JPH05174320A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH05174320A JPH05174320A JP35509291A JP35509291A JPH05174320A JP H05174320 A JPH05174320 A JP H05174320A JP 35509291 A JP35509291 A JP 35509291A JP 35509291 A JP35509291 A JP 35509291A JP H05174320 A JPH05174320 A JP H05174320A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層が進ん
で基板上で凸部が高くなった状態で、さらにその上に積
層を重ねる場合に、レジスト厚の均一化を図ってフレー
ム切れや凸部の周囲の凹部でレジスト厚が厚くなりすぎ
たりレジストの現像残りが生じるのを防止する。 【構成】 凸部４０には薄膜磁気ヘッドの各層が途中ま
で積層されている。その上にさらに層を積層する場合、
次の工程〜を行なう。基板１０全体にレジスト５
２をスピンコートする。マスク５４を当てて露光し、
凸部４０のレジスト５２ａを残す。これでまだ凸部４
０に十分な厚さのレジストが形成されてなければ、レジ
スト５６をスピンコートする。マスク５８を当てて露
光し、凸部４０のレジスト５６ａを残す。レジスト５
８を全体にスピンコートする。これで全体に均一なレジ
スト膜が形成される。目的とする層のパターンが描か
れたマスク６０を当てて露光し、現像してこの層を形成
する。
で基板上で凸部が高くなった状態で、さらにその上に積
層を重ねる場合に、レジスト厚の均一化を図ってフレー
ム切れや凸部の周囲の凹部でレジスト厚が厚くなりすぎ
たりレジストの現像残りが生じるのを防止する。 【構成】 凸部４０には薄膜磁気ヘッドの各層が途中ま
で積層されている。その上にさらに層を積層する場合、
次の工程〜を行なう。基板１０全体にレジスト５
２をスピンコートする。マスク５４を当てて露光し、
凸部４０のレジスト５２ａを残す。これでまだ凸部４
０に十分な厚さのレジストが形成されてなければ、レジ
スト５６をスピンコートする。マスク５８を当てて露
光し、凸部４０のレジスト５６ａを残す。レジスト５
８を全体にスピンコートする。これで全体に均一なレジ
スト膜が形成される。目的とする層のパターンが描か
れたマスク６０を当てて露光し、現像してこの層を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関し、薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層が進
んで凹凸が大きくなった状態でさらにその上に積層を重
ねる場合に、レジストを適正な厚さで形成できるように
したものである。
方法に関し、薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層が進
んで凹凸が大きくなった状態でさらにその上に積層を重
ねる場合に、レジストを適正な厚さで形成できるように
したものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは磁気ディスク装置の記
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている磁気ヘッドの一例を図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図である。ここでは導体コイルを３層とした場合に
ついて示している。
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている磁気ヘッドの一例を図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図である。ここでは導体コイルを３層とした場合に
ついて示している。
【０００３】この薄膜磁気ヘッド１は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下コア１４が電気メッキによ
り積層されている。下コア１４の上には磁気ギャップ層
１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャップ１７
を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば保護層１
２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られている。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下コア１４が電気メッキによ
り積層されている。下コア１４の上には磁気ギャップ層
１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャップ１７
を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば保護層１
