JPS60128448A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
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- JPS60128448A JPS60128448A JP58237022A JP23702283A JPS60128448A JP S60128448 A JPS60128448 A JP S60128448A JP 58237022 A JP58237022 A JP 58237022A JP 23702283 A JP23702283 A JP 23702283A JP S60128448 A JPS60128448 A JP S60128448A
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- JP
- Japan
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- film
- pattern
- resist film
- film pattern
- resist
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はフォトマスクに係り、特に高段差を有する薄膜
パターン上に塗着されたレジスト膜を、所定パターンに
パターニングするに好適なフォトマスクに関するもので
ある。
パターン上に塗着されたレジスト膜を、所定パターンに
パターニングするに好適なフォトマスクに関するもので
ある。
（ｂｌ 技術の背景
薄膜磁気ヘッドや半導体装置等の各種微細パターンはフ
ォトレジスト及びフォトマスクを用い、露光、現像及び
エンチング処理等を行うフォトリソグラフィと呼ばれる
方法によって形成することは周知である。
ォトレジスト及びフォトマスクを用い、露光、現像及び
エンチング処理等を行うフォトリソグラフィと呼ばれる
方法によって形成することは周知である。
（Ｃ） 従来技術と問題点
ところで従来、比較的厚い薄膜によって薄膜磁気ヘッド
等を製造する場合、基板上に設けられた高段差を有する
薄膜パターン上に所定のレジスト膜パターンを形成する
際に、前記高段差部分でのレジスト膜の厚さが異なるこ
とに起因して露光条件の設定が難しい解決すべき問題点
がある。
等を製造する場合、基板上に設けられた高段差を有する
薄膜パターン上に所定のレジスト膜パターンを形成する
際に、前記高段差部分でのレジスト膜の厚さが異なるこ
とに起因して露光条件の設定が難しい解決すべき問題点
がある。
即ち、第１図に示すように高段差を有する第１の薄膜パ
ターン２と、該第１の薄膜パターン２上に第２の薄膜３
が設けられた基板１上にレジスト膜４を塗着し、該レジ
スト膜４を形成すべきパターンに対応したフォトマスク
５を用いて所定のパターンにパターニングする際、前記
レジスト膜４が第１の薄膜パターン２上の高段差下部で
厚く溜るため、適音の所謂段差のない平坦なレジスト膜
を所定パターンにパターニングする露光条件を適用した
場合においては、上記高段差下部の厚いレジスト１１ｉ
４の基板１側部分が露光不足となり、該レジスト膜４の
現像後、第２図に示すように上記露光不足のレジスト膜
部分４ａが溶解除去されずに残ってしまう不都合があっ
た。
ターン２と、該第１の薄膜パターン２上に第２の薄膜３
が設けられた基板１上にレジスト膜４を塗着し、該レジ
スト膜４を形成すべきパターンに対応したフォトマスク
５を用いて所定のパターンにパターニングする際、前記
レジスト膜４が第１の薄膜パターン２上の高段差下部で
厚く溜るため、適音の所謂段差のない平坦なレジスト膜
を所定パターンにパターニングする露光条件を適用した
場合においては、上記高段差下部の厚いレジスト１１ｉ
４の基板１側部分が露光不足となり、該レジスト膜４の
現像後、第２図に示すように上記露光不足のレジスト膜
部分４ａが溶解除去されずに残ってしまう不都合があっ
た。
このため前記残留した露光不足のレジスト膜部分４ａを
除去するフォトマスクを別に用意し、そのフォトマスク
を用いて前記露光不足のレジスト膜４ａに追加露光を行
い、完全に除去していた。
除去するフォトマスクを別に用意し、そのフォトマスク
を用いて前記露光不足のレジスト膜４ａに追加露光を行
い、完全に除去していた。
しかしこれら追加露光工程によりフォトマスクの取替え
、位置合わせ等をそれぞれ２回繰り返さなくてはならず
、その際のマスク合わせ誤差によるパターンズレが生じ
たり、又レジストクラッシュの頻度が増加して信頼性が
低下する欠点を有していた。一方、上記高段差下部での
レジスト膜４の基板１側部分が露光不足となることを無
くするために、上記レジスト膜４をフォトマスク５を用
