JPS61107514A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS61107514A JPS61107514A JP22990084A JP22990084A JPS61107514A JP S61107514 A JPS61107514 A JP S61107514A JP 22990084 A JP22990084 A JP 22990084A JP 22990084 A JP22990084 A JP 22990084A JP S61107514 A JPS61107514 A JP S61107514A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- insulating layer
- resin insulating
- layer
- photoresist
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に薄膜コ
イルの層間絶縁層として用いるホトレジストよりなる樹
脂絶縁体層の平坦化を図った薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関する。
イルの層間絶縁層として用いるホトレジストよりなる樹
脂絶縁体層の平坦化を図った薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関する。
近来、磁気ディスク装置等に用いられている磁気ヘッド
は、益々小型化、高精度化が要求され、記録に寄与する
磁極先端部での磁気ヘッドの磁界分布が急峻で、高密度
の記録を可能とする薄膜磁気ヘッドが種々提案されてい
る。
は、益々小型化、高精度化が要求され、記録に寄与する
磁極先端部での磁気ヘッドの磁界分布が急峻で、高密度
の記録を可能とする薄膜磁気ヘッドが種々提案されてい
る。
上記したＷＩ膜磁気ヘッドは、一般に第１２図（ａ）の
平面図、及び第１２図（ａ）をＡ−Ａ”線に沿って切断
した第１２図伽）に示すように、例えばフォトセラムよ
りなる基板１上に、Ｎｉ−Ｆｅパーマロイからなる下部
磁極層２が設けられ、該下部磁極Ｎ２上を含む基板１上
の所定領域には、二酸化シリコン（Ｓｔｏ ２） １１
１１よりなるギャップ層３を介してホトレジスト膜より
なる樹脂絶縁体層４が形成されて−いる。
平面図、及び第１２図（ａ）をＡ−Ａ”線に沿って切断
した第１２図伽）に示すように、例えばフォトセラムよ
りなる基板１上に、Ｎｉ−Ｆｅパーマロイからなる下部
磁極層２が設けられ、該下部磁極Ｎ２上を含む基板１上
の所定領域には、二酸化シリコン（Ｓｔｏ ２） １１
１１よりなるギャップ層３を介してホトレジスト膜より
なる樹脂絶縁体層４が形成されて−いる。
また樹脂絶縁体層４の上部には、薄膜コイル５が設けら
れ、その上には更にホトレジスト膜よりなる樹脂絶縁体
層６が設けられ、更にその上にＮｆ−Ｆｅパーマロイよ
りなる上部磁極層７が設けられ、前記下部磁極Ｎ２と上
部磁極層７とからなる磁極が前記薄膜コイル５、及びギ
ャップ層３をＵ字形に挟む構造に形成されている。
れ、その上には更にホトレジスト膜よりなる樹脂絶縁体
層６が設けられ、更にその上にＮｆ−Ｆｅパーマロイよ
りなる上部磁極層７が設けられ、前記下部磁極Ｎ２と上
部磁極層７とからなる磁極が前記薄膜コイル５、及びギ
ャップ層３をＵ字形に挟む構造に形成されている。
上記した薄膜磁気ヘッドを形成する従来の方法について
第１３図（ａｌ、 （ｂｌ乃至第１５図（ａ）、 （ｂ
ｌにより説明する。尚、各（ａ）図は平面図であり、各
（ｂｌ図は各（ａ）図をＢ−Ｂ’線に沿って切断した断
面図である。
第１３図（ａｌ、 （ｂｌ乃至第１５図（ａ）、 （ｂ
ｌにより説明する。尚、各（ａ）図は平面図であり、各
（ｂｌ図は各（ａ）図をＢ−Ｂ’線に沿って切断した断
面図である。
まず第１３図（ａ）、 （ｂ）に示すようにフォトセラ
ムよりなる非磁性基板１１上にＮｉ−Ｆｅパーマロイよ
りなる下部磁極層１２をホトリソグラフィ法およびメッ
キ法を用いて所定パターンに形成する。次いで下部磁極
層１２が形成された基板１１上にｓｉｏ ２１ｍ！より
なるギャップ層１３をスパッタ法により被着形成し、更
にその上にスピンコード法により樹脂絶縁層としてのホ
トレジスト膜１４を形成する。
ムよりなる非磁性基板１１上にＮｉ−Ｆｅパーマロイよ
りなる下部磁極層１２をホトリソグラフィ法およびメッ
キ法を用いて所定パターンに形成する。次いで下部磁極
