TWI426343B - 一種具有多個半透射部分之半色調網點光罩及其製造方法 - Google Patents

Description

一種具有多個半透射部分之半色調網點光罩及其製造方法

本發明係關於一種具有一透射部分、一半透射部分與一光遮罩部分之半色調網點光罩及其製造方法。更特定言之，本發明係關於具有多個半透射部分之半色調網點光罩及其製造方法，其藉由具有至少兩個或更多光透射率彼此不同之半透射部分而能用單一光罩型樣化複數個層。

光罩通常於一光微影製程之型樣化期間使用，其包括一透明基板11、一形成於該透明基板11上用於完全透射光之光透射部分13，及一用於完全遮罩該光之光遮罩部分15，如圖1所示。

由於上述光罩僅可用於形成一層之型樣，所以其只能用於按曝光製程、顯影製程及蝕刻製程之順序進行之一週期該光微影製程期間。更特定言之，液晶顯示器(LCD)之薄膜電晶體(TFT)與濾色器(CF)係被沈積及塗佈為多層。每一該等沈積與塗佈之層藉由該光微影製程而型樣化。若能簡化一週期之該光微影製程，則經濟效果顯著。然而，如上所述，該傳統光罩僅能形成一層之圖案，因此不經濟。

因此，本發明之一目標係提供一種具有多個半透射部分之半色調網點光罩及其製造方法，其藉由具有至少兩個或更多光透射率彼此不同之半透射部分，能用單一光罩型樣化複數個層。

根據本發明之一態樣，提供一種具有多個半透射部分之半色調網點光罩，其包括：一透明基板；一形成於該透明基板上用以透射預定工作波段雷射光束之光透射部分；一形成於該透明基板上用以遮罩該預定工作波段之雷射光束之光遮罩部分；及至少兩個或更多個半透射部分，該等半透射部分藉由沈積半透射材料於該透明基板上而形成，其以各自不同之光透射率通過該預定工作波段之雷射光束。

可根據該半透射材料之成分或該半透射部分之厚度來控制至少兩個或更多個該半透射部分之光透射率。

該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且為至少兩種或更多種主要元素混合至其中之合成材料，或為Cox、Ox及Nx至少其中之一添加至該合成材料之添加材料。

該光遮罩部分可藉由沈積該光遮罩材料薄膜而形成，或藉由依次沈積一半透射材料薄膜與一光遮罩材料薄膜而形成。

根據本發明之另一態樣，提供一種具有多個半透射部分之一半色調網點光罩之製造方法，其包括：藉由按順序利用一曝光製程、一顯影製程及一蝕刻製程而依次於一透明基板上形成一光遮罩層與一第一光阻蝕劑，且形成一用於透射光之光透射部分及用於遮罩該光遮罩層上之光遮罩部分；於清除該第一光阻蝕劑後沈積半透射材料，用於透射一部分輻照於該光遮罩部分與該光透射部分上、具有預定工作波段之光；於該半透射材料上形成一第二光阻蝕劑，且曝光及顯影該第二光阻蝕劑，以曝光一部分該半透射材料；藉由於蝕刻該被曝光之半透射材料之後清除該第二光阻蝕劑而形成一基本半透射部分；及於其上未形成該基本半透射部分之該光透射部分上沈積該等半透射材料，且形成至少一個光透射率與該基本半透射部分不同之半透射部分。

根據本發明之另一態樣，提供一種具有多個半透射部分之一半色調網點光罩之製造方法，其包括：藉由按順序利用曝光製程、顯影製程及蝕刻製程而依次於一透明基板上形成一光遮罩層與一第一光阻蝕劑，且形成一用於透射光之光透射部分及用於遮罩該光遮罩層上之該光之光遮罩部分；清除該第一光阻蝕劑且在該透射部分與該光遮罩部分上形成一第二光阻蝕劑，曝光與顯影該第二光阻蝕劑，用以使形成該半透射部分處之一部分該光透射部分曝光至外界；在曝光至外界處之該光透射部分之一上部及該第二光阻蝕劑之一上部沈積該半透射材料；藉由利用剝離法清除該第二光阻蝕劑與沈積於該第二光阻蝕劑上部之該半透射材料，且僅 該被曝光至外界之該光透射部分上部保留該半透射材料，從而形成一基本半透射部分；於該基本半透射部分、該光透射部分及該透明基板上形成一第三光阻蝕劑，且曝光與顯影該第三光阻蝕劑，用以使形成該半透射部分處之該光透射部分之一部分曝光至外部；在曝光至外界之該光透射部分上部及該第二光阻蝕劑上部沈積該半透射材料；及藉由利用剝離法清除沈積於該第三光阻蝕劑上部之該半透射材料，僅該被曝光至外界之該光透射部分上部保留該半透射材料可重複形成該半透射部分之過程，用以另外形成該半透射部分。

根據本發明之又一態樣，提供一種具有多個半透射部分之一半色調網點光罩之製造方法，其包括：藉由於一透明基板上依次形成一半透射材料薄膜、一光遮罩材料薄膜及一第一光阻蝕劑，形成一完全曝光區域與一半曝光區域，在該第一光阻蝕劑上實施一完全曝光製程與一半曝光製程，且顯影該第一光阻蝕劑之該被曝光部分；依次蝕刻該完全曝光區域上已分別被曝光之該光遮罩材料薄膜與該半透射材料薄膜，以便形成一光透射部分；在該第一光阻蝕劑上實施灰化製程，以將位於該半曝光區域上之該光遮罩材料曝光至外界；藉由部分地蝕刻該曝光至外界之該光遮罩材料薄膜，以將該半透射材料曝光至外界，從而形成一基本半透射部分，並藉由清除該第一光阻蝕劑而形成一光遮罩部分；及藉由在該光透射部分上沈積該半透射材料，形成至少一個其光透射率與該基本半透射部分不同之半透射部分。

形成該半透射部分之過程可包括以下步驟：在該基本半透射部分、該光透射部分與該光遮罩部分上形成一第二光阻蝕劑；曝光與顯影該第二光阻蝕劑，以將其上形成該半透射部分之該光透射部分之一部分曝光至外界；在被曝光至外界之該光透射部分之該上部及該第二光阻蝕劑之該上部沈積該半透射材料；藉由利用剝離法清除沈積於該第二光阻蝕劑之該上部之該半透射材料，且僅被曝光至外界之該光透射部分之該上部保留該半透射材料。

可重複形成該半透射部分之過程，用以另外形成該半透射部分。

根據本發明之又一態樣，提供一種具有多個半透射部分之一半色調網點光罩，其包括：一透明基板；一形成於該透明基板上用以透射預定工作波段之雷射光束之光透射部分；一形成於該透明基板上用以遮罩該預定工作波段之雷射光束之光遮罩部分；及至少兩個或更多以不同光透射率通過輻照於該透明基板上之該預定工作波段光之半透射部分，其中該半透射部分包括一狹縫型半透射部分、一沈積型半透射部分或兩者之組合。

該沈積型半透射部分可藉由沈積該半透射材料薄膜而形成。

該狹縫型半透射部分可形成於該光遮罩部分之一預定部分上。

該狹縫型半透射部分可形成於該沈積型半透射部分之一預定部分上。

該沈積型半透射部分之該光透射率可根據該半透射材料薄膜之成分或厚度之變化而變化。

該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物。

該狹縫型半透射部分之該光透射率可根據該狹縫之寬度與高度之變化而變化。

根據本發明之又一態樣，提供一種具有多個半透射部分之一半色調網點光罩之製造方法，其包括：依次於該透明基板上形成一光遮罩材料薄膜及一第一光阻蝕劑，然後利用曝光製程與顯影製程於該第一光阻蝕劑上形成至少一狹縫空間；利用該顯影製程蝕刻該被曝光之光遮罩材料薄膜，且清除該第一光阻蝕劑以形成一光遮罩部分、一光透射部分與一狹縫型半透射部分；及在該光透射部分上沈積該半透射材料，用以形成至少一其光透射率與該 狹縫型半透射部分不同之沈積型半透射部分。

根據本發明之又一態樣，提供一種具有多個半透射部分之一半色調網點光罩之製造方法，其包括：藉由按先後順序利用曝光製程、顯影製程與蝕刻製程，依次於一透明基板上形成一光遮罩材料薄膜與一第一光阻蝕劑，且形成一透射光之光透射部分與一遮罩該光遮罩層上之該光遮罩部分；於該光透射部分上沈積用於透射一部分具有預定工作波段之該光之半透射材料，用以形成至少一沈積型半透射部分；在該沈積型半透射部分與該光遮罩部分至少其中之一上形成一其光透射率與該沈積型半透射部分不同之狹縫型半透射部分。

下文將參照附圖詳細描述根據本發明之一種具有多個半透射部分之一半色調網點光罩及其製造方法。

參照圖2，根據本發明一具體實施例之該具有多個半透射部分之半色調網點光罩100包括一透明基板110、一光遮罩部分125、一光透射部分121與複數個半透射部分130。

