JPH0582649B2 - - Google Patents
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- JPH0582649B2 JPH0582649B2 JP11749985A JP11749985A JPH0582649B2 JP H0582649 B2 JPH0582649 B2 JP H0582649B2 JP 11749985 A JP11749985 A JP 11749985A JP 11749985 A JP11749985 A JP 11749985A JP H0582649 B2 JPH0582649 B2 JP H0582649B2
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 94
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、PCM記録再生装置等に用いられる
薄膜磁気ヘツドの製法に関し、詳細にはトラツク
幅を規制する方法に関する。
薄膜磁気ヘツドの製法に関し、詳細にはトラツク
幅を規制する方法に関する。
本発明は、薄膜磁気ヘツドの製法、特にトラツ
ク幅の規制方法において、 磁性薄膜の上下にレーザビームに対する反射率
の高い非磁性膜を配し、このうち磁性薄膜の上層
に形成された非磁性膜をトラツク幅と略等しくな
るように残存形成し、この非磁性膜をトラツク幅
規制のためのマスクとしてレーザビームを照射す
ることにより、 上記レーザビームの揺らぎやフオーカスの乱れ
等に影響されずに、高精度なトラツク加工を可能
となるようにしたものである。
ク幅の規制方法において、 磁性薄膜の上下にレーザビームに対する反射率
の高い非磁性膜を配し、このうち磁性薄膜の上層
に形成された非磁性膜をトラツク幅と略等しくな
るように残存形成し、この非磁性膜をトラツク幅
規制のためのマスクとしてレーザビームを照射す
ることにより、 上記レーザビームの揺らぎやフオーカスの乱れ
等に影響されずに、高精度なトラツク加工を可能
となるようにしたものである。
一般に、薄膜磁気ヘツドは、記録に関与するヘ
ツド磁界が急峻であるため記録密度の増加が可能
であるとともに、高分解能の記録ができ、さらに
小型化が可能である等、優れた特性を有してい
る。
ツド磁界が急峻であるため記録密度の増加が可能
であるとともに、高分解能の記録ができ、さらに
小型化が可能である等、優れた特性を有してい
る。
この種の薄膜磁気ヘツドは、ヘツドを構成する
コイル導体や磁性薄膜、絶縁膜等がスパツタリン
グ等の真空薄膜形成技術やフオトエツチング等の
手法を用いて製造されており、上述の真空薄膜形
成技術の進歩と相俟つて薄膜磁気ヘツドが実用化
されている。
コイル導体や磁性薄膜、絶縁膜等がスパツタリン
グ等の真空薄膜形成技術やフオトエツチング等の
手法を用いて製造されており、上述の真空薄膜形
成技術の進歩と相俟つて薄膜磁気ヘツドが実用化
されている。
ところで、上記薄膜磁気ヘツドは、通常、フエ
ライト等よりなる基板、いわゆる下部磁性基板上
にSiO2、Al2O3等の絶縁膜を被着形成し、この絶
縁膜上にCu、Al等のコイル導体をスパツタリン
グ等により形成した後、このコイル導体を所定の
形状にエツチングし、さらに、絶縁膜を介して
Fe−Al−Si系合金、Fe−Ni系合金等の磁性薄
膜、いわゆる上部磁性膜を同様の手法で被着し、
ドライ装置内で所定のトラツク幅となるようにエ
ツチング加工を施して作製されている。
ライト等よりなる基板、いわゆる下部磁性基板上
にSiO2、Al2O3等の絶縁膜を被着形成し、この絶
縁膜上にCu、Al等のコイル導体をスパツタリン
グ等により形成した後、このコイル導体を所定の
形状にエツチングし、さらに、絶縁膜を介して
Fe−Al−Si系合金、Fe−Ni系合金等の磁性薄
膜、いわゆる上部磁性膜を同様の手法で被着し、
ドライ装置内で所定のトラツク幅となるようにエ
ツチング加工を施して作製されている。
しかしながら、上述のように上部磁性膜、コイ
ル導体、絶縁膜をドライエツチングによりパター