層１２が形成された基板１１上にｓｉｏ ２１ｍ！より
なるギャップ層１３をスパッタ法により被着形成し、更
にその上にスピンコード法により樹脂絶縁層としてのホ
トレジスト膜１４を形成する。
更に第１４図（ａｌ、 （ｂ）に示すように該ホトレジ
スト１１１１４をホトリソグラフィ法により所定のパタ
ーンに形成する。この時ホトレジスト膜１４パターンの
略中央部に、下部磁極層１２に到達する上部磁極層との
接続用孔１７も同時に設ける。その後ホトレジスト膜パ
ターンを熱硬化処理して下部磁極層１２の磁極先端部と
なる部分を除くギャップ層１３上の所定領域に第１樹脂
絶縁層１５を形成する。
スト１１１１４をホトリソグラフィ法により所定のパタ
ーンに形成する。この時ホトレジスト膜１４パターンの
略中央部に、下部磁極層１２に到達する上部磁極層との
接続用孔１７も同時に設ける。その後ホトレジスト膜パ
ターンを熱硬化処理して下部磁極層１２の磁極先端部と
なる部分を除くギャップ層１３上の所定領域に第１樹脂
絶縁層１５を形成する。
更に第１５図（ａｌ、 （ｂｌに示すように前記第１樹
脂絶縁層１５上に、下部磁極層１２の厚さにより第１樹
脂絶縁層１５に段差を発生するのを防止するために、第
２樹脂絶縁層１６を、前記第１樹脂絶縁層１５と同様の
パターンで、かつ同様の方法により形成し、その上面に
ホトリソグラフィ法とメッキ法により薄膜コイル１８を
形成する。
脂絶縁層１５上に、下部磁極層１２の厚さにより第１樹
脂絶縁層１５に段差を発生するのを防止するために、第
２樹脂絶縁層１６を、前記第１樹脂絶縁層１５と同様の
パターンで、かつ同様の方法により形成し、その上面に
ホトリソグラフィ法とメッキ法により薄膜コイル１８を
形成する。
然し、上記の如き従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では
、下部磁極層１２の厚さが２〜３μｍ程度を越えると、
その下部磁極層１２上に形成されて薄膜コイル１８を、
その上に形成すべき第２の樹脂絶縁層１６に段差が生じ
やすくなるという問題点が発生する。
、下部磁極層１２の厚さが２〜３μｍ程度を越えると、
その下部磁極層１２上に形成されて薄膜コイル１８を、
その上に形成すべき第２の樹脂絶縁層１６に段差が生じ
やすくなるという問題点が発生する。
そこで上記の如く樹脂絶縁層を２層構造にして段差影響
を緩和する方法がとられているが、この方法でも樹脂絶
縁層の平坦化は今一つ不充分で、この平坦化が充分酸さ
れていない樹脂絶縁層の上で薄膜コイルのパターンニン
グを行おうとしても高精度にパターンニングされた薄膜
コイルが得られない問題が生じる。
を緩和する方法がとられているが、この方法でも樹脂絶
縁層の平坦化は今一つ不充分で、この平坦化が充分酸さ
れていない樹脂絶縁層の上で薄膜コイルのパターンニン
グを行おうとしても高精度にパターンニングされた薄膜
コイルが得られない問題が生じる。
また従来の方法で薄膜磁気ヘッドを形成する際に上記し
た事項とは別個の問題点について述べる。
た事項とは別個の問題点について述べる。
第１２図山）のＣの部分を拡大した断面図を第１６図に
示す。この図に於いて、基板１１上に形成した樹脂絶縁
層１５上から、外まで延びている薄膜コイル１８Ａは、
樹脂絶縁層１５が基板１１より急峻な段差を有した状態
でなく緩やかなテーパーを持った状態で形成されていな
いと、樹脂絶縁層１５の端部り上に於ける薄膜コイル１
８Ａは精度良くパターンニング出来ない。或いは断線を
発生しやすいという問題がある。
示す。この図に於いて、基板１１上に形成した樹脂絶縁
層１５上から、外まで延びている薄膜コイル１８Ａは、
樹脂絶縁層１５が基板１１より急峻な段差を有した状態
でなく緩やかなテーパーを持った状態で形成されていな
いと、樹脂絶縁層１５の端部り上に於ける薄膜コイル１
８Ａは精度良くパターンニング出来ない。或いは断線を
発生しやすいという問題がある。
これは薄膜コイルを形成するための樹脂絶縁層上でのホ
トレジスト膜よりなるメッキ枠が、基板より急峻なテー
パで形成されている樹脂絶縁層の端部や、基板との境界
部では高精度にパターンニング出来ないためである。
トレジスト膜よりなるメッキ枠が、基板より急峻なテー
パで形成されている樹脂絶縁層の端部や、基板との境界
部では高精度にパターンニング出来ないためである。
上記問題点は、ポジ型ホトレジストよりなる層間絶縁体
層を有する薄膜磁気ヘッドの製造に於いて、前記層間絶
縁層用のホトレジストを露光する際、ホトレジストに対
