。第２−６図は前に付着されたギヤツプ材
料５２の上を含めてギヤツプ材料５４を所望の厚
さに付着したところを示している。第２−７図は
銅を食刻し去り、ギヤツプ材料を剥離して、閉領
域５８及び６０には全くギヤツプ材料がなく、ギ
ヤツプ領域３６にはギヤツプ材料５４を、ギヤツ
プ領域３７にはギヤツプ材料４４及び５４を残し
たところを示している。
別のギヤツプ部分を有する読取り兼書込みヘツド
もしくは読取り／書込み兼サーボ・ヘツドの製造
のための、本発明の特定の実施例を示している。
第２−１図は基板３２、磁性材料３４並びにギヤ
ツプ領域３６及び３７を含む横並び構造体を示し
ている。第２−２図はギヤツプ領域、バツク閉領
域４０及びバツク閉領域４２にめつきされた銅３
８を示している。これ等の領域の銅の高さは同じ
である事に注意されたい。第２−３図は所望の厚
さには付着されたアルミナAl2O3の如きギヤツプ
材料４４，５２を示している。第２−４図はギヤ
ツプ材料上のホトレジスト被膜４６を示してい
る。ただし領域４８及び５０にはホトレジストの
被膜は存在せず、４０及び４２のめつきされた銅
は保護されている。第２−５図は露出した銅を食
刻し去り、ギヤツプ材料を剥離し、レジストを除
去したところを示している。ここでギヤツプ３６
及び特定のバツク閉領域４０及び４２はこの段階
ではギヤツプ材料４４，５２を有する事に注意さ
れたい。第２−６図は前に付着されたギヤツプ材
料５２の上を含めてギヤツプ材料５４を所望の厚
さに付着したところを示している。第２−７図は
銅を食刻し去り、ギヤツプ材料を剥離して、閉領
域５８及び６０には全くギヤツプ材料がなく、ギ
ヤツプ領域３６にはギヤツプ材料５４を、ギヤツ
プ領域３７にはギヤツプ材料４４及び５４を残し
たところを示している。
剥離過程はPHが７乃至９の約20％の過硫酸アン
モニウム（NH4）2S2O3の溶液によつて除去され
る銅被覆を使用する。10乃至20％の濃度の過硫酸
アンモニウム溶液が使用されるが、20％の濃度が
最適である。過硫酸アンモニウムは濃度が減少す
るにつれだんだん不活性となる。この溶液によつ
て下層の磁性材料に損害を与える事なく薄膜のバ
ツク閉領域からギヤツプ材料が完全に除去され
る。
モニウム（NH4）2S2O3の溶液によつて除去され
る銅被覆を使用する。10乃至20％の濃度の過硫酸
アンモニウム溶液が使用されるが、20％の濃度が
最適である。過硫酸アンモニウムは濃度が減少す
るにつれだんだん不活性となる。この溶液によつ
て下層の磁性材料に損害を与える事なく薄膜のバ
ツク閉領域からギヤツプ材料が完全に除去され
る。
これ等の段階の過程を繰返し使用する事によつ
て、単一の基板上に色々の厚さの付着層が得られ
る。従つて同じ基板上に異なる寸法のギヤツプが
得られる。
て、単一の基板上に色々の厚さの付着層が得られ
る。従つて同じ基板上に異なる寸法のギヤツプが
得られる。
200ppm迄の塩化ナトリウムNaClを過硫酸アン
モニウムに加える事によつて、銅はその下の磁性
材料に対して損害を与える事なく著しく速く食刻
される。約400ppmのNaClを加えた場合には、電
気化学的溶解によつて下層の磁性材料が侵食され
る。
モニウムに加える事によつて、銅はその下の磁性
材料に対して損害を与える事なく著しく速く食刻
される。約400ppmのNaClを加えた場合には、電
気化学的溶解によつて下層の磁性材料が侵食され
る。
塩化ナトリウムを過硫酸アンモニウムに加える
事によつて溶液中に塩素イオンが与えられる。
200ppmの塩化ナトリウムが加えられる時には
100ppmの塩素イオンが与えられる。塩化ナトリ
ウムを選んだ理由は、これが溶液のPHを変えな
い、安い塩素イオン源であるからである。
事によつて溶液中に塩素イオンが与えられる。
200ppmの塩化ナトリウムが加えられる時には
100ppmの塩素イオンが与えられる。塩化ナトリ
ウムを選んだ理由は、これが溶液のPHを変えな
い、安い塩素イオン源であるからである。
塩化アンモニウムも又塩素イオン源及び溶液の
PHを調節するための手段として使用される。
PHを調節するための手段として使用される。
本発明に従いトランスジユーサのヨークを形成
する上及び下の磁性層間に密接な接触を与えるギ
ヤツプ材料の剥離方法が与えられる。
する上及び下の磁性層間に密接な接触を与えるギ
ヤツプ材料の剥離方法が与えられる。
本発明に従い、スパツタされたアルミナもしく
は他の絶縁性もしくは非磁性材料を剥離する方法
の普通の食刻剤であるリン酸もしくは適切な酸に
磁性材料を露らす必要がなくなり、又この様な食
刻剤に関連する危険性が除去される。
は他の絶縁性もしくは非磁性材料を剥離する方法
の普通の食刻剤であるリン酸もしくは適切な酸に
磁性材料を露らす必要がなくなり、又この様な食
刻剤に関連する危険性が除去される。
本発明に従えば、その段階を繰返す事によつて
単一の装置に色々な厚さの付着層を与える事が出
来る。
単一の装置に色々な厚さの付着層を与える事が出
来る。
第１−１図、第１−２図、第１−３図、第１−
