JP2862519B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2862519B2 JP2862519B2 JP4183497A JP4183497A JP2862519B2 JP 2862519 B2 JP2862519 B2 JP 2862519B2 JP 4183497 A JP4183497 A JP 4183497A JP 4183497 A JP4183497 A JP 4183497A JP 2862519 B2 JP2862519 B2 JP 2862519B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の記録・再生に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関するものである。
等の記録・再生に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置では、記録媒体上のデ
ータは磁気ヘッドによって読み書きされる。磁気ディス
クの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面
記録密度を高密度化する必要がある。面記録密度向上の
方法は、トラック密度及び線記録密度を向上させること
である。このうちトラック密度向上のためには、磁気ヘ
ッドのトラック幅を微細、高精度化する必要がある。薄
膜磁気ヘッドのトラック部分を含む磁気コア形成方法と
しては、イオンミリング等のドライエッチングを用いる
方法及びフレームめっき法を用いる方法が広く知られて
いる。
ータは磁気ヘッドによって読み書きされる。磁気ディス
クの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面
記録密度を高密度化する必要がある。面記録密度向上の
方法は、トラック密度及び線記録密度を向上させること
である。このうちトラック密度向上のためには、磁気ヘ
ッドのトラック幅を微細、高精度化する必要がある。薄
膜磁気ヘッドのトラック部分を含む磁気コア形成方法と
しては、イオンミリング等のドライエッチングを用いる
方法及びフレームめっき法を用いる方法が広く知られて
いる。
【０００３】イオンミリング等のドライエッチングを用
いる方法では、下部磁気コア、磁気ギャップ膜、導体コ
イル及び導体コイルの絶縁膜が形成された基板上に、パ
ーマロイ等の磁性膜をスパッタリングで形成し、そのの
ちホトリソグラフィーにより磁性膜上にレジストのパタ
ーンを形成する。次に、レジストのパターンをマスクと
して磁性膜にイオンミリング等のドライエッチングを施
す。これにより、上部磁気コアを形成する。このような
ドライエッチングを用いたものとして特開平７−２２５
９１７号公報には、トラック幅を画定する磁極端領域を
イオンミリングを用いて後部領域より先に形成する方法
の例が開示されている。
いる方法では、下部磁気コア、磁気ギャップ膜、導体コ
イル及び導体コイルの絶縁膜が形成された基板上に、パ
ーマロイ等の磁性膜をスパッタリングで形成し、そのの
ちホトリソグラフィーにより磁性膜上にレジストのパタ
ーンを形成する。次に、レジストのパターンをマスクと
して磁性膜にイオンミリング等のドライエッチングを施
す。これにより、上部磁気コアを形成する。このような
ドライエッチングを用いたものとして特開平７−２２５
９１７号公報には、トラック幅を画定する磁極端領域を
イオンミリングを用いて後部領域より先に形成する方法
の例が開示されている。
【０００４】一方、フレームめっき法では、下部磁気コ
ア、磁気ギャップ膜、導体コイル及び導体コイルの絶縁
膜が形成された基板上に、ホトリソグラフィーによりレ
ジストのフレームを形成し、その後このフレームが形成
された基板上にパーマロイ等の磁性膜をめっきする。次
に、ホトリソグラフィーによりフレームで囲まれた領域
をレジストでマスクして、ウエットエッチングにより不
要な磁性膜を除去し、上部磁気コアを形成する。
ア、磁気ギャップ膜、導体コイル及び導体コイルの絶縁
膜が形成された基板上に、ホトリソグラフィーによりレ
ジストのフレームを形成し、その後このフレームが形成
された基板上にパーマロイ等の磁性膜をめっきする。次
に、ホトリソグラフィーによりフレームで囲まれた領域
をレジストでマスクして、ウエットエッチングにより不
要な磁性膜を除去し、上部磁気コアを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したように磁気デ