する露光量を選択的に変化せしめて、形成される樹脂絶
縁体層の厚さを選択的に変化させるようにした本発明の
薄膜磁気ヘッドの製造方法により解決される。
層を有する薄膜磁気ヘッドの製造に於いて、前記層間絶
縁層用のホトレジストを露光する際、ホトレジストに対
する露光量を選択的に変化せしめて、形成される樹脂絶
縁体層の厚さを選択的に変化させるようにした本発明の
薄膜磁気ヘッドの製造方法により解決される。
即ち、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜コイ
ルの層間絶縁膜としてのポジ型ホトレジスト膜よりなる
樹脂絶縁層をホトリソグラフィ法によって所定パターン
に形成する際、ホトレジスト膜を露光する露光量を部分
的に変化させ、この露光量に対応して部分的に厚さの異
なる樹脂絶縁層を形成して、薄膜コイルが形成されるべ
き樹脂絶縁層を平坦に形成し、以てその上に形成される
薄膜コイルが高精度にパターンニングされるようにした
ものである。
ルの層間絶縁膜としてのポジ型ホトレジスト膜よりなる
樹脂絶縁層をホトリソグラフィ法によって所定パターン
に形成する際、ホトレジスト膜を露光する露光量を部分
的に変化させ、この露光量に対応して部分的に厚さの異
なる樹脂絶縁層を形成して、薄膜コイルが形成されるべ
き樹脂絶縁層を平坦に形成し、以てその上に形成される
薄膜コイルが高精度にパターンニングされるようにした
ものである。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
まず第１図に示すように、フォトセラムより成る基板２
１上にホトリソグラフィ法およびメッキ法を用いて所定
形状のＮｉ−Ｆｅパーマロイよりなる下部磁極層２２を
形成し、更に該下部磁極層２２を含む基板２１上にスパ
ッタ法、及びホトリソグラフィ法を用いて所定形状の５
ｉ０２膜よりなるギャップ層２３を形成後、その上に第
１の樹脂絶縁層となるポジ型のホトレジストｌｌ１ｉ２
４をスピンコード法により塗布形成する。
１上にホトリソグラフィ法およびメッキ法を用いて所定
形状のＮｉ−Ｆｅパーマロイよりなる下部磁極層２２を
形成し、更に該下部磁極層２２を含む基板２１上にスパ
ッタ法、及びホトリソグラフィ法を用いて所定形状の５
ｉ０２膜よりなるギャップ層２３を形成後、その上に第
１の樹脂絶縁層となるポジ型のホトレジストｌｌ１ｉ２
４をスピンコード法により塗布形成する。
次いで第２図に示すようにホトレジスト膜２４を形成し
た基板２１上にホトマスク２５を設置し、矢印Ｅ方向よ
り紫外線を照射し、ホトレジスト膜２４の除去すべき部
分Ｆを露光する。
た基板２１上にホトマスク２５を設置し、矢印Ｅ方向よ
り紫外線を照射し、ホトレジスト膜２４の除去すべき部
分Ｆを露光する。
次いで第３図に示すように前記露光したホトレジスト膜
２４上に前記したホトマスク２５と別個のホトマスク２
６を設置し、矢印Ｇの方向より紫外線を照射し、下部磁
極層２２上のホトレジスト膜２４を露光する。この時、
下部磁極Ｆｆ２２上のホトレジスト膜２４の厚さの約１
／２程度の厚さのホトレジスト膜が露光されるように紫
外線の照射量を調整して露光するようにする。
２４上に前記したホトマスク２５と別個のホトマスク２
６を設置し、矢印Ｇの方向より紫外線を照射し、下部磁
極層２２上のホトレジスト膜２４を露光する。この時、
下部磁極Ｆｆ２２上のホトレジスト膜２４の厚さの約１
／２程度の厚さのホトレジスト膜が露光されるように紫
外線の照射量を調整して露光するようにする。
１ 次いでこのように露光したホトレジス
ト膜２４を第４図に示すように現像液を用いて現像し、
下部磁極Ｎ２２上に厚さの薄い状態のホトレジスｌ−１
１１２７を形成する。
ト膜２４を第４図に示すように現像液を用いて現像し、
下部磁極Ｎ２２上に厚さの薄い状態のホトレジスｌ−１
１１２７を形成する。
次いでこのようにして形成したホトレジスト膜２７を２
００〜３００℃の温度で加熱硬化させて第１の樹脂絶縁
層２８を形成する。このようにすれば、第５図に示すよ
うに下部磁極層２２上には厚さの薄い第１Ｎの樹脂絶縁
層２８が形成されたことになる。
００〜３００℃の温度で加熱硬化させて第１の樹脂絶縁
層２８を形成する。このようにすれば、第５図に示すよ
うに下部磁極層２２上には厚さの薄い第１Ｎの樹脂絶縁
層２８が形成されたことになる。
次いで第６図に示すように第１層の樹脂絶縁層２８の上
に第２層の樹脂絶縁層２９を形成する。このようにすれ
