JPS60254406A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS60254406A JPS60254406A JP11171084A JP11171084A JPS60254406A JP S60254406 A JPS60254406 A JP S60254406A JP 11171084 A JP11171084 A JP 11171084A JP 11171084 A JP11171084 A JP 11171084A JP S60254406 A JPS60254406 A JP S60254406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- track width
- magnetic
- magnetic head
- working
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、特にレーザービーム照
射によりトラック加工を施したものである。
射によりトラック加工を施したものである。
背景技術とその問題点
薄膜磁気ヘッドは記録密度に利点があり、これはトラッ
クの集積度合、狭トラツク化等が簡単に実施できる点に
代表され、この製造工程は基板に絶縁層を介して膜付け
により形成したコイル導体上部に絶縁層を介して１０μ
ｍ前後の上部磁性膜をスパッタリング等で形成する。そ
の後フォトリソグラフイエ程でマスク合わせを行ない、
必要なトラック幅をドライエツチング法により加工を施
している。
クの集積度合、狭トラツク化等が簡単に実施できる点に
代表され、この製造工程は基板に絶縁層を介して膜付け
により形成したコイル導体上部に絶縁層を介して１０μ
ｍ前後の上部磁性膜をスパッタリング等で形成する。そ
の後フォトリソグラフイエ程でマスク合わせを行ない、
必要なトラック幅をドライエツチング法により加工を施
している。
しかし、このドライエツチング法によるトラック幅加工
では単位当りのエツチングレイトが１μｍ／ＩＨと低い
ため加工能率が悪（、またフォトリソグラフィを繰返し
実施、即ち２〜３μｍ ／ １回とすると上部磁性膜が
１０μ蒙では５回実施することになるため工数増となり
、大量生産におけるコスト高は避けられない。また狭ピ
ツチトラック配置の場合各チャンネルのコア間で漏れ磁
束が多くなり、クロストークが一２０ｄＢを割る非常に
困難な問題があった。
では単位当りのエツチングレイトが１μｍ／ＩＨと低い
ため加工能率が悪（、またフォトリソグラフィを繰返し
実施、即ち２〜３μｍ ／ １回とすると上部磁性膜が
１０μ蒙では５回実施することになるため工数増となり
、大量生産におけるコスト高は避けられない。また狭ピ
ツチトラック配置の場合各チャンネルのコア間で漏れ磁
束が多くなり、クロストークが一２０ｄＢを割る非常に
困難な問題があった。
発明の目的
本発明はかかる点に鑑み、薄膜磁気ヘッドにおいてトラ
ック幅加工をレーザービーム照射により行なうことによ
り、任意のトラック幅を短時間で容易に形成できてコス
トの低廉化を可能とした薄膜磁気ヘッドを提供するもの
である。
ック幅加工をレーザービーム照射により行なうことによ
り、任意のトラック幅を短時間で容易に形成できてコス
トの低廉化を可能とした薄膜磁気ヘッドを提供するもの
である。
発明の概要
本発明は上記の目的を達成するために、磁性基板と磁性
膜との間に絶縁層を介してコイル導体を配し、磁気回路
を構成してなる薄膜磁気へ・ノドにおいて磁性膜はその
表面側から、レーザービーム照射によりトラック幅加工
を施すことにより、任意のトランク幅が正確に形成され
コストが低置な薄膜磁気ヘッドが得られるようにしたも
のである。
膜との間に絶縁層を介してコイル導体を配し、磁気回路
を構成してなる薄膜磁気へ・ノドにおいて磁性膜はその
表面側から、レーザービーム照射によりトラック幅加工
を施すことにより、任意のトランク幅が正確に形成され
コストが低置な薄膜磁気ヘッドが得られるようにしたも
のである。
実施例
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の一部分の平面
図、第２図は要部の拡大断面図である。
図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一例の一部分の平面
図、第２図は要部の拡大断面図である。
この本発明の一例の薄膜磁気ヘッドを第３図の製造工程
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
（１１は例えばＭｎ −Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ
系フェライト等より成る磁性基板であってこの基板上を