ィスク装置の高記録密度化を達成するためには、磁気ヘ
ッドの狭トラック化及び高精度化を図る必要がある。ま
た、磁気コア先端部であるトラック部分での磁気的飽和
を避けるためには、磁気コアの膜厚を厚くする必要があ
る。
ィスク装置の高記録密度化を達成するためには、磁気ヘ
ッドの狭トラック化及び高精度化を図る必要がある。ま
た、磁気コア先端部であるトラック部分での磁気的飽和
を避けるためには、磁気コアの膜厚を厚くする必要があ
る。
【０００６】しかしながら、このような厚い膜をイオン
ミリング等のドライエッチングで加工する方法では、ホ
トリソグラフィーによって形成されたレジストパターン
の寸法バラツキに、そのレジストパターンをマスクとし
て磁性膜をドライエッチングする際の寸法バラツキが重
畳されるため、上部磁気コアを高精度に形成することが
できない。この点、フレームめっき法ではレジストフレ
ームの寸法バラツキだけなので、寸法精度の点でイオン
ミリング等のドライエッチングを用いる方法に比べて有
利である。
ミリング等のドライエッチングで加工する方法では、ホ
トリソグラフィーによって形成されたレジストパターン
の寸法バラツキに、そのレジストパターンをマスクとし
て磁性膜をドライエッチングする際の寸法バラツキが重
畳されるため、上部磁気コアを高精度に形成することが
できない。この点、フレームめっき法ではレジストフレ
ームの寸法バラツキだけなので、寸法精度の点でイオン
ミリング等のドライエッチングを用いる方法に比べて有
利である。
【０００７】また、形状についても、イオンミリング等
のドライエッチングを用いる方法では、トラック部分の
形状は垂直にならず、台形状の順テーパ形状となる。こ
の点についても、フレームめっき法は、フレームの形状
を垂直にコントロールすることにより、トラック部分を
垂直にすることが可能である。しかし、フレーム形成に
用いるレジストをスピンコーティングにより塗布する
と、薄膜磁気ヘッドの後部領域（導体コイル及び導体コ
イルの絶縁膜が形成されている領域、基板上の段差上部
に位置する部分）でのレジスト膜厚が薄くなる。そのた
め、従来のフレームめっき法では、薄膜磁気ヘッドの後
部領域でのフレーム高さを確保するようにレジストの塗
布を行うが、このとき薄膜磁気ヘッドの先端部領域（情
報の書き込み、読み出し用の磁気ギャップ及びトラック
が形成される領域、基板上の段差下部に位置する部分）
のレジスト膜厚が著しく厚くなる問題が生ずる。
のドライエッチングを用いる方法では、トラック部分の
形状は垂直にならず、台形状の順テーパ形状となる。こ
の点についても、フレームめっき法は、フレームの形状
を垂直にコントロールすることにより、トラック部分を
垂直にすることが可能である。しかし、フレーム形成に
用いるレジストをスピンコーティングにより塗布する
と、薄膜磁気ヘッドの後部領域（導体コイル及び導体コ
イルの絶縁膜が形成されている領域、基板上の段差上部
に位置する部分）でのレジスト膜厚が薄くなる。そのた
め、従来のフレームめっき法では、薄膜磁気ヘッドの後
部領域でのフレーム高さを確保するようにレジストの塗
布を行うが、このとき薄膜磁気ヘッドの先端部領域（情
報の書き込み、読み出し用の磁気ギャップ及びトラック
が形成される領域、基板上の段差下部に位置する部分）
のレジスト膜厚が著しく厚くなる問題が生ずる。
【０００８】例えば、粘度が８００ｃｐ（＝ｍＰａ・
ｓ）のレジストを、段差１０μｍの基板上において、後
部領域でのレジスト膜厚が５μｍとなるように塗布した
ところ、先端部領域でのレジスト膜厚は１３μｍであっ
た。このようにレジスト膜厚が厚いと、露光機の焦点深
度と解像度との関係から、例えば２．５μｍ以下の狭ト
ラックパターンが高精度に形成できなくなる問題があ
る。また、トラック部分のフレーム間隔が２．０μｍの
パターンが形成できても、フレーム間隔とフレーム高さ
とのアスペクト比は６．５〜７．０と極めて高くなるた
め、トラック部分へのめっき液の流動性が悪くなり、め
っき膜厚や組成が変化してしまう問題がある。
ｓ）のレジストを、段差１０μｍの基板上において、後
部領域でのレジスト膜厚が５μｍとなるように塗布した
ところ、先端部領域でのレジスト膜厚は１３μｍであっ
た。このようにレジスト膜厚が厚いと、露光機の焦点深
度と解像度との関係から、例えば２．５μｍ以下の狭ト
ラックパターンが高精度に形成できなくなる問題があ
る。また、トラック部分のフレーム間隔が２．０μｍの
パターンが形成できても、フレーム間隔とフレーム高さ
