JPH05197923A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH05197923A JPH05197923A JP4009260A JP926092A JPH05197923A JP H05197923 A JPH05197923 A JP H05197923A JP 4009260 A JP4009260 A JP 4009260A JP 926092 A JP926092 A JP 926092A JP H05197923 A JPH05197923 A JP H05197923A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ヘッド素子部が薄膜技術によって積層構成され
た薄膜磁気ヘッドにおけるギャップ深さを短小化するこ
とで電磁変換特性を改善する技術に関し、ギャップ深さ
GD＝０に限り無く接近させても樹脂製の絶縁層が露出す
ることのない構造を実現することで、電磁変換特性をさ
らに改善することを目的とする。 【構成】基板上に、少なくとも下部磁極７、ギャップ絶
縁層８、下部絶縁層10ａ、コイル層９、上部絶縁層10ｂ
および上部磁極11を有する薄膜磁気ヘッドを製造する際
に、下部磁極７の先端絞り部7a上の部分M1が、先端絞り
部7aの両側の部分M2よりも突出した形状のマスクＭを、
絶縁膜上に配置してパターニングすることで、下部磁極
７の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、該先端
絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させて
なる構成とする。
た薄膜磁気ヘッドにおけるギャップ深さを短小化するこ
とで電磁変換特性を改善する技術に関し、ギャップ深さ
GD＝０に限り無く接近させても樹脂製の絶縁層が露出す
ることのない構造を実現することで、電磁変換特性をさ
らに改善することを目的とする。 【構成】基板上に、少なくとも下部磁極７、ギャップ絶
縁層８、下部絶縁層10ａ、コイル層９、上部絶縁層10ｂ
および上部磁極11を有する薄膜磁気ヘッドを製造する際
に、下部磁極７の先端絞り部7a上の部分M1が、先端絞り
部7aの両側の部分M2よりも突出した形状のマスクＭを、
絶縁膜上に配置してパターニングすることで、下部磁極
７の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、該先端
絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させて
なる構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヘッド素子部が薄膜技
術によって積層構成された薄膜磁気ヘッドにおけるギャ
ップ深さを短小化することで電磁変換特性を改善する技
術に関する。
術によって積層構成された薄膜磁気ヘッドにおけるギャ
ップ深さを短小化することで電磁変換特性を改善する技
術に関する。
【０００２】
〔薄膜磁気ヘッドの構成〕図４は薄膜磁気ヘッドの全容
を示す斜視図、図５は同薄膜磁気ヘッドによって情報の
記録／再生を行なっている状態を示す断面図（図４にお
けるＶ−Ｖ断面図）である。
を示す斜視図、図５は同薄膜磁気ヘッドによって情報の
記録／再生を行なっている状態を示す断面図（図４にお
けるＶ−Ｖ断面図）である。
【０００３】薄膜磁気ヘッドは、スライダ部１とヘッド
素子部２とで構成され、スライダ部１の後端1rにヘッド
素子部２が成膜技術とリソグラフィ技術によって積層形
成されている。３は薄膜コイルの端子である。浮上レー
ル４やスライダ部１前端1fの流入斜面５は、ヘッド素子
部２の形成後に、スライダ部１を研削することによって
形成される。
素子部２とで構成され、スライダ部１の後端1rにヘッド
素子部２が成膜技術とリソグラフィ技術によって積層形
成されている。３は薄膜コイルの端子である。浮上レー
ル４やスライダ部１前端1fの流入斜面５は、ヘッド素子
部２の形成後に、スライダ部１を研削することによって
形成される。
【０００４】図５に示すように、ヘッド素子部２は、磁
路を構成する下部磁極７と上部磁極11との間に薄膜コイ
ル９を巻いた構成になっている。そして、ギャップ絶縁
層８の厚さで、下部磁極７と上部磁極11間のギャップＧ
の寸法が規定され、このギャップＧの先端を磁気記録媒
体Ｄに対向させることで、情報の記録／再生が行われ
る。
路を構成する下部磁極７と上部磁極11との間に薄膜コイ
ル９を巻いた構成になっている。そして、ギャップ絶縁
層８の厚さで、下部磁極７と上部磁極11間のギャップＧ
の寸法が規定され、このギャップＧの先端を磁気記録媒
体Ｄに対向させることで、情報の記録／再生が行われ
る。
【０００５】薄膜コイル９は、コイル絶縁層10で絶縁さ
れており、また下部保護膜６と上部保護膜12でヘッド全
体が覆われている。GDはギャップ深さ（ギャップ・ディ
プス）であり、下部磁極７と上部磁極11とのギャップＧ
の広がり始める点すなわち下部絶縁層10ａの先端Ａから
磁極先端面までの寸法である。
れており、また下部保護膜６と上部保護膜12でヘッド全
体が覆われている。GDはギャップ深さ（ギャップ・ディ
プス）であり、下部磁極７と上部磁極11とのギャップＧ
の広がり始める点すなわち下部絶縁層10ａの先端Ａから
磁極先端面までの寸法である。
【０００６】コイル９に情報信号を通電したときに、下
部磁極７と上部磁極11間に発生する磁界で磁気記録媒体