ニングすると、エツチングにかなりの時間を要す
るという問題がある。特に、トラツク幅を規制す
るために、Fe−Al−Si系合金よりなる上部磁性
体をエツチングする工程にあつては、エツチング
速度が遅く（１時間当たり1μｍ程度）、さらに、
この上部磁性膜は磁気効率を良くするために比較
的厚く形成される（通常、10〜15μｍ）ので、こ
のエツチングにかなりの時間及び熟練度を必要と
しており、生産効率の悪い工程となつている。
ル導体、絶縁膜をドライエツチングによりパター
ニングすると、エツチングにかなりの時間を要す
るという問題がある。特に、トラツク幅を規制す
るために、Fe−Al−Si系合金よりなる上部磁性
体をエツチングする工程にあつては、エツチング
速度が遅く（１時間当たり1μｍ程度）、さらに、
この上部磁性膜は磁気効率を良くするために比較
的厚く形成される（通常、10〜15μｍ）ので、こ
のエツチングにかなりの時間及び熟練度を必要と
しており、生産効率の悪い工程となつている。
また、上記エツチング法では、上部磁性体にフ
オトレジストを塗布してから、エツチングを行つ
ているため、このフオトレジストの露光・現像の
前後にレジストの塗布、硬化、剥離等の作業が必
要であつて、非常に手間のかかる工程になつてい
る。
オトレジストを塗布してから、エツチングを行つ
ているため、このフオトレジストの露光・現像の
前後にレジストの塗布、硬化、剥離等の作業が必
要であつて、非常に手間のかかる工程になつてい
る。
そこで、トラツク幅の規制、すなわち上部磁性
膜のパターニングを効率良くかつ精度良く行える
方法が要望されている。
膜のパターニングを効率良くかつ精度良く行える
方法が要望されている。
上記要望を満足するために、従来、Arガス、
CO2ガス、YAG（イツトリウム・アルミニウム・
ガーネツトの結晶）等を発振源とするレーザビー
ムを使用して上部磁性膜のパターニングを行う方
法が提案されている。
CO2ガス、YAG（イツトリウム・アルミニウム・
ガーネツトの結晶）等を発振源とするレーザビー
ムを使用して上部磁性膜のパターニングを行う方
法が提案されている。
しかしながら、上述のレーザビームはその波長
領域が赤外域にあり、いずれも円形ビームあるい
は楕円形ビームとなり、これらビームのオーバー
ラツプにより上部磁性膜のエツチングを行つてい
るため、この加工時に上記レーザビームが揺らぐ
と上部磁性膜のエツチング面が凹凸状になり、均
一なトラツク幅の磁気ヘツドが得難くなる。特
に、上部磁性膜の段差部ではフオーカスが乱れ易
く、加工溝幅（トラツク幅）や加工深さが不均一
となつてしまい、精度低下の原因となつている。
領域が赤外域にあり、いずれも円形ビームあるい
は楕円形ビームとなり、これらビームのオーバー
ラツプにより上部磁性膜のエツチングを行つてい
るため、この加工時に上記レーザビームが揺らぐ
と上部磁性膜のエツチング面が凹凸状になり、均
一なトラツク幅の磁気ヘツドが得難くなる。特
に、上部磁性膜の段差部ではフオーカスが乱れ易
く、加工溝幅（トラツク幅）や加工深さが不均一
となつてしまい、精度低下の原因となつている。
そこで、本発明は上述の欠点を解決するために
提案されたものであつて、薄膜磁気ヘツドのトラ
ツク幅をレーザビームにより規制する工程におい
て、レーザビームの揺らぎやフオーカスの乱れ等
に影響されずに高精度なトラツク加工が可能な薄
膜磁気ヘツドの製造方法を提供することを目的と
する。
提案されたものであつて、薄膜磁気ヘツドのトラ
ツク幅をレーザビームにより規制する工程におい
て、レーザビームの揺らぎやフオーカスの乱れ等
に影響されずに高精度なトラツク加工が可能な薄
膜磁気ヘツドの製造方法を提供することを目的と
する。
〔問題点を解決するための手段〕
上述の目的を達成するために、本発明の薄膜磁
気ヘツドの製法は、基板上にコイル導体及び磁性
薄膜を形成した薄膜磁気ヘツドの製法において、
基板上にコイル導体及び磁性薄膜を形成した薄膜
磁気ヘツドの製法において、前記磁性薄膜上にト
ラツク幅と略等しく且つ反射率の高い第１非磁性
膜を配すると共に、該磁性薄膜の下にトラツク幅
よりも広く且つ反射率の高い第２非磁性膜を配