該透明基板110通常由石英(Qz)構成，但並不侷限於此。該透明基板110通常可由能透射光之透明材料構成。該光遮罩部分125與該光透射部分121藉由型樣化沈積於該透明基板110上之光遮罩材料薄膜而形成，較佳地由Cr、CrxOy或其混合材料形成。然而，該光遮罩材料薄膜包括能遮罩該光之所有材料。

換言之，透射該光之該光透射部分121為藉由該型樣化而被曝光之該透明基板110之一部分。遮罩該光之該光遮罩部分125為該型樣化後該光遮罩材料之保留部分。換言之，該光遮罩部分125由該光遮罩材料薄膜形成。

同時，該半透射部分130形成於該光透射部分121之該透明基板110上。藉由沈積該由不同成分所構成之半透射材料，該半透射部分130透射被輻照之一部分具有預定工作波段之光。

根據本發明之一具體實施例，該等半透射部分130可形成為 多個，且該等多個半透射部分130各自具有彼此不同之光透射率。圖2中顯示有三個半透射部分131、133及135，但若有必要，可改變半透射部分之數量。

至少為兩個或更多個之該半透射部分130之光透射率可根據該被沈積之半透射材料之厚度或成分控制。換言之，該光透射率可根據組成該半透射材料之成分之特性而控制，或即使成分相同，亦可根據其厚度控制。

該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

若該半透射部分130僅通過一部分具有預定工作波段之該雷射光束，其成分可以不同方式構成。舉例言之，該半透射部分130可由rxOy、CrxCOy、CrxOyNz、SixOy、SixOyNz、SixCOy、SixCOyNz、MoxSiy、MoxOy、MoxOyNz、MoxCOy、MoxOyNz、MoxSiyOz、MoxSiyOzN MoxSiyCOzN、MoxSiyCOz、TaxOy、TaxOyNz、TaxCOy、TaxOyNz、AlxOy、AlxCOy、AlxOyNz、AlxCOyNz、TixOy、TixOyNz、TixCOy中任何一種形成，或由其組合形成。較佳地，該半透射部分130由氧化鉻(CrxOy)形成，其中x、y及z為自然數，表示化學原子之數量。

不分別限定該雷射光束，因為該光之工作波段可根據一曝光系統之變化而變化。然而，該雷射光束之工作波段通常為300奈米~440奈米。吾人期望該半透射部分130能透射該雷射光束之一部分，較佳能透射該雷射光束之10%~90%，但並不侷限於此。

接下來將參照圖3至6說明具有多個，半透射部分之一半色調網點光罩之一第一製造製程。

首先，該光遮罩材料薄膜120與一第一正向光阻蝕劑141依次形成於該透明基板110上，且一雷射光束被輻照至該第一正向光阻蝕劑141之一上表面，用以在該第一正向光阻蝕劑141上繪 製一期望圖案(步驟S10)。該光遮罩材料薄膜120藉由型樣化Cr、CrxOy或兩者之混合材料而形成，較佳藉由型樣化光遮罩材料而形成。

藉由一顯影製程清除被雷射光束輻照處之該第一正向光阻蝕劑141之一部分(步驟S20)。藉由清除該第一正向光阻蝕劑141而被曝光至外部之該光遮罩材料薄膜120之一部分藉由一蝕刻製程清除(步驟S30)。

完全清除該第一正向光阻蝕劑141(步驟S40)。該第一正向光阻蝕劑141被清除處之該光遮罩材料薄膜120之一部分變成該光透射部分121，用於完全透射具有該預定工作波段之雷射光束。該第一正向光阻蝕劑141未被清除處之該光遮罩材料薄膜120之一部分變成該光遮罩部分125，用於完全遮罩具有該預定工作波段之該雷射光束。該光透射部分121與該光遮罩部分125於一光微影製程中形成於該光遮罩層120上。

其次，形成用於僅透射一部分具有該預定工作波段之該雷射光束之該半透射部分130。下面將對此予以詳盡說明。

藉由該沈積製程形成一半透射材料薄膜160，其用於僅透射一部分輻照於該光透射部分121與該光遮罩部分125上之該預定工作波段之該光(步驟S50)。該半透射材料薄膜160藉由一濺射塗佈製程形成。形成該半透射材料薄膜160之化學成分僅能通過一部分具有該預定波長之該被雷射光束。

在步驟S50中形成該半透射材料薄膜160之後，於該該半透射材料薄膜160上塗佈一第二正向光阻蝕劑145(步驟S60)。在步驟S60中，藉由用雷射光束輻照使該第二正向光阻蝕劑145曝光，以便該半透射材料薄膜160之一預定部分被曝光至外部。顯影並清除藉由該雷射光束輻照之該第二正向光阻蝕劑145之該部分(步驟S70)。曝光至外部之該半透射材料薄膜160之該部分為該透明基板110之一上表面，其上除形成該半透射部分131之一部分外，其餘部分沈積該半透射材料薄膜160。

下一步，為將該透明基板110之一預定部分曝光至該外部，對該半透射材料薄膜160之該被曝光部分實施濕蝕刻(步驟S80)。清除存在於未實施濕蝕刻之半透射材料薄膜160上之該第二正向光阻蝕劑145(步驟S90)。該半透射材料薄膜160仍留在該光遮罩部分125與該透明基板110每一上表面之一部分上。仍留在該透明基板110之該上表面之該部分上之該半透射材料薄膜160為一第一半透射部分131。下文中將該第一半透射部分131稱為“一基本半透射部分131”。

換言之，能透射輻照於該光透射部分121上、具有該預定工作波段之該光之一部分之該化學成分被塗佈於該基本半透射部分131上。因此，該基本半透射部分131僅透射具有該預定工作波段之該雷射光束之一部分。該基本半透射部分131之該光透射率可根據化學成分之成分比率及其厚度控制，該化學成分之成分比率與厚度僅能透射一部分具有該預定工作波段之雷射光束。

該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

若該半透射部分130僅通過一部分具有預定工作波段之該雷射光束，其成分可以不同方式構成。舉例言之，該半透射部分130可由rxOy、CrxCOy、CrxOyNz、SixOy、SixOyNz、SixCOy、SixCOyNz、MoxSiy、MoxOy、MoxOyNz、MoxCOy、MoxOyNz、MoxSiyOz、MoxSiyOzN MoxSiyCOzN、MoxSiyCOz、TaxOy、TaxOyNz、TaxCOy、TaxOyNz、AlxOy、AlxCOy、AlxOyNz、AlxCOyNz、TixOy、TixOyNz、TixCOy中任何一種形成，或由其組合形成。更佳地，該半透射部分130由含氧之鉻(CrxOy)形成，其中x、y及z為自然數，表示化學原子之數量。

下文中，下面將形成之一半透射部分之成分與上述之半透射部分之成分相同。該光透射率可根據成分之種類與厚度之變化而 變化。

不分別限定該雷射光束，因為該光之工作波段可根據一曝光系統之變化而變化。然而，該雷射光束之工作波段通常為300奈米~440奈米。吾人期望該半透射部分130能透射該雷射光束之一部分，較佳能透射該雷射光束之10%~90%，但並不侷限於此。

如上所述，形成該基本半透射部分131後，具有不同光透射率之該基本半透射部分131與一獨立之半透射部分可形成為多個。換言之，在步驟S90中，為形成該基本半透射部分131與至少一具有不同光透射率之半透射部分，於該光透射部分121上沈積由該預定化學成分所構成之該半透射材料。下文中，光透射率與該基本半透射部分131不同之該半透射部分被稱為“半透射部分”。

為形成一第二半透射，即該半透射部分133，於該光透射部分、該半透射部分131與該光遮罩部分100上塗佈一第三光阻蝕劑175(步驟S100)。

其次，為在該第三光阻蝕劑175上繪製一期望圖案，在該第三光阻蝕劑175上輻照一雷射光束。顯影並清除該第三光阻蝕劑175之該被輻照部分(步驟S110)。如步驟S110一樣，形成一將形成該半透射部分133之空間部分170。

換言之，曝光與顯影該第三光阻蝕劑175，以便曝光與將形成該半透射部分133之一部分相對應之該光透射部分121。

如上所述，曝光與顯影該第三光阻蝕劑175之後，該半透射材料形成於該被曝光之光透射部分121之一上表面上，即該空間部分170與該第三光阻蝕劑175之每一上表面上(步驟S120)。

換言之，在步驟S120中，該空間部分170與一半透射材料薄膜180藉由該沈積製程形成，其中該半透射材料薄膜180僅透射輻照於該第三光阻蝕劑175上、具有該預定工作波段之該光之一部分。該半透射材料薄膜180藉由該濺射塗佈製程形成。構成該半透射材料薄膜180之化學成分僅能通過具有該預定工作波段之 雷射光束之一部分。

其次，藉由一剝離法將該第三光阻蝕劑175與沈積於其一上表面之該半透射材料薄膜180清除。該半透射材料薄膜180僅留在該被曝光之光透射部分之該上表面上與將形成該半透射部分133之該空間部分170上。該保留之半透射材料薄膜180為與該第三半透射部分130相對應之該半透射部分133。