とのアスペクト比は６．５〜７．０と極めて高くなるた
め、トラック部分へのめっき液の流動性が悪くなり、め
っき膜厚や組成が変化してしまう問題がある。
【０００９】このような問題を解決する方法として、特
開平７−１７６０１６号公報には、基板の後部領域にフ
レームを形成した後、そのフレームを１００〜１４０℃
のベークで硬化させ、その後基板の先端部領域にフレー
ムを後部領域のフレームと一体化するように形成し、上
部磁気コアを形成する方法が開示されている。この方法
によれば、後部領域のフレームを形成する際に、先端部
領域のレジスト膜厚を考慮する必要が無いので、先端部
領域のフレームに最適なレジスト膜厚にすることができ
る。しかし、先端部と後部領域のフレームを別々に形成
しているため、フレーム同志の合わせずれが生じた場
合、上部磁気コアの形状不良となる恐れがある。
開平７−１７６０１６号公報には、基板の後部領域にフ
レームを形成した後、そのフレームを１００〜１４０℃
のベークで硬化させ、その後基板の先端部領域にフレー
ムを後部領域のフレームと一体化するように形成し、上
部磁気コアを形成する方法が開示されている。この方法
によれば、後部領域のフレームを形成する際に、先端部
領域のレジスト膜厚を考慮する必要が無いので、先端部
領域のフレームに最適なレジスト膜厚にすることができ
る。しかし、先端部と後部領域のフレームを別々に形成
しているため、フレーム同志の合わせずれが生じた場
合、上部磁気コアの形状不良となる恐れがある。
【００１０】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑み、高精度な狭トラック幅をもち、かつ形状の良好な
上部磁気コアをもつ薄膜磁気ヘッドの作製方法を提供す
ることを目的とするものである。
鑑み、高精度な狭トラック幅をもち、かつ形状の良好な
上部磁気コアをもつ薄膜磁気ヘッドの作製方法を提供す
ることを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明においては、フレ
ームを形成するレジスト層を２回に分けて形成し、ま
た、２層のレジスト層を同時にパターニングしてフレー
ムを形成することにより前記目的を達成する。すなわ
ち、本発明は、下部磁気コア、磁気ギャップ膜、及び絶
縁膜に埋設された導体コイルを有する基板上にレジスト
を塗布し、パターンニングによりフレームを形成した
後、めっき膜を形成し、その後、フレームで囲まれる領
域にマスクをしてめっき膜をエッチングすることによ
り、上部磁気コアを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、基板上に、導体コイル及び絶縁膜が形成され
た基板の後部領域において、のちに形成する第２のレジ
スト層と合わせてフレームが最適な膜厚となるようにレ
ジストを塗布し、少なくとも薄膜磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ及びトラックが形成される基板先端部領域を除去す
るようにパターンニングして第１のレジスト層を形成す
る工程と、第１のレジスト層が形成された基板上に、薄
膜磁気ヘッドの磁気ギャップ及びトラックが形成される
基板先端部領域においてフレームが最適な膜厚となるよ
うにレジストを塗布して第２のレジスト層を形成する工
程と、第１及び第２のレジスト層をフレームとして同時
にパターンニングしてフレームを形成する工程と、を有
することを特徴とする。
ームを形成するレジスト層を２回に分けて形成し、ま
た、２層のレジスト層を同時にパターニングしてフレー
ムを形成することにより前記目的を達成する。すなわ
ち、本発明は、下部磁気コア、磁気ギャップ膜、及び絶
縁膜に埋設された導体コイルを有する基板上にレジスト
を塗布し、パターンニングによりフレームを形成した
後、めっき膜を形成し、その後、フレームで囲まれる領
域にマスクをしてめっき膜をエッチングすることによ
り、上部磁気コアを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、基板上に、導体コイル及び絶縁膜が形成され
た基板の後部領域において、のちに形成する第２のレジ
スト層と合わせてフレームが最適な膜厚となるようにレ
ジストを塗布し、少なくとも薄膜磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ及びトラックが形成される基板先端部領域を除去す