４図及び第１−５図は代表的な薄膜ヘツド中のス
パツタされた絶縁性ギヤツプ材料を剥離する方法
を示した図である。第２−１図、第２−２図、第
２−３図、第２−４図、第２−５図、第２−６図
及び第２−７図は読取り／書込みヘツドもしくは
読取り兼サーボヘツドもしくは書込みヘツドのた
め横並びにされた剥離ギヤツプの製造方法を示し
た図である。 １２……基板、１４……磁性材料、１６……
銅、１８……ホトレジスト、２０……パツグ・ギ
ヤツプ領域、２２……銅ホトレジスト領域、２
４，２６……ギヤツプ材料、２８……磁気的閉領
域。
４図及び第１−５図は代表的な薄膜ヘツド中のス
パツタされた絶縁性ギヤツプ材料を剥離する方法
を示した図である。第２−１図、第２−２図、第
２−３図、第２−４図、第２−５図、第２−６図
及び第２−７図は読取り／書込みヘツドもしくは
読取り兼サーボヘツドもしくは書込みヘツドのた
め横並びにされた剥離ギヤツプの製造方法を示し
た図である。 １２……基板、１４……磁性材料、１６……
銅、１８……ホトレジスト、２０……パツグ・ギ
ヤツプ領域、２２……銅ホトレジスト領域、２
４，２６……ギヤツプ材料、２８……磁気的閉領
域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 基板上の磁性材料の上に薄い銅の金属化
層をスパツタ付着する段階と、 (b) 上記金属化層の表面の予じめ選択された部分
に非導電性マスクを付着する段階と、 (c) 上記金属化層のマスクされていない表面上に
所望ギヤツプの厚さの少なくとも２倍の厚さに
銅をめつきし、かつ上記非導電性のマスクを除
去する段階と、 (d) 上記段階(c)で露出された金属化層をスパツタ
食刻により除去する段階と、 (e) 絶縁性材料をスパツタ付着する段階と、 (f) 上記めつきされた銅及び残りの金属化層の材
料を過硫酸アンモニウムの溶液で食刻し去る段
階とより成る、薄膜磁器トランスジユーサのギ
ヤツプを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US566871 | 1983-12-29 | ||
| US06/566,871 US4481071A (en) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | Process of lift off of material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143416A JPS60143416A (ja) | 1985-07-29 |
| JPH0256721B2 true JPH0256721B2 (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=24264747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59242573A Granted JPS60143416A (ja) | 1983-12-29 | 1984-11-19 | 薄膜磁気トランスジユ−サのギヤツプを形成する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4481071A (ja) |
| EP (1) | EP0146796A3 (ja) |
| JP (1) | JPS60143416A (ja) |
| CA (1) | CA1213044A (ja) |
Families Citing this family (12)
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Citations (1)
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-
1984
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- 1984-11-19 JP JP59242573A patent/JPS60143416A/ja active Granted
- 1984-11-27 EP EP84114282A patent/EP0146796A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5545196A (en) * | 1978-09-28 | 1980-03-29 | Sharp Corp | Fabricating method for thin-film magnetic head |
Also Published As
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| EP0146796A3 (en) | 1988-06-01 |
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