該半透射部分133之光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

如上所述，該第二半透射部分133經由步驟S100~S130形成。換言之，形成其光透射率與該基本半透射部分131不同之該光透射部分，即形成該第二半透射部分。每一該基本半透射部分131與該第二半透射部分133之光透射率可根據該被沈積之半透射材料之成分與厚度控制。

若重複該等步驟S100~S130，另外形成該半透射部分。然而，由於該另外形成之半透射部分形成於該透明基板110被曝光之該光透射部分121上，因此該光阻蝕劑之曝光區域與顯影區域變得不同。換言之，為另外形成該半透射部分，則需重複形成該半透射部分。因此，若有必要，可形成數量不限之半透射部分。

下文將簡要說明形成與一第三半透射部分135相對應的一半透射部分之製程。

兩個半透射部分131與133已形成後，藉由塗佈製程在該等半透射部分131與133、該光遮罩部分125與該光透射部分上形成一第四光阻蝕劑185(步驟S140)。然後，用雷射光束輻照以便曝光該第四光阻蝕劑185之一預期部分，並顯影該被曝光之部分(步驟S150)。從而形成一將於此處形成該第三半透射部分135之空間部分。

形成該空間部分150後，於該第四光阻蝕劑185之一上表面上沈積一半透射材料薄膜190。

其次，沈積一半透射材料薄膜190，用以透射輻照於該空間部 分150與該第四光阻蝕劑185上、具有該預定工作波段之光之一部分(步驟S160)。藉由濺射塗佈製程形成該半透射材料薄膜190。構成該半透射材料薄膜190之化學成分僅能通過具有該預定工作波段之光之一部分。

之後，藉由該剝離法清除該第四光阻蝕劑185與沈積於該第四光阻蝕劑185之一上表面上之該半透射材料薄膜190。該半透射材料薄膜190僅留在該被曝光之光透射部分之該上表面及其上將形成該半透射部分135之該空間部分150上。該保留之半透射材料薄膜190為與該第二半透射部分135相對應之該半透射部分135。

該半透射部分135之光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

如上所述，該第三半透射部分133經由步驟S140~S170形成。換言之，與該基本半透射部分131及該第二半透射部分133之光透射率不同之該第三光透射部分135形成。該基本半透射部分131與該第二半透射部分133之每一該光透射率可根據該被沈積之半透射材料之成分與厚度控制。

若重複該等上述製程，可形成複數個半透射部分。使用該等形成之半透射部分，可型樣化複數個層。藉由該等製程所形成之一具有一多個半透射部分之半色調網點光罩可用於製造各類平板顯示器。

接下來將說明根據本發明之一具體實施例製造該具有該多個半透射部分之該半色調網點光罩之一第二製程。圖7~10顯示根據本發明之一具體實施例製造具有該多個半透射部分之該半色調網點光罩之該第二製程，該第二製程之實施與該第一製程不同。

首先，該光遮罩材料薄膜120與一第一正向光阻蝕劑141按順序形成於由石英(Qz)構成之該透明基板110上，且輻照雷射光束至該第一正向光阻蝕劑141上，以便在該第一正向光阻蝕劑141上繪製一期望圖案(步驟S10)。該光遮罩材料薄膜120藉由 型樣化Cr、CrxOy或兩者之混合材料而形成，較佳型樣化光遮罩材料而形成。

輻照雷射光束處之一部分該第一正向光阻蝕劑141藉由一顯影製程清除步驟(S20)。藉由一蝕刻製程，清除藉由清除該第一正向光阻蝕劑141而向外曝光之該光遮罩材料薄膜120之一部分(步驟S30)。

完全清除該第一正向光阻蝕劑141(步驟S40)。該第一正向光阻蝕劑141被清除處之該光遮罩材料薄膜120之一部分變成該光透射部分121，用於完全透射該具有預定工作波段之該雷射光束。該第一正向光阻蝕劑141未被清除處之該光遮罩材料薄膜120之一部分變成該光遮罩部分125，用於完全遮罩該具有預定工作波段之該雷射光束。該光透射部分121與該光遮罩部分125在一光微影製程中形成於該光遮罩層120上。

其次形成用於僅透射該具有預定工作波段之該雷射光束之一部分之該半透射部分130。下面將對此予以詳盡說明。

一第二光阻蝕劑165分別形成於該光透射部分121與該光遮罩部分125上(步驟S50)。此與藉由該濺射製程而使該半透射材料薄膜沈積於該光透射部分121與該光遮罩部分125上之具體實施例不同。

其次，於該第二光阻蝕劑165之該上表面上輻照該雷射光束，以便在該第二光阻蝕劑165上繪製一期望圖案。該第二光阻蝕劑165被輻照之區域藉由該顯影製程而被清除(步驟S60)。其後，形成該空間部分161，將在其中形成該半透射部分131。

換言之，曝光與顯影該第二光阻蝕劑165，以便曝光與將形成該半透射部分131之一區域相對應之該光透射部分121。

如上所述，曝光與顯影該第二光阻蝕劑165後，該半透射材料形成於該被曝光之光透射部分之該上表面(即該空間部分161之該上表面，其上將形成該半透射部分131)上及該第二光阻蝕劑165之該上表面上(步驟S70)。

換言之，藉由該沈積製程形成該半透射材料薄膜160，其透射輻照於該空間部分161與該第二光阻蝕劑165上、具有該預定工作波段之該光之一部分。該半透射材料薄膜160藉由該濺射塗佈製程形成。構成該半透射材料薄膜160該化學成分能通過具有該預定工作波段之該光之部分(步驟S70)。

其次，藉由一剝離法清除該第二光阻蝕劑165與沈積於該第二光阻蝕劑165之一上表面上之該半透射材料薄膜160(步驟S80)。該半透射材料薄膜160仍留在該被曝光之光透射部分之該上表面及將形成該半透射部分131處之該空間部分161上。該保留之半透射材料薄膜160為該半透射部分131。下文稱該首先形成之半透射部分131為“一基本半透射材料部分131”。

該基本半透射部分131之光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

形成該基本透射部分131後，一光透射率不同於該基本半透射部分131之獨立半透射部分可形成為多個。換言之，藉由於該光透射部分121上，即於未形成該基本半透射部分131之一區域上沈積由該預定化學成分所構成之該半透射材料，可形成至少一個其光透射率不同於該基本半透射部分131之半透射部分。

經由圖9所示之步驟S90~S120形成該基本半透射部分131後，隨後形成一第一半透射部分。由於該第一半透射部分藉由與圖5中之該第一製程相同之製程形成，故在此省略其說明。

形成該第一半透射部分後，若重複圖9中該等製程，則可連續形成該等半透射部分。換言之，藉由圖10中該等製程可形成一第二半透射部分。由於形成該第二半透射部分之該等製程與圖6中該等第一製程相同，因此在此省略其說明。

下面將說明根據本發明之另一具體實施例之一具有多個半透射部分之半色調網點光罩及其製造方法。

參照圖11，根據本發明之另一具體實施例之一具有多個半透射部分之半色調網點光罩包括一透明基板110、一光遮罩部分 125、一光透射部分121與複數個半透射部分130，其與本發明之第一具體實施例相似。

該透明基板110通常由石英(Qz)構成，但並不侷限於此。該透明基板110通常可由能透射光之透明材料構成。該光遮罩部分125與該光透射部分121藉由成形沈積於該透明基板110上之光遮罩材料薄膜113及該光遮罩材料薄膜115而形成。

換言之，透射該光之該光透射部分121為藉由型樣化而被曝光之該透明基板110之一部分。遮罩該光之該光遮罩部分125為型樣化後該半透射材料薄膜113與該光遮罩材料薄膜115之保留部分。換言之，該光遮罩部分125藉由依次沈積該半透射材料薄膜113與該光遮罩材料薄膜115而形成，其與本發明之第一具體實施例之該光遮罩部分不同(參照圖2)。

該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

該光遮罩材料薄膜115藉由沈積Cr，或CrxOy或兩者之混合材料於該半透射材料薄膜113上而形成。該光遮罩材料薄膜115可由可遮罩該光之所有材料中之任何一材料構成。

同時，該半透射部分130形成於該光透射部分121之該透明基板110上。藉由沈積由各種成分所構成之該半透射材料，該半透射部分130透射被輻照之具有一預定工作波段之該光之一部分。

根據本發明之一具體實施例，該等半透射部分130可形成為多個，且該等多個半透射部分130分別具有彼此不同之光透射率。圖11中顯示三個半透射部分131、133、135，但若有必要，可改變半透射部分之數量。

至少為兩個或更多個之該半透射部分130之光透射率可根據該被沈積之半透射材料之厚度與成分控制。換言之，該光透射率可根據組成該半透射材料之成分之特性控制，或即使成分相同， 亦可根據其厚度控制。