るようにパターンニングして第１のレジスト層を形成す
る工程と、第１のレジスト層が形成された基板上に、薄
膜磁気ヘッドの磁気ギャップ及びトラックが形成される
基板先端部領域においてフレームが最適な膜厚となるよ
うにレジストを塗布して第２のレジスト層を形成する工
程と、第１及び第２のレジスト層をフレームとして同時
にパターンニングしてフレームを形成する工程と、を有
することを特徴とする。
【００１２】このとき、第２のレジスト層を形成するレ
ジストは第１のレジスト層を形成するレジストより低粘
度とするのが好ましい。
ジストは第１のレジスト層を形成するレジストより低粘
度とするのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は本発明を用いて作
製された薄膜磁気ヘッドの概略斜視図、図２は図１に示
す薄膜磁気ヘッドのＡ−Ａ矢視方向概略断面図である。
薄膜磁気ヘッドは、図１及び図２に示すように、ベース
アルミナ２を有する基板１上に、下部磁気コア３、磁気
ギャップ膜４、渦巻き状に巻回された導体コイル５、導
体コイル５の絶縁膜６、めっき下地膜７と磁性めっき膜
からなる上部磁気コア１２が形成されて構成されてい
る。
いて図面を参照して説明する。図１は本発明を用いて作
製された薄膜磁気ヘッドの概略斜視図、図２は図１に示
す薄膜磁気ヘッドのＡ−Ａ矢視方向概略断面図である。
薄膜磁気ヘッドは、図１及び図２に示すように、ベース
アルミナ２を有する基板１上に、下部磁気コア３、磁気
ギャップ膜４、渦巻き状に巻回された導体コイル５、導
体コイル５の絶縁膜６、めっき下地膜７と磁性めっき膜
からなる上部磁気コア１２が形成されて構成されてい
る。
【００１４】下部磁気コア３及び上部磁気コア１２は、
基板１の後部領域Ｂ（導体コイル５及び絶縁膜６が形成
されている部分）において導体コイル５を貫くようにし
て互いに磁気結合すると共に、基板１の先端部領域Ｃ
（情報読み出し、書き込み用磁気ギャップ及びトラック
が形成される部分）において互いに磁気結合しており、
これにより磁気回路を形成している。
基板１の後部領域Ｂ（導体コイル５及び絶縁膜６が形成
されている部分）において導体コイル５を貫くようにし
て互いに磁気結合すると共に、基板１の先端部領域Ｃ
（情報読み出し、書き込み用磁気ギャップ及びトラック
が形成される部分）において互いに磁気結合しており、
これにより磁気回路を形成している。
【００１５】上記構成の薄膜磁気ヘッドは、導体コイル
５に入力された電気信号を磁気信号に変換して、基板１
の先端部領域Ｃにおいて下部磁気コア３及び上部磁気コ
ア１２が磁気ギャップ膜４を介して対向する部分、すな
わち磁気ギャップにより、磁気記録媒体への情報の書き
込みを行う。また、該磁気ギャップが検出した磁気信号
を電気信号に変換して導体コイル５から出力することに
より、磁気記録媒体からの情報を読み出す。
５に入力された電気信号を磁気信号に変換して、基板１
の先端部領域Ｃにおいて下部磁気コア３及び上部磁気コ
ア１２が磁気ギャップ膜４を介して対向する部分、すな
わち磁気ギャップにより、磁気記録媒体への情報の書き
込みを行う。また、該磁気ギャップが検出した磁気信号
を電気信号に変換して導体コイル５から出力することに
より、磁気記録媒体からの情報を読み出す。
【００１６】次に、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法について説明する。図３及び図４は、本発明の方法
によりフレームを形成する工程の一例を示すＡ−Ａ矢視
方向概略断面図、図５は基板上に上部磁気コア用のフレ
ームを形成するまでの工程を示したＡ−Ａ矢視方向概略
断面図である。まず、図３（ａ）示すように、従来の薄
膜磁気ヘッド製造技術を用いて、ベースアルミナ２を有
する基板１上に下部磁気コア３、磁気ギャップ膜４を形
成し、その後、基板１の後部領域Ｂ上に導体コイル５及
び絶縁膜６、めっき下地膜７を形成する。
方法について説明する。図３及び図４は、本発明の方法
によりフレームを形成する工程の一例を示すＡ−Ａ矢視
方向概略断面図、図５は基板上に上部磁気コア用のフレ
ームを形成するまでの工程を示したＡ−Ａ矢視方向概略
断面図である。まず、図３（ａ）示すように、従来の薄
膜磁気ヘッド製造技術を用いて、ベースアルミナ２を有
する基板１上に下部磁気コア３、磁気ギャップ膜４を形
成し、その後、基板１の後部領域Ｂ上に導体コイル５及
び絶縁膜６、めっき下地膜７を形成する。
【００１７】次に、図３（ｂ）に示すように、基板１の