平滑に平面加工仕上げした後、この基板（１１の平面上
に５ｉ０２等の第１絶縁膜（２）をスパッタリング等の
手段で形成する。次に、第１絶縁膜（２）の上にＣｕ等
の導電体物質によるスパッタリング、フォトエツチング
等の手段で導体層（３）を形成して電気回路部を形成す
る。
系フェライト等より成る磁性基板であってこの基板上を
平滑に平面加工仕上げした後、この基板（１１の平面上
に５ｉ０２等の第１絶縁膜（２）をスパッタリング等の
手段で形成する。次に、第１絶縁膜（２）の上にＣｕ等
の導電体物質によるスパッタリング、フォトエツチング
等の手段で導体層（３）を形成して電気回路部を形成す
る。
そしてこの電気回路部上、即ち導体層（３）と後述する
上部金属磁性膜との絶縁を図るため第２絶縁膜（４）を
形成して保護した後、第２絶縁膜（４）から基板（１１
へ達する透孔（５ａ） 、（５ｂ） 、・・・・を電気
回路部の接続導体部（３ａ） （３ｂ）に接触しない位
置に、またトランクを形成するコンタクト窓（６）を導
体層（３）の中心部に位置して夫々フォトリソグラフィ
技術によりバターニングして１．Ｅ装置或いはプラズマ
装置を用いてエツチングすることにより形成する（第３
図Ａ参照）。
上部金属磁性膜との絶縁を図るため第２絶縁膜（４）を
形成して保護した後、第２絶縁膜（４）から基板（１１
へ達する透孔（５ａ） 、（５ｂ） 、・・・・を電気
回路部の接続導体部（３ａ） （３ｂ）に接触しない位
置に、またトランクを形成するコンタクト窓（６）を導
体層（３）の中心部に位置して夫々フォトリソグラフィ
技術によりバターニングして１．Ｅ装置或いはプラズマ
装置を用いてエツチングすることにより形成する（第３
図Ａ参照）。
次に、同図Ｂに示す如く第２絶縁膜（４）の所要部、即
ち電気回路部の接続導体部（３ａ） （３ｂ）の端子部
を除く部面にセンダスト、パーマロイ或いはアモルファ
ス等によりマスクスパッタリング、蒸着等の手段で上部
金属磁性膜（７）を形成することにより薄膜磁気ヘッド
素体を得る。
ち電気回路部の接続導体部（３ａ） （３ｂ）の端子部
を除く部面にセンダスト、パーマロイ或いはアモルファ
ス等によりマスクスパッタリング、蒸着等の手段で上部
金属磁性膜（７）を形成することにより薄膜磁気ヘッド
素体を得る。
そして最後に同図Ｃに示すように、ＡｒやＹＡＧ等ビー
ムの絞り可能なレーザー装置りを利用して薄膜磁気ヘッ
ド素体の表面側よりビーム照射して所定のトラック幅Ｔ
ｗの加工を行なうことにより第１図に示す薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
ムの絞り可能なレーザー装置りを利用して薄膜磁気ヘッ
ド素体の表面側よりビーム照射して所定のトラック幅Ｔ
ｗの加工を行なうことにより第１図に示す薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
このレーザー装置りのビーム照射によるトラ・ツク幅加
工はＹＡＧレーザーの場合、入力２〜２．５ＫＷ、Ｑス
イッチ周波数１８〜２０ＫＨｚ 、ビーム絞り径１０〜
１５Ｍ、薄膜磁気ヘッド素体を載置する作業テープ、ル
の移動速度２０ｍ ／ ｍ ｉ ｎとして窒素等の不活
性ガス雰囲気中において行なう。
工はＹＡＧレーザーの場合、入力２〜２．５ＫＷ、Ｑス
イッチ周波数１８〜２０ＫＨｚ 、ビーム絞り径１０〜
１５Ｍ、薄膜磁気ヘッド素体を載置する作業テープ、ル
の移動速度２０ｍ ／ ｍ ｉ ｎとして窒素等の不活
性ガス雰囲気中において行なう。
このようにレーザービーム照射によりトラック幅加工を
行なうことにより狭ピツチトランクの加工が可能となり
、また上部金属磁性膜（７）のトラ・ツク幅が加工され
た以外の部分は透孔（５ａ） 、（５ｂ）を通して基板
（１）と接続され磁気的シールド化されることになり他
チャンネルへの磁束の漏れがなくなり、実用レベルの一
３０ｄＢ程度が得られるようになった。さらに作業工数
も従来のフォトリソグラフィーの技術によりトラック幅
加工を行なう場合に比し、少なくとも１／３以下になり
、製造時間が短縮された。
行なうことにより狭ピツチトランクの加工が可能となり
、また上部金属磁性膜（７）のトラ・ツク幅が加工され
た以外の部分は透孔（５ａ） 、（５ｂ）を通して基板
（１）と接続され磁気的シールド化されることになり他
チャンネルへの磁束の漏れがなくなり、実用レベルの一
３０ｄＢ程度が得られるようになった。さらに作業工数
も従来のフォトリソグラフィーの技術によりトラック幅
加工を行なう場合に比し、少なくとも１／３以下になり
、製造時間が短縮された。
また、上部金属磁性膜（７）のレーザービーム照射によ
るトラック幅加工において、レーザートリミング幅、即
ち第３図Ｃに示す如く、レーザービーム照射により取除
く溝部の幅ａとトラ・ツク間に残存する部面の幅すとの
