CN1808267B - 掩膜及其制造方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
一种掩膜及其制造方法及其应用，其具有一透明基板、一半穿透层以及一膜层。其中，透明基板中至少包括一第一区、一第二区以及一第三区；半穿透层覆盖于透明基板的第二区及第三区，且暴露出第一区；而膜层覆盖位于第三区的半穿透层上，以使第三区的透光率低于第二区的透光率。上述的半穿透层与膜层可由相位偏移薄膜制作而成，以形成相位偏移掩膜。此外，本发明也提出多种掩膜的制作方法，以形成具有上述结构的掩膜。本发明的掩膜制作方法是采用剥离工艺，以简化相位偏移掩膜的工艺，并且可避免已知技术中因刻蚀不均而造成相位偏移薄膜厚度不均匀的情形。
Description
技术领域
本发明是有关于一种掩膜及其制造方法及其应用，且特别是有关于一种相位偏移掩膜(phase shift mask，PSM)及其制造方法及其应用。
背景技术
一般传统掩膜的制作包括首先提供一石英(quartz)基板，在此石英基板上先形成一层金属层。然后在石英基板与金属层上形成一层光刻胶层，经由在特定区域曝光以及显影，将部分区域的光刻胶层移除并暴露出被移除的光刻胶层下的金属层。之后再经由干刻蚀或是湿刻蚀工艺将暴露出的金属层移除。将光刻胶层完全移除后，在石英基板上便形成遮光与透光的图案。最后再加上一透明的保护膜(pellicle)，这样便完成一二元掩膜(binary mask)。
虽然二元掩膜被广泛地应用于半导体产业中，然而，由于这种掩膜具有精度不高的缺点，因此，将会影响到光刻胶层上利用此二元掩膜进行曝光后所形成的图案的精准度。而为改善上述缺点，便有人提出一种相位偏移掩膜(phase shift mask)以解决此问题。
一般的相位偏移掩膜是采用与二元掩膜相同的技术制作而成。首先，先完成二元掩膜的初步制作。之后，在二元掩膜上形成一相位偏移薄膜，然后，在二元掩膜与相位偏移层薄膜上形成一层光刻胶层，经由在特定区域曝光以及显影，将部分区域的光刻胶层移除并暴露出被移除的光刻胶层下的相位偏移薄膜。之后，再经由干刻蚀或是湿刻蚀工艺将暴露出的相位偏移薄膜移除。将光刻胶层完全移除后，最后再加上一透明的保护膜，这样便完成一相位偏移掩膜。值得注意的是，一般相位偏移薄膜的材料是高度透光的材料(例如：石英)，因此，通过相位偏移薄膜的光线与未通过相位偏移薄膜的光线仅在于相位有差别，光强度则无明显差异。
虽然相位偏移掩膜可以解决分辨率不足的问题，然而因为其制造方式中利用到了刻蚀的技术。若此刻蚀工艺对于相位偏移薄膜有刻蚀不均的情形，将会导致掩膜上的相位偏移薄膜厚度不均，所以当光线穿透位在掩膜的不同位置的相位偏移薄膜之后，其穿透率(transmittance)或相位角(phase angle)将可能不相同，进而造成光刻工艺(微影制程)的良率不佳。
此外，相位偏移掩膜的制作是在二元掩膜完成初步制作后，再于此掩膜上形成一层相位偏移薄膜，经过光刻工艺定义相位偏移薄膜的图案，然后再通过刻蚀工艺将图案转移至相位偏移薄膜，最后再将光刻胶完全去除。相较于传统二元掩膜，由于制造程序较多，因此制作掩膜时产生缺陷(defect)的机会增加，因而可能导致制作掩膜的成本提高。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是在于提供一种掩膜，其具有较为均匀的透光率与相位角。
本发明的又一目的就是在于提供一种掩膜的制造方法，其是使用剥离工艺来完成相位偏移层的制作，以避免已知技术中因采用刻蚀工艺定义相位偏移薄膜的图案，因而造成的薄膜厚度不均的问题。
本发明的再一目的就是在于提供一种掩膜的制造方法，以降低相位偏移掩膜的制作成本。
本发明的另一目的就是在于提供一种掩膜的制造方法，利用此掩膜进行光刻胶的曝光及显影，将有助于改善所定义出的光刻胶图案的精准度，以增进半调(Halftone)工艺的良率及工艺的余裕度。
本发明的另一目的就是在于提供一种液晶显示器的工艺，其是利用上述的掩膜来进行。
基于上述目的或其它目的，本发明提出一种掩膜，其包括有一透明基板、一半穿透层以及一膜层。透明基板至少包括一第一区、一第二区以及一第三区。半穿透层覆盖于透明基板的第二区及第三区，且暴露出第一区。而膜层覆盖位于第三区的半穿透层上，以使第三区的透光率低于第二区的透光率。