該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

若該半透射部分130僅通過一部分具有預定工作波段之該雷射光束，其成分可以不同方式構成。舉例言之，該半透射部分130可由CrxOy、CrxCOy、CrxOyNz、SixOy、SixOyNz、SixCOy、SixCOyNz、MoxSiy、MoxOy、MoxOyNz、MoxCOy、MoxOyNz、MoxSiyOz、MoxSiyOzN MoxSiyCOzN、MoxSiyCOz、TaxOy、TaxOyNz、TaxCOy、TaxOyNz、AlxOy、AlxCOy、AlxOyNz、AlxCOyNz、TixOy、TixOyNz、TixCOy中任何一種形成，或由其組合形成。更佳地，該半透射部分130由含氧之鉻(CrxOy)形成，其中x、y及z為自然數，表示化學原子之數量。

不分別限定該雷射光束，因為該光之工作波段可根據一曝光系統之變化而變化。然而，該雷射光束之工作波段通常為300奈米~440奈米。期望該半透射部分130能透射該雷射光束之一部分，較佳能透射該雷射光束之10%~90%，但並不侷限於此。

其次將參照圖12~14說明根據本發明之另一具體實施例之一具有多個半透射部分之半色調網點光罩之製造方法。

參照圖12~14，該半透射材料薄膜113與該光遮罩材料薄膜115依次形成於由石英(Qz)構成之該透明基板110上(步驟S10)。該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

其次，該第一正向光阻蝕劑141形成於該光遮罩材料薄膜115上(步驟S20)。在該第一正向光阻蝕劑141上輻照雷射光束，以便在該第一正向光阻蝕劑141上繪製期望之圖案。

在一完全曝光製程及一半曝光製程中該第一正向光阻蝕劑141上形成該圖案。換言之，藉由接收所有該雷射光束對該第一正向光阻蝕劑141之整個厚度實施該完全曝光製程。藉由接收該雷射光束之一部分，為該第一正向光阻蝕劑141之固定厚度實施該半曝光製程。

實施該完全曝光與半曝光製程之後，若顯影該第一正向光阻蝕劑141之該被曝光部分，則形成一完全曝光區域145與一半曝光區域143。

該完全曝光區域145與該半曝光區域143形成後，依次蝕刻曝光於該完全曝光區域145上之該光遮罩材料薄膜115與存在於該光遮罩材料薄膜115上之下部分上之該半透射材料薄膜113。然後，該光透射部分121，即該透明基板110被曝光至外界之一部分形成(步驟S40)。

在該步驟S40中形成該光透射部分112後，對該第一正向光阻蝕劑141實施一灰化製程。然後清除仍留在該半曝光區域143上之該第一正向光阻蝕劑，用以曝光該光遮罩材料薄膜115至外界，且該第一正向光阻蝕劑141之高度全部降低。

如上所述，藉由對該第一正向光阻蝕劑141實施該灰化製程，位於該半曝光區域143上之該光遮罩材料薄膜115被曝光至外界時，該被曝光之光遮罩材料薄膜115被部分蝕刻，用以曝光位於該光遮罩材料薄膜115之該下部上之該半透射材料薄膜113(步驟S60)。

該被曝光之半透射材料薄膜113為該第一半透射部分131。下面將該第一半透射部分131稱為該基本半透射部分131。形成該基本半透射部分131後，清除仍留在該光遮罩材料薄膜115上之該第一正向光阻蝕劑141。然後形成藉由沈積該半透射材料薄膜113與該光遮罩材料薄膜115而形成之該光遮罩部分125。

該基本半透射部分131之該光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之該雷射光束之一部分之化學成分及其厚度控制。

該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

若該半透射部分130僅通過一部分具有預定工作波段之該雷射光束，其成分可以不同方式構成。舉例言之，該半透射部分130可由rxOy、CrxCOy、CrxOyNz、SixOy、SixOyNz、SixCOy、SixCOyNz、MoxSiy、MoxOy、MoxOyNz、MoxCOy、MoxOyNz、MoxSiyOz、MoxSiyOzN MoxSiyCOzN、MoxSiyCOz、TaxOy、TaxOyNz、TaxCOy、TaxOyNz、AlxOy、AlxCOy、AlxOyNz、AlxCOyNz、TixOy、TixOyNz、TixCOy中任何一種形成，或由其組合形成。更佳地，該半透射部分130由含氧之鉻(CrxOy)形成，其中x、y及z為自然數，表示化學原子之數量。

不分別限定該雷射光束，因為該光之工作波段可根據一曝光系統之變化而變化。然而，該雷射光束之工作波段通常為300奈米~440奈米。期望該半透射部分131能透射該雷射光束之一部分，較佳能透射該雷射光束之10%~90%，但並不侷限於此。

如上所述，形成該基本半透射部分131後，該基本半透射部分131與一具有不同光透射率之一獨立半透射部分可形成為多個。換言之，在該步驟S80中，由該預定化學成分所構成之該半透射材料沈積於該光透射部分121上，用以形成該基本半透射部分與至少一具有不同光透射率之另一半透射部分。下文稱其光透射率與該基本半透射部分131不同之該半透射部分為“半透射”。

為形成一第二半透射，即該半透射部分133，於該光透射部分、該半透射部分131及該光遮罩部分上塗佈該第二光阻蝕劑165(步驟S80)。

其次，輻照雷射光束於該第二光阻蝕劑165上，以便在該第二光阻蝕劑165上繪製一期望圖案。顯影與清除該第二光阻蝕劑165之該被輻照部分(步驟S90)。如同步驟S90，形成將形成該 半透射部分133之該空間部分161。

換言之，為僅曝光與將形成該半透射部分133之一部分相對應之該光透射部分121，曝光與顯影該第二光阻蝕劑165。

如上所述，曝光與顯影該第二光阻蝕劑165後，該半透射材料形成於該被曝光之光透射部分121之該上表面上，即該空間部分161與該第二光阻蝕劑165之每一上表面上(步驟S100)。

換言之，藉由該沈積製程形成該空間部分170與一半透射材料薄膜180，其中該半透射材料薄膜160僅透射輻照於該第二光阻蝕劑165上、具有該預定工作波段之該光之一部分。該半透射材料薄膜160藉由該濺射塗佈製程形成。構成該半透射材料薄膜160該化學成分僅能通過具有該預定工作波段之該雷射光束之部分(步驟S100)。

其次，藉由該剝離法清除該第二光阻蝕劑165與沈積於該第二光阻蝕劑165之一上表面上之該半透射材料薄膜160。該半透射材料薄膜160仍留在該被曝光之光透射部分及其上將形成該半透射部分133之該空間部分161之該上表面上。該保留之半透射材料薄膜160為與該第三半透射部分133相對應之該半透射部分133。

該半透射部分133之光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

如上所述，經由步驟S80~S110形成該第二半透射部分133。換言之，其光透射率與該基本半透射部分131不同之該光透射部分，即該第二半透射部分133形成。該基本半透射部分131與該第二本透射部分133之每一該光透射率可根據該被沈積之半透射材料之成分與厚度控制。

若重複該等步驟S80~S110，可另外形成該半透射部分，由於另外形成之該半透射部分形成於該透明基板110被曝光處之該光透射部分121上，因此該光阻蝕劑之該曝光區域與顯影區域變得不同。換言之，為另外形成該半透射部分，則重複形成該半透 射部分。因而，若有必要，可形成數量不限之半透射部分。

下文將簡要說明形成一與一第三半透射部分135相對應之一半透射部分之製程。

兩半透射部分131與133已形成後，採用塗佈方式該第三光阻蝕劑175形成於該等半透射部分131與133、該光遮罩部分125及該光透射部分上(步驟S120)。然後，輻照雷射光束以曝光該第三光阻蝕劑175之一期望部分，並顯影該被曝光之部分(步驟S130)。從而其上將形成該第三半透射部分135之一空間部分171形成。

形成該空間部分171後，該半透射材料薄膜170被沈積於該第三光阻蝕劑175與該空間部分171之上表面上。

其次，沈積該半透射材料薄膜170，用於透射輻照於該空間部分171與該第三光阻蝕劑175上、具有該預定工作波段之光之一部分(步驟S140)。該半透射材料薄膜170藉由該濺射塗佈製程而形成。構成該半透射材料薄膜170之化學成分僅能通過具有該預定工作波段之光之一部分。

之後，藉由該剝離法清除該第三光阻蝕劑175與沈積於該第三光阻蝕劑175之一上表面之該半透射材料薄膜170。僅該被曝光之光透射部分之上表面及將形成該半透射部分135之該空間部分171上保留該半透射材料薄膜170。該保留之半透射材料薄膜170即為與該第二半透射部分135相對應之該半透射部分135。

該半透射部分135之光透射率可根據該僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

如上所述，該第三半透射部分133經由步驟S120~S150形成。換言之，與該基本半透射部分131及該第二半透射部分133之光透射率不同之該第三光透射率135形成。該基本半透射部分131與該第二半透射部分133之每一該光透射率可根據該被沈積之半透射材料之成分與厚度控制。

若重複該等上述製程，可形成複數個半透射部分。使用該等 形成之半透射部分，可使複數個層型樣化。藉由該等製程所形成之一具有一多個半透射部分之半色調網點光罩可用於製造各類平板顯示器。