ば、下部磁極層２２の上の第１層の樹脂絶縁層２８の厚
さは薄く形成され、また下部磁極層２２の周辺部に形成
されている第１層の樹脂絶縁層２８の厚さは殆ど下部磁
極層２２の厚さ程度に分厚く形成されるので、第１層の
樹脂絶縁層２８の上に形成される第２Ｎの樹脂絶縁層２
９は、下部磁極層２２の影響によって段差を生じること
なく平坦に形成される。
に第２層の樹脂絶縁層２９を形成する。このようにすれ
ば、下部磁極層２２の上の第１層の樹脂絶縁層２８の厚
さは薄く形成され、また下部磁極層２２の周辺部に形成
されている第１層の樹脂絶縁層２８の厚さは殆ど下部磁
極層２２の厚さ程度に分厚く形成されるので、第１層の
樹脂絶縁層２８の上に形成される第２Ｎの樹脂絶縁層２
９は、下部磁極層２２の影響によって段差を生じること
なく平坦に形成される。
尚、上記実施例に於いてはホトマスクを２枚用いてホト
レジスト膜２４の露光を行ったが、第７図 ・
ｒに示すように下部磁極層２２の上のホトレジスト膜は
露光量を少なくして、除去されるホトレジスト膜の厚さ
を薄（し、下部磁極Ｆｆ２２の周辺を除く不要なホトレ
ジスト膜は露光量を大きくして充分露光されるようにし
た、例えば３０に示すようなホトマスクを用いることも
可能である。このホトマスク３０は露光量を少なくする
部分Ｈには、紫外線が透過しないようにガラス基板３１
にクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等の膜３２を、厚さ
を薄くして蒸着しており、露光量を多く必要とする部分
にはガラス基板３１にクロム膜３２を蒸着形成していな
い。このようにガラス基板に蒸着するクロム等の厚さを
適当に制御することで、ホトマスク３０を透過する紫外
線の強度を調整でき、このホトマスク３０を用いること
で、露光量を部分的に変化させてホトレジスト膜に紫外
線を照射することができる。
レジスト膜２４の露光を行ったが、第７図 ・
ｒに示すように下部磁極層２２の上のホトレジスト膜は
露光量を少なくして、除去されるホトレジスト膜の厚さ
を薄（し、下部磁極Ｆｆ２２の周辺を除く不要なホトレ
ジスト膜は露光量を大きくして充分露光されるようにし
た、例えば３０に示すようなホトマスクを用いることも
可能である。このホトマスク３０は露光量を少なくする
部分Ｈには、紫外線が透過しないようにガラス基板３１
にクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等の膜３２を、厚さ
を薄くして蒸着しており、露光量を多く必要とする部分
にはガラス基板３１にクロム膜３２を蒸着形成していな
い。このようにガラス基板に蒸着するクロム等の厚さを
適当に制御することで、ホトマスク３０を透過する紫外
線の強度を調整でき、このホトマスク３０を用いること
で、露光量を部分的に変化させてホトレジスト膜に紫外
線を照射することができる。
また前記した従来の薄膜磁気ヘッドを形成する際に生じ
る別個の問題点を除去するための本発明の他の実施例に
ついて述べる。
る別個の問題点を除去するための本発明の他の実施例に
ついて述べる。
前述した第１２図山）のＣの部分を形成する場合につい
て述べる。まず第８図に示すように基板２１上にギャッ
プ層２３となる５ｉ０２膜を介して第１層の樹脂絶縁層
となるホトレジスト膜２４をスピンコード法により塗布
形成する。
て述べる。まず第８図に示すように基板２１上にギャッ
プ層２３となる５ｉ０２膜を介して第１層の樹脂絶縁層
となるホトレジスト膜２４をスピンコード法により塗布
形成する。
次いで第９図に示すようにクロムＩＩＩＩ！３２が部分
的に厚さを変えて蒸着されているホトマスク３３を用い
て紫外線を照射して露光する。
的に厚さを変えて蒸着されているホトマスク３３を用い
て紫外線を照射して露光する。
その後、このホトレジスト膜２４を現像することで第１
０図に示すように端部が階段状に薄く形成されたホトレ
ジスト膜３４が形成され、このホトレジスト膜３４を熱
硬化処理することで第１１図に示すような端部のテーパ
ーが緩やかな樹脂絶縁層３５が形成され、その上に形成
される薄膜コイルが高精度にパターンニングできる。
０図に示すように端部が階段状に薄く形成されたホトレ
ジスト膜３４が形成され、このホトレジスト膜３４を熱
硬化処理することで第１１図に示すような端部のテーパ
ーが緩やかな樹脂絶縁層３５が形成され、その上に形成
される薄膜コイルが高精度にパターンニングできる。
以上述べたように本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
よれば、薄膜コイルを形成すべき樹脂絶縁層が平坦に、
且つ端部のテーパをなだらかにして形成できるので、そ
の上に形成される薄膜コイルが高精度にパターンニング
形成できる効果がある。
よれば、薄膜コイルを形成すべき樹脂絶縁層が平坦に、
且つ端部のテーパをなだらかにして形成できるので、そ
の上に形成される薄膜コイルが高精度にパターンニング
形成できる効果がある。
第１図乃至第７図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
の第１の実施例を説明するための断面図、第８図乃至第
１１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２の実
施例を説明するための断面図、第１２図（ａｌは薄膜磁
気ヘッドの構造を示す平面図、第１２図（ｂ）は第１２
図（ａｌをＡ−Ａ ’線に沿って切断した断面図、 第１３図（ａｌ乃至第１５図（ａｌは従来の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための平面図、 第１３図（ｂ）乃至第１５図中）は第１３図（ａ）乃至
第１５図（ｂ）をＢ−Ｂ ’線に沿って切断した断面図
、第１６図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いて
形成した樹脂絶縁膜の不都合な状態を示す断面図である
。 図に於いて、２１は基板、２２は下部磁極層、２３はギ
ャップ層、２４．２７．３４はホトレジスト膜、２５．
２６゜３０、３３はホトマスク、２８．３５は第１樹脂
絶縁層、２９は第２樹脂絶縁層、３１はガラス基板、３
２はクロム、またはチタン膜を示す。 第１図 第４閏 第５図 第６図 第７図 第８図 九 第９閏 第１０図 シ 第１Ｉ ｒＭ 第１２図（Ｑ） ＄ １４図（Ｑ） ！ｌｉ １５図（Ｑ） 第１５圀（ｂ） 手続補正書卿 昭和６０年 ３月１１日 １、事件の表示 昭和５９年術欅第２２９９００号 ２、発明の名称 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株式会社 （１） 本願明ｍ書第１１頁第９ｊテの１１８１３図
（ａＪ乃至第１５図ｆａｔは」を「第１３図乃至第１５
図の（ａｌは」に補する。 （２） 同頁第１１行および第１２行の「第１３図中
）・・・第１５図（ｂｌを」を［第１３図中）、第１４
図中）および第１５図中）は第１３図（ａｌ、第１４図
（ａ）および第１５図Ｔａｌをそれぞれ」に補正する。 以上
の第１の実施例を説明するための断面図、第８図乃至第
１１図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２の実
施例を説明するための断面図、第１２図（ａｌは薄膜磁
気ヘッドの構造を示す平面図、第１２図（ｂ）は第１２
図（ａｌをＡ−Ａ ’線に沿って切断した断面図、 第１３図（ａｌ乃至第１５図（ａｌは従来の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための平面図、 第１３図（ｂ）乃至第１５図中）は第１３図（ａ）乃至
第１５図（ｂ）をＢ−Ｂ ’線に沿って切断した断面図
、第１６図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いて
形成した樹脂絶縁膜の不都合な状態を示す断面図である
。 図に於いて、２１は基板、２２は下部磁極層、２３はギ
ャップ層、２４．２７．３４はホトレジスト膜、２５．
２６゜３０、３３はホトマスク、２８．３５は第１樹脂
絶縁層、２９は第２樹脂絶縁層、３１はガラス基板、３
２はクロム、またはチタン膜を示す。 第１図 第４閏 第５図 第６図 第７図 第８図 九 第９閏 第１０図 シ 第１Ｉ ｒＭ 第１２図（Ｑ） ＄ １４図（Ｑ） ！ｌｉ １５図（Ｑ） 第１５圀（ｂ） 手続補正書卿 昭和６０年 ３月１１日 １、事件の表示 昭和５９年術欅第２２９９００号 ２、発明の名称 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株式会社 （１） 本願明ｍ書第１１頁第９ｊテの１１８１３図
（ａＪ乃至第１５図ｆａｔは」を「第１３図乃至第１５
図の（ａｌは」に補する。 （２） 同頁第１１行および第１２行の「第１３図中
）・・・第１５図（ｂｌを」を［第１３図中）、第１４
図中）および第１５図中）は第１３図（ａｌ、第１４図
