JP2713758B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2713758B2 JP2713758B2 JP1070154A JP7015489A JP2713758B2 JP 2713758 B2 JP2713758 B2 JP 2713758B2 JP 1070154 A JP1070154 A JP 1070154A JP 7015489 A JP7015489 A JP 7015489A JP 2713758 B2 JP2713758 B2 JP 2713758B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、一枚のウエハ上に、下部磁性膜、ギャップ
膜、導体コイル膜及び絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッド要
素を、多数、整列して形成した後、薄膜磁気ヘッド要素
の上に上部磁性膜を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。
膜、導体コイル膜及び絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッド要
素を、多数、整列して形成した後、薄膜磁気ヘッド要素
の上に上部磁性膜を形成する工程を含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。
＜従来の技術＞ 薄膜磁気ヘッドの製造に当っては、Al2O3−TiC等のセ
ラミック構造体でなるウエハ上に多数個の薄膜磁気ヘッ
ド要素を整列して形成した後、このウエハを切断して、
薄膜磁気ヘッド要素の単体を取り出す製造工程が取られ
る。
ラミック構造体でなるウエハ上に多数個の薄膜磁気ヘッ
ド要素を整列して形成した後、このウエハを切断して、
薄膜磁気ヘッド要素の単体を取り出す製造工程が取られ
る。
第４図は従来のウエハをモデル的に示す図で、１はAl
2O3−TiC等のセラミック構造体でなるウエハ、Q1〜Qnは
ウエハ１上に形成された薄膜磁気ヘッド要素である。こ
の第４図は、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの製造工
程において、上部磁性膜を形成した後のウエハを示して
いる。薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnは、ポール方向が、全
て同一方向を向くように、ウエハ１の上に整列して設け
られている。
2O3−TiC等のセラミック構造体でなるウエハ、Q1〜Qnは
ウエハ１上に形成された薄膜磁気ヘッド要素である。こ
の第４図は、面内記録再生用の薄膜磁気ヘッドの製造工
程において、上部磁性膜を形成した後のウエハを示して
いる。薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnは、ポール方向が、全
て同一方向を向くように、ウエハ１の上に整列して設け
られている。
第５図は薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnの個々の要部にお
ける斜視図で、２は下部磁性膜、21はそのポール部、22
は同じくヨーク部、３はアルミナ等でなるギャップ膜、
４は下部磁性膜２と略相似形で対向する上部磁性膜、41
はそのポール部、42は同じくそのヨーク部、５は導体コ
イル膜、６はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂でなる絶
縁膜、７、８は引出リード部である。
ける斜視図で、２は下部磁性膜、21はそのポール部、22
は同じくヨーク部、３はアルミナ等でなるギャップ膜、
４は下部磁性膜２と略相似形で対向する上部磁性膜、41
はそのポール部、42は同じくそのヨーク部、５は導体コ
イル膜、６はノボラック樹脂等の有機絶縁樹脂でなる絶
縁膜、７、８は引出リード部である。
第６図は、同じく薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnの個々の
要部構造を示す断面図で、基板１の上に、メッキ下地膜
９を介して、下部磁性膜２を形成し、下部磁性膜２上に
形成したギャップ膜３の上に、導体コイル膜51、52及び
絶縁膜61、62を積層して形成し、導体コイル膜５の上に
形成された絶縁膜63の上に、メッキ下地膜10を介して、
上部磁性膜４を形成してある。
要部構造を示す断面図で、基板１の上に、メッキ下地膜
９を介して、下部磁性膜２を形成し、下部磁性膜２上に
形成したギャップ膜３の上に、導体コイル膜51、52及び
絶縁膜61、62を積層して形成し、導体コイル膜５の上に
形成された絶縁膜63の上に、メッキ下地膜10を介して、
上部磁性膜４を形成してある。
下部磁性膜２及び上部磁性膜４は、媒体対向面となる
ポール部21−41を、ギャップ膜３による磁気ギャップG1
を介して対向させると共に、ヨーク部22−42を後端部側
で互いに磁気結合させ、この結合部のまわりに渦巻状に
導体コイル膜51、52を形成してある。
ポール部21−41を、ギャップ膜３による磁気ギャップG1
を介して対向させると共に、ヨーク部22−42を後端部側
で互いに磁気結合させ、この結合部のまわりに渦巻状に
導体コイル膜51、52を形成してある。
ウエハの完成品は、薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnの全体
を、図示しないアルミナ等の保護膜によって覆った構造
となる。
を、図示しないアルミナ等の保護膜によって覆った構造
となる。
薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnは、フォトリソグラフィと
称される高精度パターン形成技術を基本にして形成され
る。このうち、上部磁性膜４をメッキによって形成する
工程の概略を第７図に示す。
称される高精度パターン形成技術を基本にして形成され
る。このうち、上部磁性膜４をメッキによって形成する
工程の概略を第７図に示す。
まず、第７図（ａ）に示すように、下部磁性膜２の上
にギャップ膜３、導体コイル膜51、52及び絶縁膜61、6
2、63をフォトリソグラフィによって形成した後、ギャ
ップ膜３、最外側にある絶縁膜63及び基板１の表面等の
露出する部分にメッキ下地膜10を設ける。
にギャップ膜３、導体コイル膜51、52及び絶縁膜61、6
2、63をフォトリソグラフィによって形成した後、ギャ
ップ膜３、最外側にある絶縁膜63及び基板１の表面等の
露出する部分にメッキ下地膜10を設ける。
次に、第７図（ｂ）に示すように、メッキ下地膜10の
表面にフォトレジスト11を塗布する。フォトレジスト11
はスピンコーティングによって塗布する。第８図はスピ
ンコーティングを示す図で、ウエハ１を矢印ａの方向に
軸回転させ、その時の遠心力により、フォトレジスト11
を回転中心から外周方向に、矢印ｂの如く流動拡散させ
る。薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnの付された矢印Ｃはポー
ルの方向を示す。フォトレジスト11は、ポジ、ネガの何
れであってもよい。
表面にフォトレジスト11を塗布する。フォトレジスト11
はスピンコーティングによって塗布する。第８図はスピ
ンコーティングを示す図で、ウエハ１を矢印ａの方向に
軸回転させ、その時の遠心力により、フォトレジスト11
を回転中心から外周方向に、矢印ｂの如く流動拡散させ
る。薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnの付された矢印Ｃはポー
ルの方向を示す。フォトレジスト11は、ポジ、ネガの何
れであってもよい。
次に、第７図（ｃ）に示すように、フォトレジスト11
の上にフォトマスク12を位置決めし、露光し、現像す
る。このフォトリソグラフィによるパターンニング化に
より、第７図（ｄ）に示すように、フォトレジストによ
るレジストフレーム13が形成される。レジストフレーム
13はその内側に形成されるパターンが、最終的に得よう
とする上部磁性膜４のパターンとなるように形成する。
の上にフォトマスク12を位置決めし、露光し、現像す
る。このフォトリソグラフィによるパターンニング化に
より、第７図（ｄ）に示すように、フォトレジストによ
るレジストフレーム13が形成される。レジストフレーム
13はその内側に形成されるパターンが、最終的に得よう
とする上部磁性膜４のパターンとなるように形成する。
次に、第７図（ｅ）に示すように、レジストフレーム
13をマスクとして、フレームメッキ工程を行ない、パタ
ーンメッキ14を施す。このパターンメッキ14のうち、レ
ジストフレーム13によって囲まれた領域内にあるパター
ンメッキ14が上部磁性膜となる。フレームメッキ工程
は、主としてヨーク部を形成するためのメッキ工程と、
ヨーク部の表面にメッキしながらポール部を形成するメ
ッキ工程の２段メッキ工程となるのが普通である。
13をマスクとして、フレームメッキ工程を行ない、パタ
ーンメッキ14を施す。このパターンメッキ14のうち、レ
ジストフレーム13によって囲まれた領域内にあるパター
ンメッキ14が上部磁性膜となる。フレームメッキ工程
は、主としてヨーク部を形成するためのメッキ工程と、
ヨーク部の表面にメッキしながらポール部を形成するメ
ッキ工程の２段メッキ工程となるのが普通である。
この後、イオンミーリング等の手段によって、フレー
ムレジスト及びその外側のメッキを除去し、保護膜をス
パッタリングする。
ムレジスト及びその外側のメッキを除去し、保護膜をス
パッタリングする。
＜発明が解決しようとする課題＞ ところが、従来のウエハは、薄膜磁気ヘッド要素Q1〜
Qnのポール方向が全て同一方向を向くように、ウエハ１
の上に整列して設けられているため、第８図に示したよ
うに、フォトレジスト11をスピンコーティングによって
塗布する際、フォトレジスト11に対する流動抵抗が、回
転軸O1を通る中心線Ｘを境界にして、一方の領域（イ）
に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、他方の領域
（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnと
で、フォトレジスト11に対する流動抵抗が異なる。
Qnのポール方向が全て同一方向を向くように、ウエハ１
の上に整列して設けられているため、第８図に示したよ
うに、フォトレジスト11をスピンコーティングによって
塗布する際、フォトレジスト11に対する流動抵抗が、回
転軸O1を通る中心線Ｘを境界にして、一方の領域（イ）
に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、他方の領域
（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnと
で、フォトレジスト11に対する流動抵抗が異なる。
即ち、領域（イ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1
〜Qmでは、ポール方向Ｃに対して、スピンコートによる
フォトレジスト11の流動拡散方向ｂが逆行する方向であ
り、領域（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１
〜Qnでは、ポール方向Ｃが、スピンコートによるフォト
レジスト11の流動拡散方向ｂに沿う方向である。ポール
方向ｃの前後では、第５図にも示すように、絶縁膜６の
外周形状が異なる。従って、フォトレジスト11の拡散方
向ｂに対して、ポール方向Ｃが逆となる領域（イ）と、
ポール方向に向う領域（ロ）とでは、フォトレジスト11
に対する流動抵抗が異なったものとなる。
〜Qmでは、ポール方向Ｃに対して、スピンコートによる
フォトレジスト11の流動拡散方向ｂが逆行する方向であ
り、領域（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１
〜Qnでは、ポール方向Ｃが、スピンコートによるフォト
レジスト11の流動拡散方向ｂに沿う方向である。ポール
方向ｃの前後では、第５図にも示すように、絶縁膜６の
外周形状が異なる。従って、フォトレジスト11の拡散方
向ｂに対して、ポール方向Ｃが逆となる領域（イ）と、
ポール方向に向う領域（ロ）とでは、フォトレジスト11
に対する流動抵抗が異なったものとなる。
このため、例えば領域（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド
要素の群Qm＋１〜Qnのポール部に塗布されるフォトレジ
スト11の厚みをh1と、領域（イ）に属する薄膜磁気ヘッ
ド要素の群Q1〜Qmのポール部に塗布されるフォトレジス
ト11の厚みh2との間に、厚み差Δｈを生じる。この厚み
差Δｈのために、第９図（ｂ）に示す如く、フォトマス
ク12を当てた場合、フォトマスク12とフォトレジスト11
の表面の間の間隔d1が厚み差Δｈの分だけ変動して間隔
d2となり、第10図に示す如く、露光幅が幅W1から幅w2変
動し、上部磁性膜のトラック幅及び磁気特性の変化を招
く。
要素の群Qm＋１〜Qnのポール部に塗布されるフォトレジ
スト11の厚みをh1と、領域（イ）に属する薄膜磁気ヘッ
ド要素の群Q1〜Qmのポール部に塗布されるフォトレジス
ト11の厚みh2との間に、厚み差Δｈを生じる。この厚み
差Δｈのために、第９図（ｂ）に示す如く、フォトマス
ク12を当てた場合、フォトマスク12とフォトレジスト11
の表面の間の間隔d1が厚み差Δｈの分だけ変動して間隔
d2となり、第10図に示す如く、露光幅が幅W1から幅w2変
動し、上部磁性膜のトラック幅及び磁気特性の変化を招
く。
本発明の課題は、上部磁性膜を形成するためのフォリ
ソグラフィ工程において、フォトレジストをスピンコー
ティングする際、フォトレジストの塗布厚みを、個々の
薄膜磁気ヘッド要素間で均一化し、ポール幅及び磁気特
性を一定化することである。
ソグラフィ工程において、フォトレジストをスピンコー
ティングする際、フォトレジストの塗布厚みを、個々の
薄膜磁気ヘッド要素間で均一化し、ポール幅及び磁気特
性を一定化することである。
＜課題を解決するための手段＞ 上述する課題解決のため、本発明にかかる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法においては、第１図に示すように、一枚
のウエハ１の面上に多数の薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnを
整列して形成したウエハを用いる。ウエハ１に設けられ
る薄膜磁気ヘッド要素のうち、前記ウエハ１の面上に仮
想された中心線Ｘを境界として、一方の領域（イ）に属
する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、他方の領域
（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnと
は、ポール方向が互いに反対方向である。
ッドの製造方法においては、第１図に示すように、一枚
のウエハ１の面上に多数の薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnを
整列して形成したウエハを用いる。ウエハ１に設けられ
る薄膜磁気ヘッド要素のうち、前記ウエハ１の面上に仮
想された中心線Ｘを境界として、一方の領域（イ）に属
する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、他方の領域
（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnと
は、ポール方向が互いに反対方向である。
薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnは、下部磁性膜、ギャップ
膜、導体コイル膜及び前記導体コイル膜を支持する絶縁
膜を有する。
膜、導体コイル膜及び前記導体コイル膜を支持する絶縁
膜を有する。
上述した薄膜磁気ヘッド要素Q1〜Qnを、多数、整列し
て形成した後、前記薄膜磁気ヘッド要素の上に上部磁性
膜を形成するに当たり、ウエハ１に矢印ａで示すスピン
を与えながら、その表面に、薄膜磁気ヘッド要素の全体
を覆うように、フォトレジストをスピンコートする。こ
の後、前記フォトレジストの上にフォトマスクを位置決
めし、露光し、現像することにより、前記上部磁性膜の
ためのパターンを形成する。
て形成した後、前記薄膜磁気ヘッド要素の上に上部磁性
膜を形成するに当たり、ウエハ１に矢印ａで示すスピン
を与えながら、その表面に、薄膜磁気ヘッド要素の全体
を覆うように、フォトレジストをスピンコートする。こ
の後、前記フォトレジストの上にフォトマスクを位置決
めし、露光し、現像することにより、前記上部磁性膜の
ためのパターンを形成する。
＜作用＞ 上記構成であれば、第２図に示す如く、ウエハ１を、
面に垂直な軸O1を中心として矢印ａの方向に軸回転さ
せ、フォトレジストを回転中心から外周方向に矢印ｂの
如く流動拡散させてスピンコーティングを行なう際、領
域（イ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、領
域（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnと
は、フォトレジストの拡散方向ｂに対するポール方向C
1、C2の関係で、中心対称に近くなる。従って、領域
（イ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、領域
（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnが、
方向ｂに流動拡散するフォトレジストに対して、ほぼ近
似した流動抵抗を持つようになる。
面に垂直な軸O1を中心として矢印ａの方向に軸回転さ
せ、フォトレジストを回転中心から外周方向に矢印ｂの
如く流動拡散させてスピンコーティングを行なう際、領
域（イ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、領
域（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnと
は、フォトレジストの拡散方向ｂに対するポール方向C
1、C2の関係で、中心対称に近くなる。従って、領域
（イ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmと、領域
（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnが、
方向ｂに流動拡散するフォトレジストに対して、ほぼ近
似した流動抵抗を持つようになる。
このため、第３図（ａ）に示す如く、領域（ロ）に属
する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnのポール部に塗
布されるフォトレジスト11の厚みh1と、領域（イ）に属
する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmのポール部に塗布さ
れるフォトレジスト11の厚みh2との間の厚み差Δｈが著
しく小さくなる。
する薄膜磁気ヘッド要素の群Qm＋１〜Qnのポール部に塗
布されるフォトレジスト11の厚みh1と、領域（イ）に属
する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmのポール部に塗布さ
れるフォトレジスト11の厚みh2との間の厚み差Δｈが著
しく小さくなる。
厚み差Δｈの縮小により、第３図（ｂ）に示す如く、
フォトマスク12とフォトレジスト11の表面の間の間隔変
動（d1−d2）が小さくなる。この結果、10図において、
露光幅変動も縮小し、所定のトラック幅及び磁気特性を
有する上部磁性膜が形成される。
フォトマスク12とフォトレジスト11の表面の間の間隔変
動（d1−d2）が小さくなる。この結果、10図において、
露光幅変動も縮小し、所定のトラック幅及び磁気特性を
有する上部磁性膜が形成される。
領域（イ）に属する薄膜磁気ヘッド要素の群Q1〜Qmの
ポール方向C1、及び領域（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド
要素の群Qm＋１〜Qnのポール方向C2は、第１図図示とは
逆向きにしてもよい。
ポール方向C1、及び領域（ロ）に属する薄膜磁気ヘッド
要素の群Qm＋１〜Qnのポール方向C2は、第１図図示とは
逆向きにしてもよい。
＜発明の効果＞ 以上述べたように、本発明によれば、上部磁性膜を形
成するためのフォトリソグラフィ工程において、フォト
レジストをスピンコーティングする際、フォトレジスト
の塗布厚みを、薄膜磁気ヘッド要素間で均一化し、ポー
ル幅及び磁気特性の一定化し得る。
成するためのフォトリソグラフィ工程において、フォト
レジストをスピンコーティングする際、フォトレジスト
の塗布厚みを、薄膜磁気ヘッド要素間で均一化し、ポー
ル幅及び磁気特性の一定化し得る。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に用い
られるウエハをモデル的に示す斜視図、第２図は本発明
に係る製造方法の製造工程中のスピンコーティング工程
を示す斜視図、第３図はスピンコーティング後のフレー
ム形成工程を示す図、第４図は従来のウエハをモデル的
に示す斜視図、第５図は薄膜磁気ヘッド要素の斜視図、
第６図は同じく要部の断面図、第７図は上部磁性膜の形
成工程を示す図、第８図はフォトレジストのスピンコー
ティングを示す斜視図、第９図はスピンコーティング後
のフレーム形成工程における問題点を示す図、第10図は
第９図B1−B1線上における断面図である。 １……ウエハ ２……下部磁性膜 ３……ギャップ膜 ４……上部磁性膜 ５……導体コイル膜 ６、61〜63……絶縁膜 11……フォトレジスト及びレジストフレーム 21……下部磁性膜のポール部 41……上部磁性膜のポール部 Q1〜Qn……薄膜磁気ヘッド要素 Ｘ……中心線
られるウエハをモデル的に示す斜視図、第２図は本発明
に係る製造方法の製造工程中のスピンコーティング工程
を示す斜視図、第３図はスピンコーティング後のフレー
ム形成工程を示す図、第４図は従来のウエハをモデル的
に示す斜視図、第５図は薄膜磁気ヘッド要素の斜視図、
第６図は同じく要部の断面図、第７図は上部磁性膜の形
成工程を示す図、第８図はフォトレジストのスピンコー
ティングを示す斜視図、第９図はスピンコーティング後
のフレーム形成工程における問題点を示す図、第10図は
第９図B1−B1線上における断面図である。 １……ウエハ ２……下部磁性膜 ３……ギャップ膜 ４……上部磁性膜 ５……導体コイル膜 ６、61〜63……絶縁膜 11……フォトレジスト及びレジストフレーム 21……下部磁性膜のポール部 41……上部磁性膜のポール部 Q1〜Qn……薄膜磁気ヘッド要素 Ｘ……中心線
Claims (1)
- 【請求項１】一枚のウエハ上に、下部磁性膜、ギャップ
膜、導体コイル膜及び前記導体コイル膜を支持する絶縁
膜を有する薄膜磁気ヘッド要素を、多数、整列して形成
した後、前記薄膜磁気ヘッド要素の上に上部磁性膜を形
成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記上部磁性膜を形成する前記工程は、 前記ウエハにスピンを与えながら、その表面に、前記薄
膜磁気ヘッド要素の全体を覆うように、フォトレジスト
をスピンコートし、 次に、前記フォトレジストの上にフォトマスクを位置決
めし、露光し、現像することにより、前記上部磁性膜の
ためのパターンを形成する工程であり、 前記ウエハ上に設けられた前記薄膜磁気ヘッド要素の群
のうち、前記ウエハの面上に仮想された中心線を境界と
して、一方の領域に属する薄膜磁気ヘッド要素の群と、
他方の領域に属する薄膜磁気ヘッド要素の群は、ポール
方向が互いに反対方向にある 薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070154A JP2713758B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070154A JP2713758B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02249116A JPH02249116A (ja) | 1990-10-04 |
| JP2713758B2 true JP2713758B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=13423375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1070154A Expired - Lifetime JP2713758B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2713758B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185018A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1070154A patent/JP2713758B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185018A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02249116A (ja) | 1990-10-04 |
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