其次將說明根據本發明之另一具體實施例之一具有一多個半透射部分之半色調網點光罩之若干較佳具體實施例及其製造方法。

參照圖15~17，具有該等多個半透射部分之該半色調網點光罩包括該透明基板110、該光遮罩部分130、該光透射部分120及複數個半透射部分140。

該透明基板110通常由石英(Qz)構成，但並不侷限於此。該透明基板110通常可由能透射光之透明材料構成。該光遮罩部分130與該光透射部分120藉由成形沈積於該透明基板110上之光遮罩材料薄膜而形成。

換言之，透射該光之該光透射部分120為藉由成形而被曝光之該透明基板之一部分。遮罩該光之該光遮罩部分130為成形之後該半透射材料薄膜120與該光遮罩材料薄膜130之一保留部分。

該光遮罩材料薄膜由Cr或CrxOy中任何一種或兩者之混合材料形成。該光遮罩材料薄膜可由能遮罩該光之所有材料中之任一材料構成。

換言之，兩個或更多具有不同光透射率之該等半透射部分140形成，其通過輻照於該透明基板110上、具有該預定工作波段之光。該半透射部分140包括一藉由輻照該雷射光束而形成之狹縫型半透射部分，及藉由沈積該等半透射材料而形成之一沈積型半透射部分。因此，該半透射部分140可僅由該狹縫型半透射部分、該沈積型半透射部分其中之一形成，或由兩者之組合形成。

圖15中，圖式代表符號141表示狹縫型半透射部分，而圖式代表符號143表示沈積型半透射部分。圖16中，圖式代表符號143、147及149表示狹縫型半透射部分，而圖式代表符號141與145表示沈積型半透射部分。圖17中，圖式代表符號141、143 表示狹縫型半透射部分，而圖式代表符號145表示沈積型半透射部分。

根據本發明之另一具體實施例，該半透射部分140可形成為多個，該等多個半透射部分140具有彼此不同之光透射率。

至少兩個或更多個該等半透射部分140之該沈積型光透射部分之光透射率可根據該半透射材料薄膜之該化學成分或厚度控制。

該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

若該半透射部分130僅通過一部分具有預定工作波段之該雷射光束，其成分可以不同方式構成。舉例言之，該半透射部分130可由rxOy、CrxCOy、CrxOyNz、SixOy、SixOyNz、SixCOy、SixCOyNz、MoxSiy、MoxOy、MoxOyNz、MoxCOy、MoxOyNz、MoxSiyOz、MoxSiyOzN MoxSiyCOzN、MoxSiyCOz、TaxOy、TaxOyNz、TaxCOy、TaxOyNz、AlxOy、AlxCOy、AlxOyNz、AlxCOyNz、TixOy、TixOyNz、TixCOy中任何一種形成，或由其組合形成。更佳地，該半透射部分130由含氧之鉻(CrxOy)形成，其中x、y及z為自然數，表示化學原子之數量。

該等半透射部分之該等狹縫型半透射部分可形成於該光遮罩部分130或該沈積型半透射部分之一預定部分上。換言之，該等狹縫型半透射部分藉由在該光遮罩部分130或該沈積型半透射部分上輻照該雷射光束而形成。該等已形成之狹縫型半透射部分之該光透射率可根據該狹縫之寬度及高度控制。

該狹縫型半透射部分與沈積型半透射部分通過該雷射光束之一部分及藉由彼此不同之該等光透射率所輻照之光。

不分別限定該雷射光束，因為該光之工作波段可根據一曝光系統之變化而變化。然而，該雷射光束之工作波段通常為300奈 米~440奈米。期望該半透射部分130能透射該雷射光束之一部分，較佳能透射該雷射光束之10%~90%，但並不侷限於此。

其次將參照圖18~20說明根據本發明之另一具體實施例之一具有多個半透射部分之半色調網點光罩之一第一製程。

首先，該光遮罩材料薄膜111與該第一正向光阻蝕劑113依次形成於由石英(Qz)構成之該透明基板110上，且輻照該雷射光束至該第一正向光阻蝕劑113之該上表面，以便在該第一正向光阻蝕劑113上繪製出期望圖案(步驟S10)。

該光遮罩材料薄膜120由Cr或CrxOy其中任何之一或兩者之混合材料組成，較佳由光遮罩材料組成，其中X為自然數，其可根據該等元素之組合而改變。

藉由該顯影製程清除受雷射光束輻照之該第一正向光阻蝕劑113之一部分(步驟S20)。輻照該雷射光束時，該第一正向光阻蝕劑113上可形成至少一狹縫形狀。

藉由該顯影製程而向外曝光之該光遮罩材料薄膜111之一部分藉由該蝕刻製程清除(步驟S30)。

完全清除該第一正向光阻蝕劑113(步驟S40)。

該第一正向光阻蝕劑113被清除處之該光遮罩材料薄膜111之一部分變成該光透射部分120，用於完全透射具有該預定工作波段之雷射光束。該第一正向光阻蝕劑113未被清除處之該光遮罩材料薄膜111之一部分變成該光遮罩部分130，用於完全遮罩具有該預定工作波段之該雷射光束。在該光遮罩材料薄膜111中，一狹縫形狀之一成形部分成為該狹縫型半透射部分141，用於通過該雷射光束之一部分。在該光微影製程中，該光透射部分120、該光遮罩部分125及狹縫型半透射部分141形成於該光遮罩材料薄膜111上。

其次，形成該狹縫型半透射部分141之後，藉由沈積該半透射材料於該半透射部分120上而形成至少一沈積型半透射部分。該沈積型半透射部分之光透射率與該狹縫型半透射部分141不 同，其通過該雷射光束之一部分。

為形成其光透射率與該狹縫型半透射部分141不同之該沈積型半透射部分，塗佈該第二光阻蝕劑115於該光透射部分120、該狹縫型半透射部分141及該光遮罩部分130上(步驟S50)。

其次，於該第二光阻蝕劑115上輻照該雷射光束，以便在該第二光阻蝕劑115上繪製一期望之圖案。該第二光阻蝕劑150上之該被輻照區域藉由該顯影製程清除(步驟S60)。然後，其中將形成該沈積型半透射部分143之該空間部分150形成。

換言之，為曝光與其中將形成該沈積型半透射部分143之一區域相對應之該光透射部分120，曝光與顯影該第二光阻蝕劑115。

如上所述，曝光與顯影該第二光阻蝕劑115之後，該半透射材料形成於該被曝光之光透射部分120之該上表面(即該空間部分150之該上表面，其中將形成該沈積型半透射部分143)及該第二光阻蝕劑115之該上表面上(步驟S70)。

換言之，該半透射材料薄膜160透射輻照於該空間部分150與該第二光阻蝕劑115上、具有該預定工作波段之光之一部分。該半透射材料薄膜160藉由該濺射塗佈製程形成。構成該半透射材料薄膜160之化學成分僅能通過具有該預定工作波段之該光之部分。

其次，該第二光阻蝕劑115與該半透射材料薄膜160藉由一剝離法清除。僅該被曝光之光透射部分之該上表面上及其上將形成該沈積型半透射部分143之該空間部分150上保留該半透射材料薄膜160。該保留之半透射材料薄膜160為該沈積型半透射部分143。

該沈積型半透射部分143之光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

該沈積型半透射部分143經由該等步驟S50~S80形成。換言之，可形成其光透射率與該節本半透射部分131不同之一獨立半透射部分。

若另外形成該沈積型半透射部分，則重複該等步驟S50~S80。然而，由於該沈積型半透射部分形成於該透明基板110被曝光處之該光透射部分120上，因此該光阻蝕劑之該被曝光區域與該被顯影區域被改變。換言之，為另外形成該沈積型半透射部分，重複該等步驟S50~S80。因此，若有必要，該半透射部分形成為多個。

為便於說明，將簡要說明形成一沈積型半透射部分145之製程。

該狹縫型半透射部分141與該沈積型半透射部分143已形成後，該第三光阻蝕劑117藉由塗佈製程而形成於兩半透射部分141與143、該光遮罩部分130與該光透射部分120上(步驟S90)。然後，輻照該雷射光束，以便曝光該第三光阻蝕劑117之一期望部分(步驟S100)。因而形成一其上將形成該沈積型半透射部分145之空間部分170。

形成該空間部分170之後，沈積該半透射材料薄膜160於該第三光阻蝕劑117之該上表面與該空間部分170之上。

其次，沈積該半透射材料薄膜160，用以透射輻照於該空間部分170與該第三光阻蝕劑117之上、具有該預定工作波段之光之一部分(步驟S110)。該半透射材料薄膜160藉由該濺射塗佈製程而形成。構成該半透射材料薄膜160之化學成分僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之一部分。

其次，藉由該剝離法清除該第三光阻蝕劑117與沈積於該第三光阻蝕劑117之一上表面上之與該半透射材料薄膜160。該半透射材料薄膜160仍保留在該被曝光之光透射部分及其上將形成該沈積型半透射部分145之該空間部分170之該上表面上。該保留之半透射材料薄膜160為該沈積型半透射部分145。