（ａ）および第１５図Ｔａｌをそれぞれ」に補正する。 以上
Claims (1)
- ポジ型ホトレジストよりなる層間絶縁層を有する薄膜磁
気ヘッドの製造に於いて、前記層間絶縁層用のホトレジ
ストを露光する際、ホトレジストに対する露光量を選択
的に変化せしめて、形成される樹脂絶縁層の厚さを選択
的に変化させるようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22990084A JPS61107514A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22990084A JPS61107514A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107514A true JPS61107514A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16899484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22990084A Pending JPS61107514A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107514A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05197923A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-08-06 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US5920978A (en) * | 1995-03-01 | 1999-07-13 | Fujitsu Limited | Method of making a thin film magnetic slider |
| US6088908A (en) * | 1997-09-19 | 2000-07-18 | Fujitsu Limited | Method of making a head slider |
| US20100035189A1 (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | Tdk Corporation | Forming method of resist pattern and manufacturing method of thin-film magnetic head |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP22990084A patent/JPS61107514A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05197923A (ja) * | 1992-01-22 | 1993-08-06 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US5920978A (en) * | 1995-03-01 | 1999-07-13 | Fujitsu Limited | Method of making a thin film magnetic slider |
| US6088908A (en) * | 1997-09-19 | 2000-07-18 | Fujitsu Limited | Method of making a head slider |
| US20100035189A1 (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | Tdk Corporation | Forming method of resist pattern and manufacturing method of thin-film magnetic head |
| US8420299B2 (en) * | 2008-08-06 | 2013-04-16 | Tdk Corporation | Forming method of resist pattern and manufacturing method of thin-film magnetic head |
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