２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られている。
【０００４】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【０００５】第４絶縁層３０の上には上コア３２が電気
メッキにより形成されている。上コア３２のポール部３
８と反対側の後部３９は、下コア１４と密着している。
上コア３２の上には、保護層３４がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 等でスパッタ法により積層されて、全体を覆ってい
る。
メッキにより形成されている。上コア３２のポール部３
８と反対側の後部３９は、下コア１４と密着している。
上コア３２の上には、保護層３４がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 等でスパッタ法により積層されて、全体を覆ってい
る。
【０００６】薄膜磁気ヘッド１を搭載したスライダは、
図３に示すように、後にスライダ基板となるウエファー
１０上に一度に多数の薄膜磁気ヘッド１をリソグラフィ
技術を用いて作り、これを個々のスライダにカットして
作られる。この場合、薄膜磁気ヘッド１を構成する各層
を形成する際に、レジストパターンを形成するためのレ
ジスト膜を塗布する方法としては、一般的にはウエファ
ー１０をスピナー（回転板）に置き、液状のレジストを
ウエファー１０の中心部に載せて、スピナーを所定の回
転数で回す方法（スピンコート）が行なわれる。これに
より、ウエファー１０上のレジストは遠心力で広がって
いき、レジスト膜が形成される。
図３に示すように、後にスライダ基板となるウエファー
１０上に一度に多数の薄膜磁気ヘッド１をリソグラフィ
技術を用いて作り、これを個々のスライダにカットして
作られる。この場合、薄膜磁気ヘッド１を構成する各層
を形成する際に、レジストパターンを形成するためのレ
ジスト膜を塗布する方法としては、一般的にはウエファ
ー１０をスピナー（回転板）に置き、液状のレジストを
ウエファー１０の中心部に載せて、スピナーを所定の回
転数で回す方法（スピンコート）が行なわれる。これに
より、ウエファー１０上のレジストは遠心力で広がって
いき、レジスト膜が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッド１を構
成する各層が順次積層されていって基板１０上に形成さ
れる凸部（薄膜磁気ヘッド１を構成する各層の積層部を
いう。）の高さが例えば５〜３０μｍ程度に高くなった
状態で、さらにその上にリソグラフィで上層で積層する
ために基板１０上にレジストをスピンコートで塗布する
と、図４に示すようにレジスト４２の厚さが部分部分で
大きく異なったものとなる。
成する各層が順次積層されていって基板１０上に形成さ
れる凸部（薄膜磁気ヘッド１を構成する各層の積層部を
いう。）の高さが例えば５〜３０μｍ程度に高くなった
状態で、さらにその上にリソグラフィで上層で積層する
ために基板１０上にレジストをスピンコートで塗布する
と、図４に示すようにレジスト４２の厚さが部分部分で
大きく異なったものとなる。
【０００８】このため、コイル層および絶縁層がすべて
積層された凸部４０の上に図５に示すように上コア３２
を積層する場合、凸部４０の上にレジストをスピンコー
トし、露光して上コア３２形成用のレジストフレームを
作ると、図６に示すように、上コア形成用レジストフレ
ーム４８は凸部４０の端部４０ａで薄くなっているため
フレーム切れ５０を起こし、次のメッキの工程でメッキ
のオーバフローが生じ、上コア３２を所定の形状に形成
することができなくなる。
積層された凸部４０の上に図５に示すように上コア３２
を積層する場合、凸部４０の上にレジストをスピンコー
トし、露光して上コア３２形成用のレジストフレームを
作ると、図６に示すように、上コア形成用レジストフレ
ーム４８は凸部４０の端部４０ａで薄くなっているため
フレーム切れ５０を起こし、次のメッキの工程でメッキ
のオーバフローが生じ、上コア３２を所定の形状に形成
することができなくなる。
【０００９】そこで、フレーム切れを防止するため、レ
ジストを厚く塗布すると、レジストフレーム４８は凹部
４１（凸部４０の周囲の低い部分をいう。）で厚くなり
すぎる。この凹部４１の位置のレジストフレーム４８で
は上コアのポール部３８（図５参照）を形成するが、レ
ジスト厚が厚すぎると、ポール幅の制御が困難になる。
ジストを厚く塗布すると、レジストフレーム４８は凹部
４１（凸部４０の周囲の低い部分をいう。）で厚くなり
すぎる。この凹部４１の位置のレジストフレーム４８で
は上コアのポール部３８（図５参照）を形成するが、レ
ジスト厚が厚すぎると、ポール幅の制御が困難になる。
【００１０】また、図７のように凸部４０がある程度高
くなった状態でコイル層２４の上に絶縁層を形成するた
めにレジスト２６を塗布すると、凸部４０の端部４０ａ
でレジスト２６の厚みが不足し、コイル層２４の周縁部
２４ａが露出し、その上に積層されるコイル層や上コア