該沈積型半透射部分145之光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

如上所述，該沈積型半透射部分145經由該等步驟S90~S120 形成。換言之，其光透射率與該狹縫型半透射部分141及該沈積型半透射部分143不同之該沈積型半透射部分145形成。

其次，將參照圖21~26說明製造根據本發明之另一具體實施例一具有多個半透射部分之半色調網點光罩之製程。

首先，依次形成遮罩輻照於由石英所構成之該透明基板110上之光之該光遮罩材料薄膜111與該第一正向光阻蝕劑113，且輻照該雷射光束至該第一正向光阻蝕劑113之該上表面，用以在該第一正向光阻蝕劑113上繪製一期望之圖案(步驟S10)。

藉由該顯影製程清除該雷射光束輻照處之該第一正向光阻蝕劑113之一部分(步驟S20)。藉由清除該第一正向光阻蝕劑113而向外曝光之該光遮罩材料薄膜111之一部分藉由該蝕刻製程清除(步驟S30)。

完全清除該第一正向光阻蝕劑113(步驟S40)。該第一正向光阻蝕劑113被清除處之該光遮罩材料薄膜111之一部分變成該光透射部分120，用於完全透射具有該預定工作波段之雷射光束。該第一正向光阻蝕劑113未被清除處之該光遮罩材料薄膜120之一部分變成該光遮罩部分130，用於完全遮罩具有該預定工作波段之該雷射光束。在該光微影製程中，該光透射部分120、該光遮罩部分130形成於該光遮罩材料薄膜111上。

其次，形成僅透射具有該預定工作波段之該雷射光束之一部分之該半透射部分120。下面將對其予以說明。

藉由該沈積製程形成一半透射材料薄膜150，其用於僅透射輻照於該光透射部分120與該光遮罩部分130上之該預定工作波段之該光之一部分(步驟S50)。該半透射材料薄膜150藉由一濺射塗佈製程而形成。構成該半透射材料薄膜150之化學成分僅能通過一部分具有該預定波長之該雷射光束。

在步驟S50中形成該半透射材料薄膜150之後，塗佈一第二正向光阻蝕劑155於該該半透射材料薄膜150上(步驟S60)。在步驟S60中，藉由用雷射光束輻照，使該第二正向光阻蝕劑155 曝光並對其進行繪圖，以便該半透射材料薄膜150之一預定部分被曝光至外部。顯影並清除藉由雷射光束輻照之該第二正向光阻蝕劑155之該部分(步驟S70)。

曝光至外部之該部分半透射材料薄膜160為該透明基板110之一上表面，在該上表面上，除將形成該半透射部分145之一部分外，其餘部分沈積該半透射材料薄膜150。

其次，對該半透射材料薄膜160之一被曝光部分實施濕蝕刻。以便將一預定部分之該透明基板110時曝光至該外部(步驟S80)。清除存在於半透射材料薄膜150上未實施濕蝕刻處之該第二正向光阻蝕劑155(步驟S90)。該半透射材料薄膜150仍保留在該光遮罩部分130與該透明基板110每一上表面之一部分上。仍保留在該透明基板110之該上表面之該部分上之該半透射材料薄膜150為該沈積型半透射部分145。

換言之，能透射輻照於該光透射部分121上、具有該預定工作波段之該光之一部分之該化學成分被塗佈於該沈積型透射部分145上。該沈積型半透射部分145僅透射具有該預定工作波段之該雷射光束之一部分。該沈積型半透射部分145之該光透射率可根據僅能透射一部分具有該預定工作波段之雷射光束之化學成分比率及其厚度控制。

如上所述，若該沈積型半透射部分145經由該等步驟S10~S80形成，則該光遮罩部分130包括該半透射材料薄膜150。形成該沈積型半透射材料薄膜150時，其中該光遮罩部分130不包括該半透射材料薄膜150之情形將參照圖25與26說明。

由於該等步驟S10~S40與圖21中之此等步驟相同，因而此處將省略其說明。形成該沈積型半透射部分145之該製程將參照圖26予以說明。

再參照圖25中之該步驟S40，為於完全清除該第一光阻蝕劑113後形成該沈積型半透射部分，塗佈該第二光阻蝕劑155於該光透射部分120與該光遮罩部分130上(步驟S50)。

其次，於該第二光阻蝕劑155之該上表面上輻照該雷射光束，以便在該第二光阻蝕劑155上繪製一期望之圖案。該第二光阻蝕劑155被輻照之區域藉由該顯影製程而被清除(步驟S60)。然後，形成其上將形成該沈積型半透射部分145之該空間部分。

換言之，曝光與顯影該第二光阻蝕劑155，以便曝光與將形成該沈積型半透射部分145之一區域相對應之該光透射部分120。

如上所述，曝光與顯影該第二光阻蝕劑155後，該半透射材料形成於該被曝光之光透射部分120之該上表面(即該空間部分161之該上表面，其上將形成該沈積型半透射部分145)上及該第二光阻蝕劑155之該上表面上(步驟S70)。

換言之，藉由該沈積製程形成該半透射材料薄膜150，其透射輻照於該空間部分與該第二光阻蝕劑155上、具有該預定工作波段之該光之一部分。該半透射材料薄膜150藉由該濺射塗佈製程形成。構成該半透射材料薄膜150之化學成分僅能通過具有該預定工作波段之該光之一部分(步驟S70)。

其次，藉由一剝離法清除該第二光阻蝕劑155與沈積於該第三光阻蝕劑165之一上表面上之該半透射材料薄膜150。僅該被曝光之光透射部分之該上表面及將形成該沈積型半透射部分145處之該空間部分上保留該半透射材料薄膜150。該保留之半透射材料薄膜150即為該沈積型半透射部分145。

該沈積型半透射部分145之該光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

如上所述，若該沈積型半透射部分145經由圖21、22、25及26所示製程形成，則形成至少一其光透射率不同於該沈積型半透射部分145之狹縫型半透射部分。該狹縫型半透射部分可藉由輻照該雷射光束於該沈積型半透射部分145或該光遮罩部分130上而形成。

參照圖23與24將說明形成該狹縫型半透射部分之製程。下面將要說明之該製程係接著圖22之該步驟，但可於圖26之該步 驟S80之後予以實施。

該第三光阻蝕劑165形成於該已形成之沈積型半透射部分145、該光遮罩部分130及該光透射部分120上。

其次，於該第三光阻蝕劑165上輻照該雷射光束，以便在該第三光阻蝕劑165上繪製一期望圖案。

藉由該顯影製程清除該第三光阻蝕劑165之該被輻照區域。輻照該雷射光束時，該第三光阻蝕劑165上可形成至少一狹縫形狀。因此，若顯影輻照該雷射光束之該第三光阻蝕劑165，可形成至少一狹縫型部分。

藉由該蝕刻製程清除該光遮罩部分130與該沈積型半透射部分145之每一被曝光之區域(步驟S110)。然後，清除該第三光阻蝕劑165(步驟S120)。

該狹縫型半透射形成於該光遮罩部分130與該沈積型半透射部分145至少其中之一上。圖10c中，以舉例說明之方式該等狹縫型半透射部分143、147及149形成於該光遮罩部分130與該沈積型半透射部分145兩者之上。

如上所述，該等狹縫型半透射部分143、147及149之光透射率與該光遮罩部分130不同。該等狹縫型半透射部分143、147及149之光透射率彼此亦不同。該等狹縫型半透射143、147及149之該光透射率可根據該狹縫之寬度、該等狹縫之數量及該狹縫之空間(沈積型半透射部分或光遮罩部分)而變化。

同時，形成該等狹縫型半透射部分143、147及149之後，藉由沈積該半透射材料於該光透射部分120上可另外形成該等沈積型半透射部分至少其中之一。該沈積型半透射部分通過該光之一部分，其光透射率與該狹縫型半透射部分143、147、149及該沈積型半透射部分145不同。

參照圖24，為形成該沈積型半透射部分，塗佈一第四光阻蝕劑170於該光透射部分120上，該等狹縫型半透射部分143、147及149上，該沈積型半透射部分145及該光遮罩部分130上。

其次，於該第四光阻蝕劑170上輻照該雷射光束，以便在該第四光阻蝕劑170上繪製一期望圖案。

該第四光阻蝕劑170之該被輻照區域藉由該顯影製程清除(步驟S140)。形成將於其上形成該沈積型半透射部分141之該空間部分171。

換言之，曝光與顯影該第四光阻蝕劑170，以便曝光與將形成該沈積型半透射部分141之一區域相對應之該光透射部分120之一部分。

如上所述，曝光與顯影該第四光阻蝕劑170後，該半透射材料形成於該被曝光之光透射部分120之該上表面(即其上將形成該沈積型半透射部分141之該空間部分171之該上表面上)上及該第四光阻蝕劑170之該上表面上(步驟S150)。

換言之，形成該半透射材料薄膜175，其透射輻照於該空間部分171與該第四光阻蝕劑170上之具有該預定工作波段之該光之一部分。該半透射材料薄膜175藉由該濺射塗佈製程形成。構成該半透射材料薄膜175之化學成分僅通過具有該預定工作波段之該光之部分。