関係は とすることにより他チヤンネルトラック間のクロストー
ク量を低減させることができる。即ち第４図のグラフに
示す如き結果が得られる。なお、これはレーザーの最短
波長０．５μｍと仮定し、光学系を通った絞り量を１．
５μｍとしてトラック幅加工した場合であって、レーザ
ー照射溝部幅ａを細線で、また残存部面幅すを点線で示
しである。
るトラック幅加工において、レーザートリミング幅、即
ち第３図Ｃに示す如く、レーザービーム照射により取除
く溝部の幅ａとトラ・ツク間に残存する部面の幅すとの
関係は とすることにより他チヤンネルトラック間のクロストー
ク量を低減させることができる。即ち第４図のグラフに
示す如き結果が得られる。なお、これはレーザーの最短
波長０．５μｍと仮定し、光学系を通った絞り量を１．
５μｍとしてトラック幅加工した場合であって、レーザ
ー照射溝部幅ａを細線で、また残存部面幅すを点線で示
しである。
次に第５図について第２の実施例を説明する。
先ず第１の実施例と同様にＭｎ −Ｚｎ系フェライト、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等より成る基板（１１上に第１
絶縁膜（２）とコイル導体層（３）とを順次積層して電
気回路部を形成し、この電気回路部上、即ち導体層（３
）を保護する第２絶縁膜（４）を形成する。この状態に
おいて本例では、作成するトランク幅に対応する部面に
Ｃｕ、 ０１等の金属反射膜（１１）を１μｍ以上膜付
けする（第５図Ａ）。この膜付けは原則として深さ零ま
での配置で良い。
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等より成る基板（１１上に第１
絶縁膜（２）とコイル導体層（３）とを順次積層して電
気回路部を形成し、この電気回路部上、即ち導体層（３
）を保護する第２絶縁膜（４）を形成する。この状態に
おいて本例では、作成するトランク幅に対応する部面に
Ｃｕ、 ０１等の金属反射膜（１１）を１μｍ以上膜付
けする（第５図Ａ）。この膜付けは原則として深さ零ま
での配置で良い。
この反射膜（１１）の膜付けは、第５図Ａに示すものの
他同図Ａ′及びＡ＃に示す如き各種の形状に膜付けする
ことができる。即ち、同図Ａに示すものは、電気回路部
の表面上のトランク幅形成部に反射膜（１１）を形成し
た場合、同図Ａ′は上部金属磁性膜の形成に対応する部
面に反射膜（１１’）を形成した場合、また、同図Ａ
ＩＩはトラックをトリミングする周囲形状、例えばコ字
形に合せた形状に反射膜（１１“）を形成した場合であ
る。このようにして反射膜を形成した後、パンクギヤツ
ブとなるコンタクト窓（６）を形成する。なおこの際磁
気シールド用の透孔（５ａ） 、（５ｂ） 、・・・・
も形成する。
他同図Ａ′及びＡ＃に示す如き各種の形状に膜付けする
ことができる。即ち、同図Ａに示すものは、電気回路部
の表面上のトランク幅形成部に反射膜（１１）を形成し
た場合、同図Ａ′は上部金属磁性膜の形成に対応する部
面に反射膜（１１’）を形成した場合、また、同図Ａ
ＩＩはトラックをトリミングする周囲形状、例えばコ字
形に合せた形状に反射膜（１１“）を形成した場合であ
る。このようにして反射膜を形成した後、パンクギヤツ
ブとなるコンタクト窓（６）を形成する。なおこの際磁
気シールド用の透孔（５ａ） 、（５ｂ） 、・・・・
も形成する。
次に同図Ｂに示す如く、表・面の所要部即ち電気回路部
の接続端子部を除く部面にセンダスト等によりマスクス
パッタリング、蒸着等の手段で上部金属磁性膜（７）を
形成することにより薄膜磁気ヘッド素体を得る。
の接続端子部を除く部面にセンダスト等によりマスクス
パッタリング、蒸着等の手段で上部金属磁性膜（７）を
形成することにより薄膜磁気ヘッド素体を得る。
そして最後に計やＹＡＧ等ビームの絞り可能なレーザー
装ＷＬを使用して上述の第１の実施例と同様の条件でビ
ーム照射して所定のトランク幅Ｔｎの加工を行なうこと
により第６図に示す薄膜磁気へソドが得られる。
装ＷＬを使用して上述の第１の実施例と同様の条件でビ
ーム照射して所定のトランク幅Ｔｎの加工を行なうこと
により第６図に示す薄膜磁気へソドが得られる。
このように本例においては上部金属磁性膜を膜付けする
直前に反射率の高い例えばＣｕ、 Ａ１等の金属反射膜
をトラック形成位置に配し、上部金属磁性膜をレーザー
ビーム照射によりトラック幅加工を行なうのでこの際レ
ーザー光は金属反射膜で反射されることになり、これを
打ち抜けるものではなく、従って下層側の各ｉ膜にダメ
ージを与えるおそれなく、精度の良好なトラック幅を形
成できる。
直前に反射率の高い例えばＣｕ、 Ａ１等の金属反射膜
をトラック形成位置に配し、上部金属磁性膜をレーザー
ビーム照射によりトラック幅加工を行なうのでこの際レ