とショートすることがある。
くなった状態でコイル層２４の上に絶縁層を形成するた
めにレジスト２６を塗布すると、凸部４０の端部４０ａ
でレジスト２６の厚みが不足し、コイル層２４の周縁部
２４ａが露出し、その上に積層されるコイル層や上コア
とショートすることがある。
【００１１】そこで、ショートを防止するため、レジス
ト４２を厚く塗布すると、凹部４１でレジスト厚が厚く
なりすぎ、その後の露光、現像で凹部４１のレジスト２
６を現像しきれず、レジストの現像残りを生じやすくな
る。
ト４２を厚く塗布すると、凹部４１でレジスト厚が厚く
なりすぎ、その後の露光、現像で凹部４１のレジスト２
６を現像しきれず、レジストの現像残りを生じやすくな
る。
【００１２】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決して、薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層が
進んで基板上で凸部が高くなった状態で、さらにその上
に積層を重ねる場合に、レジスト厚の均一化を図ってフ
レーム切れや凹部でレジスト厚が厚くなりすぎたりレジ
ストの現像残りが生じるのを防止した薄膜磁気ヘッドの
製造方法を提供しようとするものである。
点を解決して、薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層が
進んで基板上で凸部が高くなった状態で、さらにその上
に積層を重ねる場合に、レジスト厚の均一化を図ってフ
レーム切れや凹部でレジスト厚が厚くなりすぎたりレジ
ストの現像残りが生じるのを防止した薄膜磁気ヘッドの
製造方法を提供しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板上に薄膜磁気ヘッドを構成する各層を順次積層
して薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、下層を構
成する凸部にレジストを形成し、その上に前記凸部およ
びその周囲の凹部にかけてレジストを塗布し、その上に
マスクを配置して露光し現像することにより上層を形成
する工程を含み、前記凸部にレジストを形成する工程
が、当該凸部およびその周囲の凹部にかけてレジストを
塗布する第１工程と、この塗布されたレジストのうち前
記凹部に相当する部分を削除する第２工程とを具備する
ものである。
は、基板上に薄膜磁気ヘッドを構成する各層を順次積層
して薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、下層を構
成する凸部にレジストを形成し、その上に前記凸部およ
びその周囲の凹部にかけてレジストを塗布し、その上に
マスクを配置して露光し現像することにより上層を形成
する工程を含み、前記凸部にレジストを形成する工程
が、当該凸部およびその周囲の凹部にかけてレジストを
塗布する第１工程と、この塗布されたレジストのうち前
記凹部に相当する部分を削除する第２工程とを具備する
ものである。
【００１４】また、請求項２記載の発明は、前記第１工
程と前記第２工程を複数回繰り返すことを特徴とするも
のである。
程と前記第２工程を複数回繰り返すことを特徴とするも
のである。
【００１５】
【作用】請求項１記載の発明によれば、まず第１工程と
第２工程により下層を構成する凸部にレジストを形成
し、その上に凸部およびその周囲の凹部にかけてレジス
トを塗布するようにしたので、凸部にレジストが複数層
形成されて、その分凸部のレジスト厚を厚く形成するこ
とができ、フレーム切れを防止することができる。そし
て、これにより凸部およびその周囲の凹部にかけて塗布
する上側のレジストを厚く形成しなくてすむので、凹部
でレジスト厚さが厚くなりすぎてポール幅の制御が困難
になったり、レジストの現像残りが生じるのを防止する
ことができる。
第２工程により下層を構成する凸部にレジストを形成
し、その上に凸部およびその周囲の凹部にかけてレジス
トを塗布するようにしたので、凸部にレジストが複数層
形成されて、その分凸部のレジスト厚を厚く形成するこ
とができ、フレーム切れを防止することができる。そし
て、これにより凸部およびその周囲の凹部にかけて塗布
する上側のレジストを厚く形成しなくてすむので、凹部
でレジスト厚さが厚くなりすぎてポール幅の制御が困難
になったり、レジストの現像残りが生じるのを防止する
ことができる。
【００１６】また、請求項２記載の発明によれば、第１
工程と第２工程を１回行なっただけでは凸部に必要な厚
さのレジストが形成されない場合に、この第１工程と第
２工程を複数回繰り返すことにより、凸部に必要な厚さ
のレジストを形成することができる。
工程と第２工程を１回行なっただけでは凸部に必要な厚
さのレジストが形成されない場合に、この第１工程と第
２工程を複数回繰り返すことにより、凸部に必要な厚さ
のレジストを形成することができる。
【００１７】
【実施例】この発明の一実施例を図１に示す。この工程
〜を順を追って説明する。 基板１０上には、薄膜磁気ヘッドを構成する各層の
積層部である凸部４０が途中まで形成されている。この