し、前記第１非磁性膜をマスクとしてレーザービ
ームを照射することにより、前記磁性薄膜を所定
のトラツク幅に切断することを特徴とする。
気ヘツドの製法は、基板上にコイル導体及び磁性
薄膜を形成した薄膜磁気ヘツドの製法において、
基板上にコイル導体及び磁性薄膜を形成した薄膜
磁気ヘツドの製法において、前記磁性薄膜上にト
ラツク幅と略等しく且つ反射率の高い第１非磁性
膜を配すると共に、該磁性薄膜の下にトラツク幅
よりも広く且つ反射率の高い第２非磁性膜を配
し、前記第１非磁性膜をマスクとしてレーザービ
ームを照射することにより、前記磁性薄膜を所定
のトラツク幅に切断することを特徴とする。
したがつて、本発明によれば、磁性薄膜の上下
にレーザビームに対する反射率の高い非磁性膜を
配し、このうち磁性薄膜の上層に形成された第１
非磁性膜をトラツク幅と略等しくなるように残存
形成し、この第１非磁性膜をトラツク幅規制のた
めのマスクとしてレーザビームを照射することに
より、該磁性薄膜を所定のトラツク幅に切断して
いるので、トラツク形成部分の磁性薄膜は上記第
１非磁性膜によりレーザビームから保護されると
ともに、上記レーザ光線の揺らぎやフオーカスの
乱れ等に影響されることなく、高精度なトラツク
加工が可能となる。
にレーザビームに対する反射率の高い非磁性膜を
配し、このうち磁性薄膜の上層に形成された第１
非磁性膜をトラツク幅と略等しくなるように残存
形成し、この第１非磁性膜をトラツク幅規制のた
めのマスクとしてレーザビームを照射することに
より、該磁性薄膜を所定のトラツク幅に切断して
いるので、トラツク形成部分の磁性薄膜は上記第
１非磁性膜によりレーザビームから保護されると
ともに、上記レーザ光線の揺らぎやフオーカスの
乱れ等に影響されることなく、高精度なトラツク
加工が可能となる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。なお、本実施例では、コイル導体
が１ターンの薄膜磁気ヘツドを例に挙げて説明す
るが、このコイル導体は、ヘリカル型やスパイラ
ル型等、如何なる巻線構造であつても良い。
がら説明する。なお、本実施例では、コイル導体
が１ターンの薄膜磁気ヘツドを例に挙げて説明す
るが、このコイル導体は、ヘリカル型やスパイラ
ル型等、如何なる巻線構造であつても良い。
まず、第１図Ａ及び第１図Ｂに示すように、例
えばMn−Zn系フエライトやNi−Zn系フエライ
ト等で形成される基板、あるいはセラミツク等の
非磁性材上にFe−Ni系合金（パーマロイ）やFe
−Al−Si系合金（センダスト）等を積層した複
合基板等の下部磁性基板１上にSiO2やAl2O3等よ
りなる第１絶縁膜２をスパツタリング等により被
着形成する。なお、上記下部磁性基板１として
Ni−Zn系フエライトを用いた場合には、基板１
自身の絶縁抵抗が大きいので、上記第１絶縁膜２
を形成しなくても良い。
えばMn−Zn系フエライトやNi−Zn系フエライ
ト等で形成される基板、あるいはセラミツク等の
非磁性材上にFe−Ni系合金（パーマロイ）やFe
−Al−Si系合金（センダスト）等を積層した複
合基板等の下部磁性基板１上にSiO2やAl2O3等よ
りなる第１絶縁膜２をスパツタリング等により被
着形成する。なお、上記下部磁性基板１として
Ni−Zn系フエライトを用いた場合には、基板１
自身の絶縁抵抗が大きいので、上記第１絶縁膜２
を形成しなくても良い。
次に、上記基板１の上面全体にCuあるいはAl
等をスパツタリング等で形成し、第２図Ａ及び第
２図Ｂに示すように、フオトエツチング技術等に
より所定形状にパターニングしてコイル導体３を
形成し、さらに、この上に第２絶縁膜４を被着形
成する。なお、第２図Ａにおいて、上記第２絶縁
膜４は省略してある。
等をスパツタリング等で形成し、第２図Ａ及び第
２図Ｂに示すように、フオトエツチング技術等に
より所定形状にパターニングしてコイル導体３を
形成し、さらに、この上に第２絶縁膜４を被着形
成する。なお、第２図Ａにおいて、上記第２絶縁
膜４は省略してある。
次いで、第３図Ａ及び第３図Ｂに示すように、