在本发明的一实施例中，膜层与半穿透层是由一半穿透材料制作而成。此半穿透材料可为一相位偏移薄膜，且此相位偏移薄膜选自金属硅化物(metal silicide)、金属氧化物(metal oxide)、金属氟化物(metal fluoride)、金属硅氧化物(metal silicide oxide)、金属硅氮化物(metal silicide nitride)、金属硅氮氧化物(metal silicide oxynitride)、金属硅碳氧化物(metal silicidecarbide oxide)、金属硅碳氮化物(metal silicide carbide nitride)、金属硅碳氮氧化物(metal silicide carbide oxynitride)、合金薄层、金属薄层、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
在本发明的一实施例中，此膜层可为一遮光薄膜。此遮光薄膜为一黑色金属薄膜或一黑色树脂。更进一步而言，此黑色金属薄膜选自铬、氧化铬、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
基于上述目的或其它目的，本发明另提出一种掩膜的制造方法，包含下列步骤：首先，提供一透明基板，其具有一第一区、一第二区以及一第三区。接着，在透明基板的第二区以及第三区内形成一半穿透层，并暴露出透明基板的第一区。然后，在透明基板上形成一光刻胶层，其中光刻胶层覆盖位于第二区的半穿透层以及透明基板的第一区，且暴露出位于第三区的半穿透层。接着，在光刻胶层与半穿透层上形成一膜层。最后，移除光刻胶层，其中位于光刻胶层上的膜层会同时被移除，而留下位于第三区的膜层。
在本发明的一实施例中，在透明基板的第二区以及第三区内形成半穿透层的方法是通过光刻及刻蚀工艺所形成。
在本发明的一实施例中，在透明基板的第二区以及第三区内形成半穿透层的方法包括下列步骤：首先，在透明基板的第一区形成一第一光刻胶层。接着，在透明基板与光刻胶层上形成一半穿透材料层。最后，移除光刻胶层，其中位于光刻胶层上的半穿透材料层会同时被移除，而留下位于第二区以及第三区的半穿透材料层。
在本发明的一实施例中，膜层与半穿透层是使用一半穿透材料制作而成。此半穿透材料可为一相位偏移薄膜。更进一步而言，相位偏移薄膜选自金属硅化物(metal silicide)、金属氧化物(metal oxide)、金属氟化物(metalfluoride)、金属硅氧化物(metal silicide oxide)、金属硅氮化物(metal silicidenitride)、金属硅氮氧化物(metal silicide oxynitride)、金属硅碳氧化物(metalsilicide carbide oxide)、金属硅碳氮化物(metal silicide carbide nitride)、金属硅碳氮氧化物(metal silicide carbide oxynitride)、合金薄层、金属薄层、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
在本发明的一实施例中，膜层为一遮光薄膜。此外，遮光薄膜为一黑色金属薄膜或一黑色树脂。而此黑色金属薄膜选自铬、氧化铬、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
基于上述目的或其它目的，本发明再提出一种掩膜的制造方法，包括下列步骤：首先，提供一透明基板，其具有一第一区、一第二区以及一第三区。接着，在透明基板的第一区形成一第一光刻胶层，暴露出透明基板的第二区及第三区。之后，在透明基板与第一光刻胶层上形成一半穿透层。然后，在位于第一区以及第二区的半穿透层上形成一第二光刻胶层，暴露出位于第三区的半穿透层。再来，在半穿透层与第二光刻胶层上形成一膜层。最后，移除第一光刻胶层与第二光刻胶层，其中位于第一光刻胶层上的半穿透层与位于第二光刻胶层上的膜层会同时被移除，而留下位于第二区的半穿透层及位于第三区的第半穿透层与膜层，并且使第一区暴露出来。
在本发明的一实施例中，形成第一光刻胶层与第二光刻胶层所采用的曝光条件与显影条件不相同。
在本发明的一实施例中，第一光刻胶层的溶解度低于第二光刻胶层的溶解度。
在本发明的一实施例中，膜层与半穿透层是使用一半穿透材料制作而成。
在本发明的一实施例中，半穿透材料为一相位偏移薄膜。且前述的相位偏移薄膜选自金属硅化物(metal silicide)、金属氧化物(metal oxide)、金属氟化物(metal fluoride)、金属硅氧化物(metal silicide oxide)、金属硅氮化物(metal silicide nitride)、金属硅氮氧化物(metal silicide oxynitride)、金属硅碳氧化物(metal silicide carbide oxide)、金属硅碳氮化物(metal silicidecarbide nitride)、金属硅碳氮氧化物(metal silicide carbide oxynitride)、合金薄层、金属薄层、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