Ｄに情報を記録するため、Ｓ／Ｎ特性およびオーバーラ
イト特性などにすぐれ、効率的に情報を記録／再生可能
とするには、ギャップ深さGDを浅くして、コイル９から
の距離を短くすることが必要であり、望ましくはギャッ
プ深さGD＝０が良い。
部磁極７と上部磁極11間に発生する磁界で磁気記録媒体
Ｄに情報を記録するため、Ｓ／Ｎ特性およびオーバーラ
イト特性などにすぐれ、効率的に情報を記録／再生可能
とするには、ギャップ深さGDを浅くして、コイル９から
の距離を短くすることが必要であり、望ましくはギャッ
プ深さGD＝０が良い。
【０００７】しかしながら、ギャップ深さGD＝０にする
と、内部の樹脂製のコイル絶縁層10が磁気記録媒体Ｄと
の摺動面ｓに露出し、ヘッドクラッシュなどを引き起こ
す恐れがある。
と、内部の樹脂製のコイル絶縁層10が磁気記録媒体Ｄと
の摺動面ｓに露出し、ヘッドクラッシュなどを引き起こ
す恐れがある。
【０００８】〔薄膜磁気ヘッドの製造プロセス〕図６
は、薄膜磁気ヘッドにおけるヘッド素子部２の成膜プロ
セスを工程順に示す断面図であり、この図によって、成
膜プロセスの概略を説明する。なお、各膜の形状は、成
膜後にリソグラフィ技術とエッチングによって所定パタ
ーンに形成される。
は、薄膜磁気ヘッドにおけるヘッド素子部２の成膜プロ
セスを工程順に示す断面図であり、この図によって、成
膜プロセスの概略を説明する。なお、各膜の形状は、成
膜後にリソグラフィ技術とエッチングによって所定パタ
ーンに形成される。
【０００９】a.下部磁極の成膜 研削後にスライダ部となるAl2 O3・TiＣの基板（ウェ
ハ）13上に、Al2O3 をスパッタし、下部保護膜６とす
る。その上に、NiFeをメッキで成膜し、下部磁極７とす
る。
ハ）13上に、Al2O3 をスパッタし、下部保護膜６とす
る。その上に、NiFeをメッキで成膜し、下部磁極７とす
る。
【００１０】b.ギャップ絶縁層の成膜 下部磁極７上にAl2O3 をスパッタで成膜し、ギャップ絶
縁層８を形成する。
縁層８を形成する。
【００１１】c.コイル絶縁層の成膜 ギャップ絶縁層８上にフォトレジストをスピンコートし
て熱硬化させ、コイル絶縁層10ａを形成する。ただし、
１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため、
数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイル
絶縁層10ａとする。
て熱硬化させ、コイル絶縁層10ａを形成する。ただし、
１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため、
数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイル
絶縁層10ａとする。
【００１２】なお、絶縁膜を繰り返し成膜する際に、リ
ソグラフィ技術とエッチングによって、絶縁膜各層の先
端を徐々に後退させ、傾斜部14ａを形成するとともに、
傾斜部14ａの先端Ａをギャップ深さの起点とする。
ソグラフィ技術とエッチングによって、絶縁膜各層の先
端を徐々に後退させ、傾斜部14ａを形成するとともに、
傾斜部14ａの先端Ａをギャップ深さの起点とする。
【００１３】d.薄膜コイルの成膜 コイル絶縁層10ａ上にCuをメッキで成膜してパターニン
グし、上部磁極11の後端11ｂを中心とする渦巻き状の薄
膜コイル９を形成する。
グし、上部磁極11の後端11ｂを中心とする渦巻き状の薄
膜コイル９を形成する。
【００１４】e.コイル絶縁層の成膜 薄膜コイル９上にフォトレジストをスピンコートし、熱
硬化させてコイル絶縁層10ｂを形成する。この場合も、
１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため、
数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイル
絶縁層10ｂとする。また、繰り返し行なう成膜の際に、
リソグラフィ技術とエッチング技術によって、絶縁膜各
層の先端を徐々に後退させ、傾斜部14ｂとする。
硬化させてコイル絶縁層10ｂを形成する。この場合も、
１回のコーティングと熱硬化では膜厚が足りないため、
数回繰り返して成膜を行ない、必要とする膜厚のコイル
絶縁層10ｂとする。また、繰り返し行なう成膜の際に、
リソグラフィ技術とエッチング技術によって、絶縁膜各
層の先端を徐々に後退させ、傾斜部14ｂとする。
【００１５】f.上部磁極の成膜 コイル絶縁層10ｂの上にNiFeをメッキで成膜し、パター
ニングして上部磁極11を形成する。
ニングして上部磁極11を形成する。
【００１６】g.上部保護膜の成膜 上部磁極11上にAl2O3 をスパッタで成膜し、上部保護膜
12を形成する。その後、前記ヘッド素子部２の対が数個
〜10個単位のスライダブロックに分離し、スライダブロ
ックの状態で、15で示す研削位置まで研削して、ギャッ
プ深さGDを決定する。
12を形成する。その後、前記ヘッド素子部２の対が数個
〜10個単位のスライダブロックに分離し、スライダブロ
ックの状態で、15で示す研削位置まで研削して、ギャッ
プ深さGDを決定する。
【００１７】〔ギャップ深さの研削〕図７は、スライダ
ブロックの切断分離の仕方とギャップ深さ加工を示す図
で、(a)はウェハの平面図、(b)は１個のスライダブロッ
クの平面図、(c)は１個のスライダブロックの拡大斜視
図、である。
ブロックの切断分離の仕方とギャップ深さ加工を示す図