其次，藉由一剝離法清除該第四光阻蝕劑170與沈積於該第四光阻蝕劑170之一上表面上之該半透射材料薄膜175。僅在該被曝光之光透射部分之該上表面上及其上將形成該沈積型半透射部分141之該空間部分171上保留該半透射材料薄膜175。該保留之半透射材料薄膜175即為該沈積型半透射部分141。

該沈積型半透射部分141之光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之雷射光束之部分之成分比率及其厚度控制。

該沈積型半透射部分143經由該等步驟S130~S160形成。換言之，形成一獨立半透射部分，其光透射率與該狹縫型半透射部分43、147及149與該已形成之沈積型半透射部分145不同。

若要另外形成該沈積型半透射部分，則重複該等步驟S130~160。然而，由於該沈積型半透射部分形成於該透明基板110被曝 光處之該光透射部分120上，因此僅改變該光阻蝕劑之該被曝光區域與該被顯影區域。換言之，為另外形成該沈積型半透射部分，則重複該等步驟S50~S80。因此，若有必要，該半透射部分形成為多個。

其次將參照圖27~29說明根據本發明之另一具體實施例之一具有多個半透射部分之半色調網點光罩之製造方法。

參照圖27~29，該半透射材料薄膜113與遮罩輻照於該半透射部分上之光之該光遮罩材料薄膜115依次形成於由石英(Qz)所構成之該透明基板110上(步驟S10)。

該半透射材料薄膜113可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

其次，於該第一正向光阻蝕劑160之該上表面上輻照該雷射光束，以便在該第一正向光阻蝕劑160上繪製成該期望圖案。

在一完全曝光製程及一半曝光製程中，該第一正向光阻蝕劑160上形成該圖案。換言之，藉由接收所有該雷射光束對該第一正向光阻蝕劑160之整個厚度實施該完全曝光製程。藉由接收該雷射光束之一部分，為該第一正向光阻蝕劑160之固定厚度實施該半曝光製程。

實施該完全曝光與半曝光製程之後，若顯影該第一正向光阻蝕劑160之該被曝光部分，則形成一完全曝光區域161與一半曝光區域163。

該完全曝光區域161與該半曝光區域163形成後，依次蝕刻曝光於該完全曝光區域161上之該光遮罩材料薄膜115與存在於該光遮罩材料薄膜115上之下部分上之該半透射材料薄膜113。然後，形成該光透射部分120，即該透明基板110被曝光至外界之一部分(步驟S30)。

在該步驟S30中形成該光透射部分120後，對該第一正向光 阻蝕劑160實施一灰化製程。然後清除仍留在該半曝光區域163上之該第一正向光阻蝕劑160，用以曝露該光遮罩材料薄膜115至外界，且該第一正向光阻蝕劑160之高度全部降低。

如上所述，藉由對該第一正向光阻蝕劑160實施該灰化製程，位於該半曝光區域163上之該光遮罩材料薄膜115被曝光至外界時，該被曝光之光遮罩材料薄膜115被部分蝕刻，用以曝露位於該光遮罩材料薄膜115之該下部分上之該半透射材料薄膜113(步驟S50)。

根據本發明之另一具體實施例之一第三製程，該被曝光之半透射材料薄膜113即為該沈積型半透射部分145。形成該沈積型半透射部分145之後，清除仍保留於該光遮罩材料薄膜115上之該第一正向光阻蝕劑160。然後形成藉由沈積該半透射材料薄膜113與該光遮罩材料薄膜115而形成之該光遮罩部分130(步驟S60)。

該基本半透射部分145之該光透射率可根據僅能通過具有該預定工作波段之該雷射光束之一部分之該化學成分及其厚度控制。

該沈積型半透射部分145可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且可為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素之添加劑之混合配合物，其中x為自然數，其根據該主要元素而變化。

如上所述，形成該沈積型半透射部分145後，可形成至少一個其光透射率與該沈積型半透射部分145不同之狹縫型半透射部分。

其次，將說明一於該沈積型半透射部分145上形成一狹縫型半透射部分之製程。

首先，於該已經形成之沈積型半透射部分145上、其上沈積該半透射材料薄膜113與該光遮罩材料薄膜115之該光遮罩部分130上及該光透射部分120上形成該第二正向光阻蝕劑170。

其次，在該第二光阻蝕劑170之該上表面上輻照該雷射光束， 以便在該第二光阻蝕劑170上繪製出一期望圖案。

藉由該顯影製程清除該第三光阻蝕劑165之該被輻照區域。輻照該雷射光束時，該第二光阻蝕劑170上可形成至少一狹縫形狀。因此，若顯影受該雷射光束輻照之該第三光阻蝕劑170，可形成至少一狹縫型部分(步驟S80)。

藉由該蝕刻製程清除該光遮罩部分130與該沈積型半透射部分145之每一被曝光之區域(步驟S90)。然後，清除該第二光阻蝕劑170(步驟S90)。

該狹縫型半透射部分141形成於該光遮罩部分130與該沈積型半透射部分145至少其中之一上。以舉例說明之方式僅於該沈積型半透射部分145上形成該狹縫型半透射部分141(步驟S100)。

如上所述，該狹縫型半透射部分141之該光透射率與該前面形成之沈積型半透射部分145不同。

為形成其光透射率與該已形成之狹縫型半透射部分141不同之該狹縫型半透射部分，重複該等步驟S60~S100。

參照圖29，該等步驟S110~S140中，可形成其光透射率與該沈積型半透射部分140及該狹縫型半透射部分141不同之該狹縫型半頭行部分143。若另外形成該該半透射部分，實施該等步驟S80~S110。

然而，由於該狹縫型半透射部分143形成於該沈積型半透射部分145或該光遮罩部分130上，每一該沈積型半透射部分145及該光遮罩部分130不形成該狹縫型半透射部分141，因此該光阻蝕劑之該被曝光區域與該被顯影區域可改變。藉由改變該狹縫之寬度或該等狹縫之數量，該狹縫型半透射部分143可具有與該狹縫型半透射部分141不同之該光透射率。

工業實用性

如上所述，根據本發明之該具有一多個半透射部分之半色調網點光罩及其製造方法產生如下效果。

首先，藉由具有至少兩個或更多個其光透射率彼此不同之半 透射部分，可利用單一光罩型樣化該等複數個層，藉此允許使用各種平板顯示器元件。

其次，該光微影製程中使用單一光罩，藉此使得該製造製程縮短，且成本降低。

熟悉此項技藝之人士應瞭解，不偏離以下申請專利範圍所界定之本發明之精神與範圍時，可對其形式與細節進行各種置換、修正與更改。因此，吾人應瞭解，該等上述之具體實施例僅用作圖式說明之目的，而非對本發明之限定。

11‧‧‧透明基板

13‧‧‧光透射部分

15‧‧‧光遮罩部分

100‧‧‧半色調網點光罩

110‧‧‧透明基板

111‧‧‧光遮罩材料薄膜

113‧‧‧第一正向光阻蝕劑

115‧‧‧第二光阻蝕劑

117‧‧‧第三光阻蝕劑

120‧‧‧光遮罩材料薄膜(光遮罩層、光透射部分、半透射部分)

121‧‧‧光透射部分

125‧‧‧光遮罩部分

130‧‧‧半透射部分

131‧‧‧第一半透射部分

133‧‧‧第二半透射部分

135‧‧‧第三半透射部分

140‧‧‧半透射部分

141‧‧‧狹縫型半透射部分(半透射部分)

143‧‧‧沈積型半透射部分(半透射部分)

145‧‧‧沈積型半透射部分

147‧‧‧狹縫型半透射部

149‧‧‧狹縫型半透射部

150‧‧‧空間部分

155‧‧‧第二正向光阻蝕劑

160‧‧‧半透射材料薄膜(第一正向光阻蝕劑)

161‧‧‧空間部分(完全曝光區域)

163‧‧‧半曝光區域

165‧‧‧第三光阻蝕劑

170‧‧‧空間部分(第二正向光阻蝕劑、第四光阻蝕劑、半透射材料薄膜)

171‧‧‧空間部分

175‧‧‧第三光阻蝕劑

180‧‧‧半透射材料薄膜

185‧‧‧第四光阻蝕劑

190‧‧‧半透射材料薄膜

根據以上之詳細描述連同該等附圖，本發明之該等上述及其他目標、特徵與優點將變得更為清楚，其中：圖1為圖式說明一傳統光罩之原理圖；圖2為圖示說明根據本發明之一典型具體實施例之一具有多半透射部分之原理圖；圖3~6為各個流程圖，圖示說明根據本發明之一典型具體實施例之該具有多個半透射部分之該半色調網點光罩之一第一製程；圖7~10為各個流程圖，圖示說明根據本發明之一典型具體實施例之該具有多個半透射部分之該半色調網點光罩之一第二製程；圖11為一原理圖，圖示說明根據本發明之第二典型具體實施例之具有一多個半透射部分之一半色調網點光罩；圖12~14為各個流程圖，圖示說明根據本發明之另一典型具體實施例之該具有多個半透射部分之該半色調網點光罩之一製程；圖15~17為一原理圖，圖示說明根據本發明之另一典型具體實施例之一具有多個半透射部分之一半色調網點光罩；圖18~20為各個流程圖，圖示說明根據本發明之另一典型具體實施例之一具有多個半透射部分之該半色調網點光罩之一第一 製程；圖21~26為各個流程圖，圖示說明根據本發明之另一典型具體實施例之一具有多個半透射部分之該半色調網點光罩之一第二製程；圖27~29為各個流程圖，圖示說明根據本發明之另一典型具體實施例之一具有多個半透射部分之該半色調網點光罩之一第三製程。