上記基板１上に形成されたコイル導体３の接続端
子部３ａ，３ａ以外の部分にマスクスパツタリン
グの手法でトラツク幅よりも大となるように、例
えば基板１全面に第２非磁性膜７をその膜厚が２
〜3μｍ程度形成する。この第２非磁性膜７の材
料としては、レーザビームに対する反射率が高
く、かつ非磁性体のものが使用され、例えばCu
等が挙げられる。
上記基板１上に形成されたコイル導体３の接続端
子部３ａ，３ａ以外の部分にマスクスパツタリン
グの手法でトラツク幅よりも大となるように、例
えば基板１全面に第２非磁性膜７をその膜厚が２
〜3μｍ程度形成する。この第２非磁性膜７の材
料としては、レーザビームに対する反射率が高
く、かつ非磁性体のものが使用され、例えばCu
等が挙げられる。
続いて、上記第２非磁性膜７上に第３絶縁膜８
を膜付けし、バツクギヤツプ部となる部分をエツ
チングにより取り除いた後、上記第３絶縁膜８上
にマスクスパツタリングの手法を用いてセンダス
トやパーマロイ等の上部磁性膜９を被着形成す
る。なお、第３図以下の図面ではバツクギヤツプ
部は省略する。
を膜付けし、バツクギヤツプ部となる部分をエツ
チングにより取り除いた後、上記第３絶縁膜８上
にマスクスパツタリングの手法を用いてセンダス
トやパーマロイ等の上部磁性膜９を被着形成す
る。なお、第３図以下の図面ではバツクギヤツプ
部は省略する。
以上で、下部磁性基板１と上部磁性膜９で磁路
が形成され、磁気ヘツドとして作動するように構
成される。
が形成され、磁気ヘツドとして作動するように構
成される。
次に、以上で得られた基板１上に、例えば
SiO2等よりなる保護膜１０を形成した後、この
基板１に対して真空アニール装置内でアニール処
理を施す。この透磁率μを確保するためのアニー
ル処理は、650℃以下の温度で処理する必要があ
り、650℃を越えて処理すると、磁路を形成する
下部磁性基板１及び上部磁性膜９の抗磁力Hcが
増加し、ヘツドとしての磁気特性が劣化してしま
う虞れがある。なお、このアニール処理は、後述
の第１非磁性膜１１を形成後に行つても良い。
SiO2等よりなる保護膜１０を形成した後、この
基板１に対して真空アニール装置内でアニール処
理を施す。この透磁率μを確保するためのアニー
ル処理は、650℃以下の温度で処理する必要があ
り、650℃を越えて処理すると、磁路を形成する
下部磁性基板１及び上部磁性膜９の抗磁力Hcが
増加し、ヘツドとしての磁気特性が劣化してしま
う虞れがある。なお、このアニール処理は、後述
の第１非磁性膜１１を形成後に行つても良い。
さらに、上記上部磁性膜９上にCu等よりなる
非磁性膜を膜厚２〜3μｍ程度にマスクスパツタ
リングにて膜付けした後、第４図Ａ及び第４図Ｂ
に示すように、所望のトラツク幅と略等しくなる
ように上記非磁性膜が残存する如くエツチングを
施し、第１非磁性膜１１を形成する。この第１非
磁性膜１１の材料は上述した第２非磁性膜７と同
じで良い。
非磁性膜を膜厚２〜3μｍ程度にマスクスパツタ
リングにて膜付けした後、第４図Ａ及び第４図Ｂ
に示すように、所望のトラツク幅と略等しくなる
ように上記非磁性膜が残存する如くエツチングを
施し、第１非磁性膜１１を形成する。この第１非
磁性膜１１の材料は上述した第２非磁性膜７と同
じで良い。
次いで、第５図Ａ及び第５図Ｂに示すように、
上記基板１の第１非磁性膜１１側より、第１非磁
性膜１１上及びその周辺に対して、YAG等のレ
ーザビームＬを照射する。このレーザビームＬ
は、上記第１非磁性膜１１が形成されていない部
分の保護膜１０、上部磁性膜９及び第３絶縁膜８
を分断し、第２非磁性膜７で反射される。したが
つて、上記第１非磁性膜１１に保護された上部磁
性薄膜９で所望のトラツク幅Twを有するトラツ
クが形成されるとともに、第２非磁性膜７より下
層部分はレーザビームＬから保護される。なお、
本実施例において、レーザビームＬには単一モー
ドレーザで出力3.3〜3.5Wのものを使用し、不活
性ガスと活性ガスの混合雰囲気中で照射した。ま
た、ビームスポツトは直径50〜60μｍとして照射
した。この場合、エツチング速度は１分間当たり
100mmとなり、従来のレーザビーム加工の４〜５