在本发明的一实施例中，膜层为一遮光薄膜。此遮光薄膜可为一黑色金属薄膜或一黑色树脂。更进一步而言，黑色金属薄膜选自铬、氧化铬、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
基于上述目的或其它目的，本发明更提出一种液晶显示器的工艺应用，其是利用上述的掩膜来进行。
综上所述，本发明的掩膜制作方法是采用剥离工艺，以简化相位偏移掩膜的工艺，并且可避免已知技术中因刻蚀不均而造成相位偏移薄膜厚度不均匀的情形。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的掩膜的剖面示意图。
图2是本发明的另一种掩膜的剖面示意图。
图3A～图3E是图1中所示的掩膜的制作流程剖面图。
图4A～图4C是以剥离工艺来制作图3B中所示的半穿透层的流程剖面图。
图5A～图5F是另一种掩膜的制造方法的流程剖面图。
图6A是本发明其中一实施例的掩膜的光强度示意图。
图6B是本发明另一实施例的掩膜的光强度示意图。
图6C是本发明另一实施例的掩膜的光强度示意图。
主要组件符号说明：
100：掩膜； 100’：掩膜；
110：透明基板； 112：第一区；
114：第二区； 116：第三区；
120：半穿透层； 130：膜层；
132：遮光薄膜； 140：光刻胶层；
150：光刻胶层； 160：第一光刻胶层；
170：第二光刻胶层；200：入射光。
具体实施方式
图1所示为本发明的掩膜的剖面示意图。请参照图1，本发明的掩膜100主要包括一透明基板110、一半穿透层120以及一膜层130。透明基板110例如是由石英或其它透明材料所组成，且其包括一第一区112、一第二区114、一第三区116。半穿透层120覆盖于透明基板110的第二区114及第三区116，并暴露出第一区112，且半穿透层120例如是由一半穿透材料所组成。膜层130是覆盖于第三区116的半穿透层120上。由于透明基板110上的第三区116上配置有半穿透层120以及膜层130，而其第二区114上仅配置有半穿透层120，因此，第三区116的透光率将会低于第二区114的透光率。由图中可知，掩膜100上的第一区112为完全透光的区域，其第二区114为半色调(halftone)区，而其第三区116为遮光区，因此这三区分别具有不同的透光率。
在一实施例中，半穿透层120与膜层130二者都可由一半穿透材料制作而成。在此实施例中，即是通过在透明基板110上的不同区域沉积上不同厚度的半穿透材料，以产生具有不同透光率的掩膜。此半穿透材料为一相位偏移薄膜，且相位偏移薄膜的材质可为金属硅化物(metal silicide)、金属氧化物(metal oxide)、金属氟化物(metal fluoride)、金属硅氧化物(metal silicideoxide)、金属硅氮化物(metal silicide nitride)、金属硅氮氧化物(metal silicideoxynitride)、金属硅碳氧化物(metal silicide carbide oxide)、金属硅碳氮化物(metal silicide carbide nitride)、金属硅碳氮氧化物(metal silicide carbideoxynitride)、合金薄层、金属薄层、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。利用相位偏移薄膜制作而成的掩膜即为相位偏移掩膜。另外，通过半穿透层120与膜层130的厚度的调整以及材质的选择可调整掩膜上各区的透光率。因此，使用者可以依据实际所需而针对半穿透层120与膜层130选择适当的材质以及厚度。
在另一实施例中，半穿透层120与膜层130是通过不同的材料制作而成。图2所示为本发明的另一种掩膜的剖面示意图。请参考图2所示，此掩膜100’的半穿透层120为上述的相位偏移薄膜，而覆盖于第三区116的半穿透层120上的膜层130为一遮光薄膜132。此遮光薄膜132为一黑色金属薄膜或一黑色树脂。更进一步而言，黑色金属薄膜选自铬、氧化铬、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