ーザー光は金属反射膜で反射されることになり、これを
打ち抜けるものではなく、従って下層側の各ｉ膜にダメ
ージを与えるおそれなく、精度の良好なトラック幅を形
成できる。
また、第７図及び第８図について第３の実施例を説明す
る。
る。
本例も第１の実施例と同様にＭｎ−Ｚｎ系フェライト、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等より成る基板（１）上に第１
絶縁膜（２）、導体層（３）を順次積層して電気回路部
を形成し、この電気回路部上に第２絶縁膜（４）を膜付
けした後、パックギャップとなるコンタクト窓（６）を
ドライエンチング等にて形成する。なおこの際磁気シー
ルド用の透孔（５ａ） 、（５ｂ） 、・・・・も形成
する。
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト等より成る基板（１）上に第１
絶縁膜（２）、導体層（３）を順次積層して電気回路部
を形成し、この電気回路部上に第２絶縁膜（４）を膜付
けした後、パックギャップとなるコンタクト窓（６）を
ドライエンチング等にて形成する。なおこの際磁気シー
ルド用の透孔（５ａ） 、（５ｂ） 、・・・・も形成
する。
次に、上部金属磁性膜（７）を膜付は形成して薄膜磁気
ヘッド素体を得る（第７図Ａ）。
ヘッド素体を得る（第７図Ａ）。
そして本例では５ｉ０２＋ Ｔａ２ｅ５等の最終絶縁膜
（１２）を上部金属磁性膜（７）上に膜付は完了後、真
空アニール、不活性ガス中で熱処理し、再結晶化して初
期透磁率μを得る。この場合、熱処理と最終絶縁膜（１
２）の膜付けが逆になってもよい。
（１２）を上部金属磁性膜（７）上に膜付は完了後、真
空アニール、不活性ガス中で熱処理し、再結晶化して初
期透磁率μを得る。この場合、熱処理と最終絶縁膜（１
２）の膜付けが逆になってもよい。
そして最後にＡｒやＹＡＧ等ビームの絞り可能なレーザ
ー装置りを利用して上述の第１の実施例と同様の条件で
ビーム照射して、最終絶縁ＩＦ！（１２）を通して上部
金属磁性膜（７）を規定のトラックチャンネル数を確保
するようにトラック幅Ｔｉｗｔ例えば２６３〜３１７μ
ｍに加工を行なうことにより（同図Ｂ）、第８図に示す
薄膜磁気ヘッドが得られる。
ー装置りを利用して上述の第１の実施例と同様の条件で
ビーム照射して、最終絶縁ＩＦ！（１２）を通して上部
金属磁性膜（７）を規定のトラックチャンネル数を確保
するようにトラック幅Ｔｉｗｔ例えば２６３〜３１７μ
ｍに加工を行なうことにより（同図Ｂ）、第８図に示す
薄膜磁気ヘッドが得られる。
この場合、ＹＡＧレーザー装置のビーム照射を不活性ガ
ス雰囲気内で実施すると初期透磁率μの劣化は非常に少
ない結果を得た。また、最終絶縁ｌ１ｌ（１２）の有無
（熱処理有り）において、レーザービーム照射によるト
ラック幅加工後の初期透磁率μの変化度合を比率で示す
と下表の如くである。
ス雰囲気内で実施すると初期透磁率μの劣化は非常に少
ない結果を得た。また、最終絶縁ｌ１ｌ（１２）の有無
（熱処理有り）において、レーザービーム照射によるト
ラック幅加工後の初期透磁率μの変化度合を比率で示す
と下表の如くである。
このように最終絶縁膜（１２）を上部金属磁性膜（７）
に対し膜付けせずにレーザービーム照射によりトラック
幅加工を行なったものを「１」とすると、最終絶縁ｍ１
ｌｌ（１２）を膜付けしたものは３．４〜３．８倍即ち
標準透磁率相当となり、従来のドライエツチングにより
トラック幅加工を行なったものとほぼ同等の特性を有す
る結果が得られた。
に対し膜付けせずにレーザービーム照射によりトラック
幅加工を行なったものを「１」とすると、最終絶縁ｍ１
ｌｌ（１２）を膜付けしたものは３．４〜３．８倍即ち
標準透磁率相当となり、従来のドライエツチングにより
トラック幅加工を行なったものとほぼ同等の特性を有す
る結果が得られた。
なお、本例におけるレーザービーム照射によるトラック
幅加工は真空中において実施しても不活性ガス雰囲気内
で実施した場合と同等な結果が得られるが、空気中では
最終絶縁膜（１２）を膜付けせずに直接上部金属磁性１
１ （７）にレーザー照射してトラック幅加工を行なう
と初期透磁率μの劣化が激しくなる。
幅加工は真空中において実施しても不活性ガス雰囲気内
で実施した場合と同等な結果が得られるが、空気中では
最終絶縁膜（１２）を膜付けせずに直接上部金属磁性１
１ （７）にレーザー照射してトラック幅加工を行なう
と初期透磁率μの劣化が激しくなる。
このように本例においては、上部金属磁性膜の上に保護
膜として最終絶縁膜を膜付は形成し、この最終絶縁膜を
通して上部金属磁性膜にレーザービームを照射してトラ
ック幅加工を行なうので、従来のドライエツチング加工
法に対して工数が大幅に削減できると共に、上部金属磁
性膜にはレーザービームの熱によるダメージ、例えば組