倍程度まで高めることができた。
上記基板１の第１非磁性膜１１側より、第１非磁
性膜１１上及びその周辺に対して、YAG等のレ
ーザビームＬを照射する。このレーザビームＬ
は、上記第１非磁性膜１１が形成されていない部
分の保護膜１０、上部磁性膜９及び第３絶縁膜８
を分断し、第２非磁性膜７で反射される。したが
つて、上記第１非磁性膜１１に保護された上部磁
性薄膜９で所望のトラツク幅Twを有するトラツ
クが形成されるとともに、第２非磁性膜７より下
層部分はレーザビームＬから保護される。なお、
本実施例において、レーザビームＬには単一モー
ドレーザで出力3.3〜3.5Wのものを使用し、不活
性ガスと活性ガスの混合雰囲気中で照射した。ま
た、ビームスポツトは直径50〜60μｍとして照射
した。この場合、エツチング速度は１分間当たり
100mmとなり、従来のレーザビーム加工の４〜５
倍程度まで高めることができた。
したがつて、上部磁性膜９のエツチングにおい
て、レーザビームＬの照射ビームが揺らいだり、
あるいは上部磁性膜９の段差部でフオーカスが乱
れたりしても、トラツク部分の上部磁性膜９は第
１非磁性膜１１によつて上記レーザビームから保
護され、規定のトラツク幅Twとなるように精度
良く加工される。本実施例において、トラツク幅
Twの誤差は±2μｍ以下に抑えることができた。
また、トラツク形成部分の上部磁性膜９が第１非
磁性膜１１で保護されるので、レーザビームとし
てビーム径の大きなものも使用でき、従つてガウ
シアン分布の良好な部分を選択的に照射して、安
定な加工を施すことが可能となる。
て、レーザビームＬの照射ビームが揺らいだり、
あるいは上部磁性膜９の段差部でフオーカスが乱
れたりしても、トラツク部分の上部磁性膜９は第
１非磁性膜１１によつて上記レーザビームから保
護され、規定のトラツク幅Twとなるように精度
良く加工される。本実施例において、トラツク幅
Twの誤差は±2μｍ以下に抑えることができた。
また、トラツク形成部分の上部磁性膜９が第１非
磁性膜１１で保護されるので、レーザビームとし
てビーム径の大きなものも使用でき、従つてガウ
シアン分布の良好な部分を選択的に照射して、安
定な加工を施すことが可能となる。
また、従来のエツチング方法によるトラツク加
工には煩雑な工程が必要であつたが、本実施例の
方法によれば、この加工の工程を大幅に削減でき
製造時間や製造コストの低減が図れる。
工には煩雑な工程が必要であつたが、本実施例の
方法によれば、この加工の工程を大幅に削減でき
製造時間や製造コストの低減が図れる。
最後に、上記第１非磁性膜１１を湿式エツチン
グ等の手法で取り除いた後、上記保護膜１０上に
ガラス等の接合用無期接着材１２を溶融充填し、
平坦化し、さらに摩耗対策としてセラミツク等の
非磁性材よりなる保護板１３を上記接着材１２に
融着接合して第６図に示す薄膜磁気ヘツドを完成
する。なお、上述の第１非磁性膜１１の除去工程
を容易に行うために、第１非磁性膜１１の形成工
程の直前、すなわち保護膜１０上にフオトレジス
トを塗布・乾燥して離型性に優れたレジスト層を
形成し、この上に第１非磁性膜１１を形成しても
良い。あるいは、上記第１非磁性膜１１を取り除
かず、残存した状態で接着材１２及び保護板１３
を形成しても、ヘツドの特性には何等影響のない
ことはいうまでもない。
グ等の手法で取り除いた後、上記保護膜１０上に
ガラス等の接合用無期接着材１２を溶融充填し、
平坦化し、さらに摩耗対策としてセラミツク等の
非磁性材よりなる保護板１３を上記接着材１２に
融着接合して第６図に示す薄膜磁気ヘツドを完成
する。なお、上述の第１非磁性膜１１の除去工程
を容易に行うために、第１非磁性膜１１の形成工
程の直前、すなわち保護膜１０上にフオトレジス
トを塗布・乾燥して離型性に優れたレジスト層を
形成し、この上に第１非磁性膜１１を形成しても
良い。あるいは、上記第１非磁性膜１１を取り除
かず、残存した状態で接着材１２及び保護板１３
を形成しても、ヘツドの特性には何等影響のない
ことはいうまでもない。
なお、本発明は上述の実施例に限定されるもの