で、(a)はウェハの平面図、(b)は１個のスライダブロッ
クの平面図、(c)は１個のスライダブロックの拡大斜視
図、である。
【００１８】前記のプロセスによって、(a)に示すよう
に１枚のウェハ16上に同時に多数のヘッド素子部２を配
列形成した後、鎖線Ｌ上を切断して、ヘッド素子部２の
対が数個ないし10個単位のスライダブロック17に分離
し、各スライダブロック17ごとに、ギャップ深さが所定
の寸法となるように研削する。すなわち、(c)図に示す
ギャップ深さ加工面19を、図６(g)に示す研削位置15ま
で、基板13と成膜各層を研削する。
に１枚のウェハ16上に同時に多数のヘッド素子部２を配
列形成した後、鎖線Ｌ上を切断して、ヘッド素子部２の
対が数個ないし10個単位のスライダブロック17に分離
し、各スライダブロック17ごとに、ギャップ深さが所定
の寸法となるように研削する。すなわち、(c)図に示す
ギャップ深さ加工面19を、図６(g)に示す研削位置15ま
で、基板13と成膜各層を研削する。
【００１９】ところで、ギャップ深さは、スライダブロ
ック17の外側から直接測定することはできない。そのた
め、ヘッド素子部２の成膜工程の途中で、ギャップ深さ
の目安となる加工基準パターン18ａ、18ｂを、スライダ
ブロック17の両端位置に形成しておき、該加工基準パタ
ーン18ａ、18ｂの幅Ｗが所定の値となるまで研削する。
ック17の外側から直接測定することはできない。そのた
め、ヘッド素子部２の成膜工程の途中で、ギャップ深さ
の目安となる加工基準パターン18ａ、18ｂを、スライダ
ブロック17の両端位置に形成しておき、該加工基準パタ
ーン18ａ、18ｂの幅Ｗが所定の値となるまで研削する。
【００２０】すなわち、スライダブロック17の両端位置
には、図６における下部磁極７〜上部磁極11の成膜は行
なわず、下部絶縁層10ａを成膜した後に、下部保護膜６
上に下部絶縁層10ａの先端Ａに合わせて加工基準パター
ン18ａ、18ｂを形成し、その上に透明な上部保護膜12を
成膜する。
には、図６における下部磁極７〜上部磁極11の成膜は行
なわず、下部絶縁層10ａを成膜した後に、下部保護膜６
上に下部絶縁層10ａの先端Ａに合わせて加工基準パター
ン18ａ、18ｂを形成し、その上に透明な上部保護膜12を
成膜する。
【００２１】そして、ギャップ深さ研削時に、Ｘ−Ｙテ
ーブルによってスライダブロック17を一方向例えばＸ軸
方向に送りながら、ギャップ深さ加工面19に砥石を突き
当てて、両方の加工基準パターン18ａ、18ｂの寸法Ｗが
所定の値となるまで平面研削する。
ーブルによってスライダブロック17を一方向例えばＸ軸
方向に送りながら、ギャップ深さ加工面19に砥石を突き
当てて、両方の加工基準パターン18ａ、18ｂの寸法Ｗが
所定の値となるまで平面研削する。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は薄
膜磁気ヘッドの製造の段階において、ギャップ深さを可
能な限り小さくし、かつギャップ深さの設定を厳密に行
なうことで、電磁変換特性の改善を行なっているが、記
録密度の向上にともない、電磁変換特性をさらに向上さ
せることが要求されており、ギャップ深さGDをさらに短
くし、可能な限りゼロに近づけることが求められてい
る。
膜磁気ヘッドの製造の段階において、ギャップ深さを可
能な限り小さくし、かつギャップ深さの設定を厳密に行
なうことで、電磁変換特性の改善を行なっているが、記
録密度の向上にともない、電磁変換特性をさらに向上さ
せることが要求されており、ギャップ深さGDをさらに短
くし、可能な限りゼロに近づけることが求められてい
る。
【００２３】しかしながら、そのために図６（ｇ）のＡ
位置までギャップ深さ加工しようとすると、図８（ｂ）
に示すように、ギャップ深さGD＝０の位置、すなわち絶
縁層先端位置Ａが現れる前に、下部磁極７の先端絞り部
7aの両側の下部絶縁層10ａが現れる。このように強度の
弱い樹脂系の絶縁層10ａが薄膜磁気ヘッドの浮上面ｓに
露出すると、ヘッドクラッシュなどの原因となる。
位置までギャップ深さ加工しようとすると、図８（ｂ）
に示すように、ギャップ深さGD＝０の位置、すなわち絶
縁層先端位置Ａが現れる前に、下部磁極７の先端絞り部
7aの両側の下部絶縁層10ａが現れる。このように強度の
弱い樹脂系の絶縁層10ａが薄膜磁気ヘッドの浮上面ｓに
露出すると、ヘッドクラッシュなどの原因となる。
【００２４】このように、下部磁極７上の絶縁層先端位
置Ａよりも先に、下部磁極の先端絞り部7aの両側の下部
絶縁層10ａが現れるのは、次のような理由による。図９
は、下部絶縁層が形成されるまでの工程を示す図であ
る。図９(a)(b)は、図６（ｂ）のように、下部磁極７上
にギャップ絶縁層８を積層した状態であり、(a) は斜視
図、(b) は正面図である。図示のように、下部磁極７お
よびギャップ絶縁層８は、前記ギャップＧに磁束が集中
するように、先端を絞って細くしている。
置Ａよりも先に、下部磁極の先端絞り部7aの両側の下部
絶縁層10ａが現れるのは、次のような理由による。図９
は、下部絶縁層が形成されるまでの工程を示す図であ
る。図９(a)(b)は、図６（ｂ）のように、下部磁極７上
にギャップ絶縁層８を積層した状態であり、(a) は斜視
図、(b) は正面図である。図示のように、下部磁極７お
よびギャップ絶縁層８は、前記ギャップＧに磁束が集中
するように、先端を絞って細くしている。
【００２５】このようにギャップ絶縁層８が形成された
下部磁極７の上に、図６の工程（ｃ）以降の処理が行わ
れるが、下部磁極７の先端絞り部７ａ上には、ギャップ
絶縁層８を挟んで上部磁極11を積層する必要がある。
下部磁極７の上に、図６の工程（ｃ）以降の処理が行わ
れるが、下部磁極７の先端絞り部７ａ上には、ギャップ
絶縁層８を挟んで上部磁極11を積層する必要がある。
【００２６】そのため、全体にフォトレジストを塗布
し、露光・現像を行なうことで、図９（ｃ）〜（ｅ）の
ように、下部磁極先端絞り部7a以外のみに下部絶縁層が
残るようにしている。図９（ｃ）は下部絶縁層10ａを形
成した後の状態を示す斜視図、（ｄ）は同状態の正面
図、（ｅ）は同状態の側面図である。図（ｄ）（ｅ）か
ら明らかなように、下部保護膜６上のフォトレジストr1
表面と、下部磁極７およびギャップ絶縁層８の先端絞り
部7a上のフォトレジストr2表面とでは高さが異なり、光
源からの距離が異なるため、図８（ａ）に示すように、
下部磁極先端絞り部7aの上のフォトレジストr2が、下部
磁極先端絞り部7aの両側のフォトレジストr1よりも後退
した状態で現像される。
し、露光・現像を行なうことで、図９（ｃ）〜（ｅ）の
ように、下部磁極先端絞り部7a以外のみに下部絶縁層が
残るようにしている。図９（ｃ）は下部絶縁層10ａを形
成した後の状態を示す斜視図、（ｄ）は同状態の正面
図、（ｅ）は同状態の側面図である。図（ｄ）（ｅ）か
ら明らかなように、下部保護膜６上のフォトレジストr1
表面と、下部磁極７およびギャップ絶縁層８の先端絞り
部7a上のフォトレジストr2表面とでは高さが異なり、光
源からの距離が異なるため、図８（ａ）に示すように、
下部磁極先端絞り部7aの上のフォトレジストr2が、下部
磁極先端絞り部7aの両側のフォトレジストr1よりも後退
した状態で現像される。
【００２７】すなわち、図９(a)(b)のギャップ絶縁層８
の上一面にフォトレジストを塗布しプリベークした後、
その上に図10(a) に示すように先端m1が一直線のマスク
ｍを重ねて露光し、現像すると、図10(b)(c)に示すよう
に、下部磁極先端絞り部7aの上のフォトレジストr2が、
下部磁極先端絞り部7aの両側のフォトレジストr1よりも
後退する。
の上一面にフォトレジストを塗布しプリベークした後、
その上に図10(a) に示すように先端m1が一直線のマスク
ｍを重ねて露光し、現像すると、図10(b)(c)に示すよう
に、下部磁極先端絞り部7aの上のフォトレジストr2が、
下部磁極先端絞り部7aの両側のフォトレジストr1よりも
後退する。
【００２８】その結果、図８に示すように、ギャップ深
さGD＝０とするべく、ギャップ深さ加工しようとして
も、絶縁層先端位置Ａに達する前のｄ位置で、下部磁極
の先端絞り部7aの両側の下部絶縁層ｒ１が露出してく
る。また、フォトマスクの形状を工夫したりして、図９
（ｅ）に示すように、下部磁極の先端絞り部の上のフォ
トレジストｒ２が、先端絞り部の両側のフォトレジスト
ｒ１と同じ位置にそろうように形成したとしても、ギャ
ップ深さGD＝０まで加工すると同時に、先端絞り部の両
側のフォトレジストｒ１が露出して来る。結局、ギャッ
プ深さGD＝０に限り無く近くすることは不可能である。
さGD＝０とするべく、ギャップ深さ加工しようとして
も、絶縁層先端位置Ａに達する前のｄ位置で、下部磁極
の先端絞り部7aの両側の下部絶縁層ｒ１が露出してく
る。また、フォトマスクの形状を工夫したりして、図９
（ｅ）に示すように、下部磁極の先端絞り部の上のフォ
トレジストｒ２が、先端絞り部の両側のフォトレジスト
ｒ１と同じ位置にそろうように形成したとしても、ギャ
ップ深さGD＝０まで加工すると同時に、先端絞り部の両
側のフォトレジストｒ１が露出して来る。結局、ギャッ
プ深さGD＝０に限り無く近くすることは不可能である。
【００２９】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、ギャップ深さGD＝０に限り無く接近させても樹
脂製の絶縁層が露出することのない構造を実現すること
で、電磁変換特性をさらに改善することにある。
着目し、ギャップ深さGD＝０に限り無く接近させても樹
脂製の絶縁層が露出することのない構造を実現すること
で、電磁変換特性をさらに改善することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明による薄膜
磁気ヘッドの基本原理を説明する図である。請求項１の
発明は、基板上に、少なくとも下部磁極層７、ギャップ
絶縁層８、下部絶縁層10ａ、コイル層９、上部絶縁層10
ｂおよび上部磁極層11を有する薄膜磁気ヘッドにおい
て、下部磁極７の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに
対し、下部磁極７の先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端
ａを相対的に後退させてなる構成である。
磁気ヘッドの基本原理を説明する図である。請求項１の
発明は、基板上に、少なくとも下部磁極層７、ギャップ
絶縁層８、下部絶縁層10ａ、コイル層９、上部絶縁層10
ｂおよび上部磁極層11を有する薄膜磁気ヘッドにおい
て、下部磁極７の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに
対し、下部磁極７の先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端
ａを相対的に後退させてなる構成である。
【００３１】請求項２の発明は、前記のように、基板上