而上述的掩膜100可应用液晶显示器的工艺当中，例如是应用于制作薄膜晶体管的栅极、沟道区、源极与漏极区、电容器的电极或接触窗；半穿半反射式(transflective type)或反射式(reflective type)液晶显示器的反射电极；彩色滤光片的彩色光刻胶图案、间隙子(photo spacer)；或是广视角液晶显示器的突起物(protrusion)等等。
而以下将搭配图标说明几种用以制作上述掩膜100与100’的方法。
图3A～3E所示为图1中所示的掩膜的制作流程剖面图。首先，请参考图3A，提供一透明基板110，此透明基板110具有一第一区112、一第二区114以及一第三区116。此外，透明基板110可以是由石英或是其它透明材质所组成。接着，请参考图3B所示，在透明基板110的第二区114及第三区116内形成一半穿透层120，并暴露出透明基板110的第一区112。在此步骤中，可先以沉积的方式在透明基板110上形成一半穿透层120，再利用光刻及刻蚀工艺而图案化此半穿透层120，其中光刻工艺例如是以激光或是电子束(e-beam)定义光刻胶，而刻蚀工艺例如是干刻蚀或是湿刻蚀。
之后，请参考图3C所示，在透明基板110上形成一光刻胶层140，此光刻胶层140覆盖位于第二区114的半穿透层120以及透明基板110的第一区112，且暴露出位于第三区116的半穿透层120。接下来，请参考图3D所示，在光刻胶层140与半穿透层120上全面性地形成一膜层130。最后，请参照图3E，进行剥离(lift off)工艺，以移除光刻胶层140，在此同时，位于光刻胶层140上的膜层130会同时被移除，而仅留下位于第三区116的膜层130。至此，即完成掩膜100的制作过程。掩膜100上的第一区112为完全透光的区域，其第二区114为半色调(halftone)区，而其第三区116为遮光区。
在此，半穿透层120与膜层130二者都由一半穿透材料制作而成。此半穿透材料为一相位偏移薄膜，且相位偏移薄膜的材质可为金属硅化物(metalsilicide)、金属氟化物(metal fluoride)、金属硅氧化物(metal silicide oxide)、金属硅氮化物(metal silicide nitride)、金属硅氮氧化物(metal silicideoxynitride)、金属硅碳氧化物(metal silicide carbide oxide)、金属硅碳氮化物(metal silicide carbide nitride)、金属硅碳氮氧化物(metal silicide carbideoxynitride)、合金薄层、金属薄层、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
此外，若上述的膜层130是以遮光材料来取代，则所制成的掩膜结构如图2所示，也就是形成在半穿透层120上的是遮光薄膜132。此遮光薄膜132为一黑色金属薄膜或一黑色树脂。更进一步而言，黑色金属薄膜是选自铬、氧化铬、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。如此，利用由不同材料所组成的半穿透层120与膜层130同样可以形成图2中所示的具有透光图案、低透光图案以及半透光图案的掩膜100’。
在上述的实施例中，图3B中所示的半穿透层120是以光刻及刻蚀工艺形成。然而，半穿透层120也可利用剥离工艺来形成。图4A～4C是显示以剥离工艺来制作图3B中所示的半穿透层的流程剖面图。首先，请参考图4A，进行一光刻工艺，以在透明基板110的第一区112内形成第一光刻胶层150。接着，请参考图4B，在透明基板110与光刻胶层150上形成一半穿透层120。在本发明的一实施例中，可先涂布上一层稍厚的光刻胶层150，之后，再利用低温准直溅镀(collimated sputtering)或是在使用化学气相沉积时加场屏蔽(field screen)等方式形成半穿透层120，如此，即可降低薄膜的阶梯覆盖能力，进而提升后续剥离工艺(Lift off)的优良率。接着，请参考图4C所示，移除光刻胶层150，其中位于光刻胶层150上的半穿透层120会同时被移除，而留下位于第二区114以及第三区116的半穿透层120。