ではなく、例えば、先の実施例の第１非磁性膜１
１の形成工程において、保護膜１０上に非磁性膜
をマスクスパツタリングにて膜付けした後、第７
図Ａ及び第７図Ｂに示すように、フオトエツチン
グ技術を用いて上記非磁性膜をパターニングして
第１非磁性膜１４を形成しても良い。この非磁性
膜１４のパターニングにおいて、第７図中Tw′は
所望のトラツク幅Twと略等しく残存し、エツチ
ング幅ｌは隣接トラツク間のクロストーク等を考
慮して設定することができる。以上のヘツドチツ
プに対して、レーザビームを照射し、トラツク幅
加工を施しても良い。
ではなく、例えば、先の実施例の第１非磁性膜１
１の形成工程において、保護膜１０上に非磁性膜
をマスクスパツタリングにて膜付けした後、第７
図Ａ及び第７図Ｂに示すように、フオトエツチン
グ技術を用いて上記非磁性膜をパターニングして
第１非磁性膜１４を形成しても良い。この非磁性
膜１４のパターニングにおいて、第７図中Tw′は
所望のトラツク幅Twと略等しく残存し、エツチ
ング幅ｌは隣接トラツク間のクロストーク等を考
慮して設定することができる。以上のヘツドチツ
プに対して、レーザビームを照射し、トラツク幅
加工を施しても良い。
以上の説明からも明らかなように、本発明によ
れば、上部磁性膜（磁性薄膜）上にトラツク幅と
略等しく且つ反射率の高い第１非磁性膜を配する
と共に、該上部磁性膜の下にトラツク幅よりも広
く且つ反射率の高い第２非磁性膜を配し、このう
ち磁性薄膜の上層に形成された第１非磁性膜をト
ラツク幅と略等しくなるように残存形成し、この
第１非磁性膜をトラツク規制のためのマスクとし
てレーザビームを照射することにより、該上部磁
性膜を所定のトラツク幅に切断しているので、ト
ラツク形成部分の上部磁性膜は上記第１非磁性膜
で保護され、レーザビームの揺らぎやフオーカス
の乱れ等に影響されることなく精度良く上部磁性
膜をエツチングすることができ、高精度なトラツ
ク加工が可能となる。
れば、上部磁性膜（磁性薄膜）上にトラツク幅と
略等しく且つ反射率の高い第１非磁性膜を配する
と共に、該上部磁性膜の下にトラツク幅よりも広
く且つ反射率の高い第２非磁性膜を配し、このう
ち磁性薄膜の上層に形成された第１非磁性膜をト
ラツク幅と略等しくなるように残存形成し、この
第１非磁性膜をトラツク規制のためのマスクとし
てレーザビームを照射することにより、該上部磁
性膜を所定のトラツク幅に切断しているので、ト
ラツク形成部分の上部磁性膜は上記第１非磁性膜
で保護され、レーザビームの揺らぎやフオーカス
の乱れ等に影響されることなく精度良く上部磁性
膜をエツチングすることができ、高精度なトラツ
ク加工が可能となる。
また、レーザビームのビーム径の大きなものを
使用して上部磁性膜のエツチングを行つても良い
ので、レーザビームのガウシアン分布の良好な部
分を選択して使用でき、安定なトラツク加工が可
能となる。
使用して上部磁性膜のエツチングを行つても良い
ので、レーザビームのガウシアン分布の良好な部
分を選択して使用でき、安定なトラツク加工が可
能となる。
第１図ないし第６図は本発明の薄膜磁気ヘツド
の製法の一例をその工程順序に従つて示すもので
あり、第１図Ａは第１絶縁膜被着工程を示す概略
的な斜視図、第１図Ｂは第１図Ａのａ−ａ線にお
ける断面図、第２図Ａはコイル導体形成工程を示
す概略的な斜視図、第２図Ｂは第２図Ａのｂ−ｂ
線における断面図、第３図Ａは上部磁性膜（磁性
薄膜）被着工程を示す概略的な斜視図、第３図Ｂ
は第３図Ａのｃ−ｃ線における断面図、第４図Ａ
は第１非磁性膜の形成工程を示す概略的な斜視
図、第４図Ｂは第４図Ａのｄ−ｄ線における断面
図、第５図Ａは上部磁性膜のパターニング概略的
な斜視図、第５図Ｂは第５図Ａのｅ−ｅ線におけ
る断面図、第６図は保護板の融着工程を示す断面
図である。第７図は本発明の他の例を示すもの
で、第７図Ａは第１非磁性膜の形成工程を示す概
略的な斜視図、第７図Ｂは第７図Ａのｆ−ｆ線に
おける断面図である。 １……下部磁性基板（基板）、３……コイル導
体、７……第２非磁性膜、９……上部磁性膜（磁
性薄膜）、１１……第１非磁性膜、Ｌ……レーザ
ビーム。