に、少なくとも下部磁極層７、ギャップ絶縁層８、下部
絶縁層10ａ、コイル層９、上部絶縁層10ｂおよび上部磁
極層11を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁極７の
先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、下部磁極７
の先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退
させるとともに、下部磁極７の先端絞り部7a上の絶縁層
r2の先端位置Ａに対し0.５μｍ以内までギャップ深さ加
工してなる構成である。
に、少なくとも下部磁極層７、ギャップ絶縁層８、下部
絶縁層10ａ、コイル層９、上部絶縁層10ｂおよび上部磁
極層11を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、下部磁極７の
先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、下部磁極７
の先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退
させるとともに、下部磁極７の先端絞り部7a上の絶縁層
r2の先端位置Ａに対し0.５μｍ以内までギャップ深さ加
工してなる構成である。
【００３２】請求項３の発明は、図３(a) のように下部
磁極７の先端絞り部7a上の部分M1が先端絞り部7aの両側
の部分M2よりも突出した形状のマスクＭを、絶縁膜の上
に配設して、絶縁層をパターニングすることで、下部磁
極７の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、先端
絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させる
方法である。
磁極７の先端絞り部7a上の部分M1が先端絞り部7aの両側
の部分M2よりも突出した形状のマスクＭを、絶縁膜の上
に配設して、絶縁層をパターニングすることで、下部磁
極７の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、先端
絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させる
方法である。
【００３３】
【作用】請求項１のように、下部磁極７の先端絞り部7a
上の絶縁層r2の先端Ａに対し、下部磁極７の先端絞り部
7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させた構成と
するため、ギャップ深さGD＝０に限り無く接近させて
も、先端絞り部7a両側の絶縁層r1が露出してくるような
ことはない。したがって、本発明によれば、ギャップ深
さをゼロに限り無く接近させることが可能となる。
上の絶縁層r2の先端Ａに対し、下部磁極７の先端絞り部
7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させた構成と
するため、ギャップ深さGD＝０に限り無く接近させて
も、先端絞り部7a両側の絶縁層r1が露出してくるような
ことはない。したがって、本発明によれば、ギャップ深
さをゼロに限り無く接近させることが可能となる。
【００３４】また、請求項２のように、下部磁極７の先
端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、下部磁極７の
先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退さ
せるとともに、先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端位置Ａ
に対し0.５μｍ以内までギャップ深さ加工することによ
り、ギャップ深さを0.５μｍ〜ゼロとすることができ、
薄膜磁気ヘッドにおける電磁変換特性を格段と向上でき
る。
端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、下部磁極７の
先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退さ
せるとともに、先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端位置Ａ
に対し0.５μｍ以内までギャップ深さ加工することによ
り、ギャップ深さを0.５μｍ〜ゼロとすることができ、
薄膜磁気ヘッドにおける電磁変換特性を格段と向上でき
る。
【００３５】請求項３のように、絶縁層をパターニング
するためのマスクＭの形状が、下部磁極７の先端絞り部
7a上の部分M1が先端絞り部7aの両側の部分M2よりも突出
しているため、パターニング後の絶縁層は、下部磁極７
の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、先端絞り
部7a両側の絶縁層r1の先端ａが相対的に後退した形状と
なる。このようにマスク形状を変えるだけで容易に、絶
縁層の先端を、先端絞り部7a上に対し先端絞り部7a両側
が相対的に後退した形状にできる。
するためのマスクＭの形状が、下部磁極７の先端絞り部
7a上の部分M1が先端絞り部7aの両側の部分M2よりも突出
しているため、パターニング後の絶縁層は、下部磁極７
の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、先端絞り
