CN1740909B - 光罩及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种光罩及其制造方法，包括下列步骤。首先提供一透明基板，此基板至少分为三区。在透明基板的第一区中形成一低穿透层。然后，在透明基板上形成一第一光阻层，暴露出透明基板的第二区。接着，在透明基板与第一光阻层上形成一第一穿透层。最后，移除第一光阻层，其中位于第一光阻层上的第一穿透层会同时被移除，而留下形成在透明基板的第二区内的第一穿透层，并暴露出透明基板的第三区。基于上述，本发明所提供的光罩的制造方法是使用剥离制程来完成穿透层的制作。
Description
【技术领域】
本发明是有关于一种光罩及其制造方法，且特别是有关于一种相位偏移光罩(phase shift mask，PSM)及其制造方法。
【背景技术】
一般传统光罩的制作包括首先提供一石英(quartz)基板，在此石英基板上先形成一层金属层。然后在石英基板与金属层上形成一层光阻层，经由在特定区域曝光以及显影，将部分区域的光阻层移除并暴露出被移除的光阻层下的金属层。之后再经由干蚀刻或是湿蚀刻制程将暴露出的金属层移除。将光阻层完全移除后，在石英基板上便形成遮光与透光的图案。最后再加上一透明的保护膜(pellicle)，这样便完成一二元光罩(binary mask)。
虽然二元光罩在业界中被广泛地应用，但随着元件尺寸的缩小，一般会使用狭缝型光罩。但是狭缝型光罩所造成的绕射效应较大，影响光阻的曝光均匀度，因此在显影后往往会产生不必要的光阻残留。
一种相位偏移光罩(phase shift mask)可同时解决精度不高与曝光不均匀的问题，然而一般的相位偏移光罩制造方式是采用与二元光罩相同的技术进行。首先先完成二元光罩的初步制作。之后在此光罩上形成一相位偏移薄膜，然后在此光罩与相位偏移层薄膜上形成一层光阻层，经由在特定区域曝光以及显影，将部分区域的光阻层移除并暴露出被移除的光阻层下的相位偏移薄膜。之后再经由干蚀刻或是湿蚀刻制程将暴露出的相位偏移薄膜移除。将光阻层完全移除后，最后再加上一透明的保护膜，这样便完成一相位偏移光罩。值得注意的是，相位偏移薄膜的材料是近乎完全透光的材料，因此通过相位偏移薄膜的与未通过相位偏移薄膜的光仅在于相位角有差别，光强度则无明显差异。
虽然相位偏移光罩可以解决精度不高与曝光不均匀的问题，然而因为其制造方式中利用到了蚀刻的技术。若此蚀刻制程对于相位偏移薄膜有蚀刻不均的情形，将会导致光罩上的相位偏移薄膜厚度不均，所以当光线穿透位在光罩的不同位置的相位偏移薄膜之后，其穿透率(transmittance)或相位角(phase angle)将可能不相同，进而造成微影制程的良率不佳。
此外，相位偏移光罩的制作是在二元光罩完成初步制作后，再于此光罩上形成一层相位偏移薄膜，经过微影制程定义相位偏移薄膜的图案，然后再藉由蚀刻制程将图案转移至相位偏移薄膜，最后再将光阻完全去除。相较于传统二元光罩，由于制造程序较多，因此制作光罩时产生缺陷(defect)的机会增加，因而可能导致制作光罩的成本提高。
【发明内容】
有鉴于此，本发明的目的就是在于提供一种光罩的制造方法，其是使用剥离(lift off)制程来完成相位偏移层的制作，以避免蚀刻制程所造成的薄膜厚度不均。
本发明的再一目的就是在于提供一种光罩的制造方法，以降低相位偏移光罩的制作成本。
本发明的另一目的就是在于提供一种光罩，此种光罩的图案设计并未出现于传统光罩的设计中。
基于上述目的或其他目的，本发明提出一种光罩的制造方法，包括下列步骤：首先，提供一透明基板，其具有一第一区、一第二区以及一第三区。然后，在透明基板的第一区中形成一低穿透层。之后，在透明基板上形成一第一光阻层，暴露出透明基板的第二区。接着在透明基板与第一光阻层上形成一第一穿透层。最后，移除第一光阻层，其中位于第一光阻层上的第一穿透层会同时被移除，而留下形成在透明基板的第二区内的第一穿透层，并暴露出透明基板的第三区。