後部領域Ｂにおいて、のちに形成する第２のレジスト層
と合わせてフレームが最適な膜厚となるように粘度８０
０〜１２００ｃｐ程度のレジストを塗布し、レジスト８
を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、基板１の
少なくとも先端部領域Ｃを取り除くようにレジスト８を
パターンニングして、第１のレジスト層９を形成する。
その後、第１のレジスト層９内の感光材が分解しない程
度にベークしても良い。
後部領域Ｂにおいて、のちに形成する第２のレジスト層
と合わせてフレームが最適な膜厚となるように粘度８０
０〜１２００ｃｐ程度のレジストを塗布し、レジスト８
を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、基板１の
少なくとも先端部領域Ｃを取り除くようにレジスト８を
パターンニングして、第１のレジスト層９を形成する。
その後、第１のレジスト層９内の感光材が分解しない程
度にベークしても良い。
【００１８】次に、図４（ｄ）に示すように、第１のレ
ジスト層９が形成された基板１上に、先端部領域Ｃにお
いてフレームが最適な膜厚となるように粘度１００〜２
００ｃｐ程度のレジストを塗布して第２のレジスト層１
０を形成する。次に、図４（ｅ）に示すように、基板１
上の第１のレジスト層９、第２のレジスト層１０を同時
にパターンニングしてフレーム１１を形成する。
ジスト層９が形成された基板１上に、先端部領域Ｃにお
いてフレームが最適な膜厚となるように粘度１００〜２
００ｃｐ程度のレジストを塗布して第２のレジスト層１
０を形成する。次に、図４（ｅ）に示すように、基板１
上の第１のレジスト層９、第２のレジスト層１０を同時
にパターンニングしてフレーム１１を形成する。
【００１９】次に、図４（ｆ）に示すように、フレーム
１１のパターンを用いて電解めっきを施した後、フレー
ム１１で囲まれる領域にレジストでマスクをして不要な
めっき下地膜７及びめっき膜、フレーム１１をウエット
エッチングで除去して上部磁気コア１２を形成する。こ
のような工程に従って薄膜磁気ヘッドを作製したとこ
ろ、トラック幅（図１のＴｗ）を画定する先端部のフレ
ーム間隔が１．８μｍ、フレーム高さ５μｍの寸法精度
の良い上部磁気コア形成用フレームを形成することがで
きた。
１１のパターンを用いて電解めっきを施した後、フレー
ム１１で囲まれる領域にレジストでマスクをして不要な
めっき下地膜７及びめっき膜、フレーム１１をウエット
エッチングで除去して上部磁気コア１２を形成する。こ
のような工程に従って薄膜磁気ヘッドを作製したとこ
ろ、トラック幅（図１のＴｗ）を画定する先端部のフレ
ーム間隔が１．８μｍ、フレーム高さ５μｍの寸法精度
の良い上部磁気コア形成用フレームを形成することがで
きた。
【００２０】また、第１のレジスト層及び第２のレジス
ト層を同時にフレームとしてパターンニングしているた
め合わせずれ等も生じない。すなわち、フレーム間隔と
アスペクト比が５以下で、寸法精度が良好かつトラック
幅２μｍ以下の狭トラックに対応した、形状不良の無い
上部磁気コア形成用フレームを形成することができた。
また、このフレームを用いて上部磁気コア１２を形成す
ることにより、トラック幅の寸法精度が良く、かつ先端
部領域のめっき膜厚及びめっき組成が安定した、形状不
良の無い上部磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドを作製す
ることができた。
ト層を同時にフレームとしてパターンニングしているた
め合わせずれ等も生じない。すなわち、フレーム間隔と
アスペクト比が５以下で、寸法精度が良好かつトラック
幅２μｍ以下の狭トラックに対応した、形状不良の無い
上部磁気コア形成用フレームを形成することができた。
また、このフレームを用いて上部磁気コア１２を形成す
ることにより、トラック幅の寸法精度が良く、かつ先端
部領域のめっき膜厚及びめっき組成が安定した、形状不
良の無い上部磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドを作製す
ることができた。
【００２１】図５は、図３（ａ）〜図４（ｅ）までの各
工程におけるＡ−Ａ矢視方向概略断面図を示している
が、フレームを形成するレジスト層を２回に分て形成す
ることにより先端部領域Ｃでのレジスト膜厚が薄くでき
るため、従来の１回のレジスト塗布でレジスト層を形成
する方法（図５（ｄ）においてｒで示した）よりも均一
な膜厚とすることができる。