100‧‧‧半色調網點光罩

110‧‧‧透明基板

121‧‧‧光透射部分

125‧‧‧光遮罩部分

130‧‧‧半透射部分

131‧‧‧第一半透射部分

133‧‧‧第二半透射部分

135‧‧‧第三半透射部分

Claims (19)

1. 一種具有一多個半透射部分之半色調網點光罩，其包括：一透明基板；一形成於該透明基板上用以透射預定工作波段雷射光束之光透射部分；一形成於該透明基板上用以遮罩該預定工作波段雷射光束之光遮罩部分；及至少兩個或更多個半透射部分，該等半透射部分藉由沈積半透射材料於該透明基板上而形成，以彼此不同之光透射率通過該預定工作波段之雷射光束。
2. 如申請專利範圍第1項所述之半色調網點光罩，其中至少兩個或更多半透射部分之該光透射率根據該半透射材料之成分與該半透射部分之厚度控制。
3. 如申請專利範圍第2項所述之半色調網點光罩，其中該半透射材料包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti及Al作為主要元素，且為至少兩種或更多種主要元素混合之合成材料，或為至少Cox、Ox及Nx其中之一添加至該合成材料之添加材料。
4. 如申請專利範圍第1項所述之半色調網點光罩，其中該光遮罩部分藉由沈積該光遮罩材料而形成，或藉由依次沈積一半透射材料與一光遮罩材料薄膜而形成。
5. 一種製造具有一多個半透射部分之一半色調網點光罩之方法，其包括：藉由按順序利用曝光製程、顯影製程及蝕刻製程而依次於一透明基板上形成一光遮罩層與一第一光阻蝕劑，且形成一透射光之光透射部分及遮罩該光遮罩層上之光遮罩部分；清除該第一光阻蝕劑後沈積半透射材料，用於透射輻照於該光遮罩部分與該光透射部分上、具有預定工作波段之光之一部分；於該半透射材料上形成一第二光阻蝕劑，且曝光及顯影該第二光阻蝕劑，以曝光一部分該半透射材料； 蝕刻該被曝光之半透射材料之後，藉由清除該第二光阻蝕劑而形成一基本半透射部分；及於其上不形成該基本半透射部分之該光透射部分上沈積該等半透射材料，且形成至少一另外的其光透射率與該基本半透射部分不同之半透射部分。
6. 一種製造具有一多個半透射部分之一半色調網點光罩之方法，其包括：藉由按順序利用曝光製程、顯影製程及蝕刻製程而依次於一透明基板上形成一光遮罩層與一第一光阻蝕劑，且形成一用於透射光之光透射部分及用於遮罩該光遮罩層上之光遮罩部分；清除該第一光阻蝕劑且在該透射部分與該光遮罩部分上形成一第二光阻蝕劑後，曝光與顯影該第二光阻蝕劑，用以使形成該半透射部分處之一部分該光透射部分曝光至外界；在曝光至外界處之該光透射部分之一上部及該第二光阻蝕劑之一上部沈積該半透射材料；藉由利用一剝離法，清除沈積於該第二光阻蝕劑上部之該第二光阻蝕劑與該半透射材料，且僅該被曝光至外界之該光透射部分上部保留該半透射材料，從而形成一基本半透射部分；及於其上不形成該基本半透射部分之該光透射部分上沈積該等半透射材料，且形成至少一另外的、其光透射率與該基本半透射部分不同之半透射部分。
7. 如申請專利範圍第5或6項所述之方法，其中形成該半透射部分之步驟包括：於該基本半透射部分、該光透射部分及該光遮罩部分上形成一第三光阻蝕劑，且曝光與顯影該第三光阻蝕劑，用以使形成該半透射部分處之該光透射部分之一部分曝光至外部；在曝光至外界之該光透射部分上部及該第二光阻蝕劑上部沈積該半透射材料；及藉由利用剝離法清除沈積於該第三光阻蝕劑上部之該半透射 材料，僅該被曝光至外界之該光透射部分上部保留該半透射材料。
8. 如申請專利範圍第5或6項所述之方法，其中重複形成該半透射部分之過程，以另外形成該半透射部分。
9. 一種製造具有一多個半透射部分之一半色調網點光罩之方法，其包括：藉由於一透明基板上依次形成一半透射材料薄膜、一光遮罩材料薄膜及一第一光阻蝕劑，從而形成一完全曝光區域與一半曝光區域，且在該第一光阻蝕劑上實施一完全曝光製程與一半曝光製程，並顯影該第一光阻蝕劑之該被曝光部分；依次蝕刻該完全曝光區域上已分別被曝光之該光遮罩材料薄膜與該半透射材料薄膜，以便形成一光透射部分；在該第一光阻蝕劑上實施灰化製程，以曝光位於該半曝光區域上之該光遮罩材料使其曝光至外界；藉由部分地蝕刻該曝光至外界之該光遮罩材料薄膜以使該半透射材料曝光至外界，從而形成一基本半透射部分，並藉由清除該第一光阻蝕劑而形成一光遮罩部分；及藉由在該光透射部分上沈積該半透射材料，形成至少一另外的其光透射率與該基本半透射部分不同之半透射部分。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中形成該半透射部分之過程包括：於該基本半透射部分、該光透射部分與該光遮罩部分上形成一第二光阻蝕劑，且曝光與顯影該第三光阻蝕劑以將於其上形成該半透射部分之該光透射部分之一部分曝光至外界；在被曝光至外部之該光透射部分的之上部及該第二光阻蝕刻上沈積該半透射材料；及利用剝離法清除該第二光阻蝕刻及沈積在該第二光阻蝕刻之上部的該半透射材料，僅在該光透射部分之被曝光至外部之部分上剩餘半透射材料。
11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中重複形成該半透射 部分之步驟，以另外形成該半透射部分。
12. 一種具有一多個半透射部分之半色調網點光罩，其包括：一透明基板；一形成於該透明基板上用以透射預定工作波段之雷射光束之光透射部分；一形成於該透明基板上用以遮罩該預定工作波段之雷射光束之光遮罩部分；及至少兩個或更多個以彼此不同之光透射率通過輻照於該透明基板上之預定工作波段之半透射部分，其中該半透射部分包括一狹縫型半透射部分、一沈積型半透射部分或兩者之組合。
13. 如申請專利範圍第12項所述之半色調網點光罩，其中該沈積型半透射部分藉由沈積該半透射材料薄膜而形成。
14. 如申請專利範圍第12項所述之半色調網點光罩，其中該狹縫型半透射部分形成於該光遮罩部分之一預定部分上或該沈積型半透射部分上。
15. 如申請專利範圍第13項所述之半色調網點光罩，其中該沈積型半透射部分之該光透射率係根據該半透射材料薄膜之成分或厚度而變化。
16. 如申請專利範圍第15項所述之半色調網點光罩，其中該半透射材料可包括Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al作為主要元素，且為主要元素Cr、Si、Mo、Ta、Ti、Al中至少兩種或更多種元素或一選自Cox、Ox與Nx中至少一元素作為添加劑之混合配合物。
17. 如申請專利範圍第14項所述之半色調網點光罩，其中該狹縫型部分之該光透射率根據該狹縫之寬度與高度而變化。
18. 一種製造具有一多個半透射部分之一半色調網點光罩之方法，其包括：依次於該透明基板上形成一光遮罩材料薄膜及一第一光阻蝕 劑，然後利用一曝光製程與一顯影製程於該第一光阻蝕劑上形成至少一狹縫空間部分；利用該顯影製程蝕刻該被曝光之光遮罩材料薄膜，且清除該第一光阻蝕劑以形成一光遮罩部分、一光透射部分與一狹縫型半透射部分；及在該光透射部分上沈積該半透射材料，用以形成至少一其光透射率與該狹縫型半透射部分不同之沈積型半透射部分。
19. 一種製造具有一多個半透射部分之一半色調網點光罩之方法，其包括：藉由按先後順序利用曝光製程、顯影製程與蝕刻製程，依次於一透明基板上形成一光遮罩材料薄膜與一第一光阻蝕劑，且形成一透射光之光透射部分與一遮罩該光遮罩層上之光之光遮罩部分；沈積用於透射該光透射部分上一部分具有預定工作波段之光之半透射材料，用以形成至少一沈積型半透射部分；及在該沈積型半透射部分與該光遮罩部分至少其中之一上形成一其光透射率與該沈積型半透射部分不同之狹縫型半透射部分。