依照本发明的较佳实施例，在上述的光罩的制造方法中，透明基板更包括一第四区，且在移除第一光阻层之后更包括在透明基板上形成一第二光阻层。然后，暴露出透明基板的第四区。之后，在透明基板与第二光阻层上形成一第二穿透层。最后，移除第二光阻层，其中位于第二光阻层上的第二穿透层会同时被移除，而留下形成在透明基板的第四区内的第二穿透层。在一实施例中，第一穿透层的材料与第二穿透层的材料不相同。在又一实施例中，第一穿透层的厚度与第二穿透层的厚度不相同。在另一实施例中，第一穿透层的材料及厚度与第二穿透层的材料及厚度皆不相同。
依照本发明的较佳实施例，上述的第一穿透层与第二穿透层分别为一相位偏移薄膜。此外，相位偏移薄膜例如是选自金属硅化物(metal silicide)、金属氟化物(metal fluoride)、金属硅氧化物(metal silicide oxide)、金属硅氮化物(metal silicidenitride)、金属硅氮氧化物(metal silicide oxynitride)、金属硅碳氧化物(metal silicide carbide oxide)、金属硅碳氮化物(metal silicide carbide nitride)、金属硅碳氮氧化物(metal silicide carbide oxynitride)、合金薄层、金属薄层、碳化物、碳氧化物及其组合其中的一。
本发明另提出一种重制光罩的方法，包括下列步骤：首先，提供一光罩，其具有一第一区、一第二区以及一第三区，且在第一区中已形成有一低穿透层，且光罩上覆盖有一保护膜。然后，移除覆盖于光罩上的保护膜。之后，在光罩上形成一第一光阻层，暴露出透明基板的第二区。接着，在透明基板与第一光阻层上形成一第一穿透层。最后，移除第一光阻层，其中位于第一光阻层上的第一穿透层会同时被移除，而留下形成在透明基板的第二区内的第一穿透层，并暴露出透明基板的第三区。
依照本发明的较佳实施例，上述的光罩更包括一第四区，且在移除第一光阻层的步骤后，于光罩上形成一第二光阻层，暴露出光罩的第四区。然后，在光罩与第二光阻层上形成一第二穿透层。之后，移除第二光阻层，其中位于第二光阻层上的第二穿透层会同时被移除，而留下形成在光罩的第四区内的第二穿透层。在一实施例中，第一穿透层的材料与第二穿透层的材料不相同。在又一实施例中，第一穿透层的厚度与第二穿透层的厚度不相同。在另一实施例中，第一穿透层的材料及厚度与第二穿透层的材料及厚度皆不相同。
本发明提出另一种光罩的制造方法，包括下列步骤：首先，提供一透明基板，其具有一第一区、一第二区以及一第三区。然后，在透明基板的第一区中形成一低穿透层。之后，在透明基板上形成一第一光阻层，暴露出透明基板的第二与第三区。接着，在透明基板与第一光阻层上形成一第一穿透层。之后，移除第一光阻层，其中位于第一光阻层上的第一穿透层会同时被移除，而留下形成在透明基板第二与第三区内的第一穿透层。然后，在透明基板上方形成一第二光阻层，覆盖住低穿透层与位于第二区内的第一穿透层，且暴露出位于第三区内的第一穿透层。然后，在第二光阻层上形成一第二穿透层，覆盖住被暴露出的第一穿透层。最后移除第二光阻层，其中位于第二光阻层上的第二穿透层会同时被移除，而留下形成在第三区内的第一穿透层上的第二穿透层。在一实施例中，第一穿透层的材料与第二穿透层的材料不相同。在又一实施例中，第一穿透层的厚度与第二穿透层的厚度不相同。在另一实施例中，第一穿透层的材料及厚度与第二穿透层的材料与厚度皆不相同。
依照本发明的较佳实施例，上述的透明基板更包括一第四区，而且在形成第一光阻层的步骤中，第四区的透明基板会被暴露出来；在移除第一光阻层的步骤后，第一穿透层会留在第四区内；在形成第二光阻层的步骤中，第四区会被覆盖住；在移除第二光阻层的步骤后，第四区内的第一穿透层会被暴露出。接着，在透明基板上方形成一第三光阻层，暴露出第四区内的第一穿透层。然后，在第三光阻层上形成一第三穿透层，覆盖住位于第四区内的第一穿透层。然后，移除第三光阻层，其中位于第三光阻层上的第三穿透层会同时被移除，而留下形成在第四区内的第一穿透层上的第三穿透层。
本发明更提出一种光罩，其包括一透明基板、一低穿透层、一第一穿透层以及一第二穿透层。此透明基板至少包括一第一区、一第二区以及一第三区，低穿透层位于透明基板的第一区内，第一穿透层位于透明基板的第二区内，第二穿透层位于透明基板的第三区内。特别是，第二区与第三区是相邻的，因此第一穿透层与第二穿透层是邻接的。