状態で次の第１〜第２工程で凸部４０上にのみレジスト
を形成する。すなわち、まず凸部４０およびその周囲の
凹部４１にかけてレジスト５２をスピンコートする（第
１工程）。
〜を順を追って説明する。 基板１０上には、薄膜磁気ヘッドを構成する各層の
積層部である凸部４０が途中まで形成されている。この
状態で次の第１〜第２工程で凸部４０上にのみレジスト
を形成する。すなわち、まず凸部４０およびその周囲の
凹部４１にかけてレジスト５２をスピンコートする（第
１工程）。
【００１８】 この状態でウエファー１０上にマスク
５４を配置して、凹部４１を露光し（ポジレジストの場
合。ネガレジストの場合は凸部４０以外を露光する。）
現像する。これにより、凸部４０上にのみレジスト５２
ａが形成され、基板１０上の凹凸が平坦化される（第２
工程）。
５４を配置して、凹部４１を露光し（ポジレジストの場
合。ネガレジストの場合は凸部４０以外を露光する。）
現像する。これにより、凸部４０上にのみレジスト５２
ａが形成され、基板１０上の凹凸が平坦化される（第２
工程）。
【００１９】 上記，の工程だけでは凸部４０上
に必要な厚さのレジストが形成されない場合，の工
程を繰り返す。すなわち凸部４０およびその周囲の凹部
４１にかけてレジスト５２と同じ組成のレジスト５６を
スピンコートする。
に必要な厚さのレジストが形成されない場合，の工
程を繰り返す。すなわち凸部４０およびその周囲の凹部
４１にかけてレジスト５２と同じ組成のレジスト５６を
スピンコートする。
【００２０】 ウエファー１０上にマスク５８を配置
して凹部４１を露光し（ポジレジストの場合ネガレジス
トの場合は凸部４０を露光する。）、現像する。これに
より、凸部４０上にのみレジスト５２ａ，５６ａの積層
体が形成される。なお、レジスト５２ａ＋５６ａの厚み
は、次の工程で塗布されるレジスト５８により形成され
るレジスト全体の厚みが、凸部４０では目的とする層を
形成するのに十分な厚さがあり、かつ凹部４１ではレジ
ストの現像残りが生じないような厚すぎない厚さとなる
程度に形成する。
して凹部４１を露光し（ポジレジストの場合ネガレジス
トの場合は凸部４０を露光する。）、現像する。これに
より、凸部４０上にのみレジスト５２ａ，５６ａの積層
体が形成される。なお、レジスト５２ａ＋５６ａの厚み
は、次の工程で塗布されるレジスト５８により形成され
るレジスト全体の厚みが、凸部４０では目的とする層を
形成するのに十分な厚さがあり、かつ凹部４１ではレジ
ストの現像残りが生じないような厚すぎない厚さとなる
程度に形成する。
【００２１】 以上で凸部４０上に十分な厚みのレジ
スト膜が形成されたら（２回繰り返しでも足りない場合
はさらに，工程を繰り返す）、次に、この上に凸部
４０およびその周囲の凹部４１にかけてレジスト５２，
５６と同じ組成のレジスト５８をスピンコートする。こ
のレジスト５８自体は、凸部４０上で薄く、凸部４０の
端部４０ａで特に薄く、凸部４０の周囲の凹部４１で厚
く形成されるが、凸部４０にはその下にレジスト５２ａ
＋５６ａが形成されているので、レジスト５２ａ＋５６
ａとレジスト５８を合わせた厚さは、部位によらずほぼ
均一化される。したがって、凸部４０およびその端部４
０ａでは十分なレジスト厚が確保され、凹部４１では厚
すぎないレジスト厚が確保される。
スト膜が形成されたら（２回繰り返しでも足りない場合
はさらに，工程を繰り返す）、次に、この上に凸部
４０およびその周囲の凹部４１にかけてレジスト５２，
５６と同じ組成のレジスト５８をスピンコートする。こ
のレジスト５８自体は、凸部４０上で薄く、凸部４０の
端部４０ａで特に薄く、凸部４０の周囲の凹部４１で厚
く形成されるが、凸部４０にはその下にレジスト５２ａ
＋５６ａが形成されているので、レジスト５２ａ＋５６
ａとレジスト５８を合わせた厚さは、部位によらずほぼ
均一化される。したがって、凸部４０およびその端部４
０ａでは十分なレジスト厚が確保され、凹部４１では厚
すぎないレジスト厚が確保される。
【００２２】 最後に、凸部４０の上に積層しようと
する層（コイル層、絶縁層、上コア層等）のパターンが
描かれたマスク６０をウエファー１０上に配置して露光
し、現像してその層を形成する。さらにその上に層を積
層する場合は、上記〜の工程を繰り返す。
する層（コイル層、絶縁層、上コア層等）のパターンが
描かれたマスク６０をウエファー１０上に配置して露光
し、現像してその層を形成する。さらにその上に層を積
層する場合は、上記〜の工程を繰り返す。
【００２３】以上説明した図１の工程を用いて各層を形
成する時の状態を図８〜図１０に示す。図８は、上コア
（図５参照）を形成するためのコア形成用レジストフレ
ーム４８を図１の工程で形成した状態を示すものであ
る。凸部４０およびその端部４０ａはレジスト５２ａ＋
５６ａと５８の積層により十分なレジスト厚が確保され
ているので、前記図６のようなレジスト切れは生じな
い。また、凸部４０の周囲の凹部４１はレジスト５８だ
けでレジストフレームが形成されているので、レジスト
厚は厚すぎず、したがってポール幅を高精度に形成する
ことができる。