工程におけるＡ−Ａ矢視方向概略断面図を示している
が、フレームを形成するレジスト層を２回に分て形成す
ることにより先端部領域Ｃでのレジスト膜厚が薄くでき
るため、従来の１回のレジスト塗布でレジスト層を形成
する方法（図５（ｄ）においてｒで示した）よりも均一
な膜厚とすることができる。
【００２２】本発明は、上記の実施の形態に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能で
ある。図６は２層のレジストを形成する別の方法を示す
Ａ−Ａ矢視方向概略断面図である。図６において、図３
及び図４と同じ部分には図３及び図４と同じ符号を付
し、その詳細な説明を省略する。まず、図６（ａ）に示
すように、後部領域Ｂでフレームが形成される部分のみ
を残すように第１のレジスト層１３を形成する。
ものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能で
ある。図６は２層のレジストを形成する別の方法を示す
Ａ−Ａ矢視方向概略断面図である。図６において、図３
及び図４と同じ部分には図３及び図４と同じ符号を付
し、その詳細な説明を省略する。まず、図６（ａ）に示
すように、後部領域Ｂでフレームが形成される部分のみ
を残すように第１のレジスト層１３を形成する。
【００２３】次に、図６（ｂ）に示すように、先端部領
域Ｃでフレームが最適な膜厚となるように第２のレジス
ト層１４を形成する。第２のレジスト層を形成するレジ
ストは、先端部領域Ｃに薄く、均一な膜厚のレジスト層
が形成されるように、第１のレジスト層を形成するレジ
ストより低粘度のレジストを用いるのが好ましい。次
に、図６（ｃ）に示すように、第１のレジスト層１３及
び第２のレジスト層１４を同時にパターンニングしてフ
レーム１５を形成する。
域Ｃでフレームが最適な膜厚となるように第２のレジス
ト層１４を形成する。第２のレジスト層を形成するレジ
ストは、先端部領域Ｃに薄く、均一な膜厚のレジスト層
が形成されるように、第１のレジスト層を形成するレジ
ストより低粘度のレジストを用いるのが好ましい。次
に、図６（ｃ）に示すように、第１のレジスト層１３及
び第２のレジスト層１４を同時にパターンニングしてフ
レーム１５を形成する。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
トラック幅の寸法精度が良く、かつトラック幅を画定す
る領域のめっき膜厚及び組成の安定した、形状不良の無
い上部磁気コアを有する狭トラックの薄膜磁気ヘッドを
作製することができる。
トラック幅の寸法精度が良く、かつトラック幅を画定す
る領域のめっき膜厚及び組成の安定した、形状不良の無
い上部磁気コアを有する狭トラックの薄膜磁気ヘッドを
作製することができる。
【図１】本発明の方法により作製された薄膜磁気ヘッド
の概略斜視図。
の概略斜視図。
【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドのＡ−Ａ矢視方向概
略斜視図。
略斜視図。
【図３】本発明の方法によりフレームを形成する工程の
一例を示すＡ−Ａ矢視方向概略断面図。
一例を示すＡ−Ａ矢視方向概略断面図。
【図４】本発明の方法によりフレームを形成する工程の
一例を示すＡ−Ａ矢視方向概略断面図。
一例を示すＡ−Ａ矢視方向概略断面図。
【図５】基板上に上部磁気コア用のフレームを形成する
までの工程を示したＡ−Ａ矢視方向概略断面図。
までの工程を示したＡ−Ａ矢視方向概略断面図。
【図６】２層のレジストを形成する別の方法を示すＡ−
Ａ矢視方向概略断面図。
Ａ矢視方向概略断面図。
１…基板 ７…めっき下
地膜 ２…ベースアルミナ ８…レジスト ３…下部磁気コア ９、１３…第
１のレジスト層 ４…磁気ギャップ膜 １０、１４…
第２のレジスト層 ５…導体コイル １１、１５…
フレーム ６…絶縁膜 １２…上部磁
気コア Ｂ…後部領域（導体コイル及び導体コイルの絶縁膜が形
成されている領域、基板上の段差上部に位置する部分） Ｃ…先端部領域（情報の書き込み、読みだし用の磁気ギ
ャップ及びトラックが形成される領域、基板上の段差下
部に位置する部分） Ｔｗ…トラック幅 ｒ…従来法であるレジストを１回塗布してレジスト層を
形成した場合でのレジストプロファイル
地膜 ２…ベースアルミナ ８…レジスト ３…下部磁気コア ９、１３…第
１のレジスト層 ４…磁気ギャップ膜 １０、１４…
第２のレジスト層 ５…導体コイル １１、１５…
フレーム ６…絶縁膜 １２…上部磁