いて所定のパターンにパターニングする際に、露光時間
を長くすることも考えられるが、この場合には、フォト
マスク５のマスクパターンと対向する露光を必要としな
いレジスト膜４部分に露光の一部の光が周り込み、パタ
ーニング精度を著しく低下させる欠点があった。
、位置合わせ等をそれぞれ２回繰り返さなくてはならず
、その際のマスク合わせ誤差によるパターンズレが生じ
たり、又レジストクラッシュの頻度が増加して信頼性が
低下する欠点を有していた。一方、上記高段差下部での
レジスト膜４の基板１側部分が露光不足となることを無
くするために、上記レジスト膜４をフォトマスク５を用
いて所定のパターンにパターニングする際に、露光時間
を長くすることも考えられるが、この場合には、フォト
マスク５のマスクパターンと対向する露光を必要としな
いレジスト膜４部分に露光の一部の光が周り込み、パタ
ーニング精度を著しく低下させる欠点があった。
（ｄｌ 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、高段差部を有する薄膜
パターン上にレジスト膜パターンを、−露光工程によっ
て高段差下部に露光不足のレジスト膜を残留させること
なり、精度よく形成することのできる新規なフォトマス
クを提供することを目的とするものである。
パターン上にレジスト膜パターンを、−露光工程によっ
て高段差下部に露光不足のレジスト膜を残留させること
なり、精度よく形成することのできる新規なフォトマス
クを提供することを目的とするものである。
（ｅ） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、透明基板の一生面上
に所定形状の不透明膜マスクパターンを備えたフォトマ
スクであって、上記不透明膜マスクパターンと、前記不
透明膜マスク材料と同材料を薄膜化して成る所定形状の
半透明膜パターンを混在させて設けたことを特徴とする
フォトマスクを提供することによって達成される。
に所定形状の不透明膜マスクパターンを備えたフォトマ
スクであって、上記不透明膜マスクパターンと、前記不
透明膜マスク材料と同材料を薄膜化して成る所定形状の
半透明膜パターンを混在させて設けたことを特徴とする
フォトマスクを提供することによって達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第３図は本発明に係るフォトマスクの一実施例を示す要
部断面図であり、例えば透明なガラス基板２２の一生面
上に、従来と同様の主となるクロム（Ｃｒ）等からなる
不透明クロム膜パターン２３と、新たに該不透明クロム
膜パターン２３の周縁部に連続して、例えば前記不透明
クロム膜パターン２３の膜厚の１／１０程度に膜厚を変
え、所望の光透過率とした所定幅のクロム膜からなる半
透明膜パターン２４が図示のように積層状に被着形成さ
れている。
部断面図であり、例えば透明なガラス基板２２の一生面
上に、従来と同様の主となるクロム（Ｃｒ）等からなる
不透明クロム膜パターン２３と、新たに該不透明クロム
膜パターン２３の周縁部に連続して、例えば前記不透明
クロム膜パターン２３の膜厚の１／１０程度に膜厚を変
え、所望の光透過率とした所定幅のクロム膜からなる半
透明膜パターン２４が図示のように積層状に被着形成さ
れている。
従って、このように形成されたフォトマスク２１を用い
て対向する例えば、高段差を有する第１の薄膜パターン
２と、該第１の薄膜パターン２上に第２の薄膜３が設け
られた基板１上のレジスト膜４に、前記フォトマスク２
１の半透明膜パターン２４を通して対応するレジスト膜
４に適正露光となる時間を基準とした露光条件によって
露光を行なえば、レジスト膜４の前記不透明クロム膜パ
ターン２３と対応する領域では完全に遮光されることは
勿論のこと、半透明膜パターン２４と対応する領域には
適正露光となって露光の一部の光の周り込みが防止され
る。更にその他の所謂パターンの無い領域と対応する領
域、例えば第１の薄膜パターン２の高段差の領域に対し
ては光透過量が最大となることから該高段差下部に厚く
溜ったレジスト膜４部分に対しては、該レジスト膜４の
底部、即！Ｅ）基板１側に迄、十分に露光され、第４図
に示すようにその後の現像処理によってレジスト膜４が
残ることなく完全に除去され、パターン精度の良いレジ
スト膜パターン６がこのような一度の露光、現像工程に
より形成することが可能となる。
て対向する例えば、高段差を有する第１の薄膜パターン
２と、該第１の薄膜パターン２上に第２の薄膜３が設け
られた基板１上のレジスト膜４に、前記フォトマスク２
１の半透明膜パターン２４を通して対応するレジスト膜
４に適正露光となる時間を基準とした露光条件によって