成ずれ、表面酸化等をほとんど受けることなく、従来の
ドライエツチング加工法に劣らない特性を確保できる。
膜として最終絶縁膜を膜付は形成し、この最終絶縁膜を
通して上部金属磁性膜にレーザービームを照射してトラ
ック幅加工を行なうので、従来のドライエツチング加工
法に対して工数が大幅に削減できると共に、上部金属磁
性膜にはレーザービームの熱によるダメージ、例えば組
成ずれ、表面酸化等をほとんど受けることなく、従来の
ドライエツチング加工法に劣らない特性を確保できる。
以上の各実施例における特性を第９ＦＩ！Ｊ及び第１Ｏ
図に示す。
図に示す。
第９図は上部金属磁性膜をセンダスト合金（Ｆｅ−＾Ｉ
ｔ−５ｔ合金）により形成した場合のレーザービーム加
工におけるセンダスト合金膜組成のＸ−Ｈ＾定量分析を
示すもので、・印はスパッタリングターゲット組成、Ｘ
印は基準となるセンダストスパッタ膜組成、ム印は窒素
ガス中でレーザービームによりトランク幅を加工した場
合のセンダスト膜の組成、○印はエツチングによりトラ
ック幅加工した場合のセンダスト膜の組成、０印は空気
中でレーザービームによりトラック幅加工した場合のセ
ンダスト膜の組成、■印はＨ２Ｏによりトラック幅加工
した場合のセンダスト膜の組成を示すものである。
ｔ−５ｔ合金）により形成した場合のレーザービーム加
工におけるセンダスト合金膜組成のＸ−Ｈ＾定量分析を
示すもので、・印はスパッタリングターゲット組成、Ｘ
印は基準となるセンダストスパッタ膜組成、ム印は窒素
ガス中でレーザービームによりトランク幅を加工した場
合のセンダスト膜の組成、○印はエツチングによりトラ
ック幅加工した場合のセンダスト膜の組成、０印は空気
中でレーザービームによりトラック幅加工した場合のセ
ンダスト膜の組成、■印はＨ２Ｏによりトラック幅加工
した場合のセンダスト膜の組成を示すものである。
この結果から分るように窒素ガス（不活性ガス）雰囲気
中でレーザービームによりトラック幅加工した場合は従
来のエツチング加工法により加工した場合とほとんど変
らず基準組成に対する組成ずれはほとんどなく、レーザ
ービームの熱によるダメージをほとんど受けないことが
わかる。
中でレーザービームによりトラック幅加工した場合は従
来のエツチング加工法により加工した場合とほとんど変
らず基準組成に対する組成ずれはほとんどなく、レーザ
ービームの熱によるダメージをほとんど受けないことが
わかる。
第１０図は各レーザービーム加工条件下における上部金
属磁性膜の初期透磁率μの変化を示すもので、このグラ
フにおいて×印は最終絶縁膜を有し窒素雰囲気中でレー
ザー加工した場合、・印は最終絶縁膜が無（窒素ガス雰
囲気中でレーザービーム加工した場合、０印、ム印、０
印、園印は最終絶縁膜を有し、真空中でレーザーと一ム
加工した場合、■印は最終絶縁膜が無く、イオンエツチ
ング加工した場合、Ｏ印は最終絶縁膜が無く真空中でレ
ーザービーム加工した場合を示すもので、上点はＩ Ｍ
Ｈｚ 、下点は５ ｔ’ｉＨｚの場合である。
属磁性膜の初期透磁率μの変化を示すもので、このグラ
フにおいて×印は最終絶縁膜を有し窒素雰囲気中でレー
ザー加工した場合、・印は最終絶縁膜が無（窒素ガス雰
囲気中でレーザービーム加工した場合、０印、ム印、０
印、園印は最終絶縁膜を有し、真空中でレーザーと一ム
加工した場合、■印は最終絶縁膜が無く、イオンエツチ
ング加工した場合、Ｏ印は最終絶縁膜が無く真空中でレ
ーザービーム加工した場合を示すもので、上点はＩ Ｍ
Ｈｚ 、下点は５ ｔ’ｉＨｚの場合である。
この結果から分るように最終絶縁膜を有し、窒素ガス（
不活性ガス）雰囲気中、或いは真空中でレーザービーム
加工した場合の初期透磁率μの変化度合は従来の最終絶
縁膜が無く、イオンエツチング加工した場合とほぼ等し
い範囲にあり、従来の場合に劣らない特性を確保できる
ことがわかる。
不活性ガス）雰囲気中、或いは真空中でレーザービーム
加工した場合の初期透磁率μの変化度合は従来の最終絶
縁膜が無く、イオンエツチング加工した場合とほぼ等し
い範囲にあり、従来の場合に劣らない特性を確保できる
ことがわかる。
なお、以上の各実施例においてはコイル導体層を一層の
み形成した場合を示したがコイル導体層は二層以上形成
でき、この場合は各コイル導体層間に絶縁層を介在して
形成することになる。
み形成した場合を示したがコイル導体層は二層以上形成
でき、この場合は各コイル導体層間に絶縁層を介在して
形成することになる。
発明の効果
以上のように本発明によれば磁性基板と磁性膜との間に
絶縁層を介してコイル導体を配し、磁気回路を構成して
なるＢＩＮ磁気ヘッドにおいて、磁性膜にはその表面側
からレーザービーム照射によりトラック幅を加工形成す
るので、任意のトラック幅を従来のフォトリソグラフィ
の技術により形成するものに比較して、容易に形成でき
て、短時間で大量処理することができ、その結果コスト
の低廉化が可能となり、またトラックの狭ピツチ配置に
おいてもレーザービームの径を調整することにより所望
のトラック幅加工精度を実現することができてクロスト
ークの問題も解消できる等の効果を有する。
絶縁層を介してコイル導体を配し、磁気回路を構成して
なるＢＩＮ磁気ヘッドにおいて、磁性膜にはその表面側
からレーザービーム照射によりトラック幅を加工形成す
るので、任意のトラック幅を従来のフォトリソグラフィ
の技術により形成するものに比較して、容易に形成でき
て、短時間で大量処理することができ、その結果コスト
の低廉化が可能となり、またトラックの狭ピツチ配置に
おいてもレーザービームの径を調整することにより所望
のトラック幅加工精度を実現することができてクロスト
ークの問題も解消できる等の効果を有する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの第１実施例の一
部分の平面図、第２図は同薄膜磁気ヘッドの要部の拡大
断面図、第３図は同薄膜磁気ヘッドの製造工程説明図、
第４図は同薄膜磁気ヘッドにおけるトラックトリミング
幅とクロストーク量との関係を示すグラフ、第５図は本
発明による薄膜磁気ヘッドの第２実施例の製造工程説明
図、第６図は第５図に示す工程により製造された薄膜磁
気ヘッドの要部の拡大断面図、第７図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの第３実施例の製造工程説明図、第８図は
第７図に示す工程により製造された薄膜磁気ヘッドの要
部の拡大断面図、第９図はレーザービーム照射によるト
ラック幅加工とエツチングによるトラック幅加工におけ
るセンダスト膜の組成変化を示すグラフ、第１０図はレ
ーザービーム照射によるトラック幅加工とエツチングに
よるトラック幅加工の各加工条件下における初期透磁率
の変化を示すグラフである。 図中、（１１は磁性基板、（２１，（４）は絶縁層、（
３）は導体層、（７）は上部金属磁性膜、ＴｓＬよトラ
ック幅、Ｌはレーザー装置である。 第１図 Ｃ 第２図 ム 第１図 第８図 ｆ ４（２） ５ａ 第９図 第１０図
部分の平面図、第２図は同薄膜磁気ヘッドの要部の拡大
断面図、第３図は同薄膜磁気ヘッドの製造工程説明図、
第４図は同薄膜磁気ヘッドにおけるトラックトリミング
幅とクロストーク量との関係を示すグラフ、第５図は本
発明による薄膜磁気ヘッドの第２実施例の製造工程説明
図、第６図は第５図に示す工程により製造された薄膜磁
気ヘッドの要部の拡大断面図、第７図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの第３実施例の製造工程説明図、第８図は
第７図に示す工程により製造された薄膜磁気ヘッドの要
部の拡大断面図、第９図はレーザービーム照射によるト
ラック幅加工とエツチングによるトラック幅加工におけ
るセンダスト膜の組成変化を示すグラフ、第１０図はレ
ーザービーム照射によるトラック幅加工とエツチングに
よるトラック幅加工の各加工条件下における初期透磁率
の変化を示すグラフである。 図中、（１１は磁性基板、（２１，（４）は絶縁層、（
３）は導体層、（７）は上部金属磁性膜、ＴｓＬよトラ
ック幅、Ｌはレーザー装置である。 第１図 Ｃ 第２図 ム 第１図 第８図 ｆ ４（２） ５ａ 第９図 第１０図
Claims (1)
- 磁性基板と磁性膜との間に絶縁層を介してコイル導体を
配し、磁気回路を構成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて
、上記磁性膜はその表面側からレーザービーム照射によ
りトラック幅加工が施されていることを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11171084A JPS60254406A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11171084A JPS60254406A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254406A true JPS60254406A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14568194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11171084A Pending JPS60254406A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0256938A2 (en) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | Quantum Corporation | Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like |
| US5221422A (en) * | 1988-06-06 | 1993-06-22 | Digital Equipment Corporation | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11171084A patent/JPS60254406A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0256938A2 (en) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | Quantum Corporation | Lithographic technique using laser for fabrication of electronic components and the like |
| US5221422A (en) * | 1988-06-06 | 1993-06-22 | Digital Equipment Corporation | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03242810A (ja) | 犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース | |
| JPS63173213A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH01173310A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS60254406A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS60254407A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US4224400A (en) | Method of manufacturing a magnetic head by photo-etching | |
| JPH0453012A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2798354B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド基板のオートアライメントマーカー形成方法 | |
| JPH0664712B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH07220218A (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置 | |
| JPH0582649B2 (ja) | ||
| JP3135021B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2658908B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH06290423A (ja) | 薄膜磁気ヘッドのポールトリミング方法 | |
| JPH0216409Y2 (ja) | ||
| JPS6095714A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| KR880000395B1 (ko) | 두 점용접 금속판을 포함한 자기헤드 | |
| JPH0520640A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6226618A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS63220405A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6098511A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS60177416A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0337811A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0479042B2 (ja) | ||
| JPS6059514A (ja) | ダブルアジマスヘツドの製造方法 |