気コア Ｂ…後部領域（導体コイル及び導体コイルの絶縁膜が形
成されている領域、基板上の段差上部に位置する部分） Ｃ…先端部領域（情報の書き込み、読みだし用の磁気ギ
ャップ及びトラックが形成される領域、基板上の段差下
部に位置する部分） Ｔｗ…トラック幅 ｒ…従来法であるレジストを１回塗布してレジスト層を
形成した場合でのレジストプロファイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 府山 盛明 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 福井 宏 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社 日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平７−176016（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−44526（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−39110（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−326102（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/31
Claims (2)
- 【請求項１】 下部磁気コア、磁気ギャップ膜、及び絶
縁膜に埋設された導体コイルを有する基板上にレジスト
を塗布し、パターンニングによりフレームを形成した
後、めっき膜を形成し、その後、前記フレームで囲まれ
る領域にマスクをして前記めっき膜をエッチングするこ
とにより、上部磁気コアを形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、 前記基板上に、前記導体コイル及び前記絶縁膜が形成さ
れた前記基板の後部領域において、のちに形成する第２
のレジスト層と合わせて前記フレームが最適な膜厚とな
るようにレジストを塗布し、少なくとも前記薄膜磁気ヘ
ッドの磁気ギャップ及びトラックが形成される前記基板
先端部領域を除去するようにパターンニングして第１の
レジスト層を形成する工程と、 前記第１のレジスト層が形成された基板上に、前記薄膜
磁気ヘッドの磁気ギャップ及びトラックが形成される前
記基板先端部領域において前記フレームが最適な膜厚と
なるようにレジストを塗布して第２のレジスト層を形成
する工程と、前記第１及び第２のレジスト層を前記フレ
ームとして同時にパターンニングして前記フレームを形
成する工程と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項２】 前記第２のレジスト層を形成するレジス
トは前記第１のレジスト層を形成するレジストより低粘
度であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183497A JP2862519B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183497A JP2862519B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241115A JPH10241115A (ja) | 1998-09-11 |
| JP2862519B2 true JP2862519B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=12619303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4183497A Expired - Fee Related JP2862519B2 (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862519B2 (ja) |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP4183497A patent/JP2862519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10241115A (ja) | 1998-09-11 |
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