部7a両側の絶縁層r1の先端ａが相対的に後退した形状と
なる。このようにマスク形状を変えるだけで容易に、絶
縁層の先端を、先端絞り部7a上に対し先端絞り部7a両側
が相対的に後退した形状にできる。
【００３６】
【実施例】次に本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法が実際上どのように具体化されるかを実施例で
説明する。図２は本発明による薄膜磁気ヘッドの各種実
施例を示す縦断面図である。薄膜磁気ヘッドの完成状態
を示す図２において、Ａは下部磁極７の先端絞り部7a上
の絶縁層r2の先端位置であり、ａは該先端絞り部7a両側
の絶縁層r1の先端位置である。
製造方法が実際上どのように具体化されるかを実施例で
説明する。図２は本発明による薄膜磁気ヘッドの各種実
施例を示す縦断面図である。薄膜磁気ヘッドの完成状態
を示す図２において、Ａは下部磁極７の先端絞り部7a上
の絶縁層r2の先端位置であり、ａは該先端絞り部7a両側
の絶縁層r1の先端位置である。
【００３７】図２の（ａ）と（ｂ）とでは、ギャップ絶
縁層８の位置が異なる。（ａ）図は下部磁極７と下部絶
縁層10ａとの間にギャップ絶縁層８が配置されているの
に対し、（ｂ）図は上部磁極11と上部絶縁層10ｂとの間
にギャップ絶縁層８が形成されている。また、下部絶縁
層10ａと上部絶縁層10ｂとの間にギャップ絶縁層８を配
置することも可能である。
縁層８の位置が異なる。（ａ）図は下部磁極７と下部絶
縁層10ａとの間にギャップ絶縁層８が配置されているの
に対し、（ｂ）図は上部磁極11と上部絶縁層10ｂとの間
にギャップ絶縁層８が形成されている。また、下部絶縁
層10ａと上部絶縁層10ｂとの間にギャップ絶縁層８を配
置することも可能である。
【００３８】いずれの場合も、浮上面ｓに最も近い絶縁
層は、下部絶縁層10ａの先端であり、下部絶縁層10ａの
先端位置Ａでギャップ深さが決まる。そして、下部磁極
先端絞り部7a上の下部絶縁層10ａの先端位置Ａよりも、
下部磁極先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端位置ａが寸
法ｂだけ後退しているため、Ａ位置の間近までギャップ
深さ加工しても、先端絞り部7a両側の絶縁層r1が先に露
出するようなことはない。
層は、下部絶縁層10ａの先端であり、下部絶縁層10ａの
先端位置Ａでギャップ深さが決まる。そして、下部磁極
先端絞り部7a上の下部絶縁層10ａの先端位置Ａよりも、
下部磁極先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端位置ａが寸
法ｂだけ後退しているため、Ａ位置の間近までギャップ
深さ加工しても、先端絞り部7a両側の絶縁層r1が先に露
出するようなことはない。
【００３９】したがって、本発明において、“下部磁極
の先端絞り部7a上の絶縁層r2”とは、（ｂ）図のように
下部磁極７の先端絞り部7aの上に直接積層されている絶
縁層も、（ａ）図のようにギャップ絶縁層８を介して下
部磁極先端絞り部7aの上に積層されている絶縁層も含ま
れるものとする。
の先端絞り部7a上の絶縁層r2”とは、（ｂ）図のように
下部磁極７の先端絞り部7aの上に直接積層されている絶
縁層も、（ａ）図のようにギャップ絶縁層８を介して下
部磁極先端絞り部7aの上に積層されている絶縁層も含ま
れるものとする。
【００４０】（ａ）図、（ｂ）図とも、下部絶縁層10ａ
の先端が浮上面ｓに最も近いのに対し、（ｃ）図の場合
は、上部絶縁層10ｂの先端が浮上面ｓに最も近い。すな
わち、上部絶縁層10ｂが下部絶縁層10ａおよび中間絶縁
層10ｃの全面を覆うように積層し、上部絶縁層10ｂの先
端位置Ａでギャップ深さが決まるようにしている。
の先端が浮上面ｓに最も近いのに対し、（ｃ）図の場合
は、上部絶縁層10ｂの先端が浮上面ｓに最も近い。すな
わち、上部絶縁層10ｂが下部絶縁層10ａおよび中間絶縁
層10ｃの全面を覆うように積層し、上部絶縁層10ｂの先
端位置Ａでギャップ深さが決まるようにしている。
【００４１】したがって、この構成では、上部絶縁層10
ｂで下部磁極７の先端絞り部7a上の絶縁層r2が形成さ
れ、この上部絶縁層10ｂにおいて、先端位置Ａよりも下
部磁極先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端位置ａが寸法
ｂだけ後退している。なお、中間絶縁層10ｃの先端が浮
上面ｓに最も接近するように形成することも可能であ
る。
ｂで下部磁極７の先端絞り部7a上の絶縁層r2が形成さ
れ、この上部絶縁層10ｂにおいて、先端位置Ａよりも下
部磁極先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端位置ａが寸法
ｂだけ後退している。なお、中間絶縁層10ｃの先端が浮
上面ｓに最も接近するように形成することも可能であ
る。
【００４２】図３は、このように下部磁極７の先端絞り
部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、該先端絞り部7aの両
側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させる方法を例示
する図であり、下部絶縁層10ａのパターニングに実施し
た例である。
部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、該先端絞り部7aの両