图5A～5F所示为另一种掩膜的制造方法的流程剖面图。首先，请参考图5A，提供一透明基板110，此透明基板110具有一第一区112、一第二区114以及一第三区116。透明基板110可以是由石英或是其它透明材质所组成。接着，请参考图5B所示，在透明基板110的第一区112形成一第一光刻胶层160，暴露出透明基板110的第二区114及第三区116。在此实施例中，第一光刻胶层160可为一色光刻胶(colored photo-resist)，如此将有利于对形成在透明基板110上的第一光刻胶层160作定位测量。之后，请参考图5C所示，在暴露出的透明基板110与第一光刻胶层160上形成一半穿透层120。在进行上述步骤时，可先涂布上一层稍厚的第一光刻胶层160，之后，再利用低温准直溅镀或是在使用化学气相沉积时加场屏蔽等方式形成半穿透层120，如此，即可降低薄膜的阶梯覆盖能力，进而提升后续剥离工艺的优良率。
接下来，请参考图5D所示，在半穿透层120上形成第二光刻胶层170，所形成的第二光刻胶层170是位于第一区112以及第二区114的半穿透层120上，并暴露出位于第三区116的半穿透层120。之后，请参考图5E所示，在半穿透层120及第二光刻胶层170上形成一膜层130。同样地，在图5D及5E所示的步骤中，可先涂布上一层稍厚的第二光刻胶层170，之后，再利用低温准直溅镀或是在使用化学气相沉积时加场屏蔽等方式形成膜层130，如此，即可降低薄膜的阶梯覆盖能力，进而提升后续剥离工艺的优良率。最后，请参考图5F所示，进行剥离工艺，以移除第一光刻胶层160与第二光刻胶层170，在此同时，位于第一光刻胶层160上的半穿透层120与位于第二光刻胶层170上的膜层130会同时被移除，而仅留下位于第二区114的半穿透层120及位于第三区116的半穿透层120与膜层130，并且使透明基板110的第一区112暴露出来。
图5C～5F中所示的半穿透层120与膜层130可由相同或是不同的材料制作而成，而其可选用的材料已在上述说明，所以，在此不再重述。
为防止第二光刻胶层170在进行曝光及显影的工艺时会影响到第一光刻胶层160原有的图案，因此，可通过选择具有不同溶解度的光刻胶材料来作为第一光刻胶层160与第二光刻胶层170，例如：使第一光刻胶层160具有较低的溶解度，而使第二光刻胶层170具有较高的溶解度，以防止第二光刻胶层170在进行显影时会同时移除掉部分的第一光刻胶层160。在另一实施例中，第一与第二光刻胶层160、170可使用相同的光刻胶材料，但在对第一光刻胶层160与第二光刻胶层170进行曝光与显影时是采用不同的条件。图6A所示为本发明其中一实施例的掩膜的光强度示意图。图6B所示为本发明另一实施例的掩膜的光强度示意图。图6C所示为本发明再一实施例的掩膜的光强度示意图。请参考图6A、图6B以及图6C，掩膜100即如图1所示，掩膜100’即如图2所示。此外，图6A的相位偏移薄膜的相位角为π /2≤ψ≤3π/2；图6B的相位偏移薄膜的相位角为0≤ψ＜π/2且3π/2＜ ψ≤2π；图6C的相位偏移薄膜的相位角为π/2≤ψ≤3π/2且3π/2＜ψ≤ 2π。由于两掩膜100、100’的第三区116(即遮光区)上分别沉积有一半穿透层130以及一遮光薄膜132因而会有相对少量的光波通过，因此，入射光200在第二区114的波形会与第三区116的波形产生干涉。而在图6A、6B及6C的下方所示，即为利用掩膜100、100’进行曝光光刻工艺后，所得的光刻胶层300的轮廓。特别是，图6A的掩膜100的第三区116的膜层厚度将会影响到其相位角，而产生不同的干涉波形。所以，使用者可依据不同的使用需求，调整所需的相位偏移薄膜的厚度，并搭配上合适的光刻胶材料及工艺参数，以得到所需的光刻胶图案及线宽。
综上所述，本发明的掩膜及其制造方法至少具有下列优点：
一、本发明的掩膜制作方法采用剥离工艺，可减少相位偏移掩膜的制作程序、减少因刻蚀不均所导致的缺陷或穿透率不均的发生，因此可以降低相位偏移掩膜的生产成本。
二、相较于一般相位转移掩膜采用刻蚀工艺移除部分相位偏移薄膜，本发明的掩膜制作法采用剥离法，可避免因刻蚀不均而造成相位偏移薄膜厚度不均匀的情形，因此，只要能控制相位偏移薄膜的厚度，就可以制作出其相位偏移薄膜的穿透率均匀性与相位角均匀性较佳的相位偏移掩膜，进而能提升生产线工艺的优良率。
三、本发明揭示了一种简易的掩膜制作流程，此流程可以在不增添额外的工艺设备情况下被广泛用于显示器、彩色滤光片及半导体的黄光光刻工艺，以减少液晶显示器阵列的工艺步骤，节省成本，同时改善光刻胶形状，进而提升面板的均一性，减少色不均(mura)的发生。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。
Claims (17)
1.一种掩膜的制造方法，其特征在于包括：
提供一透明基板，其具有一第一区、一第二区以及一第三区；
在所述透明基板的第二区以及第三区内形成一半穿透层，并暴露出透明基板的第一区；
在所述透明基板上形成一光刻胶层，其中该光刻胶层覆盖位于第二区的半穿透层以及透明基板的第一区，且暴露出位于第三区的半穿透层；
在所述光刻胶层与半穿透层上形成一膜层；以及
移除所述光刻胶层，其中位于该光刻胶层上的膜层同时被移除，而留下位于第三区的膜层。
2.如权利要求1所述的掩膜的制造方法，其特征在于，在所述透明基板的第二区以及第三区内形成半穿透层的方法是通过光刻工艺所形成。
3.如权利要求1所述的掩膜的制造方法，其特征在于，在所述透明基板的第二区以及第三区内形成半穿透层的方法包括下列步骤：
在所述透明基板的第一区形成一光刻胶层；
在所述透明基板与所述光刻胶层上形成一半穿透层；以及
移除所述光刻胶层，其中位于所述光刻胶层上的半穿透层同时被移除，而留下位于第二区以及第三区的半穿透层。
4.如权利要求1所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述膜层与所述半穿透层是使用一半穿透材料制作而成。
5.如权利要求4所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述半穿透材料为一相位偏移薄膜，且该相位偏移薄膜是选自金属硅化物、金属氧化物、金属氟化物、金属硅氧化物、金属硅氮化物、金属硅氮氧化物、金属硅碳氮化物、金属硅碳氮氧化物、合金薄层、金属薄层、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
6.如权利要求1所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述膜层为一遮光薄膜。
7.如权利要求6所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述遮光薄膜为一黑色金属薄膜或一黑色树脂。
8.如权利要求7所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述黑色金属薄膜是选自铬、氧化铬、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
9.一种掩膜的制造方法，其特征在于包括：
提供一透明基板，其具有一第一区、一第二区以及一第三区；
在所述透明基板的第一区形成一第一光刻胶层，暴露出所述透明基板的第二区及第三区；
在所述透明基板与所述第一光刻胶层上形成一半穿透层；
在位于第一区以及第二区的半穿透层上形成一第二光刻胶层，暴露出位于第三区的半穿透层；
在所述半穿透层与所述第二光刻胶层上形成一膜层；以及
移除所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层，其中位于第一光刻胶层上的半穿透层与位于第二光刻胶层上的膜层同时被移除，而留下位于第二区的半穿透层及位于第三区的半穿透层与膜层，并且使第一区暴露出来。
10.如权利要求9所述的掩膜的制造方法，其特征在于，形成第一光刻胶层与第二光刻胶层所采用的曝光条件与显影条件不相同。
11.如权利要求9所述的掩膜的制造方法，其特征在于，第一光刻胶层的溶解度低于第二光刻胶层的溶解度。
12.如权利要求9所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述膜层与所述半穿透层是使用一半穿透材料制作而成。
13.如权利要求12所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述半穿透材料为一相位偏移薄膜，且该相位偏移薄膜是选自金属硅化物、金属氧化物、金属氟化物、金属硅氧化物、金属硅氮化物、金属硅氮氧化物、金属硅碳氮化物、金属硅碳氮氧化物、合金薄层、金属薄层、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
14.如权利要求9所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述膜层为一遮光薄膜。
15.如权利要求14所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述遮光薄膜系为一黑色金属薄膜或一黑色树脂。
16.如权利要求15所述的掩膜的制造方法，其特征在于，所述黑色金属薄膜是选自铬、氧化铬、碳化物、碳氧化物及其组合其中之一。
17.一种液晶显示器的工艺，其特征在于，其是利用如权利要求1所述的掩膜来进行一光刻工艺。
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