露光を行なえば、レジスト膜４の前記不透明クロム膜パ
ターン２３と対応する領域では完全に遮光されることは
勿論のこと、半透明膜パターン２４と対応する領域には
適正露光となって露光の一部の光の周り込みが防止され
る。更にその他の所謂パターンの無い領域と対応する領
域、例えば第１の薄膜パターン２の高段差の領域に対し
ては光透過量が最大となることから該高段差下部に厚く
溜ったレジスト膜４部分に対しては、該レジスト膜４の
底部、即！Ｅ）基板１側に迄、十分に露光され、第４図
に示すようにその後の現像処理によってレジスト膜４が
残ることなく完全に除去され、パターン精度の良いレジ
スト膜パターン６がこのような一度の露光、現像工程に
より形成することが可能となる。
尚、上記半透明膜パターン２４は、その膜厚（透明度）
によって光透過率が変わり、露光量を変えることが出来
るので、前記レジスト膜４が被着された薄膜パターン２
の段差の高さに応じてその膜厚を適当に変えれば良い。
によって光透過率が変わり、露光量を変えることが出来
るので、前記レジスト膜４が被着された薄膜パターン２
の段差の高さに応じてその膜厚を適当に変えれば良い。
又、上記した実施例では、本発明のフォトマスクをポジ
型のレジス１一般のパターニングに用いた場合の例につ
いて説明したが、ネガ型のレジスト膜のパターニングに
用いた場合にも有効である。
型のレジス１一般のパターニングに用いた場合の例につ
いて説明したが、ネガ型のレジスト膜のパターニングに
用いた場合にも有効である。
しかして、このような構造のフォトマスクを得るには、
種々の方法が考えられる。その製造方法の一実施例を第
５図乃至第９図に示す。
種々の方法が考えられる。その製造方法の一実施例を第
５図乃至第９図に示す。
まず第５図に示すように、透明な石英基板、或いはガラ
ス基板３１上の全面にクロム膜３２、又はクロム（Ｃｒ
）と酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）との混合膜等を蒸着、
或いはスパッタリング法によって例えば６００〜８００
人の厚さに被着し、更にその上面に例えばポジ型レジス
ト膜を用いて所定のレジスト膜パターン３３を形成する
。次ぎにこのレジスト膜パターン３３をマスクにして前
記クロム膜３２を硝酸２セリウム・アンモニウム溶液等
によってエツチングした後、上記レジスト膜パターン３
３をレジスト溶解液により溶解除去することにより、第
６図に示すように不透明クロム膜パターン３４を形成す
る。次ぎに第７図に示すように上記不透明クロム膜パタ
ーン３４を含めたガラス基板３１上の全面に、前記クロ
ム膜３２よりも１ｉ１０程度の厚さ、即ち６０〜８０人
の厚さの光透過率の大きなりロム膜からなる半透明膜３
５を被着する。しかる後第８図に示すように該半透明膜
３５上に、レジスト膜を塗着し、所定パターンにバクー
ニングしてレジスト膜パターン３６を形成する。このレ
ジスト膜パターン３６をマスクにして前記薄いクロム膜
からなる半透明膜３５を硝酸２セリウム・アンモニウム
溶液等によりエツチング処理を行い、更に前記レジスト
１１２パターン３６を溶解除去することにより第９図に
示すように上記不透明クロム膜パターン３４の周縁部よ
り連続して所定幅分大きく光周り込み防止用半透明膜パ
ターン３７が設けられた本発明のフォトマスクを得るこ
とができる。
ス基板３１上の全面にクロム膜３２、又はクロム（Ｃｒ
）と酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）との混合膜等を蒸着、
或いはスパッタリング法によって例えば６００〜８００
人の厚さに被着し、更にその上面に例えばポジ型レジス
ト膜を用いて所定のレジスト膜パターン３３を形成する
。次ぎにこのレジスト膜パターン３３をマスクにして前
記クロム膜３２を硝酸２セリウム・アンモニウム溶液等
によってエツチングした後、上記レジスト膜パターン３
３をレジスト溶解液により溶解除去することにより、第
６図に示すように不透明クロム膜パターン３４を形成す
る。次ぎに第７図に示すように上記不透明クロム膜パタ
ーン３４を含めたガラス基板３１上の全面に、前記クロ
ム膜３２よりも１ｉ１０程度の厚さ、即ち６０〜８０人
の厚さの光透過率の大きなりロム膜からなる半透明膜３
５を被着する。しかる後第８図に示すように該半透明膜
３５上に、レジスト膜を塗着し、所定パターンにバクー
ニングしてレジスト膜パターン３６を形成する。このレ
ジスト膜パターン３６をマスクにして前記薄いクロム膜
からなる半透明膜３５を硝酸２セリウム・アンモニウム
溶液等によりエツチング処理を行い、更に前記レジスト
１１２パターン３６を溶解除去することにより第９図に
示すように上記不透明クロム膜パターン３４の周縁部よ