側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させる方法を例示
する図であり、下部絶縁層10ａのパターニングに実施し
た例である。
【００４３】この図で (a)はマスクＭの平面図、 (b)は
このマスクＭで下部絶縁層10ａをパターニングした後の
平面図、 (c)は (b)図におけるｃ−ｃ断面図である。本
発明の場合、マスクＭの形状が、(a) 図のように下部磁
極７の先端絞り部7a上の部分M1のみ、先端絞り部7aの両
側の部分M2よりも突出している。
このマスクＭで下部絶縁層10ａをパターニングした後の
平面図、 (c)は (b)図におけるｃ−ｃ断面図である。本
発明の場合、マスクＭの形状が、(a) 図のように下部磁
極７の先端絞り部7a上の部分M1のみ、先端絞り部7aの両
側の部分M2よりも突出している。
【００４４】そのため、このマスクＭを下部絶縁層10ａ
用のフォトレジスト膜上に重ねて露光・現像すると、
(b)図に示すように、下部磁極７の先端絞り部7a上の絶
縁層r2の先端Ａに対し、該先端絞り部7aの両側の絶縁層
r1の先端ａが相対的に後退した形状となる。
用のフォトレジスト膜上に重ねて露光・現像すると、
(b)図に示すように、下部磁極７の先端絞り部7a上の絶
縁層r2の先端Ａに対し、該先端絞り部7aの両側の絶縁層
r1の先端ａが相対的に後退した形状となる。
【００４５】下部絶縁層10ａのパターニング後は、マス
クＭを除去し、一面にCuメッキを行なった後パターニン
グして、図６(d) の薄膜コイル９を形成する。
クＭを除去し、一面にCuメッキを行なった後パターニン
グして、図６(d) の薄膜コイル９を形成する。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、請求項１によれば、下部
磁極７の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、下
部磁極７の先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａが相対
的に後退しているため、ギャップ深さGD＝０に限り無く
接近させても、強度の弱い絶縁層r1が露出してきて、ヘ
ッドクラッシュを招くような恐れはなく、ギャップ深さ
をゼロに限り無く接近させることが可能となる。
磁極７の先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、下
部磁極７の先端絞り部7a両側の絶縁層r1の先端ａが相対
的に後退しているため、ギャップ深さGD＝０に限り無く
接近させても、強度の弱い絶縁層r1が露出してきて、ヘ
ッドクラッシュを招くような恐れはなく、ギャップ深さ
をゼロに限り無く接近させることが可能となる。
【００４７】また、請求項１のように、下部磁極先端絞
り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、該先端絞り部7a両
側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させるとともに、
請求項２のように、該先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端
位置Ａに対し0.５μｍ以内までギャップ深さ加工するこ
とにより、ギャップ深さを0.５μｍ〜ゼロとすることが
でき、薄膜磁気ヘッドにおける電磁変換特性が格段と向
上する。
り部7a上の絶縁層r2の先端Ａに対し、該先端絞り部7a両
側の絶縁層r1の先端ａを相対的に後退させるとともに、
請求項２のように、該先端絞り部7a上の絶縁層r2の先端
位置Ａに対し0.５μｍ以内までギャップ深さ加工するこ
とにより、ギャップ深さを0.５μｍ〜ゼロとすることが
でき、薄膜磁気ヘッドにおける電磁変換特性が格段と向
上する。
【００４８】このように絶縁層先端を、先端絞り部7a上
の部分に対し両側を相対的に後退させるには、請求項３
のように先端絞り部7a上の部分が突出した形状のマスク
Ｍを用いることで容易に実現できる。
の部分に対し両側を相対的に後退させるには、請求項３
のように先端絞り部7a上の部分が突出した形状のマスク
Ｍを用いることで容易に実現できる。
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドの基本原理を説明
する図である。
する図である。
【図２】本発明による薄膜磁気ヘッドの各種実施例を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図３】本発明による下部絶縁層のパターニング方法を
示す図である。
示す図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの全容を示す斜視図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドで情報の記録／再生を行なって
いる状態を示す断面図である。
いる状態を示す断面図である。
【図６】薄膜磁気ヘッドにおけるヘッド素子部の成膜プ
ロセスを工程順に示す断面図である。
ロセスを工程順に示す断面図である。
【図７】スライダブロックの切断分離とギャップ深さの
加工方法を示す図である。
加工方法を示す図である。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、ギャップ深さ
GD＝０に限り無く近づくようにギャップ深さ加工した場
合を示す図である。