在一实施例中，第一穿透层的厚度例如与第二穿透层的厚度不相同。在又一实施例中，第一穿透层的材料与第二穿透层的材料不相同。在另一实施例中，第一穿透层的材料及厚度与第二穿透层的材料及厚度皆不相同。
基于上述，相较于先前技术。本发明使用剥离(lift off)制程完成穿透层的制作，因此不会有蚀刻所造成的厚度不均匀现象。另外，本发明可以用不同厚度、不同材料或是厚度与材料皆不相同的穿透层而于光罩上形成多种穿透率的半穿透图案。若上述的穿透层是使用相位偏移薄膜，则所形成的光罩即是半穿透的相位偏移光罩，其相较于传统相位偏移光罩具有制作程序简单和制作成本较低的优点。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【附图说明】
图1A至图1F是依照本发明第一较佳实施例的光罩的制造方法的剖面图。
图2A至图2E是依照本发明第一较佳实施例的另一光罩的制造方法的剖面图。
图3A至图3F是依照本发明第二较佳实施例的光罩的制造方法的剖面图。
图4A至图4D是依照本发明第二较佳实施例的另一光罩的制造方法的剖面图。
图5A至图5H是依照本发明第三较佳实施例的光罩的制造方法的剖面图。
图6A至图6K是依照本发明第三较佳实施例的另一光罩的制造方法的剖面图。
图7绘示依照本发明一较佳实施例的的光罩的剖面图。
【具体实施方式】
第一实施例
图1A至图1F绘示了依照本发明第一较佳实施例的光罩的制造方法的示意图，本实施例的光罩的制造方法包括下列步骤。请参照图1A，首先，提供一透明基板110，此透明基板110具有一第一区120、一第二区130以及一第三区140，透明基板110例如是石英基板或是其他材料的透明基板。然后在此基板上形成一层低穿透层150，其例如是厚度为700至2000埃的铬膜搭配厚度为100至300埃的氧化铬膜，较佳的是厚度为800至1200埃的铬膜搭配厚度为100至200埃的氧化铬膜。其他可应用在低穿透层150的材料如：碳化物(carbide)、碳氧化物(carbon oxide)或是稳定的黑色树脂(black resin)。
请参照图1B，对低穿透层150进行图案化制程以形成低穿透层150a。此图案化制程包括微影与蚀刻制程，其中微影制程例如是以雷射或是电子束(e-beam)定义光阻，而蚀刻制程例如是干蚀刻或是湿蚀刻。
请参照图1C，在整个基板上涂布一第一光阻层160。接着，对第一光阻层160进行微影制程以形成第一光阻层160a，如图1D所示，其暴露出透明基板110的第二区130。微影制程例如以雷射或是电子束进行曝光。暴露出的第二区130所对应的元件区域例如是TFT的闸极区(channel region)、辅助电容的连接区(Cs contact region)；半穿半反射式(transflective type)或反射式(reflective type)液晶显示器的反射区(reflectiveregion)、muti cell gap的有机层(organic layer)；彩色滤光片之间隙子(photo spacer)、MVA(multi domain verticalalignment)、突起(protrusion)；半导体需高解析度的膜层(critical layer)，例如是闸极层(gate layer)、连接层(contact layer)，或其他各层。
请参照图1E，然后，基板110以及第一光阻层160a上形成一第一穿透层170，形成的方式例如是用低温准直溅镀(collimated sputtering)或是在使用化学气相沉积时加场遮罩(field screen)。在此，第一穿透层170相对于低穿透层150而言具有高穿透率。在一较佳实施例中，第一穿透层170的材料例如是相位偏移薄膜，相位偏移薄膜的材料又例如是：金属硅化物(metal silicide)、金属氟化物(metal fluoride)、金属硅氧化物(metal silicide oxide)、金属硅氮化物(metalsilicide nitride)、金属硅氮氧化物(metal silicideoxynitride)、金属硅碳氧化物(metal silicide carbideoxide)、金属硅碳氮化物(metal silicide carbide nitride)、金属硅碳氮氧化物(metal silicide carbide oxynitride)、合金(alloy)、薄金属膜(thin metal film)、碳化物(carbide)、碳氧化物(carbon oxide)及其组合其中的一，其中可以搭配应用的金属例如包括钼(molybdenum)、钽(tantalum)、锆(Zirconium)、铬(Chromium)和钨(Tungsten)等。
请参照图1F，进行剥离(lift off)制程，将第一光阻层160a移除。在此同时，位于光阻层160a上方的第一穿透层170会被一并移除而留下位于第二区130内的第一穿透层170a，并暴露出透明基板110的第三区140。经由上述制程，则可完成一半透光光罩100，其具有透光图案、非透光图案以及半透光图案。若上述的第一穿透层170是采用相位偏移薄膜，则所完成的光罩就是半透光相位偏移光罩(halftone phase shift mask，HTPSM)。
图2A至2E绘示本发明另一较佳实施例的光罩的制作方法的示意图，其是为图1A至图1F所绘示的光罩制造方法的变化。请参照图2A，在图2A中的半透光光罩102包括了一透明基板110、一低穿透层150a、一第一穿透层170a，其中透明基板110包括一第一区120、一第二区130、一第三区140以及一第四区210，低穿透层150a位于第一区120内，第一穿透层170a位于第二区130内。低穿透层150a以及第一穿透层170a与上述实施例中所述相同或相似，因此不再多加叙述。
请参照图2B，在透明基板110上涂布一第二光阻层220。接着对第二光阻层220进行微影制程，以形成第二光阻层220a，如图2C所示，而暴露出透明基板110的第四区210。此微影制程与上述实施例所述相同或相似，而被暴露出的第四区210所对应的元件区域例如是前述元件区域的其中一区。
请参照图2D，然后，在透明基板110与第二光阻层220上形成一第二穿透层230。在此，第二穿透层230相对于低穿透层150a而言具有高穿透率，而第一穿透层170与第二穿透层230之间的穿透率不相同。在一实施例中，第一穿透层170的厚度与第二穿透层230的厚度不相同。在又一实施例中，第一穿透层170的材料与第二穿透层230的材料不相同。在另一实施例中，第一穿透层170的厚度和材料与第二穿透层230的厚度和材料皆不相同。第二穿透层230所采用的材料例如是相位偏移薄膜。
接着，进行剥离制程，将第二光阻层220a移除。在此同时，在第二光阻层220a上方的第二穿透层230会被一并移除而留下位于第四区210内的第二穿透层230a，如图2E所示，而完成多重穿透式光罩(multi-tone)200的制作。若上述的第一与第二穿透层170、230是采用相位偏移薄膜，则所完成的光罩200就是多重相位偏移光罩(multi-tone phase shift mask，MTPSM)。
值得一提的是，进行本实施例时较佳的是能够精确控制光阻的厚度以及相位偏移薄膜的厚度，以避免进行剥离制程时发生膜剥(peeling)。因此，利用涂布稍厚的光阻与使用低温准直溅镀或是在使用化学气相沉积时加场遮罩可以达到上述的要求。另外，显影时增加显影液的温度并且加入震动，例如是超音波震荡(mega sonic)，可以将光阻上的薄膜去除干净，而显影液的更换与管制可以避免污染的发生。
第二实施例
图3A至图3F绘示依照本发明第二较佳实施例的光罩的制造方法的示意图，本实施例的光罩的制造方法包括下列步骤。
请参照图3A，首先，提供一回收的光罩，此光罩具有一透明基板110、一低穿透层150a以及一保护膜310。透明基板110包括一第一区120、一第二区130以及一第三区140，且低穿透层150a位于第一区120内。
请参照图3B，然后移除保护膜310，使得覆盖在保护膜310下的低穿透层150a与透明基板110暴露出来。
请参照图3C，在整个基板上涂布一第一光阻层320。接着，对第一光阻层320进行微影制程以形成第一光阻层320a，如图3D所示，以暴露出第二区130的透明基板110。
请参照图3E，然后，在透明基板110与第一光阻层320a上形成一第一穿透层330，形成的方式及可采用的材料例如与第一实施例中的第一穿透层170相同或相似。
进接着，行剥离制程，将第一光阻层320a移除，且位于光阻层320a上方的第一穿透层330会一并被移除而留下位于第二区130内的第一第一穿透层330a，如图3F所示。如此则完成一半透光光罩300。同样的，若第一穿透层330是采用相位偏移薄膜，则所完成的光罩就是半透光相位偏移光罩。
图4A至4D绘示本发明另一较佳实施例的光罩的制作方法的示意图，其是为图3A至图3F所绘示的光罩制造方法的变化。请参照图4A，半透光光罩302包括了一透明基板110、一低穿透层150a及一穿透层330a。透明基板110包括一第一区120、一第二区130、一第三区140以及一第四区210，低穿透层150a位于第一区120内，第一穿透层330a位于第二区130内。
请参照图4B，在透明基板110上涂布一第二光阻层(未绘示)。之后对第二光阻层进行微影制程以形成第二光阻层340a，其暴露出第四区210的透明基板110。
请参照图4C，然后，在透明基板110与第二光阻层340a上形成一第二穿透层350，形成的方式和可采用的材料例如与第一实施例中的第一穿透层170相同或相似。在一实施例中，第一穿透层330的厚度与第二穿透层350的厚度不相同。在又一实施例中，第一穿透层330的材料与第二穿透层350的材料不相同。在另一实施例中，第一穿透层330的厚度和材料与第二穿透层350的厚度和材料皆不相同。
接着，进行剥离制程，将第二光阻层340a移除，且位于第二光阻层340a上方的第二穿透层350会一并被移除，而留下位于第四区210内的第二穿透层350a，如图4D所示。经由上述制程，则可完成多重穿透式光罩400的制作。同样的，若第一与第二穿透层330、350采用相位偏移薄膜，则完成的光罩就是多重相位偏移光罩。
运用此实施例，可以将生产线上已经使用过的光罩回收重制，以节省大量成本，并能使薄膜电晶体液晶显示器的阵列生产线的五道光罩制程迅速导入成为四道或是三道光罩的制程，因此可以节省大尺寸光罩的成本并增加黄光制程的产能。
第三实施例
图5A至图5H绘示依照本发明第三较佳实施例的光罩的制造方法的示意图，本实施例的光罩的制造方法包括下列步骤。请参照图5A，首先，提供一透明基板110，此透明基板110具有一第一区120、一第二区130、一第三区140，透明基板110例如是石英基板或是其他材料的透明基板。然后在此透明基板110上形成一低穿透层150，此低穿透层150的厚度与材料例如与第一实施例中所述相同或相似。
请参照图5B，对于低穿透层150进行图案化制程以形成低穿透层150a。图案化制程例如是微影以及蚀刻制程，且微影制程例如是以雷射或是电子束定义光阻，而蚀刻制程例如是干蚀刻或是湿蚀刻。
请参照图5C，然后，在整个基板上涂布一第一光阻层(未绘出)。接着对第一光阻层进行微影制程以形成第一光阻层510a，其暴露在透明基板的第二区130与第三区140这两区。上述的微影制程方法例如与第一实施例中所述相同，而被暴露的这两区所对应的元件区域例如是先前所述的元件区域的其中一区。
请参照图5D，然后，在透明基板110与第一光阻层510a上形成一第一穿透层520，形成的方式和所采用的材料例如与第一实施例中的第一穿透层170相同或相似。
进行剥离制程，将第一光阻层510a移除，且在第一光阻层510a上方的第一穿透层520会被一并移除，而留下位于第二区130与第三区140内的第一穿透层520a，如图5E所示。
然后，请参照图5F，在透明基板110上涂布一第二层光阻层(未绘出)。接着对第二光阻层进行微影制程，以形成第二光阻层530a，其暴露出位于透明基板的第三区140内的第一穿透层520a。
请参照图5G，然后，在透明基板110与第二光阻层530a上形成一第二穿透层540，形成的方式和可采用的材料例如与第一实施例中的第一穿透层170相同或相似。
接着，进行剥离制程，将第二光阻层530a移除，且位于第二光阻层530a上方的第二穿透层540会一并被移除，而留下位于第三区140内的第一穿透层520a上的第二穿透层540a，如图5H所示。在一实施例中，第一穿透层520的厚度与第二穿透层540的厚度不相同。在又一实施例中，第一穿透层520的材料与第二穿透层540的材料不相同。在另一实施例中，第一穿透层520的厚度和材料与第二穿透层540的厚度和材料皆不相同。经由上述制程，则可完成一多重穿透式光罩500。同样的，若第一与第二穿透层520、540采用相位偏移薄膜，则完成的光罩就是多重相位偏移光罩。
图6A至6K绘示本发明另一较佳实施例的光罩的制作方法的示意图，其是为图5A至图5H所绘示的光罩制造方法的变化。请参照图6A，提供一透明基板110，此透明基板包括一第一区120、一第二区130、一第三区140及一第四区210。然后，在此透明基板110上形成一低穿透层150。
请参照图6B，对于低穿透层150进行图案化制程以形成低穿透层150a。图案化制程例如是微影以及蚀刻制程，其中微影制程例如是以雷射或是电子束定义光阻，而蚀刻制程例如是干蚀刻或是湿蚀刻。
请参照图6C，然后，在透明基板110上涂布一第一光阻层(未绘出)。接着，对第一光阻层进行微影制程以形成第一光阻层610a，其暴露出透明基板110的第二区130、第三区140与第四区210。
请参照图6D，然后，在透明基板110与第一光阻层610a上形成一第一穿透层620，形成的方式和可采用的材料例如与第一实施例中的第一穿透层170相同。
接着，进行剥离制程，将第一光阻层610a移除，且位于第一光阻层610a上方的第一穿透层620会一并被移除，而留下位于这三区130、140、210内的第一穿透层620a，如图6E所示。
请继续参照图6F，然后，在透明基板110上涂布一第二层光阻层(未绘出)。接着，对第二光阻层进行微影制程以形成第二光阻层630a，暴露出位于透明基板的第三区140内的第一穿透层620a。
请参照图6G，然后，于在透明基板110与第二光阻层630a上形成一第二穿透层640，形成的方式和可采用的材料例如与第一实施例中的第一穿透层170相同或相似。
接着，进行剥离制程，将第二光阻层630a移除，且位于第二光阻层630a上方的第二穿透层640会一并被移除，而留下位于第三区140内的第一穿透层620a上的第二穿透层640a，如图6H所示。
请参照图6I，然后，在透明基板110上涂布一第三层光阻层(未绘出)。接着，对第三光阻层进行微影制程以形成第三光阻层650a，暴露出位于透明基板的第四区210内的第一穿透层620a。
请参照图6J，然后，于在透明基板110与第三光阻层650a上形成一第三穿透层660，形成的方式和可采用的材料例如与第一实施例中的第一穿透层170相同或相似。
接着，进行剥离制程，将第三光阻层650a移除，且位于第三光阻层650a上方的第二穿透层660会一并被移除，而留下位于第四区210内的第一穿透层620a上的第三穿透层660a，如图6K所示。经由上述制程，则可完成一多重穿透式光罩600。若第一、第二与第三穿透层620、640、660是采用相位偏移薄膜，则完成的光罩就是多重相位偏移光罩。
图7绘示了依照依照上述实施例所制作出的多重穿透式光罩的剖面图。请参照图7，多重穿透式光罩700包括包括一透明基板110、一低穿透层150、一第一穿透层720以及一第二穿透层740。透明基板110包括一第一区120、一第二区130、一第三区140。低穿透层150位于第一区120内，第一穿透层720位于第二区130内，第二穿透层740位于第三区140内。特别是，第二区130与第三区140是相连的，因此，具有不同穿透率的第一穿透层720与第二穿透层740是相邻的。
在一实施例中，第一穿透层720的厚度例如是与第二穿透层740的厚度不相同。在又一实施例中，第一穿透层720的材料是与第二穿透层740的材料不相同。在另一实施例中，第一穿透层720的厚度和材料例如是与第二穿透层740的厚度和材料皆不相同。
本发明的光罩除了可用于液晶显示器内的元件的制造，亦可以应用在反射式液晶显示器(reflective type TFT LCD)或是半反半穿透式液晶显示器(transflective type TFT LCD)的反射板的制造。此外，本发明的光罩亦可应用于任何阶梯覆盖(step coverage)的图案设计或是应用于具有顷斜角度(taperangle)的图案设计上。
综上所述，本发明的光罩及其制造方法至少具有下列优点：
一、本发明的光罩制作方法采用剥离(lift off)法，可减少相位偏移光罩的制作程序、减少缺陷产生，因此可以降低相位偏移光罩的生产成本。
二、相较于一般相位转移光罩采用蚀刻制程移除部分相位偏移薄膜，本发明的光罩制作法采用剥离法，可避免蚀刻不均造成相位偏移薄膜厚度不均匀的情形，故只要能控制相位偏移薄膜的厚度，就可以制作出其相位偏移薄膜的穿透率均匀性与相位角均匀性较佳的相位偏移光罩，进而能提升生产线制程的量率。
三、本发明的光罩制作方法可利用回收的传统二元光罩进行重制相位偏移光罩，不但大幅降低了相位偏移光罩的制作成本，更可使薄膜电晶体液晶显示器的阵列生产线从现行的五道光罩制程迅速导入四道或是三道光罩制程，进而提升微影制程的产能。
四、本发明揭示了一简单HTPSM及MTPSM的光罩制作流程，此流程可以在不增添额外的制程设备情况下被广泛用于显示器、彩色滤光片及半导体的黄光微影制程，以减少液晶显示器阵列的制程步骤，节省成本，同时改善光阻形状，竟而提升面板的均一性，减少色不均(mura)的发生。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，所作些许的更动与润饰，仍应属于本发明的保护范围。
【主要元件符号说明】
100、102、300、302：半透光光罩
110：透明基板
120：第一区
130：第二区
140：第三区
150、150a：低穿透层
160、160a、220、220a、320、320a、340a、510a、530a、
610a、630a、650a：光阻层
170、170a、230、230a、330、330a、350、350a、520、520a、
540、540a、620、620a、640、640a、660、660a、720、740：
穿透层
200、400、500、600、700：多重穿透式光罩
210：第四区
310：保护膜
Claims (5)
1.一种光罩的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
提供一透明基板，其具有一第一区、一第二区以及一第三区；
在该透明基板的该第一区中形成一低穿透层；
在该透明基板上形成一第一光阻层，暴露出该透明基板的该第二与第三区；
在该透明基板与该第一光阻层上形成一第一穿透层；
移除该第一光阻层，其中位于该第一光阻层上的该第一穿透层会同时被移除，而留下形成在该透明基板的该第二与第三区内的该第一穿透层；
在该透明基板上方形成一第二光阻层，覆盖住该低穿透层与位于该第二区内该第一穿透层，且暴露出位于该第三区内的该第一穿透层；
在该第二光阻层上形成一第二穿透层，覆盖住被暴露出的该第一穿透层；
移除该第二光阻层，其中位于该第二光阻层上的该第二穿透层会同时被移除，而留下形成在该第三区内的该第一穿透层上的该第二穿透层。
2.如权利要求1所述的光罩的制造方法，其特征在于：该第一穿透层的材料与该第二穿透层的材料不相同。
3.如权利要求1所述的光罩的制造方法，其特征在于：该第一穿透层的厚度与该第二穿透层的厚度不相同。
4.如权利要求1所述的光罩的制造方法，其特征在于：该第一穿透层的材料及厚度与该第二穿透层的材料与厚度皆不相同。
5.如权利要求1所述的光罩的制造方法，其特征在于：该透明基板更包括一第四区，其中：
在形成该第一光阻层的步骤中，该第四区的该透明基板会被暴露出来；
在移除该第一光阻层之后，该第一穿透层会留在该第四区内；
在形成该第二光阻层的步骤中，该第四区会被覆盖住；
在移除该第二光阻层之后，该第四区内的该第一穿透层会被暴露出；
且在移除该第二光阻层之后更包括如下步骤：
在该透明基板上方形成一第三光阻层，暴露出该第四区内的该第一穿透层；
在该第三光阻层上形成一第三穿透层，覆盖住位于该第四区内的该第一穿透层；以及
移除该第三光阻层，其中位于该第三光阻层上的该第三穿透层会同时被移除，而留下形成在该第四区内的该第一穿透层上的该第三穿透层。
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