成する時の状態を図８〜図１０に示す。図８は、上コア
（図５参照）を形成するためのコア形成用レジストフレ
ーム４８を図１の工程で形成した状態を示すものであ
る。凸部４０およびその端部４０ａはレジスト５２ａ＋
５６ａと５８の積層により十分なレジスト厚が確保され
ているので、前記図６のようなレジスト切れは生じな
い。また、凸部４０の周囲の凹部４１はレジスト５８だ
けでレジストフレームが形成されているので、レジスト
厚は厚すぎず、したがってポール幅を高精度に形成する
ことができる。
【００２４】図９は、コイル層２４の上に絶縁層２６を
図１の工程で形成する状態を示したものである。（ａ）
のように、凸部４０の上のみに形成されたレジスト５２
ａ＋５６ａの上に凸部４０およびその周囲の凹部４１に
かけてレジスト５８をスピンコートし、その上にマスク
６０を配置して、凸部４０以外を露光して現像しさらに
熱処理を加えて安定に硬化させることにより、（ｂ）の
ように絶縁層２６が形成される。凸部４０およびその端
部４０ａはレジストが複数層に形成されているため、コ
イル層２４の周縁部２４ａは図７のように露出するよう
なことはない。したがって、レジスト５８は厚く形成す
る必要がないので、凸部４０の周囲の凹部４１のレジス
ト厚は薄くてすみ、レジストの現像残りは生じない。
図１の工程で形成する状態を示したものである。（ａ）
のように、凸部４０の上のみに形成されたレジスト５２
ａ＋５６ａの上に凸部４０およびその周囲の凹部４１に
かけてレジスト５８をスピンコートし、その上にマスク
６０を配置して、凸部４０以外を露光して現像しさらに
熱処理を加えて安定に硬化させることにより、（ｂ）の
ように絶縁層２６が形成される。凸部４０およびその端
部４０ａはレジストが複数層に形成されているため、コ
イル層２４の周縁部２４ａは図７のように露出するよう
なことはない。したがって、レジスト５８は厚く形成す
る必要がないので、凸部４０の周囲の凹部４１のレジス
ト厚は薄くてすみ、レジストの現像残りは生じない。
【００２５】図１０は、コイル層を形成するためのコイ
ル層形成用レジストフレーム６１を図１の工程で形成し
た状態を示すものである。
ル層形成用レジストフレーム６１を図１の工程で形成し
た状態を示すものである。
【００２６】（ａ）のように、凸部４０の上のみに形成
されたレジスト５２ａ＋５６ａの上に凸部４０およびそ
の周囲の凹部４１にかけてレジスト５８をスピンコート
し、その上にコイルパターンを形成したマスク６０を配
置して露光して現像することにより、（ｂ）のようにコ
イル層をメッキする空間６３が形成される。凸部４０お
よびその端部４０ａはレジストが２層に形成されている
ため、十分な深さのコイル層メッキ空間６３が形成さ
れ、コイル層をメッキする際のメッキのオーバフローが
防止される。したがって、レジスト５８は厚く形成する
必要がないので、凸部４０の周囲の凹部４１のレジスト
厚は薄くてすみ、コイル端子形成用メッキ空間６３ａで
レジストの現像残りは生じない。
されたレジスト５２ａ＋５６ａの上に凸部４０およびそ
の周囲の凹部４１にかけてレジスト５８をスピンコート
し、その上にコイルパターンを形成したマスク６０を配
置して露光して現像することにより、（ｂ）のようにコ
イル層をメッキする空間６３が形成される。凸部４０お
よびその端部４０ａはレジストが２層に形成されている
ため、十分な深さのコイル層メッキ空間６３が形成さ
れ、コイル層をメッキする際のメッキのオーバフローが
防止される。したがって、レジスト５８は厚く形成する
必要がないので、凸部４０の周囲の凹部４１のレジスト
厚は薄くてすみ、コイル端子形成用メッキ空間６３ａで
レジストの現像残りは生じない。
【００２７】
【変更例】前記実施例ではレジストの塗布をスピンコー
トで行なう場合について説明したが、他の方法で塗布す
ることもできる。
トで行なう場合について説明したが、他の方法で塗布す
ることもできる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、まず第１工程と第２工程により下層を構成
する凸部にレジストを形成し、その上に凸部およびその
周囲の凹部にかけてレジストを塗布するようにしたの
で、凸部にレジストが複数層形成されて、その分凸部の
レジスト厚を厚く形成することができ、フレーム切れを
防止することができる。そして、これにより凸部および
その周囲の凹部にかけて塗布する上側のレジストを厚く
形成しなくてすむので、凹部でレジスト厚さが厚くなり
すぎてポール幅の制御が困難になったり、レジストの現
像残りが生じるのを防止することができる。
明によれば、まず第１工程と第２工程により下層を構成
する凸部にレジストを形成し、その上に凸部およびその
周囲の凹部にかけてレジストを塗布するようにしたの
で、凸部にレジストが複数層形成されて、その分凸部の
レジスト厚を厚く形成することができ、フレーム切れを
防止することができる。そして、これにより凸部および
その周囲の凹部にかけて塗布する上側のレジストを厚く
形成しなくてすむので、凹部でレジスト厚さが厚くなり
すぎてポール幅の制御が困難になったり、レジストの現