り連続して所定幅分大きく光周り込み防止用半透明膜パ
ターン３７が設けられた本発明のフォトマスクを得るこ
とができる。
又、第１０図乃至第１４図は本発明に係るフォトマスク
を製作するための第２の実施例を示すもので、本実施例
においては、まず第１０図に示すように透明な石英基板
、或いはガラス基板４１上の全面に、クロム膜４２、或
いはクロム（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）との
混合膜等を蒸着、或いはスパッタリング法によって例え
ば６００〜８００人の厚さに被着し、引続きその上面に
例えばポジ型レジスト膜を用いて所定のレジスト膜パタ
ーン４３を形成する。
を製作するための第２の実施例を示すもので、本実施例
においては、まず第１０図に示すように透明な石英基板
、或いはガラス基板４１上の全面に、クロム膜４２、或
いはクロム（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）との
混合膜等を蒸着、或いはスパッタリング法によって例え
ば６００〜８００人の厚さに被着し、引続きその上面に
例えばポジ型レジスト膜を用いて所定のレジスト膜パタ
ーン４３を形成する。
次、ぎにこのレジスト膜パターン４３をマスクにして前
記クロム膜４２を硝酸２セリウム・アンモニウム溶液に
よってエツチングした後、上記レジスト膜パターン４３
をレジスト熔解液を用いて除去することにより第１１図
に示すように不透明クロム膜パターン４４を形成する。
記クロム膜４２を硝酸２セリウム・アンモニウム溶液に
よってエツチングした後、上記レジスト膜パターン４３
をレジスト熔解液を用いて除去することにより第１１図
に示すように不透明クロム膜パターン４４を形成する。
そして該不透明クロム膜パターン４４を含むガラス基板
４１上の全面に、５ｉ０２、又はＡＲ２０ａ等の透明膜
４５をスパッタリング等により所定厚さに被着する。次
ぎに第１２図に示すように上記透明膜４５上の全面に、
前記クロム膜４２よりもｌ／１０程度の厚さ、即ち６０
〜８０人の厚さの光透過率の大きなりロム膜からなる半
透明膜４６をスパッタリング法等により被着し、更にそ
の上面に第１３図に示すように例えばポジ型レジスト膜
を用いて所定のレジスト膜パターン４７を形成する。し
かる後、このレジスト膜パターン４７をマスクにして前
記薄いクロム膜からなる半透明膜４６を硝酸２セリウム
・アンモニウム溶液等によりエツチング処理を行い、更
に前記レジスト膜パターン４７を熔解除去することによ
り第１４図に示すように上記不透明クロム膜パターン４
４の周縁部より連続して所定幅分大きく光周り込み防止
用半透明膜パターン４８が設けられた本発明のフォトマ
スクを得ることができる。
４１上の全面に、５ｉ０２、又はＡＲ２０ａ等の透明膜
４５をスパッタリング等により所定厚さに被着する。次
ぎに第１２図に示すように上記透明膜４５上の全面に、
前記クロム膜４２よりもｌ／１０程度の厚さ、即ち６０
〜８０人の厚さの光透過率の大きなりロム膜からなる半
透明膜４６をスパッタリング法等により被着し、更にそ
の上面に第１３図に示すように例えばポジ型レジスト膜
を用いて所定のレジスト膜パターン４７を形成する。し
かる後、このレジスト膜パターン４７をマスクにして前
記薄いクロム膜からなる半透明膜４６を硝酸２セリウム
・アンモニウム溶液等によりエツチング処理を行い、更
に前記レジスト膜パターン４７を熔解除去することによ
り第１４図に示すように上記不透明クロム膜パターン４
４の周縁部より連続して所定幅分大きく光周り込み防止
用半透明膜パターン４８が設けられた本発明のフォトマ
スクを得ることができる。
更に第１５図乃至第１９図は本発明に係るフォトマスク
を製作するための第３の実施例を示すもので、本実施例
においては、まず第１５図に示すように透明な石英基板
、或いはガラス基板５１上の全面に、後記するクロム膜
５６よりも１／１Ｏ程度の厚さ、即ち６０〜８０人の厚
さの光透過率の大きなりロム膜からなる半透明膜５２を
スパッタリング等により被着し、更にその上面に例えば
ポジ型レジスト膜を用いて所定のレジスト膜パターン５
３を形成する。次ぎにこのレジスト膜パターン５３をマ
スクにして前記薄いクロム膜からなる半透明膜５２を硝
ｒ！！Ｉ２セリウム・アンモニウム溶液等によりエツチ
ング処理を行い、更に前記レジスト膜パターン５３を熔
解除去することにより第１６図に示すように後記する不
透明クロム膜パターン５７の周縁部より所定幅分大きい
光周り込み防止用半透明膜パターン５４を形成する。そ
の後、第１７図に示すように上記半透明膜パターン５４
を含むガラス基板５１上の全面に５ｉ０２、又はへΩ２
０３等の透明膜５５をスパッタリングなどにより所定厚