GD＝０に限り無く近づくようにギャップ深さ加工した場
合を示す図である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドにおける下部絶縁層が形
成されるまでの様子を示す図である。
成されるまでの様子を示す図である。
【図10】従来の薄膜磁気ヘッドにおける下部絶縁層のパ
ターニング方法を示す図である。
ターニング方法を示す図である。
１ スライダ部 ２ ヘッド素子部 ３ 薄膜コイルの端子 ６ 下部保護膜 ７ 下部磁極 7a 先端絞り部 ８ ギャップ絶縁層 Ｇ 記録／再生ギャップ GD ギャップ深さ ｓ 浮上面（摺動面） Ｄ 磁気記録媒体 ９ 薄膜コイル 10 コイル絶縁層 10a 下部絶縁層 10b 上部絶縁層 10c 中間絶縁層 r1 下部磁極先端絞り部の両側の絶縁層 ａ 下部磁極先端絞り部の両側の絶縁層の先端位置 r2 下部磁極先端絞り部上の絶縁層 Ａ 下部磁極先端絞り部上の絶縁層の先端位置 ｄ 従来の薄膜磁気ヘッドにおけるギャップ深さ加工位
置 ｍ 従来のマスク Ｍ 本発明によるマスク M1 下部磁極の先端絞り部上の部分( 突出部 ) 11 上部磁極 12 上部保護膜 13 基板 15 研削位置 16 ウェハ 17 スライダブロック 19 ギャップ深さ加工面
置 ｍ 従来のマスク Ｍ 本発明によるマスク M1 下部磁極の先端絞り部上の部分( 突出部 ) 11 上部磁極 12 上部保護膜 13 基板 15 研削位置 16 ウェハ 17 スライダブロック 19 ギャップ深さ加工面
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも下部磁極(7) 、ギ
ャップ絶縁層(8) 、下部絶縁層(10a) 、コイル層(9) 、
上部絶縁層(10b) および上部磁極(11)を有する薄膜磁気
ヘッドにおいて、 下部磁極(7) の先端絞り部(7a)上の絶縁層(r2)の先端
(A) に対し、下部磁極(7) の先端絞り部(7a)両側の絶縁
層(r1)の先端(a) を相対的に後退させてなることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に、少なくとも下部磁極(7) 、ギ
ャップ絶縁層(8) 、下部絶縁層(10a) 、コイル層(9) 、
上部絶縁層(10b) および上部磁極(11)を有する薄膜磁気
ヘッドにおいて、 下部磁極(7) の先端絞り部(7a)上の絶縁層(r2)の先端
(A) に対し、下部磁極(7) の先端絞り部(7a)両側の絶縁
層(r1)の先端(a) を相対的に後退させるとともに、 下部磁極(7) の先端絞り部(7a)上の絶縁層(r2)の先端位
置(A) に対し0.５μｍ以内までギャップ深さ加工してな
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 下部磁極(7) の先端絞り部(7a)上の部分
(M1)が先端絞り部(7a)の両側の部分(M2)よりも突出した
形状のマスクＭを、絶縁膜の上に設けて、絶縁層のパタ
ーニングを行なうことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4009260A JP2811514B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4009260A JP2811514B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05197923A true JPH05197923A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2811514B2 JP2811514B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=11715462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4009260A Expired - Fee Related JP2811514B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2811514B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192221A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107514A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61243913A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP4009260A patent/JP2811514B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107514A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61243913A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192221A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2811514B2 (ja) | 1998-10-15 |
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