像残りが生じるのを防止することができる。
【００２９】また、請求項２記載の発明によれば、第１
工程と第２工程を１回行なっただけでは凸部に必要な厚
さのレジストが形成されない場合に、この第１工程と第
２工程を複数回繰り返すことにより、凸部に必要な厚さ
のレジストを形成することができる。
工程と第２工程を１回行なっただけでは凸部に必要な厚
さのレジストが形成されない場合に、この第１工程と第
２工程を複数回繰り返すことにより、凸部に必要な厚さ
のレジストを形成することができる。
【図１】 この発明の一実施例を示す工程図である。
【図２】 薄膜磁気ヘッドの構成例を示す正面図および
Ａ−Ａ矢視図である。
Ａ−Ａ矢視図である。
【図３】 ウエファー上に形成した薄膜磁気ヘッドを示
す斜視図およびその一部拡大断面図である。
す斜視図およびその一部拡大断面図である。
【図４】 薄膜磁気ヘッドの各層を積層して凸部が形成
された基板上にレジストをスピンコートした状態を示す
断面図である。
された基板上にレジストをスピンコートした状態を示す
断面図である。
【図５】 凸部に上コアを積層した状態を示す図であ
る。
る。
【図６】 凸部上に従来方法で上コア形成用レジストフ
レームを形成した状態を示す図である。
レームを形成した状態を示す図である。
【図７】 凸部上に従来方法で絶縁層を形成した状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】 図１の方法で凸部上に上コア形成用レジスト
フレームを形成した状態を示す図である。
フレームを形成した状態を示す図である。
【図９】 図１の方法で凸部上に絶縁層を形成する状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】 図１の方法で凸部上にコイル層形成用レジ
ストフレームを形成する状態を示す断面図である。
ストフレームを形成する状態を示す断面図である。
１ 薄膜磁気ヘッド １０ 基板 ４０ 凸部 ４１ 凹部 ５２，５６ 第１工程で塗布するレジスト ５２ａ，５６ａ 凸部に形成されたレジスト ５８ 凸部およびその周囲にかけて塗布されたレジスト
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に薄膜磁気ヘッドを構成する各層を
順次積層して薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、 下層を構成する凸部にレジストを形成し、その上に前記
凸部およびその周囲の凹部にかけてレジストを塗布し、
その上にマスクを配置して露光し現像することにより上
層を形成する工程を含み、 前記凸部にレジストを形成する工程が、当該凸部および
その周囲の凹部にかけてレジストを塗布する第１工程
と、この塗布されたレジストのうち前記凹部に相当する
部分を除去する第２工程とを具備することを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】前記第１工程と前記第２工程を複数回繰り
返すことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35509291A JPH05174320A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35509291A JPH05174320A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174320A true JPH05174320A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18441892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35509291A Pending JPH05174320A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05174320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07284662A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-31 | Rhone Poulenc Chim | 窒素の酸化物の排出を減少させるためのスピネルベースの触媒 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP35509291A patent/JPH05174320A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07284662A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-31 | Rhone Poulenc Chim | 窒素の酸化物の排出を減少させるためのスピネルベースの触媒 |
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