さに被着し、更にその上面にクロム膜５６、又はクロム
（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）との混合膜等を
蒸着、或いはスパッタリングによって例えば６００〜８
００人の厚さに被着する。次ぎに該クロム膜５６上に例
えばポジ型レジスト膜を用いて第１８図に示すように所
定のレジスト膜パターン５７を形成する。しかる後、上
記レジスト膜パターン５７をマスクにして前記クロム膜
５６を硝酸２セリウム・アンモニウム溶液等によってエ
ンチングした後、上記レジスト膜パターン５７をレジス
ト熔解液を用いて除去することにより、第１９図に示す
ように不透明クロム膜パターン５８が形成され、該不透
明クロム膜パターン５８の周縁部より連続して所定幅分
大きく光周り込み防止用半透明膜パターン５４が設けら
れた本発明のフォトマスクをｉＭることができる。
を製作するための第３の実施例を示すもので、本実施例
においては、まず第１５図に示すように透明な石英基板
、或いはガラス基板５１上の全面に、後記するクロム膜
５６よりも１／１Ｏ程度の厚さ、即ち６０〜８０人の厚
さの光透過率の大きなりロム膜からなる半透明膜５２を
スパッタリング等により被着し、更にその上面に例えば
ポジ型レジスト膜を用いて所定のレジスト膜パターン５
３を形成する。次ぎにこのレジスト膜パターン５３をマ
スクにして前記薄いクロム膜からなる半透明膜５２を硝
ｒ！！Ｉ２セリウム・アンモニウム溶液等によりエツチ
ング処理を行い、更に前記レジスト膜パターン５３を熔
解除去することにより第１６図に示すように後記する不
透明クロム膜パターン５７の周縁部より所定幅分大きい
光周り込み防止用半透明膜パターン５４を形成する。そ
の後、第１７図に示すように上記半透明膜パターン５４
を含むガラス基板５１上の全面に５ｉ０２、又はへΩ２
０３等の透明膜５５をスパッタリングなどにより所定厚
さに被着し、更にその上面にクロム膜５６、又はクロム
（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）との混合膜等を
蒸着、或いはスパッタリングによって例えば６００〜８
００人の厚さに被着する。次ぎに該クロム膜５６上に例
えばポジ型レジスト膜を用いて第１８図に示すように所
定のレジスト膜パターン５７を形成する。しかる後、上
記レジスト膜パターン５７をマスクにして前記クロム膜
５６を硝酸２セリウム・アンモニウム溶液等によってエ
ンチングした後、上記レジスト膜パターン５７をレジス
ト熔解液を用いて除去することにより、第１９図に示す
ように不透明クロム膜パターン５８が形成され、該不透
明クロム膜パターン５８の周縁部より連続して所定幅分
大きく光周り込み防止用半透明膜パターン５４が設けら
れた本発明のフォトマスクをｉＭることができる。
更に第２０図乃至第２４図は本発明に係るフォトマスク
を製作するための第４の実施例を示すものモ、本実施例
においては、まず第２０図に示すように透明な石英基板
、或いはガラス基板６１上の全面に蒸着、スパッタリン
グ等により被着された例えば６０〜８０人の厚さの光透
過率の大きなりロム膜からなる半透明膜６２上に、例え
ばポジ型レジスト膜を用いて所定のレジスト膜パターン
６３を形成する。次ぎにこのレジスト膜パターン６３を
マスクにして前記薄いクロム膜からなる半透明１’ｉ６
２を硝酸２セリウム・アンモニウム溶液等によりエツチ
ング処理を行い、更に前記レジスト膜パターン６３を熔
解除去することにより第２１図に示すように後記する不
透明クロム膜パターン６７の周縁部より所定幅分大きい
光周り込み防止用半透明膜パターン６４を形成する。し
かる後、第２２図に示すように上記半透明膜パターン６
４を含むガラス基板６１上の全面にポジ型レジスト膜を
塗着し、該レジスト膜を前記第１８図に示すレジスト膜
パターン５７とは逆となるようにパターニングした所定
のレジスト膜パターン６５を形成する。次ぎに第２３図
に示すように上記所定のレジスト膜パターン６５上に、
クロム膜６６、又はクロム（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ
２０３ ）との混合膜等を蒸着、或いはスパッタリング
によって例えば６００〜８００人の厚さに被着すると共
に、前記レジスト膜パターン６５をレジスト熔解液によ
り溶解除去することにより、該レジスト膜パターン６５
上の不要なりロム膜６６も一緒にリフトオフされて第２
４図に示すように不透明クロム膜パターン６７が簡単に
形成され、本実施例の方法によっても該不透明クロム膜
パターン６７の周縁部より連続して所定幅分大きく光周
り込み防止用半透明膜パターン６４が設りられた本発明
のフォトマスクを容易に得ることができる。
を製作するための第４の実施例を示すものモ、本実施例
においては、まず第２０図に示すように透明な石英基板
、或いはガラス基板６１上の全面に蒸着、スパッタリン
グ等により被着された例えば６０〜８０人の厚さの光透
過率の大きなりロム膜からなる半透明膜６２上に、例え
ばポジ型レジスト膜を用いて所定のレジスト膜パターン
６３を形成する。次ぎにこのレジスト膜パターン６３を
マスクにして前記薄いクロム膜からなる半透明１’ｉ６
２を硝酸２セリウム・アンモニウム溶液等によりエツチ
ング処理を行い、更に前記レジスト膜パターン６３を熔
解除去することにより第２１図に示すように後記する不
透明クロム膜パターン６７の周縁部より所定幅分大きい
光周り込み防止用半透明膜パターン６４を形成する。し
かる後、第２２図に示すように上記半透明膜パターン６
４を含むガラス基板６１上の全面にポジ型レジスト膜を
塗着し、該レジスト膜を前記第１８図に示すレジスト膜
パターン５７とは逆となるようにパターニングした所定
のレジスト膜パターン６５を形成する。次ぎに第２３図
に示すように上記所定のレジスト膜パターン６５上に、
クロム膜６６、又はクロム（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ
２０３ ）との混合膜等を蒸着、或いはスパッタリング
によって例えば６００〜８００人の厚さに被着すると共
に、前記レジスト膜パターン６５をレジスト熔解液によ
り溶解除去することにより、該レジスト膜パターン６５
上の不要なりロム膜６６も一緒にリフトオフされて第２
４図に示すように不透明クロム膜パターン６７が簡単に
形成され、本実施例の方法によっても該不透明クロム膜
パターン６７の周縁部より連続して所定幅分大きく光周
り込み防止用半透明膜パターン６４が設りられた本発明
のフォトマスクを容易に得ることができる。
（ｇ） 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係るフォトマ
スクの構造によれば、高段差を有する薄膜パターン上に
、レジスト膜パターンを形成する露光工程が一工程で済
むため、工程が簡略、短縮化される利点を有する。又、
従来の如きマスク合わせ誤差の解消やレジスト・クラッ
シュ等が低減されるので歩留りも向上するなど実用上製
れた効果を奏する。従って各種段差を有する薄膜パター
ン上に、レジスト膜パターンを形成する工程に適用して
極めて有利である。
スクの構造によれば、高段差を有する薄膜パターン上に
、レジスト膜パターンを形成する露光工程が一工程で済
むため、工程が簡略、短縮化される利点を有する。又、
従来の如きマスク合わせ誤差の解消やレジスト・クラッ
シュ等が低減されるので歩留りも向上するなど実用上製
れた効果を奏する。従って各種段差を有する薄膜パター
ン上に、レジスト膜パターンを形成する工程に適用して
極めて有利である。
第１図及び第２図は従来のフォトマスクを説明するため
の要部断面図、第３図及び第４図は本発明に係るフォト
マスクの一実施例及びその適用例を示す要部断面図、第
５図乃至第９図は本発明に係るフォトマスクの製造方法
の第１実施例を工程順に示す要部断面図、第１０図乃至
第１４図は本発明に係るフォトマスクの製造方法の第２
実施例を工程順に示す要部断面図、第１５図乃至第１９
図は本発明に係るフォトマスクの製造方法の第３実施例
を工程順に示す要部断面図、第２０図乃至第２４図は本
発明に係るフォトマスクの製造方法の第４実施例を工程
順に示す要部断面図である。 図面において、■は基板、２は高段差を有する第１の薄
膜パターン、３は第２の薄膜、４はレジスト膜、６．３
３，３６，４３，４７，５３，５７．６３及び６５はレ
ジスト膜パターン、２１はフォトマスク、２２．３Ｌ４
Ｌ５１及び６１はガラス基板、２３，３４，４４．５８
及び６７は不透明クロム膜パターン、２４．３７，４８
．５４及び６４は半透明膜パターン、３２．４２．５６
及び６６はクロム膜、３５゜４６．５２及び６２は半透
明膜、４５．５５は透明膜を示す。 第１図 第２図 第３図 第５図 １ 第６図 第１０図 第１５図 ら］ 第１７図
の要部断面図、第３図及び第４図は本発明に係るフォト
マスクの一実施例及びその適用例を示す要部断面図、第
５図乃至第９図は本発明に係るフォトマスクの製造方法
の第１実施例を工程順に示す要部断面図、第１０図乃至
第１４図は本発明に係るフォトマスクの製造方法の第２
実施例を工程順に示す要部断面図、第１５図乃至第１９
図は本発明に係るフォトマスクの製造方法の第３実施例
を工程順に示す要部断面図、第２０図乃至第２４図は本
発明に係るフォトマスクの製造方法の第４実施例を工程
順に示す要部断面図である。 図面において、■は基板、２は高段差を有する第１の薄
膜パターン、３は第２の薄膜、４はレジスト膜、６．３
３，３６，４３，４７，５３，５７．６３及び６５はレ
ジスト膜パターン、２１はフォトマスク、２２．３Ｌ４
Ｌ５１及び６１はガラス基板、２３，３４，４４．５８
及び６７は不透明クロム膜パターン、２４．３７，４８
．５４及び６４は半透明膜パターン、３２．４２．５６
及び６６はクロム膜、３５゜４６．５２及び６２は半透
明膜、４５．５５は透明膜を示す。 第１図 第２図 第３図 第５図 １ 第６図 第１０図 第１５図 ら］ 第１７図
Claims (1)
- 透明基板の一主面上に所定形状の不透明膜マスクパター
ンを備えたフォトマスクであって、上記不透明膜マスク
パターンと、前記不透明膜マスク材料と同材料を薄膜化
して成る所定形状の半透明膜パターンを混在させて設け
たことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237022A JPS60128448A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237022A JPS60128448A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128448A true JPS60128448A (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=17009225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58237022A Pending JPS60128448A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128448A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207253A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-16 | Rohm Co Ltd | パターン形成用フォトマスク及び露光方法 |
| JPH02207252A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-16 | Rohm Co Ltd | パターン形成用フォトマスク |
| JP2005257712A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
| JP2006268035A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにグレートーンマスクブランク |
| JP2009037254A (ja) * | 2008-10-06 | 2009-02-19 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及び被処理体の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP58237022A patent/JPS60128448A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207253A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-16 | Rohm Co Ltd | パターン形成用フォトマスク及び露光方法 |
| JPH02207252A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-16 | Rohm Co Ltd | パターン形成用フォトマスク |
| JP2005257712A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
| JP4521694B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-08-11 | Ｈｏｙａ株式会社 | グレートーンマスク及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2006268035A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにグレートーンマスクブランク |
| JP2009037254A (ja) * | 2008-10-06 | 2009-02-19 | Hoya Corp | グレートーンマスクの製造方法及び被処理体の製造方法 |
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