の製法の一例をその工程順序に従つて示すもので
あり、第１図Ａは第１絶縁膜被着工程を示す概略
的な斜視図、第１図Ｂは第１図Ａのａ−ａ線にお
ける断面図、第２図Ａはコイル導体形成工程を示
す概略的な斜視図、第２図Ｂは第２図Ａのｂ−ｂ
線における断面図、第３図Ａは上部磁性膜（磁性
薄膜）被着工程を示す概略的な斜視図、第３図Ｂ
は第３図Ａのｃ−ｃ線における断面図、第４図Ａ
は第１非磁性膜の形成工程を示す概略的な斜視
図、第４図Ｂは第４図Ａのｄ−ｄ線における断面
図、第５図Ａは上部磁性膜のパターニング概略的
な斜視図、第５図Ｂは第５図Ａのｅ−ｅ線におけ
る断面図、第６図は保護板の融着工程を示す断面
図である。第７図は本発明の他の例を示すもの
で、第７図Ａは第１非磁性膜の形成工程を示す概
略的な斜視図、第７図Ｂは第７図Ａのｆ−ｆ線に
おける断面図である。 １……下部磁性基板（基板）、３……コイル導
体、７……第２非磁性膜、９……上部磁性膜（磁
性薄膜）、１１……第１非磁性膜、Ｌ……レーザ
ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にコイル導体及び磁性薄膜を形成した
薄膜磁気ヘツドの製法において、 前記磁性薄膜上にトラツク幅と略等しく且つ反
射率の高い第１非磁性膜を配すると共に、該磁性
薄膜の下にトラツク幅よりも広く且つ反射率の高
い第２非磁性膜を配し、 前記第１非磁性膜をマスクとしてレーザービー
ムを照射することにより、前記磁性薄膜を所定の
トラツク幅に切断することを特徴とする薄膜磁気
ヘツドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11749985A JPS61276108A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜磁気ヘツドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11749985A JPS61276108A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜磁気ヘツドの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276108A JPS61276108A (ja) | 1986-12-06 |
| JPH0582649B2 true JPH0582649B2 (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14713249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11749985A Granted JPS61276108A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜磁気ヘツドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276108A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0256938B1 (en) * | 1986-08-08 | 1995-10-04 | Quantum Corporation | Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like |
| US5221422A (en) * | 1988-06-06 | 1993-06-22 | Digital Equipment Corporation | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP11749985A patent/JPS61276108A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61276108A (ja) | 1986-12-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |